异质结双极晶体管结构及其形成方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领技，尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。


背景技术：

2.异质结双极性晶体管(heterojunction bipolar transistor，hbt)是一种双极性晶体管。它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，发射结(即发射区和基区之间的pn结)形成异质结，hbt比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百ghz的信号下工作。因此，hbt在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。
3.当半导体与金属接触时，多会形成势垒层，但当半导体掺杂浓度很高时，电子可借隧道效应穿过势垒(所谓势垒也称位垒，就是在pn结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，两侧的势能差就称为势垒)，从而形成低阻值的欧姆接触。欧姆接触对半导体器件非常重要，形成良好的欧姆接触有利于电流的输入和输出。
4.现有技术中，为了在金属电极与半导体之间(具体而言，包括集电极与集电层之间、发射电极与发射层之间)形成良好的欧姆接触，使得电子更容易地贯穿势垒，集电极并未与集电层直接接触，发射电极也并未与发射层直接接触，而通常在集电极与集电层之间，以及在发射电极与发射层之间分别形成一层或多层过渡层。以发射电极为例，发射电极的电子经过了离子浓度逐渐减小的过渡层的缓冲，再流向发射层，从而在发射电极与发射层之间可以形成较低阻值的欧姆接触，保持良好的导电性能。
5.然而，上述方法需要在外延层额外形成多层过渡层，增加了外延层成本。


技术实现要素：

6.本发明实施例解决的技术问题是如何在金属电极与半导体材料之间形成低阻值欧姆接触的情况下，降低hbt的外延层成本。
7.为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种异质结双极晶体管结构的形成方法，具体包括：提供衬底；在所述衬底上形成集电层，所述集电层包括第一区域和第二区域；在所述第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；在所述集电层上形成基极层和集电极，所述基极层位于所述集电层的第二区域上方，所述集电极位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接；在所述基极层上形成发射层和基极电极，所述发射层包括第三区域和第四区域，所述基极电极和所述基极层电连接；在所述第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度；在所述发射层上形成发射电极，所述发射电极位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。
8.可选的，所述集电层还包括：第五区域，位于所述第一电离区域和所述第二区域之间；所述方法还包括：在所述第五区域进行第三离子注入，形成第三电离区域，所述第一电
离区域、所述第三电离区域、所述第二区域的离子浓度递减。
9.可选的，所述发射层还包括：第六区域，位于所述第二电离区域和所述第四区域之间；所述方法还包括：在所述第六区域进行第四离子注入，形成第四电离区域，所述第二电离区域、所述第四电离区域、所述第四区域的离子浓度递减。
10.可选的，所述集电极的宽度小于所述第一电离区域的宽度，且所述第一电离区域的宽度与所述集电极的宽度之间的差值在第一预设区间内。
11.可选的，所述第一预设区间为2微米至4微米。
12.可选的，所述集电极位于所述第一电离区域的表面区域内。
13.可选的，所述发射电极的宽度小于所述第二电离区域的宽度，且所述第二电离区域的宽度与所述发射电极的宽度之间的差值在第二预设区间内。
14.可选的，所述第二预设区间为2微米至4微米。
15.可选的，所述发射电极位于所述第二电离区域的表面区域内。
