驱动基板和显示面板的制作方法

本技术涉及显示，尤其涉及一种驱动基板和显示面板。

背景技术：

1、在源极、半导体层、漏极层叠设置形成的具有垂直沟道的薄膜晶体管中，栅极设置在半导体层的侧面。在薄膜晶体管打开时，半导体层靠近栅极的一部分形成可以导通源极和漏极的垂直沟道。载流子通过垂直沟道在源极和漏极之间转移，使得源极和漏极之间存在电压差。而半导体层远离栅极的一部分无法导通源极和漏极。此时，源极、半导体层远离栅极的一部分、漏极会形成一个堆叠结构。由于源极和漏极之间存在电压差，因此，半导体层远离栅极的一部分位于电场中。

2、为了进一步提高显示面板的刷新率，需要提升薄膜晶体管的开关速度。提升开关速度可以通过缩短沟道的长度，减小载流子从源极到漏极的迁移时间来实现。在上述具有垂直沟道的薄膜晶体管中，垂直沟道的长度为半导体层的厚度。为了提升薄膜晶体管的开关速度，需要减薄半导体层的膜厚。但在半导体层的膜厚减薄后，半导体层远离栅极的一部分的厚度也随之减薄，半导体层远离栅极的一部分两侧的源极、漏极间距减小，导致半导体层远离栅极的一部分处的电场强度增大，造成半导体层远离栅极的一部分容易发生量子隧穿，影响薄膜晶体管的器件稳定性。

3、故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种驱动基板和显示面板，可以提高薄膜晶体管的器件稳定性，提升薄膜晶体管的开关速度，提高显示面板的刷新率。

2、为解决上述问题，本技术的技术方案如下：

3、第一方面，本技术提出了一种驱动基板，包括：

4、包括衬底和设于所述衬底一侧的第一晶体管，所述第一晶体管包括：

5、第一电极，设于所述衬底的一侧；

6、第一半导体层，设于所述第一电极远离所述衬底的一侧，包括主体部和连接于所述主体部一侧的第一有源部；

7、第一绝缘层，设于所述主体部远离所述衬底的一侧；

8、第二电极，所述第二电极的至少部分设于所述第一有源部远离所述衬底的一侧；

9、第二绝缘层，至少覆盖所述第一电极的侧面、所述第一有源部的侧面以及所述第二电极；以及

10、第一栅极，设于所述第二绝缘层远离所述第一有源部的一侧，并与所述第一有源部的侧面重叠。

11、在本技术的一实施例中，所述第一有源部在平行于所述衬底的板面方向上的宽度处于5纳米至30纳米的范围内。

12、在本技术的一实施例中，所述第一有源部包括：

13、第一连接部，位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一连接部连接于所述主体部的一侧；和

14、第一沟道部，位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一沟道部连接于所述第一连接部远离所述主体部的一侧，所述第二绝缘层覆盖所述第一沟道部远离所述第一连接部的侧面，所述第一栅极与所述第一沟道部的侧面重叠；

15、在所述第一晶体管打开时，所述第一沟道部电导通所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极、所述第二电极分别与所述第一连接部绝缘。

16、在本技术的一实施例中，所述第一沟道部在平行于所述衬底的板面方向上的宽度处于5纳米至30纳米的范围内。

17、在本技术的一实施例中，所述第一半导体层还包括第二有源部，所述第二有源部设于所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述主体部的两侧分别与所述第一有源部、所述第二有源部连接，所述第二有源部远离所述衬底的一侧设有所述第二电极的一部分；

18、所述第二绝缘层还覆盖所述第二有源部的侧面；

19、所述第一栅极包括第一子栅极和第二子栅极；

20、所述第一子栅极设于所述第二绝缘层远离所述第一有源部的一侧，并与所述第一有源部的侧面重叠；

21、所述第二子栅极设于所述第二绝缘层远离所述第二有源部的一侧，并与所述第二有源部的侧面重叠。

22、在本技术的一实施例中，所述第二有源部在平行于所述衬底的板面方向上的宽度处于5纳米至30纳米的范围内。

23、在本技术的一实施例中，所述第二有源部包括：

24、第二连接部，位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第二连接部连接于所述主体部的另一侧；和

25、第二沟道部，位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第二沟道部连接于所述第二连接部远离所述主体部的一侧，所述第二绝缘层覆盖所述第二沟道部远离所述第二连接部的侧面，所述第二子栅极与所述第二沟道部的侧面重叠；

