堆叠式存储器的电压调节分配的制作方法

堆叠式存储器的电压调节分配
1.交叉参考
2.本专利申请要求维切斯(veches)等人于2021年8月12日提交的标题为“堆叠式存储器的电压调节分配(voltage regulation distribution for stacked memory)”的第17/400,914号美国专利申请的优先权，所述申请转让给本受让人且以引用的方式明确并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及堆叠式存储器的电压调节分配。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一种，常常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，所述状态中的任一个可被存储。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器即使在无外部电源存在下仍可维持所存储的逻辑状态很长一段时间。例如dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储的状态。


技术实现要素：

6.描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在第一半导体裸片处接收信号，所述第一半导体裸片包括电压调节器、与第二半导体裸片耦合的触点及与第一存储器阵列相关联的电路系统，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；至少部分地基于接收到所述信号，修改所述第一半导体裸片的所述电压调节器和与所述第二半导体裸片耦合的所述触点之间的开关组件的状态。
7.描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在包括与第一存储器阵列相关联的电路系统、第一电压调节器和可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点的第一半导体裸片处，识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的条件，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，修改与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统和可用于与所述第二半导体裸片的所述第二电压调节器耦合的所述触点之间的开关组件的状态。
8.描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在存储器装置的逻辑处识别操作所述存储器装置的条件，所述逻辑与所述存储器装置的包括与第一存储器阵列相关联的电路系统的第一半导体裸片耦合且与所述存储器装置的包括与第二存储器阵列相关联的电路系统的第二半导体裸片耦合；以及至少部分地基于识别到操作所述存储器装置的所述条件，修改所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的电压调节器之间的连接或所述第二半导体裸片和所述第一半导体裸片的电压调节器之间的连接或这两者。
9.描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片包括第一电压调节器、与第一存储器阵列相关联且可至少部分地基于所述第一电压调节器而操作的电路系统、可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点，以及耦合在所述触点和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统之间的开关组件。
10.描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：第一半导体裸片，其包括第一电压调节器和与第一存储器阵列相关联的电路系统；第二半导体裸片，其包括第二电压调节器和与第二存储器阵列相关联的电路系统；电力供应器，其位于所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片外部，并且可用于与所述第一电压调节器和所述第二电压调节器耦合；第一开关组件，其可用于耦合所述第二电压调节器和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统；以及第二开关组件，其可用于耦合所述第一电压调节器和与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统。
附图说明
11.图1示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的系统的实例。
12.图2示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器裸片的实例。
13.图3a和3b分别示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器裸片和存储器装置的实例。
14.图4示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器装置的实例。
15.图5示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的半导体裸片的框图。
16.图6示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器装置的框图。
17.图7到9示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持堆叠式存储器的电压调节分配的一或多种方法。
具体实施方式
18.存储器装置可包含一或多个存储器裸片，其中每一存储器裸片可以指配置有相应存储器阵列和用于至少操作相应存储器阵列(例如，用于支持读取操作、写入操作、存储器管理操作)的电路系统的半导体组件(例如，芯片)。在一些实例中，存储器装置可包含多个离散存储器裸片，这些存储器裸片可由主机装置经由公共通信链路(例如，经由公共命令和
地址信道或总线)控制或存取。堆叠式存储器装置可以指包含多个耦合到一起(例如，接合、钎焊、焊接)的离散存储器裸片的存储器装置，其中此类耦合可包含在不同存储器裸片(例如，邻近存储器裸片、直接邻近的存储器裸片)的一或多个电触点之间提供物理或电互连。在一些实例中，堆叠式存储器装置可包含由其中两个或更多个存储器裸片共有(例如，共享)的电源，并且其中每个存储器裸片可包含用于根据一或多个经调节电压操作相应存储器裸片的电压调节电路系统。
19.根据本文所公开的实例，堆叠式存储器装置可支持用于在多个存储器裸片的电压调节电路系统之间耦合或用于耦合一些存储器裸片的电压调节电路系统和与其它存储器裸片的操作存储器阵列相关联的电路系统或某种组合的各个技术。在一些实例中，此类技术可包含不同存储器裸片当中的电压调节电路系统基于阵列电路系统的存取活动(例如，存在存取活动)或存取活动程度(例如，相对活跃的存取、存取等于或高于阈值速率、带宽或性能标准)以及其它因素和实例进行的交叉耦合。在一些实例中，此类技术可包含基于阵列电路系统的存取活动(例如，不存在存取活动)或存取活动程度(例如，相对不频繁的存取、存取等于或低于阈值速率、带宽或性能标准)以及其它因素和实例隔离不同存储器裸片当中的电压调节电路系统。电压调节电路系统之间的动态耦合或隔离可通过堆叠式存储器装置的各个信令来支持，例如堆叠式存储器裸片之间的信令、存储器裸片和(例如，逻辑裸片的)中央控制器之间的信令或堆叠式存储器装置和主机装置之间的信令，以及其它信令。通过在堆叠式存储器装置中的多个存储器裸片的电压调节电路系统当中提供耦合和隔离，电压调节电路系统或其容量(例如，其额定功率、其电力供应器)可以分布在存储器裸片当中且具有改进的特性，例如改进的电压稳定性、改进的热分布或降低的噪声，与仅在同一存储器裸片内使用给定存储器裸片的电压调节的配置相比，这可以提高存储器装置的性能。