16.本发明实施例还提供一种异质结双极晶体管结构，包括：衬底；集电层，位于所述衬底上，所述集电层包括第一电离区域和第二区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；集电极，位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接；基极层，位于所述集电层的第二区域上方；基极电极，位于所述基极层上；发射层，位于所述基极层上，所述发射层包括第二电离区域和第四区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度；发射电极，位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。
17.可选的，所述异质结双极晶体管结构还包括：第三电离区域，位于所述第一电离区域和所述第二区域之间，所述第一电离区域、所述第三电离区域、所述第二区域的离子浓度递减。
18.可选的，所述异质结双极晶体管结构还包括：第四电离区域，位于所述第二电离区域和所述第四区域之间，所述第二电离区域、所述第四电离区域、所述第四区域的离子浓度递减。
19.可选的，所述集电极的宽度小于所述第一电离区域的宽度，且所述第一电离区域的宽度与所述集电极的宽度之间的差值在第一预设区间内。
20.可选的，所述发射电极的宽度小于所述第二电离区域的宽度，且所述第二电离区域的宽度与所述发射电极的宽度之间的差值在第二预设区间内。
21.与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
22.本发明实施例提供一种异质结双极晶体管结构的形成方法，将集电层划分为第一区域和第二区域，发射层划分为第三区域和第四区域，然后在第一区域(该第一区域是与集电极电性连接的区域)进行第一离子注入，形成第一电离区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；以及在第三区域(该第三区域是与发射电极电性连接的区域)进行第二离子注入，形成第二电离区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度。通过提高发射电极与发射层的电性连接区域的离子浓度，形成所述第二电离区域，以及提高集电极与集电层的电性连接区域的离子浓度，形成所述第一电离区域，从而在集电极与第一电离区域之间、发射电极与第二电离区域之间均可以形成良好的欧姆接触。由于并未增设额外的过渡层，而是直接在原有集电层和发射层中以离子注入的方式
提高离子浓度，从而可以达到降低外延层成本的目的。
23.进一步，在本发明实施例中，还可以在集电层中，位于所述第一电离区域和所述第二区域之间的第五区域进行第三离子注入，形成第三电离区域，其中，第一电离区域、第三电离区域、第二区域的离子浓度递减。以及，还可以在发射层中，位于所述第二电离区域和所述第四区域之间的第六区域进行第四离子注入，形成第四电离区域，其中，第二电离区域、第四电离区域、第四区域的离子浓度递减。由此，通过分别在集电层和发射层形成两个浓度递减的电离区域，可以在降低外延成本的同时，使得集电层与集电极之间、发射层与发射电极之间形成更低阻值的欧姆接触，进一步提高导电性能。
24.进一步，在本发明实施例中，可以控制所述集电极的宽度小于所述第一电离区域的宽度，且所述第一电离区域的宽度与所述集电极的宽度之间的差值在第一预设区间内。类似地，还可以控制所述发射电极的宽度小于所述第二电离区域的宽度，且所述第二电离区域的宽度与所述发射电极的宽度之间的差值在第二预设区间内。如此，可以使得集电极与第一电离区域之间、发射电极与第二电离区域之间的电性接触更加充分，提高导电效率。
25.进一步，在本发明实施例中，还可以设置所述集电极位于所述第一电离区域的表面区域内，以及设置所述发射电极位于所述第二电离区域的表面区域内。如此，可以使发射电极完整地与第二电离区域电性接触、集电极完整地与第一电离区域电性接触，进一步提高导电效率。
附图说明
26.图1是现有技术中一种异质结双极晶体管结构的剖面示意图；
27.图2是本发明实施例中一种异质结双极晶体管结构的形成方法的流程图；
28.图3至图8是本发明实施例中一种异质结双极晶体管结构的形成方法中各步骤对应的器件剖面示意图。
具体实施方式
29.如前所述，欧姆接触对半导体器件非常重要，形成良好的欧姆接触有利于电流的输入和输出。通常而言，阻值越小的欧姆接触导电性能越良好。