26、在所述第一晶体管打开时，所述第二沟道部电导通所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极、所述第二电极分别与所述第二连接部绝缘。

27、在本技术的一实施例中，所述第一子栅极与所述第二子栅极电连接。

28、在本技术的一实施例中，所述第二电极连续覆盖所述第一有源部远离所述衬底的一侧、所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧以及所述第二有源部远离所述衬底的一侧。

29、在本技术的一实施例中，所述第二电极包括：

30、第一子电极，设于所述第一有源部远离所述衬底的一侧；和

31、第二子电极，设于所述第二有源部远离所述衬底的一侧，所述第二子电极与所述第一子电极间隔设置，形成缺口，所述缺口暴露所述第一绝缘层。

32、在本技术的一实施例中，所述驱动基板还包括连接走线，在所述驱动基板的平面视图中，所述连接走线位于所述第一半导体层的外侧，所述连接走线电连接所述第一子电极和所述第二子电极。

33、在本技术的一实施例中，在所述驱动基板的平面视图中，所述第一有源部绕所述主体部的外围延伸，所述第一栅极在所述衬底上的正投影绕所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的外围延伸。

34、在本技术的一实施例中，所述第一绝缘层的厚度处于4000埃至8000埃的范围内；

35、所述第一半导体层的厚度处于5纳米至500纳米的范围内。

36、在本技术的一实施例中，所述驱动基板还包括：

37、转接结构，位于所述第一晶体管的一侧，并与所述第一电极和所述第二电极中的一者电连接；

38、钝化层，覆盖所述第一晶体管和所述转接结构；以及

39、第三电极，设于所述钝化层远离所述衬底的一侧，并与所述转接结构电连接；

40、其中，所述转接结构包括至少一个转接电极，每个所述转接电极与第一电极、所述第二电极、所述第一栅极中的一者同层设置，不同的所述转接电极异层设置。

41、在本技术的一实施例中，所述驱动基板包括像素设置区和位于所述像素设置区至少一侧的非像素设置区，所述第一晶体管设于所述非像素设置区；

42、所述驱动基板还包括位于所述像素设置区的第二晶体管，所述第二晶体管包括：

43、第四电极，设于所述衬底的一侧，所述第四电极与所述第一电极同层设置；

44、第二半导体层，设于所述第四电极远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层与所述第一半导体层同层设置，所述第二半导体层包括第三沟道部和连接于所述第三沟道部两侧的第三连接部、第四连接部；

45、所述第一绝缘层还设于所述第三沟道部远离所述衬底的一侧；

46、第二栅极，设于所述第一绝缘层远离所述第三沟道部的一侧，所述第二栅极与所述第二电极同层设置；

47、所述第二绝缘层还覆盖所述第二电极、所述第二半导体层以及所述第四电极；

48、第五电极，设于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第五电极与所述第一栅极同层设置，所述第五电极包括第三子电极以及所述第四子电极，所述第三子电极与所述第三连接部电连接，所述第四子电极与所述第四连接部电连接；

49、所述驱动基板还包括：

50、钝化层，覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管；

51、第六电极，设于所述钝化层远离所述衬底的一侧，所述第六电极与所述第三子电极、所述第四子电极中的一者电连接。

52、第二方面，本技术提出了一种显示面板，所述显示面板包括驱动基板，所述驱动基板包括衬底和设于所述衬底一侧的第一晶体管，所述第一晶体管包括：

53、第一电极，设于所述衬底的一侧；

54、第一半导体层，设于所述第一电极远离所述衬底的一侧，包括主体部和连接于所述主体部一侧的第一有源部；

55、第一绝缘层，设于所述主体部远离所述衬底的一侧；

56、第二电极，所述第二电极的至少部分设于所述第一有源部远离所述衬底的一侧；

57、第二绝缘层，至少覆盖所述第一电极的侧面、所述第一有源部的侧面以及所述第二电极；以及

58、第一栅极，设于所述第二绝缘层远离所述第一有源部的一侧，并与所述第一有源部的侧面重叠。

59、在本技术的实施例中，当第一晶体管打开时，第一有源部可以电导通第一电极和第二电极，形成垂直沟道。载流子可以通过第一有源部在第一电极、第二电极之间转移，第一电极与第二电极之间存在电压差，本技术实施例通过在主体部上设置第一绝缘层，减少了第二电极与主体部的接触面积，从而降低了主体部发生量子隧穿的概率，提高第一晶体管的器件稳定性，提升第一晶体管的开关速度，提高显示面板的刷新率。