一种射频滤波器的负载层制备方法及制备装置与流程

本申请涉及滤波器，具体而言，涉及一种射频滤波器的负载层制备方法及制备装置。

背景技术：

1、fbar滤波器是一种基于薄膜体声波谐振器（film bulk acoustic resonator,fbar）的射频滤波器。在射频器件的制造过程中，射频滤波器顶电极与负载层的制备通常采用分步工艺，以钼（mo）作为电极材料和负载层材料为例，传统工艺的基本流程为：首先在压电层上沉积顶电极mo层，经负胶光刻图形化处理后，再沉积负载层低温（如低温范围为10°-20°）mo层，最后通过剥离工艺去除光刻胶及其上的多余金属层，完成图形化。这种分步制备方式导致工艺流程繁琐，工序多，周期长；并且，负胶剥离工艺容易产生图形边缘粗糙、剥离不干净等问题。

2、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种射频滤波器的负载层制备方法及制备装置。能够简化制备工艺流程，同时提高负载层厚度控制精度，改善射频滤波器带宽一致性，提高产品良率和器件性能的稳定性。

2、第一方面，本申请提供了一种射频滤波器的负载层制备方法，包括：

3、在射频滤波器的压电层上，沉积复合金属层；

4、在所述复合金属层上制备掩膜层；

5、按所述射频滤波器对应预设的目标刻蚀量，对所述复合金属层中未被所述掩膜层覆盖的区域进行刻蚀；

6、去除所述掩膜层，得到所述射频滤波器的顶电极层和负载层。

7、通过上述方案，能够简化制备工艺流程，同时提高负载层厚度控制精度，改善射频滤波器带宽一致性，提高产品良率和器件性能的稳定性。

8、可选地，所述按所述射频滤波器对应预设的目标刻蚀量，对所述复合金属层中未被所述掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，包括：

9、对所述射频滤波器中设置有所述复合金属层的晶圆进行划分，得到至少两个晶圆分区；

10、分别基于每一个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，确定每一个晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据；

11、根据各个所述晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据与各个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，结合所述射频滤波器对应的目标带宽数据，确定所述目标刻蚀量；

12、按照所述目标刻蚀量，对所述复合金属层中未被所述掩膜层覆盖的区域进行刻蚀。

13、通过上述技术方案，本申请能够有效解决传统刻蚀方法难以保证负载层厚度精度的问题，显著提高了负载层厚度的精度，从而保证了射频滤波器能够达到预设的目标带宽要求。

14、可选地，所述分别基于每一个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，确定每一个晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据，包括：

15、分别按照每一个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，对每一个所述晶圆分区上的所述复合金属层进行初始刻蚀；

16、在所述初始刻蚀完成后，检测每一个所述晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据。

17、通过明确获取每个晶圆分区初始刻蚀深度量对应带宽数据的具体实施流程，能够保证初始刻蚀深度与对应带宽数据的准确匹配，为后续确定目标刻蚀量提供可靠准确的数据基础，保障最终加工得到的负载层厚度符合设计要求。

18、可选地，所述根据各个所述晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据与各个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，结合所述射频滤波器对应的目标带宽数据，确定所述目标刻蚀量，包括：

19、根据各个所述晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据与各个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量进行直线拟合，得到拟合直线；

20、基于所述拟合直线，将所述目标带宽数据对应的刻蚀深度量，作为所述目标刻蚀量。

21、可选地，所述在射频滤波器的压电层上，沉积复合金属层，包括：

22、采用物理气相沉积工艺，在射频滤波器的压电层上，一次性沉积所述复合金属层。

23、可选地，所述在所述复合金属层上制备掩膜层，包括：

24、在所述复合金属层表面涂覆正性光刻胶；

25、对所述正性光刻胶进行曝光及显影处理，以在所述复合金属层上形成图形化的所述掩膜层。

26、可选地，所述去除所述掩膜层，包括：

27、采用湿法剥离工艺，去除所述掩膜层。

28、可选地，所述按所述射频滤波器对应预设的目标刻蚀量，对所述复合金属层中未被所述掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，包括：

29、按所述目标刻蚀量，通过预设的物理气相沉积机器，对所述复合金属层中未被所述掩膜层覆盖的区域进行减薄刻蚀，直到所述区域的厚度达到所述负载层对应预设的负载层厚度。

30、可选地，所述制备方法在射频滤波器的压电层上沉积复合金属层之前，还包括：

31、在所述射频滤波器的衬底上，制备支撑层；

32、在所述支撑层上，制备底电极；

33、在所述底电极上，制备所述射频滤波器的压电层。

34、第二方面，本申请提供了一种射频滤波器的负载层制备装置，包括：

35、复合金属层沉积模块，用于在射频滤波器的压电层上，沉积复合金属层；

36、掩膜制备模块，用于在所述复合金属层上制备掩膜层；

37、刻蚀模块，用于按所述射频滤波器对应预设的目标刻蚀量，对所述复合金属层中未被所述掩膜层覆盖的区域进行刻蚀；

38、掩膜去除模块，用于去除所述掩膜层，得到所述射频滤波器的顶电极层和负载层。

39、由上可知，本申请提供的射频滤波器的负载层制备方法，通过一次性沉积顶电极与负载层的复合金属层，再根据预设目标刻蚀量刻蚀得到对应厚度的顶电极层和负载层，替代了传统分步沉积的制备工艺，简化了整体制备流程，同时通过定量刻蚀精准控制负载层的厚度，解决了传统工艺负载层厚度精度差导致的滤波器带宽一致性低、良率低的问题，提高负载层厚度控制精度，提升射频滤波器带宽一致性，从而提高产品良率和器件性能的稳定性。

40、本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

1.一种射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述按所述射频滤波器对应预设的目标刻蚀量，对所述复合金属层（100）中未被所述掩膜层（110）覆盖的区域进行刻蚀，包括：

3.根据权利要求2所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述分别基于每一个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，确定每一个晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据，包括：

4.根据权利要求2所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述根据各个所述晶圆分区对应的射频滤波器带宽数据与各个所述晶圆分区对应的初始刻蚀深度量，结合所述射频滤波器对应的目标带宽数据，确定所述目标刻蚀量，包括：

5.根据权利要求1所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述在射频滤波器的压电层上，沉积复合金属层（100），包括：

6.根据权利要求1所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述在所述复合金属层（100）上制备掩膜层（110），包括：

7.根据权利要求1所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层（110），包括：

8.根据权利要求1所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述按所述射频滤波器对应预设的目标刻蚀量，对所述复合金属层（100）中未被所述掩膜层（110）覆盖的区域进行刻蚀，包括：

9.根据权利要求1所述的射频滤波器的负载层制备方法，其特征在于，所述制备方法在射频滤波器的压电层上沉积复合金属层（100）之前，还包括：

10.一种射频滤波器的负载层制备装置，其特征在于，包括：