30.现有技术中，为了在金属电极与半导体之间(具体而言，包括集电极与集电层之间、发射电极与发射层之间)形成良好的欧姆接触，使得电子更容易地贯穿势垒，通常采用下述方法：
31.在集电极与集电层之间，形成一层或多层集电极过渡层，集电极过渡层、集电层的离子浓度递减，集电极过渡层与集电极电连接；在发射电极与发射层之间，也形成一层或多层发射极过渡层，发射极过渡层、发射层的离子浓度递减，发射电极与发射极过渡层电连接。
32.参照图1，图1是现有技术中一种异质结双极晶体管结构的剖面示意图。
33.在图1中，所述异质结双极晶体管结构(以下简称hbt)可以包括衬底10，第一集电极过渡层11，第二集电极过渡层12，集电层13，集电极c，基极层14，基极电极b，发射层15，第一发射电极过渡层16，第二发射电极过渡层17，发射电极a。
34.第一集电极过渡层11位于衬底10上，第二集电极过渡层12位于第一集电极过渡层
11上，集电层13位于第二集电极过渡层12上，基极层14位于集电层13上，发射层15位于基极层14上，第一发射电极过渡层16位于发射层15上，第二发射电极过渡层17位于第一发射电极过渡层16上。
35.集电极c嵌入集电层13、第二集电极过渡层12以及第一集电极过渡层11，并与第一集电极过渡层11电连接；基极电极b嵌入基极层14，并与基极层14电连接；发射电极a位于第二发射电极过渡层17上，并与第二发射电极过渡层17电连接。
36.其中，第一集电极过渡层11的离子浓度大于第二集电极过渡层12的离子浓度，且第二集电极过渡层12的离子浓度大于集电层13的离子浓度，也即，第一集电极过渡层11、第二集电极过渡层12以及集电层13的离子浓度递减。
37.其中，第二发射电极过渡层17的离子浓度大于第一发射电极过渡层16的离子浓度，且第一发射电极过渡层16的离子浓度大于发射层15的离子浓度，也即，第二发射电极过渡层17、第一发射电极过渡层16、发射层15的离子浓度递减。
38.由上，在现有的hbt结构中，发射电极a并未直接与发射层15电性接触，而是增加了第二发射电极过渡层17、第一发射电极过渡层16这两层过渡层，发射电极a与第二发射电极过渡层17电性接触。集电极c并未直接与集电层13电性接触，而是增加了第二集电极过渡层12、第一集电极过渡层11这两层过渡层，集电极c与第一集电极过渡层11电性接触。hbt通电后，发射电极a的电子经过离子浓度逐渐减小的第二发射电极过渡层17、第一发射电极过渡层16的缓冲，流向发射层15。类似的，从集电层13流出的电子经过离子浓度逐渐增大的第二集电极过渡层12、第一集电极过渡层11的缓冲，流向集电极c(电子流向如图1中箭头所示方向)。
39.可以理解，发射电极a与第二发射电极过渡层17接触时，通常会形成势垒，但因为第二发射电极过渡层17的离子掺杂浓度较高，电子可借隧道效应穿过势垒，从而使得发射电极a与第二发射电极过渡层17之间可以形成低阻值的欧姆接触。类似的，当集电极c与第一集电极过渡层11接触时，通常也会形成势垒，但因为第一集电极过渡层11的离子掺杂浓度较高，电子可借隧道效应穿过势垒，从而使得集电极c与第一集电极过渡层11之间可以形成低阻值的欧姆接触。
40.然而，上述方法需要在外延层额外形成多层过渡层，增加了外延层成本。
41.为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种异质结双极晶体管结构的形成方法，具体包括：提供衬底；在所述衬底上形成集电层，所述集电层包括第一区域和第二区域；在所述第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；在所述集电层上形成基极层和集电极，所述基极层位于所述集电层的第二区域上方，所述集电极位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接；在所述基极层上形成发射层和基极电极，所述发射层包括第三区域和第四区域，所述基极电极和所述基极层电连接；在所述第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度；在所述发射层上形成发射电极，所述发射电极位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。
