烹饪器具内无水的检测方法、烹饪装置及存储介质与流程

1.本技术涉及厨房电器技术领域，特别是涉及一种烹饪器具内无水的检测方法、烹饪装置及存储介质。


背景技术：

2.目前，随着智能厨卫设备相关技术的发展，越来越多的电磁加热的烹饪装置上都会设置有防干烧结构或防溢结构，为防止烹饪装置在加热过程中烹饪器具内的食物沸腾溢出，或出现干烧现象，提高使用安全性。然而，目前大多数无水检测的方案准确度并不高，常有误检现象。


技术实现要素：

3.本技术主要提供一种烹饪器具内无水的检测方法、烹饪装置及存储介质，能够解决现有技术中烹饪器具内无水检测准确度低的问题。
4.为解决上述技术问题，本技术第一方面提供了一种烹饪器具内无水的检测方法所述烹饪器具的底部设置有导磁层，所述烹饪器具利用电磁感应加热的方法进行加热，所述检测方法包括：以设定功率对所述烹饪器具进行加热；按照预设时间间隔获取所述导磁层的温度，所述导磁层的温度至少包括初始温度；响应于所述导磁层的温度和所述初始温度的差值大于温度差异阈值，确定所述烹饪器具内无水。
5.可选地，所述方法还包括：根据电磁加热谐振频率、所述设定功率和实际加热功率，计算得到所述温度差异阈值。
6.可选地，所述根据电磁加热谐振频率、第一加热功率和实际加热功率，计算得到所述温度差异阈值，包括：根据下式计算所述温度差异阈值：其中，tsth为所述温度差异阈值，p为所述实际加热功率，p0为所述设定功率，tc为电磁加热谐振频率，a、b为经验参数。
7.可选地，所述方法还包括：响应于所述导磁层的温度大于第一温度阈值，确定所述烹饪器具内无水。
8.可选地，在所述确定所述烹饪器具内无水之后，所述方法还包括：停止加热，并发出报警信号。
9.为解决上述技术问题，本技术第二方面提供了一种烹饪装置所述烹饪装置包括：加热单元，用于对烹饪器具进行加热；其中，所述烹饪器具的底部设置有导磁层；温度检测单元，用于获取所述导磁层的温度，并将所述导磁层的温度作为所述烹饪器具的温度；处理单元，连接所述加热单元和所述温度检测单元，用于执行如上述第一方面的方法，以进行无水检测。
10.可选地，所述加热单元包括第一线圈；所述温度检测单元包括：第二线圈，对应所述第一线圈的中心设置，用于感应所述导磁层的导磁率的变化；第三线圈，所述第三线圈的第一端与所述第二线圈的第一端相连，所述第二线圈的第二端和所述第三线圈的第二端连
接所述处理单元；其中，所述第三线圈的第一端与所述第二线圈的第一端为同名端；第四线圈，所述第四线圈的两端连接所述处理单元；其中，所述第三线圈和所述第四线圈套设于所述第一线圈的引出线上；所述处理单元用于获取所述第二线圈的第二端和所述第三线圈的第二端之间的第一电压、以及所述第四线圈两端的第二电压，根据所述第一电压和所述第二电压确定所述导磁层的温度。
11.可选地，所述加热单元还包括晶体管；所述处理单元还用于获取所述晶体管的驱动频率，或所述第一线圈两端电压的翻转频率，以根据所述驱动频率或所述翻转频率确定电磁加热谐振频率。
12.可选地，所述处理单元还用于获取所述加热单元的电压和电流，以根据所述电压和电流确定所述实际加热功率。
13.为解决上述技术问题，本技术第三方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有程序数据，所述程序数据在被处理器执行时，用于实现如上述第一方面提供的方法。
14.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术烹饪器具的底部设置有导磁层，烹饪器具利用电磁感应加热的方法进行加热，本技术以设定功率对烹饪器具进行加热，并按照预设时间间隔获取导磁层的温度，导磁层的温度至少包括初始温度，响应于导磁层的温度和初始温度的差值大于温度差异阈值，确定烹饪器具内无水。通过每隔预设时间间隔对导磁层温度进行采集，及时地监测烹饪器具的导磁层温度变化情况，并根据导磁层的初始温度和温度差异阈值来确定导磁层是否处于无水状态的异常升温状态，从而确定烹饪器具内是否无水，极大地提高了无水检测的自适应性，准确度大大提高，反馈速度快。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
16.图1是本技术提供的烹饪装置一实施例的结构示意图；
17.图2是本技术提供的烹饪装置一实施例的电路结构示意图；
18.图3-7是本技术提供的多种烹饪器具的一实施例的结构示意图；
19.图8是本技术提供的烹饪器具内无水的检测方法一实施例的流程示意框图；
20.图9是本技术提供的计算温度差异阈值一实施例的流程示意框图；
21.图10是本技术提供的烹饪器具内无水的检测方法另一实施例的流程示意框图；
22.图11是本技术提供的计算机可读存储介质一实施例的结构示意图。
具体实施方式
