像差影响系统、模型和制造过程的制作方法

技术特征：
1.一种非暂时性计算机可读介质，在所述非暂时性计算机可读介质上具有指令，所述指令在被计算机执行时引起所述计算机：执行校准模型，所述校准模型被配置成接收图案化系统像差数据，用图案化系统像差校准数据和相应的图案化过程影响校准数据校准所述模型；并且基于所述模型，确定针对所接收的图案化系统像差数据的新图案化过程影响数据；其中，所述模型包括超维函数，所述超维函数被配置成以简化的形式将所接收的图案化系统像差数据与所述新图案化过程影响数据相关联，而无需计算空间图像表示。2.根据权利要求1所述的介质，其中，通过以下校准所述模型：将所述图案化系统像差校准数据提供到基础模型以获得所述图案化过程影响校准数据的预测结果，并且使用所述图案化过程影响校准数据作为反馈来更新所述基础模型的一个或多个配置，其中基于所述图案化过程影响校准数据与所述图案化过程影响校准数据的预测结果之间的比较来更新一个或多个配置。3.根据权利要求1所述的介质，其中，所述模型包括线性算法、或二次算法、或其组合。4.根据权利要求2所述的介质，其中，基于相关联的光瞳形状和特定层的图案形成装置设计来模拟所述图案化系统像差校准数据。5.根据权利要求1所述的介质，其中，所述新图案化过程影响数据包括针对相应的图案化系统像差的成本函数s(z)，所述图案化系统像差由所接收的图案化系统像差数据限定，其中，所述成本函数s(z)表示由相应的图案化系统像差所引起的对所述图案化过程的影响。6.根据权利要求1所述的介质，其中，来自所述模型的所述新图案化过程影响数据被配置成提供到第二模型，以能够实现图案化系统的动态现场像差控制，其中，所述第二模型是投影光学器件校正模型。7.根据权利要求6所述的介质，其中，所述图案化系统包括扫描器，并且其中，所述扫描器的动态现场控制包括针对给定扫描器像差，生成经校正的扫描器控制参数配置方案以优化光刻性能度量集。8.根据权利要求1所述的介质，其中，来自所述模型的所述新图案化过程影响数据被配置成用于确定图案化过程控制度量集，所述图案化过程控制度量集被配置成由线性求解器确定。9.根据权利要求8所述的介质，其中，确定所述图案化过程控制度量集包括对成本函数hessian执行奇异值分解。10.根据权利要求8所述的介质，其中，所述图案化过程控制度量包括光刻度量，并且其中，所述新图案化过程影响数据指示相应的图案化系统像差对与图案化过程相关联的临界尺寸、图案放置误差、边缘放置误差、临界尺寸不对称性、最佳聚焦偏移、或缺陷计数中的一个或多个的影响。11.根据权利要求1所述的介质，其中，所述模型被校准成使得，所述新图案化过程影响数据被配置成有助于增强对加热所述图案化系统的一个或多个反射镜和/或透镜的效果的控制。12.根据权利要求1所述的介质，其中，来自所述模型的所述新图案化过程影响数据被配置成提供至成本函数，以有助于确定与各个图案化过程度量相关联的成本和/或与各个
图案化过程变量相关的成本，并且其中，与各个图案化过程度量相关联的成本和/或与各个图案化过程变量相关联的成本被配置成用于有助于多个扫描器的协同优化。13.根据权利要求12所述的介质，其中，所述模型包括一个或多个关键特征分量，所述关键特征分量被配置成对扫描器与扫描器之间的图案化过程的关键特征的变化建模；并且一个或多个常规分量被配置成对扫描器针对图案化过程的非关键特征的一般性能建模。14.根据权利要求12所述的介质，其中，所述成本函数包括以下中的两个或更多个：与图案化过程的关键特征相关联的第一分量、与图案化过程的非关键特征相关联的第二分量、以及与一个或多个扫描器的物理功能限制相关联的第三分量。15.根据权利要求12所述的介质，其中，所述协同优化包括使用透镜致动器作为变量，并且使用基于梯度的非线性优化器来协同确定多个扫描器的致动器位置。

技术总结
描述了半导体制造过程中的扫描器像差影响建模。扫描器像差影响建模可以有助于多个扫描器的协同优化。扫描器像差影响建模可以包括执行校准模型并且基于来自模型的输出控制扫描器。该模型被配置成接收图案化系统像差数据。用图案化系统像差校准数据和相应的图案化过程影响校准数据来校准模型。可以基于模型确定所接收的图案化系统像差数据的新图案化过程影响数据。该模型包括超维函数，被配置成将所接收的图案化系统像差数据与新图案化过程影响数据相关联。超维函数被配置成以近似的形式将所接收的图案化系统像差数据与新图案化过程影响数据相关联，而不是全模拟，并且无需涉及计算空间图像或其表示。涉及计算空间图像或其表示。涉及计算空间图像或其表示。


技术研发人员：彭星月 施展 徐端孚 拉斐尔
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2021.05.14
技术公布日：2023/2/24