42.由上，在本发明实施例中，通过提高发射电极与发射层的电性连接区域的离子浓度，形成所述第一电离区域，以及提高集电极与集电层的电性连接区域的离子浓度，形成所述第二电离区域，从而在集电极与第一电离区域之间、发射电极与第二电离区域之间均可
以形成良好的欧姆接触。由于并未增设额外的过渡层，而是直接在原有集电层和发射层中以离子注入的方式提高离子浓度，从而可以达到降低外延层成本的目的。
43.为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细说明。
44.参照图2，本发明实施例中一种异质结双极晶体管结构的形成方法的流程图。所述形成方法可以包括步骤s21至步骤s27：
45.步骤s21：提供衬底；
46.步骤s22：在所述衬底上形成集电层，所述集电层包括第一区域和第二区域；
47.步骤s23：在所述第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；
48.步骤s24：在所述集电层上形成基极层和集电极，所述基极层位于所述集电层的第二区域上方，所述集电极位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接；
49.步骤s25：在所述基极层上形成发射层和基极电极，所述发射层包括第三区域和第四区域，所述基极电极和所述基极层电连接；
50.步骤s26：在所述第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度；
51.步骤s27：在所述发射层上形成发射电极，所述发射电极位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。
52.下面结合图3至图8对上述各步骤进行详细说明。
53.参照图3，提供衬底200，在衬底200上形成集电层300，所述集电层300包括第一区域301和第二区域302，在所述第一区域301进行第一离子注入，形成第一电离区域301’，所述第一电离区域301’的离子浓度大于所述第二区域302的离子浓度。
54.其中，衬底200可以为砷化镓衬底，或者，衬底200也可以是采用现有的其他常规材料形成，例如硅、锗、锗化硅、碳化硅或镓化铟等。此外，衬底200和集电层300之间还可以包括衬底过渡层(图中未示出)。本发明实施例对于衬底200以及衬底过渡层的形成材料不做限制。
55.其中，在所述第一区域301进行第一离子注入的方式可以是现有技术中在集电层进行离子注入以增加离子浓度的常规工艺，本发明实施例对此不做限制。
56.参照图4，在所述集电层300上形成基极层400和集电极c，所述基极层400位于所述集电层300的第二区域302上方，所述集电极c位于所述第一电离区域301’上方，与所述第一电离区域301’电连接。
57.在具体实施中，在所述集电层300上形成基极层400和集电极c的方法例如可以是：先在集电层300上形成基极层400，然后将集电层300的第一电离区域301’上方的基极层区域刻蚀掉，再镀上集电极c。又如，也可以先在集电层300的第一电离区域301’上方的镀上集电极c，然后在集电层300的第二区域302的上方形成基极层400。或者，也可以采用其他方式形成基极层400和集电极c。本发明实施例对此不做限制。
58.进一步地，所述集电极c的宽度小于所述第一电离区域301’的宽度，且所述第一电离区域301’的宽度与所述集电极c的宽度之间的差值在第一预设区间内。
59.其中，所述集电极c的宽度方向和所述第一电离区域301’的宽度方向可以为平行
于衬底200表面的方向。
60.在一些非限制性实施例中，所述第一预设区间为2μm至4μm。
61.在本发明实施例中，通过控制所述集电极c的宽度小于所述第一电离区域301’的宽度，且所述第一电离区域301’的宽度与所述集电极c的宽度之间的差值在合理区间范围内，可以使得集电极c与第一电离区域301’之间的电性接触更加充分，从而提高导线效率。
62.更进一步地，所述集电极c可以位于所述第一电离区域301’的表面区域内。如此，可以使得集电极c完整地与第一电离区域301’电性接触，进一步提高导电效率。