23.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的
所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
24.在本说明书的上述描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“固定”、“安装”、“相连”或“连接”等术语应该做广义的理解。例如，就术语“连接”来说，其可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或者可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。因此，除非本说明书另有明确的限定，本领域技术人员可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
25.本技术中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。此外，术语“包括”和“具有”以及他们任何形变，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
26.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解是，本文所描述的实施例可以与其他实施例结合。
27.参阅图1，图1是本技术提供的烹饪装置一实施例的结构示意图。该烹饪装置100包括加热单元10、温度检测单元20和处理单元30。
28.其中，加热单元10用于对烹饪器具进行加热。
29.温度检测单元20用于获取烹饪器具的温度。
30.处理单元30连接加热单元10和温度检测单元20，用于实现下述实施例提供的方法。
31.具体地，参阅图2，图2是本技术提供的烹饪装置一实施例的电路结构示意图。其中，上述的加热单元10包括第一线圈l1。
32.此外，第一线圈l1的两端与电容c2连接，通过这种方式使第一线圈l1产生谐振。另外，第一线圈l1的第一引出线与处理单元30的引脚va连接，第一线圈l1的第二引出线与处理单元30的引脚vb连接，第一线圈l1的第二引出线与晶体管q1的集电极c连接，晶体管q1的基极b与处理单元30连接，以接收处理单元30的控制，使晶体管q1导通或截止。晶体管q1的发射极e与电阻r1的一端、电容c3以及处理单元30连接。电容c3的另一端接地。
33.进一步，烹饪装置还包括整流器d1，电源线l和n与整流器d1连接。电源线l连接二极管d3的一端，电源线n连接二极管d4的一端，二极管d3和二极管d4的另一端连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端连接电阻r3、电容c4的一端以及处理单元30。电容c4的另一端接地。电阻r1的另一端连接整流器d1的一输出端，第一线圈l1的第二引出线连接整流器d1的另一输出端。电容c1连接于整流器d1两个输出端之间。
34.其中，电阻r1和电容c3可以形成一电流采样单元50。电阻r2、r3、电容c4、二极管d3和二极管d4可以形成一电压采样单元60。
35.处理单元30可通过该电流采样单元50和电压采样单元60获取到加热单元10的电压和电流，并可根据电压和电流确定实际加热功率。
36.上述的温度检测单元20包括第二线圈l2、第三线圈l3和第四线圈l4。其中，第二线圈l2对应第一线圈l1的中心设置，用于感应烹饪器具40的导磁率的变化。
37.第三线圈l3的第一端与第二线圈l2的第一端相连，第二线圈l2的第二端和第三线圈l3的第二端连接处理单元30。其中，第三线圈l3的第一端与第二线圈l2的第一端为同名端。
38.第四线圈l4的两端连接处理单元30。
39.其中，第三线圈l3和第四线圈l4套设于第一线圈l1的引出线上。
40.处理单元30用于获取第二线圈l2的第二端和第三线圈l3的第二端之间的第一电压、以及第四线圈l4两端的第二电压，根据第一电压和第二电压确定导磁层的温度。
41.其中，处理单元30还用于获取晶体管q1的驱动频率，或第一线圈l1两端电压的翻转频率，以根据驱动频率或翻转频率确定电磁加热谐振频率。
42.可以理解，该烹饪装置100可以与相应的烹饪器具40配合，以对烹饪器具40中的食物进行加热。如，煮粥、熬绿豆汤以及烧水等一系列烹饪。
43.参阅图3-图7，对本技术中涉及到的烹饪器具40进行介绍：烹饪器具40主要包括容器体41和导磁层42。其中，容器体41包括容器壁411和容器底412。其中，容器底412为玻璃或陶瓷，如高硼硅玻璃、微晶玻璃。在一些实施例中，容器壁411可以是玻璃或陶瓷或者金属。导磁层42能够与第一线圈l1进行电磁感应，产生热量。
44.如图3所示，导磁层42设置于容器底412外侧，即靠近烹饪装置100一侧。
