半导体元件的制作方法

本发明涉及一种半导体元件，尤其涉及一种包括磁阻传感器的半导体元件。

背景技术：

1、随着便携式电子装置的普及，具备地磁方向感测功能的电子罗盘技术日益受到重视。当电子罗盘被应用于如智能型手机等体积受限的便携式电子装置时，除需满足小型化的设计需求外，更佳还能提供三轴方向的磁场感测功能。基于此需求，具备三方向磁场感测能力的磁感测装置，已广泛应用于各类电子装置中。

2、然而，受限于结构限制和制程限制，目前的磁感测装置仍待进一步改善。

技术实现思路

1、根据本发明一实施例，提供一种半导体元件，包括基板、层间介电层、上层导线、顶部介电层、凹槽、至少一贯穿孔、导电盖层和第一磁阻层。层间介电层设置于基板上，上层导线设置于层间介电层上，顶部介电层设置于上层导线上。凹槽设置于顶部介电层中，并包括倾斜侧壁。贯穿孔设置于顶部介电层中，且侧向分离于凹槽，其中贯穿孔电连接上层导线，且贯穿孔的顶面高于凹槽的底面。导电盖层覆盖贯穿孔的顶面，且电连接贯穿孔。第一磁阻层设置于倾斜侧壁上，且电连接至导电盖层。

2、根据本发明另一实施例，提供一种半导体元件的制作方法，其步骤包括：提供基板。形成上层导线于基板上。形成顶部介电层于上层导线上。形成至少一贯穿孔于顶部介电层中，其中贯穿孔电连接上层导线。形成导电盖层，以覆盖贯穿孔。在形成导电盖层之后，蚀刻顶部介电层，以形成凹槽，其中凹槽包括倾斜侧壁，且凹槽侧向分离于贯穿孔。形成第一磁阻层，设置于倾斜侧壁上。

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该凹槽的最大深度小于该至少一贯穿孔的最大深度。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一贯穿孔的最大深度大于该顶部介电层的最大厚度。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一贯穿孔的电阻率低于该第一磁阻层的电阻率。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一贯穿孔的深宽比大于2.5。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一贯穿孔包括复数个贯穿孔，且该些贯穿孔的投影面积小于该上层导线的投影面积。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该导电盖层的材料包括au、pt、pd、ni、ti、ta、或tin。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，该导电盖层的接触电阻低于该第一磁阻层的电阻。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，该导电盖层的厚度小于该上层导线的厚度。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括一导电连接线，设置于该顶部介电层和该倾斜侧壁上，且电连接该导电盖层及该第一磁阻层。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括至少一主动元件，设置于该基板和该顶部介电层之间，其中该至少一主动元件电连接该至少一贯穿孔。

12.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括一介电盖层，设置于该层间介电层和该顶部介电层之间，其中该至少一贯穿孔贯穿该介电盖层。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，该介电盖层的一部分覆盖该上层导线，且该介电盖层的该部分的高度高于且该介电盖层的其他部分的高度。

14.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：

15.如权利要求14所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，在形成该至少一贯穿孔之前，还包括对该顶部介电层施行一平坦化制程。

16.如权利要求14所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，形成该至少一贯穿孔于该顶部介电层中的步骤包括：

17.如权利要求16所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，该导电材料的电阻低于该第一磁阻层的电阻。

18.如权利要求16所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，在填入该导电材料至该至少一贯穿孔洞中之前，另包括：

19.如权利要求14所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，该导电盖层的厚度小于该上层导线的厚度。

20.如权利要求14所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，在形成该凹槽之后，另包括：

21.如权利要求14所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，在形成该第一磁阻层之后，另包括形成一导电连接线，以覆盖并电连接该导电盖层及该第一磁阻层。