63.参照图5，在所述基极层400上形成发射层500和基极电极b，所述发射层500包括第三区域501和第四区域502，所述基极电极b和所述基极层400电连接；在所述第三区域501进行第二离子注入，形成第二电离区域501’，所述第二电离区域501’的离子浓度大于所述第四区域502的离子浓度。
64.其中，在所述第三区域501进行第二离子注入的方式可以是现有技术中在发射层进行离子注入以增加离子浓度的常规工艺，本发明实施例对此不做限制。
65.在具体实施中，在所述基极层400上形成发射层500和基极电极b的方法例如可以是：先在基极层400上形成发射层500，然后将发射层500的部分区域刻蚀掉，再镀基极电极b。又如，也可以先在基极层400上的预设位置处镀上基极电极b，然后在基极层400上的其他位置形成发射层500。或者，也可以采用其他方式形成发射层500和基极电极b。本发明实施例对此不做限制。
66.其中，在发射层500的第三区域501注入的离子和在集电层300的第一区域301注入的离子可以相同或不同。
67.参照图6，在所述发射层500上形成发射电极a，所述发射电极a位于所述第二电离区域501’上方，与所述第二电离区域501’电连接。
68.进一步地，所述发射电极a的宽度小于所述第二电离区域501’的宽度，且所述第二电离区域501’的宽度与所述发射电极a的宽度之间的差值在第二预设区间内。
69.其中，所述发射电极a的宽度方向和所述第二电离区域501’的宽度方向可以为平行于衬底200表面的方向。
70.在一些非限制性实施例中，所述第二预设区间为2μm至4μm。
71.在本发明实施例中，通过控制所述发射电极a的宽度小于所述第二电离区域501’的宽度，且所述第二电离区域501’的宽度与所述发射电极a的宽度之间的差值在合理区间范围内，可以使得发射电极a与第二电离区域501’之间的电性接触更加充分，从而提高导线效率。
72.更进一步地，所述发射电极a位于所述第二电离区域501’的表面区域内。如此，可以使得发射电极a完整地与第二电离区域501’电性接触，进一步提高导电效率。
73.参照图7，所述集电层300还可以包括第五区域303，位于所述第一电离区域301’和所述第二区域302之间；所述hbt的形成方法还可以包括：在所述第五区域303进行第三离子注入，形成第三电离区域303’，所述第一电离区域301’、所述第三电离区域303’、所述第二区域302的离子浓度递减。
74.在一些实施例中，可以在图3中在衬底200上形成集电层300之后，以及在所述集电层300的第一区域301进行第一离子注入，形成第一电离区域301’之前或之后，在所述集电
层300的第五区域303进行第三离子注入，形成所述第三电离区域303’。
75.在本发明实施例中，通过在集电层300形成两个离子浓度不同的电离区域，即，所述第一电离区域301’和第三电离区域303’，且与集电极c电性接触的第一电离区域301’的离子浓度最高，从而使得从基极层400流出的电子依次经过离子浓度递增的集电层300的第二区域302、第三电离区域303’、第一电离区域301’，再流向集电极c。由此，通过直接在原有结构中进行离子注入形成多个过渡区进行缓冲，可以实现降低外延成本的同时，使得集电层300与集电极c之间形成更低阻值的欧姆接触，进一步提高导电性能。
76.参照图8，所述发射层500还可以包括第六区域503，位于所述第二电离区域501’和所述第四区域502之间；所述hbt的形成方法还可以包括：在所述第六区域503进行第四离子注入，形成第四电离区域503’，所述第二电离区域501’、所述第四电离区域503’、所述第四区域502的离子浓度递减。
77.在一些实施例中，可以在图5中在所述基极层400上形成发射层500之后，以及在所述发射层500的第三区域501进行第二离子注入，形成第二电离区域501’之前或之后，在所述发射层500的第六区域503进行第四离子注入，形成所述第四电离区域503’。
78.在本发明实施例中，通过在发射层500形成两个离子浓度不同的电离区域，即，所述第二电离区域501’和第四电离区域503’，且与发射电极a电性接触的第二电离区域501’的离子浓度最高，从而使得从发射电极a流出的电子并未直接流向基极层400，而是依次经过离子浓度递减的发射层的第二电离区域501’、第四电离区域503’、第四区域502，再流向基极层400(电子流向如图8中箭头所示方向)。由此，通过直接在原有结构中进行离子注入形成多个过渡区进行缓冲，可以实现降低外延成本的同时，使得发射层500与发射电极a之间形成更低阻值的欧姆接触，进一步提高导电性能。