45.进一步，考虑到导磁层42在加热过程中温度过高，易对烹饪装置造成损伤，如图4所示，在导磁层42远离容器底412的一侧还设置有隔热层43。隔热层43可以采用隔热材料制作，以对烹饪装置进行保护。
46.进一步，如图5所示，导磁层42设置于容器底412内侧，可直接与烹饪器具40中的食物接触。
47.进一步，为了避免导磁层直接与食物接触，如图6所示，可在在导磁层42远离容器底412的一侧设置陶瓷层44。
48.进一步，如图7所示，可以将容器壁411和容器底412设置为不同材料。此时，容器底412可以为非金属材料，如，玻璃或陶瓷。容器壁411为金属材料，或容器底412为玻璃，容器壁411为陶瓷。
49.可以理解，上述图3-图7的容器壁411和容器底412均可以为不同材料。
50.为了使烹饪器具40与烹饪装置100的接触面配合，通过在烹饪装置100的加热面板上设置凹槽，以将烹饪器具40置于凹槽中进行加热，能够提升加热过程中的可靠性。还可以在烹饪装置100的接触面板上设置凹槽，烹饪器具40容器底412外周缘上设置凸部，将凸部置于凹槽中，以此增加烹饪器具40与加热面板的稳固性。
51.请参阅图8，图8是本技术提供的烹饪器具内无水的检测方法一实施例的流程示意框图。如图8所示，本实施例包括以下步骤：
52.s11，以设定功率对烹饪器具进行加热。
53.其中，可以是玻璃锅、玻璃壶、陶瓷锅、陶瓷壶、陶瓷盆、玻璃盆，该烹饪器具的底部设置有导磁层，通过导磁层与烹饪装置以电磁感应的方式进行加热。
54.本步骤以设定功率对烹饪器具进行加热，设定功率可以是10w-2100w之间的任意
功率，例如，设定功率为300w、500w、1000w等，不一一列举。
55.s12，按照预设时间间隔获取导磁层的温度，导磁层的温度至少包括初始温度。
56.本实施例按照预设时间间隔采集导磁层的温度，由于导磁层设于烹饪器具，可将采集到的导磁层的温度作为烹饪器具的温度。
57.其中，可将采集到的导磁层的温度按照采集时间的先后顺序表示为：ts1、ts2、ts3、
…
、tsn。可将获取到的第一个温度值作为初始温度。
58.可选地，预设时间间隔可以是预设规则下的时间间隔，该规则下，可以是按照非均匀的时间间隔采集导磁层的温度，例如，前3-5次温度采集的时间间隔为3秒，3-5次之后温度采集的时间间隔可设置在0.01秒-1秒之间，例如可以是0.01秒、0.1秒、1秒；在另外的实施例中，也可以是按照均匀的时间间隔采集导磁层的温度，预设时间间隔可设置在0.01秒-1秒之间，例如可以是0.01秒、0.1秒、1秒，不再一一列举。
59.s13，响应于导磁层的温度和初始温度的差值大于温度差异阈值，确定烹饪器具内无水。
60.可以理解的是，若烹饪器具中没有水，在持续加热的状态下，短时间内烹饪器具的局部温度会迅速上升，最终可能会导致爆炸或失火，存在安全隐患。
61.本步骤将导磁层的温度与初始温度进行差值计算，以确定导磁层的温度相对于初始温度的上升幅度，并将该差值与温度差异阈值相比较。若导磁层的温度与初始温度的差值大于温度差异阈值，则烹饪器具的温度上升幅度过大，确定烹饪器具内无水；若导磁层的温度与初始温度的差值大于温度差异阈值，则烹饪器具的温度上升幅度在正常范围内，不能确定烹饪器具内无水。
62.在其中一实施例中，温度差异阈值可为提前设定的一固定值，例如，温度差异阈值可设置在3摄氏度至300摄氏度之间，如，3摄氏度、10摄氏度、50摄氏度、100摄氏度、200摄氏度、250摄氏度、300摄氏度。
63.在另外的实施例中，温度差异阈值可根据电磁加热谐振频率、设定功率以及设定功率对应的实际加热功率计算得到。具体而言，可根据下式计算温度差异阈值：
[0064][0065]
其中，tsth为温度差异阈值，p0为设定功率，p为设定功率对应的实际加热功率，tc为电磁加热谐振频率，a、b为经验参数。
[0066]
请参阅图9，图9是本技术提供的计算温度差异阈值一实施例的流程示意框图。如图9所示，本实施例包括以下步骤：
[0067]
s131，获取烹饪器具在加热过程中的电磁加热谐振频率、设定功率以及设定功率对应的实际加热功率。
[0068]
其中，电磁加热谐振频率和实际加热功率可通过上述烹饪装置的实施例中所述方法确定，不再进行赘述。
[0069]
s132，根据电磁加热谐振频率、设定功率以及设定功率对应的实际加热功率得到校正谐振频率。
[0070]
在一些实施例中，可以采用以下公式得到校正谐振频率：
[0071]
[0072]
其中，tp表示校正谐振频率，p0为设定功率，p为设定功率对应的实际加热功率，tc为电磁加热谐振频率，c和d为经验参数。
[0073]
s133，利用校正谐振频率得到温度差异阈值。
[0074]
在一些实施例中，可以采用以下公式得到温度差异阈值：tsth＝e*tp f，即可得到上述公式(1)；其中，tsth为温度差异阈值，e和f为经验参数。
