基板处理装置、保养方法、基板处理方法以及半导体装置的制造方法与流程

本公开涉及基板处理装置、保养方法、基板处理方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、有时会在基板处理装置的背面侧进行维护（例如参照专利文献1）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020－155625公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本公开提供能够使接触（access）基板处理装置的背面侧变得容易、提高维护性的技术。

3、用于解决课题的技术方案

4、根据本公开的一个技术方案，提供一种技术，该技术具备：

5、工艺模块，其具有炉单元和装填单元，所述炉单元在炉内具有能够容纳多个基板的处理容器，所述装填单元配置在所述炉单元的下方，相对于所述处理容器内取出放入所述基板；

6、第一设备系统（utility system），其连接于所述工艺模块的背面的一个侧面侧，在高度方向和进深方向上延伸；

7、第二设备系统，其连接于所述工艺模块的背面的另一个侧面侧，在高度方向和进深方向上延伸；以及

8、踏板，其架设在所述第一设备系统与所述第二设备系统之间，在其上方和下方分别形成人能够往来的维护空间。

9、发明效果

10、根据本公开，能够使接触基板处理装置的背面侧变得容易，提高维护性。

1.一种基板处理装置，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

14. 一种保养方法，其特征在于，包括：

15. 一种基板处理方法，其特征在于，包括：

16. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：