异质结双极晶体管结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成集电层，所述集电层包括第一区域和第二区域；在所述第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；在所述集电层上形成基极层和集电极，所述基极层位于所述集电层的第二区域上方，所述集电极位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接；在所述基极层上形成发射层和基极电极，所述发射层包括第三区域和第四区域，所述基极电极和所述基极层电连接；在所述第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度；在所述发射层上形成发射电极，所述发射电极位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集电层还包括：第五区域，位于所述第一电离区域和所述第二区域之间；所述方法还包括：在所述第五区域进行第三离子注入，形成第三电离区域，所述第一电离区域、所述第三电离区域、所述第二区域的离子浓度递减。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述发射层还包括：第六区域，位于所述第二电离区域和所述第四区域之间；所述方法还包括：在所述第六区域进行第四离子注入，形成第四电离区域，所述第二电离区域、所述第四电离区域、所述第四区域的离子浓度递减。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集电极的宽度小于所述第一电离区域的宽度，且所述第一电离区域的宽度与所述集电极的宽度之间的差值在第一预设区间内。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一预设区间为2微米至4微米。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述集电极位于所述第一电离区域的表面区域内。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发射电极的宽度小于所述第二电离区域的宽度，且所述第二电离区域的宽度与所述发射电极的宽度之间的差值在第二预设区间内。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二预设区间为2微米至4微米。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述发射电极位于所述第二电离区域的表面区域内。10.一种异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：衬底；集电层，位于所述衬底上，所述集电层包括第一电离区域和第二区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度；集电极，位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接；
基极层，位于所述集电层的第二区域上方；基极电极，位于所述基极层上；发射层，位于所述基极层上，所述发射层包括第二电离区域和第四区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度；发射电极，位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。11.如权利要求10所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述异质结双极晶体管结构还包括：第三电离区域，位于所述第一电离区域和所述第二区域之间，所述第一电离区域、所述第三电离区域、所述第二区域的离子浓度递减。12.如权利要求10或11所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述异质结双极晶体管结构还包括：第四电离区域，位于所述第二电离区域和所述第四区域之间，所述第二电离区域、所述第四电离区域、所述第四区域的离子浓度递减。13.如权利要求10所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述集电极的宽度小于所述第一电离区域的宽度，且所述第一电离区域的宽度与所述集电极的宽度之间的差值在第一预设区间内。14.如权利要求10所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述发射电极的宽度小于所述第二电离区域的宽度，且所述第二电离区域的宽度与所述发射电极的宽度之间的差值在第二预设区间内。

技术总结
一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电层，集电层包括第一区域和第二区域；在第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，第一电离区域的离子浓度大于第二区域的离子浓度；在集电层上形成基极层和集电极，基极层位于所述集电层的第二区域上方，集电极位于第一电离区域上方，并与电连接；在基极层上形成发射层和基极电极，发射层包括第三区域和第四区域，基极电极和基极层电连接；在第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，第二电离区域的离子浓度大于第四区域的离子浓度；在发射层上形成发射电极，发射电极位于第二电离区域上方，与第二电离区域电连接。上述方案可以降低HBT外延层成本。层成本。层成本。


技术研发人员：俞洁 李新宇 姜清华 黄玺
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.12.08
技术公布日：2023/3/10