[0075]
如，tsth＝e*tp f可以为tsth＝-0.029*tp 880。
[0076]
其中，在烹饪装置系统稳定性较好的情况下，可以直接令tp＝tc，降低计算频率的复杂性。
[0077]
上述实施例在以设定功率加热时，按照预设时间间隔获取导磁层的温度，并将导磁层的温度与初始温度作差后，确定差值与温度差异阈值的大小关系，从而确定烹饪器具是否为无水干烧状态，由于烹饪器具无水干烧状态下其温度升高非常迅速，本实施例则可以按照预设时间间隔采集导磁层的温度，以实时监测导磁层的温度升高幅度，在烹饪器具无水干烧时，能够及时反馈。
[0078]
进一步温度差异阈值可通过电磁加热谐振频率、设定频率及其对应的实际加热功率来确定，其确定方式具有自适应性，且受烹饪装置系统误差的影响小，温度差异阈值的准确度更高，进而能够提高无水检测结果的准确性。
[0079]
请参阅图10，图10是本技术提供的烹饪器具内无水的检测方法另一实施例的流程示意框图。如图10所示，本实施例包括以下步骤：
[0080]
s21，以设定功率对烹饪器具进行加热。
[0081]
s22，按照预设时间间隔获取导磁层的温度。
[0082]
步骤s21-s22与上述实施例具有相同或相似的技术方案，这里不做赘述。
[0083]
s23，响应于导磁层的温度大于第一温度阈值，确定烹饪器具内无水。
[0084]
其中，第一温度阈值可设置在50摄氏度至400摄氏度之间，如，50摄氏度、100摄氏度、150摄氏度、200摄氏度、250摄氏度、300摄氏度、350摄氏度或400摄氏度。
[0085]
本步骤将获取的导磁层的温度直接与第一温度阈值进行比对，以确定在以设定功率加热期间内，该导磁层的温度是否超限，若超过第一温度阈值，则确定导磁层的温度是否超限，烹饪器具内无水。本实施例计算简便，无水检测更快，能够在烹饪器具无水干烧时快速反馈。
[0086]
上述各实施例的烹饪器具内无水的检测方法可以结合起来，例如可以在按照预设时间间隔获取导磁层的温度后，同时将采集的该导磁层的温度和初始温度作差后与温度差异阈值相比，以及将该导磁层的温度与第一温度阈值相比较，只要满足导磁层的温度和初始温度的差值大于温度差异阈值或者导磁层的温度大于第一温度阈值，即可确定烹饪器具内无水，反映更加灵敏，或者，在同时满足导磁层的温度和初始温度的差值大于温度差异阈值以及导磁层的温度大于第一温度阈值时，确定烹饪器具内无水，准确度更高，降低误检。此外，还可以分别在利用不同功率加热的阶段，分别使用上述步骤s11-s13和步骤s21-s23的方法进行无水检测，以在用不同功率加热的阶段，利用更加适宜该阶段的检测方法进行无水检测，提高准确度。
[0087]
可选地，上述各实施例在确定烹饪器具内无水后，控制烹饪装置停止加热，并发出报警信号。其中，报警信号可以通过设置于烹饪装置或烹饪器具的闪烁灯、蜂鸣器或语音提
示模块发出，也可以通过与烹饪装置或烹饪器具无线连接的智能设备发出。通过语音提示模块发出的报警信号可包括无水信息和下一步操作的提示信息，例如是“锅内无水，请注意添加”或“锅内无水，请断开电源”，此外，还可以选择其它报警提示方式，此处不再一一赘述。
[0088]
参阅图11，图11是本技术提供的计算机可读存储介质一实施例的结构示意图。该计算机可读存储介质70中存储有计算机程序71，计算机程序71在被处理器执行时，用于实现以下方法：
[0089]
以设定功率对烹饪器具进行加热；按照预设时间间隔获取导磁层的温度，导磁层的温度至少包括初始温度；响应于导磁层的温度和初始温度的差值大于温度差异阈值，确定烹饪器具内无水。
[0090]
可以理解，计算机程序71在被处理器执行时，还用于实现上述任一实施提供的方法，这里不再赘述。
[0091]
在本技术所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的方法以及设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
[0092]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
[0093]
另外，在本技术各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
[0094]
上述其他实施方式中的集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本技术各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0095]
以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。