半导体结构及其制造方法与流程

本公开的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术：

1、电子行业对同时能够支持更多数量的日益复杂和精密功能的更小且更快的电子器件的需求不断增长。为满足这些需求，集成电路(ic)行业持续趋向于制造低成本、高性能和低功耗的ic。迄今为止，这些目标主要通过降低ic尺寸(例如通过降低最小ic部件尺寸)来实现，从而改进生产效率并降低相关成本。然而，这种缩放也增加了ic制造工艺的复杂度。因此，要达到ic器件及其性能的持续进步，需要ic制造工艺和技术取得类似进步。

技术实现思路

1、本公开的一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法，该方法包括：提供第一结构；在第一结构的第一侧上形成第一接合膜堆叠件，其中，第一接合膜堆叠件包括介电膜，介电膜所具有的热导率大于氧化硅的热导率；执行预接合表面处理，以在介电膜中形成激活部分；将第二结构接合到第一结构的激活部分，其中，第二结构包括第二接合膜堆叠件，并且第一结构的激活部分压合到第二接合膜堆叠件；以及执行退火工艺，以在第一结构和第二结构之间形成接合界面。

2、本公开的另一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法，该方法包括：提供第一衬底，第一衬底具有形成在第一衬底的第一侧上的器件层和第一互连结构；在第一互连结构上方沉积介电层；在介电层上方形成第一接合膜，其中，第一接合膜包括含氮化物层；处理第一接合膜，以在第一接合膜的顶表面上生成悬空键；将载体衬底接合到第一衬底上的第一接合膜，其中，载体衬底包括第二接合膜，并且在第一接合膜和第二接合膜之间形成接合界面；从第二侧处理第一衬底，以去除第一衬底的至少部分；以及在器件层上形成第二互连结构。

3、本公开的又一些实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：第一结构；第二结构，堆叠在第一结构上；第一接合膜，形成在第一结构上，其中，第一接合膜包括导热介电层；第二接合膜，形成在第二结构上；以及接合界面，位于第一接合膜和第二接合膜之间，其中，接合界面包括al-o键。

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电膜包括氮化物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介电膜包括氮化铝。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述预接合表面处理将所述激活部分中的氮键取代为氧键。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述预接合表面处理是等离子体处理、湿法工艺、和化学机械抛光工艺中的一个。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括在接合所述第二结构前，对所述激活部分进行水合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接合膜堆叠件包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接合膜堆叠件包括基于氧化物的接合膜。

9.一种制造半导体结构的方法，包括：

10.一种半导体结构，包括：