半导体封固成型用临时保护膜及其制造方法、带临时保护膜的引线框架、临时保护的封固成型体以及制造半导体封装件的方法与流程

本发明涉及一种半导体封固成型用临时保护膜及其制造方法、带临时保护膜的引线框架、临时保护的封固成型体以及制造半导体封装件的方法。

背景技术：

1、在半导体封装件中，有时采用仅在引线框架的半导体元件侧形成封固层且引线框架的背面露出的结构（专利文献1及2）。在具有该结构的半导体封装件的制造中，为了防止封固成型时封固树脂绕到引线框架的背面，有时通过贴附临时保护膜来临时保护引线框架的背面（专利文献3及4）。在形成封固层之后从引线框架剥离临时保护膜。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平5-129473号公报

5、专利文献2：日本特开平10-12773号公报

6、专利文献3：国际公开第2021/206058号

7、专利文献4：国际公开第2021/206069号

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、本发明涉及一种能够贴附于引线框架上且在经受400℃左右的高温的热历程后能够容易剥离的半导体封固成型用临时保护膜。

3、用于解决技术课题的手段

4、本发明包括以下内容。

5、[1]

6、一种半导体封固成型用临时保护膜，其具备支撑膜及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面，

7、所述黏合层包含热塑性树脂及分子量小于1000的化合物即低分子成分，

8、所述低分子成分中的总氯含量为12.5质量%以上。

9、[2]

10、根据权利要求1所述的半导体封固成型用临时保护膜，其中，

11、所述低分子成分的含量相对于所述热塑性树脂的含量100质量份为3质量份以上且20质量份以下。

12、[3]

13、一种半导体封固成型用临时保护膜，其具备支撑膜及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面，

14、所述黏合层包含热塑性树脂及分子量小于1000的化合物即低分子成分，

15、所述黏合层中的总氯含量为1.11质量%以上。

16、[4]

17、根据[1]至[3]中任一项所述的半导体封固成型用临时保护膜，其中，

18、所述低分子成分包含具有1个以上的环氧基的环氧化合物。

19、[5]

20、一种制造半导体封固成型用临时保护膜的方法，所述半导体封固成型用临时保护膜具备支撑膜及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面，

21、该方法包括如下步骤：

22、准备分子量小于1000的化合物即低分子成分；

23、将所述低分子成分与热塑性树脂及溶剂混合，由此形成清漆；

24、在所述支撑膜上形成含有所述清漆的膜；及

25、通过从所述膜去除所述溶剂，形成所述黏合层；

26、所述低分子成分中的总氯含量为12.5质量%以上。

27、[6]

28、一种带临时保护膜的引线框架，其具备：

29、具有芯片焊盘的引线框架；及

30、[1]至[4]中任一项所述的半导体封固成型用临时保护膜，

31、所述临时保护膜以所述临时保护膜的黏合层与所述引线框架接触的朝向贴附于所述引线框架的一个面上。

32、[7]

33、一种临时保护的封固成型体，其具备：

34、具有芯片焊盘的引线框架；

35、在所述引线框架的一个面侧搭载于所述芯片焊盘上的半导体元件；

36、封固所述半导体元件的封固层；及

37、[1]至[4]中任一项所述的半导体封固成型用临时保护膜，

38、所述临时保护膜以所述临时保护膜的黏合层与所述引线框架接触的朝向贴附于所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面。

39、[8]

40、一种制造半导体封装件的方法，其依次包括如下步骤：

41、在具有芯片焊盘的引线框架的一个面上，以所述黏合层与所述引线框架接触的朝向贴附[1]至[4]中任一项所述的半导体封固成型用临时保护膜；

42、在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反的一侧的面上搭载半导体元件；

43、形成封固所述半导体元件的封固层，获得具有所述引线框架、所述半导体元件及所述封固层的临时保护的封固成型体；及

44、从所述封固成型体剥离所述临时保护膜。

45、[9]

46、根据[8]所述的方法，其中，

47、所述引线框架具有多个所述芯片焊盘，在所述多个芯片焊盘的每一个上搭载所述半导体元件，

48、该方法进一步包括如下工序：在从所述封固成型体剥离所述临时保护膜之后分割所述封固成型体，获得具有1个所述芯片焊盘及所述半导体元件的半导体封装件。

49、发明效果

50、本发明提供一种能够贴附于引线框架上且在经受400℃左右的高温的热历程后能够容易剥离的半导体封固成型用临时保护膜。

1.一种半导体封固成型用临时保护膜，其具备支撑膜及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面，

2.根据权利要求1所述的半导体封固成型用临时保护膜，其中，

3.一种半导体封固成型用临时保护膜，其具备支撑膜及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封固成型用临时保护膜，其中，

5.一种制造半导体封固成型用临时保护膜的方法，所述半导体封固成型用临时保护膜具备支撑膜及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护所述引线框架的与所述半导体元件相反的一侧的面，

6.一种带临时保护膜的引线框架，其具备：

7.一种临时保护的封固成型体，其具备：

8.一种制造半导体封装件的方法，其依次包括如下步骤：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，