在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿的制作方法

技术特征：
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个字线；和控制逻辑，其与所述存储器阵列操作性地耦合以用以执行包括以下操作的操作：在所述存储器阵列上发起读取操作；执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变；确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失；和响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中执行所述校准操作包括：致使施加至所述多个字线的电压斜升到未选定字线电压；对所述存储器阵列的第一输出电压采样；致使参考电压在第一时间段内以递增方式改变；和确定所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第一输出电压。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中执行所述校准操作另外包括：将所述参考电压改变固定步长量；致使施加至所述多个字线中的选定字线的电压斜降；对所述存储器阵列的第二输出电压采样；和确定改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失包括：确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的时间施加至所述选定字线的所述电压的量值；确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值是否低于预期量值；和响应于确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值低于所述预期量值，确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据包括：确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值低于所述预期量值的量；确定对应于所述量的电压偏移；和致使具有基于所述电压偏移的量值的读取电压施加至所述选定字线以执行所述读取操作。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述预期量值是基于紧接在所述选定字线经编程之后当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的第三输出电压时的较早时间施加至所述选定字线的所述电压的量值。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的
操作：响应于确定所述串电阻的改变并非可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用默认读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取所述数据。8.一种方法，其包括：在存储器装置的存储器阵列上发起读取操作；执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变；确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失；和响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。9.根据权利要求8所述的方法，其中执行所述校准操作包括：致使施加至所述多个字线的电压斜升到未选定字线电压；对所述存储器阵列的第一输出电压采样；致使参考电压在第一时间段内以递增方式改变；和确定所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第一输出电压。10.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述校准操作另外包括：将所述参考电压改变固定步长量；致使施加至所述多个字线中的选定字线的电压斜降；对所述存储器阵列的第二输出电压采样；和确定改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压。11.根据权利要求10所述的方法，其中确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失包括：确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的时间施加至所述选定字线的所述电压的量值；确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值是否低于预期量值；和响应于确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值低于所述预期量值，确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失。12.根据权利要求11所述的方法，其中使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据包括：确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值低于所述预期量值的量；确定对应于所述量的电压偏移；和致使具有基于所述电压偏移的量值的读取电压施加至所述选定字线以执行所述读取操作。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述预期量值是基于紧接在所述选定字线经编程之后当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的第三输出电压时的较早时间施加至所述选定字线的所述电压的量值。
14.根据权利要求8所述的方法，其另外包括：响应于确定所述串电阻的改变并非可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用默认读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取所述数据。15.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个字线；和控制逻辑，其与所述存储器阵列操作性地耦合以用以执行包括以下操作的操作：确定在所述多个字线中的选定字线经编程之后的第一时间，当所述存储器阵列的输出电压的第一改变等于第一设定量时施加至所述多个字线中的所述选定字线的电压的第一量值；确定在所述多个字线的所述选定字线被读取之前的第二时间，当所述存储器阵列的所述输出电压的第二改变等于所述第一设定量时施加至所述多个字线中的所述选定字线的所述电压的第二量值；确定所述第二量值是否小于所述第一量值；和响应于确定所述第二量值小于所述第一量值，确定在与所述选定字线相关联的至少一个存储器单元上已发生电荷损失。16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中确定施加至所述选定字线的所述电压的所述第二量值包括：致使施加至所述多个字线的电压斜升到未选定字线电压；对所述存储器阵列的所述输出电压采样；致使参考电压在第一时间段内以递增方式改变；和确定所述参考电压等于所述存储器阵列的所述输出电压。17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中确定施加至所述选定字线的所述电压的所述第二量值包括：将所述参考电压改变固定步长量；致使施加至所述多个字线中的所述选定字线的电压斜降；对所述存储器阵列的所述输出电压采样；和在所述第二时间确定改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述输出电压。18.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的操作：确定所述第二量值低于所述第一量值的量；确定对应于所述量的电压偏移；和致使具有基于所述电压偏移的量值的读取电压施加至所述选定字线以执行读取操作。19.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的操作：响应于确定所述第二量值等于所述第一量值，确定在与所述选定字线相关联的任何存储器单元上尚未发生电荷损失。20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的操作：
响应于确定在与所述选定字线相关联的至少一个存储器单元上尚未发生电荷损失，致使具有默认量值的读取电压施加至所述选定字线以执行读取操作。

技术总结
本公开涉及在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置的存储器阵列上发起读取操作并且执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变。所述控制逻辑确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，并且响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。列读取数据。列读取数据。


技术研发人员：卡尔鲁 M
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.08.17
技术公布日：2023/2/17