79.本发明实施例还公开一种异质结双极晶体管结构，参照图8，可以包括：衬底200；集电层300，位于所述衬底200上，所述集电层300包括第一电离区域301’和第二区域302，所述第一电离区域301’的离子浓度大于所述第二区域302的离子浓度；集电极c，位于所述集电层300上，位于所述第一电离区域301’上方，与所述第一电离区域301’电连接；基极层400，位于所述集电层300的第二区域302上方；基极电b极，位于所述基极层400上；发射层500，位于所述基极层400上，所述发射层500包括第二电离区域501’和第四区域502，所述第二电离区域501’的离子浓度大于所述第四区域502的离子浓度；发射电极a，位于所述发射层500上，位于所述第二电离区域501’上方，与所述第二电离区域501’电连接。
80.在本发明实施例中，通过提高发射电极a与发射层500的电性连接区域的离子浓度，形成所述第二电离区域501’，以及提高集电极c与集电层300的电性连接区域的离子浓度，形成所述第一电离区域301’，从而在集电极c与第一电离区域301’之间、发射电极a与第二电离区域501’之间均可以形成良好的欧姆接触。由于并未增设额外的过渡层，而是直接在原有集电层和发射层中以离子注入的方式提高离子浓度，从而可以达到降低外延层成本的目的。
81.进一步，所述异质结双极晶体管结构还包括：第三电离区域303’，位于所述第一电离区域301’和所述第二区域302之间，所述第一电离区域301’、所述第三电离区域303’、所述第二区域302的离子浓度递减。
82.进一步，所述异质结双极晶体管结构还包括：第四电离区域503’，位于所述第二电
离区域501’和所述第四区域502之间，所述第二电离区域501’、所述第四电离区域503’、所述第四区域502的离子浓度递减。
83.进一步，所述集电极c的宽度小于所述第一电离区域301’的宽度，且所述第一电离区域301’的宽度与所述集电极c的宽度之间的差值在第一预设区间内。
84.进一步，所述发射电极a的宽度小于所述第二电离区域501’的宽度，且所述第二电离区域501’的宽度与所述发射电极a的宽度之间的差值在第二预设区间内。
85.关于该异质结双极晶体管结构的原理、具体实现和有益效果请参照前文所述的关于异质结双极晶体管结构的形成方法的相关描述，此处不再赘述。
86.需要指出的是，本发明实施例中，图2中的各个步骤的序号以及上述附图3至8的描述顺序，并不代表对所述异质结双极晶体管结构的形成工艺的限定，在具体实施中，本领域技术人员可以根据实际需要采用其他适当方式形成所述异质结双极晶体管结构各层外延层、金属电极以及各个电离区域。例如，可以采用如下步骤形成所述异质结双极晶体管结构：
87.(1)提供衬底200，在衬底200上逐层形成所述集电层300、基极层400、发射层500。
88.(2)形成第二电离区域501’和发射电极a，具体可以包括：先在发射层500的第三区域501注入离子，形成所述第二电离区域501’，在所述第二电离区域501’上方镀上发射电极a；将所述发射层500的其他区域(即，发射层500中除第二电离区域501’和第四区域502之外的区域)刻蚀掉，并沉积一层氮化硅。
89.(3)形成基极电极b：在发射层500中将基极电极b的位置曝光刻蚀出来，并镀上基极电极b，然后沉积一层氮化硅。
90.(4)将集电层300的第一区域301上的氮化硅刻蚀掉，并在所述第一区域301注入离子，形成第一电离区域301’，然后在第一电离区域301’上方镀上集电极c，再沉积一层氮化硅。
91.(5)最后可以分别将发射电极a、基极电极b、集电极c三个金属电极上的氮化硅刻蚀掉，以暴露各个金属电极。
92.应理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，表示前后关联对象是一种“或”的关系。
93.本技术实施例中出现的“多个”是指两个或两个以上。
94.本技术实施例中出现的第一、第二等描述，仅作示意与区分描述对象之用，没有次序之分，也不表示本技术实施例中对设备个数的特别限定，不能构成对本技术实施例的任何限制。
95.虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。