20.本公开的特征首先在参考图1到4所描述的系统、裸片和装置的上下文中描述。本公开的这些和其它特征进一步由参考图5到9所描述的涉及堆叠式存储器的电压调节分配的设备图和流程图示出并参考所述设备图和流程图描述。
21.图1示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110和耦合主机装置105与存储器装置110的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但是所述一或多个存储器装置110的各方面可以在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中加以描述。
22.系统100可包含电子装置的部分，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统。例如，系统100可示出计算机、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、移动电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器等等的各方面。存储器装置110可以是系统中可用于存储系统100的一或多个其它组件的数据的组件。
23.系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可为处理器或使用存储器来执行过程的装置内(例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、移动电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(soc)或某一其它固定或便携式电子装置以及其它实例内)的其它电路的实例。在一些实例中，主机装置105可以指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可称为主机或主机装置105。
24.存储器装置110可为可用于提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间
的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可配置成配合一或多个不同类型的主机装置起作用。主机装置105与存储器装置110之间的信令可用于支持以下各者中的一或多者：调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种外观尺寸、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令及同步、定时惯例，或其它因素。
25.存储器装置110可用于存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型或依赖性装置(例如，通过外部存储器控制器120对由主机装置105提供的命令作出响应且执行所述命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
26.主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130中的一或多个或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器等其它组件。主机装置105的组件可使用总线135彼此耦合。
27.处理器125可用于对系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能性。处理器125可为通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可为中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或soc的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施，也可以是所述处理器的一部分。
28.bios组件130可以是包含作为固件操作的bios的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储于只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
29.存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所需容量或指定容量。每一存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b、存储器裸片160-n)可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-n)及一或多个存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可为存储器单元的集合(例如，一或多个栅格、一或多个存储体、一或多个拼块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可用于存储至少一个数据位。包含两个或更多个存储器裸片160的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装或多芯片存储器或多芯片封装。
30.存储器裸片160可以是二维(2d)存储器单元阵列的实例，或者可以是三维(3d)存储器单元阵列的实例。2d存储器裸片160可包含单个存储器阵列170。3d存储器裸片160可包含两个或更多个存储器阵列170，它们可彼此上下堆叠或彼此相邻定位(例如，相对于衬底)。在一些实例中，3d存储器裸片160中的存储器阵列170可以称为叠组、层级、层或裸片。3d存储器裸片160可包含任何数量的堆叠式存储器阵列170(例如，两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个)在一些3d存储器裸片160中，不同叠组可共享至少一个公共存取线，使得一些叠组可共享字线、数字线或板线中的一或多个。
31.装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或指
令，且可用于接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
32.在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或这两者。例如，存储器装置110可接收指示存储器装置110存储用于主机装置105的数据的写入命令或指示存储器装置110将存储于存储器裸片160中的数据提供到主机装置105的读取命令。
33.本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可包含用于控制存储器裸片160的操作的电路、逻辑或组件。在一些实例中，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。由此，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155、其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。可包含于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中的组件的实例可包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器120)的接收器、用于传输信号(例如，到外部存储器控制器120)的传输器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制要传输的信号的编码器，或可用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的所描述操作的各种其它电路或控制器。
34.外部存储器控制器120可用于使得能够在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间传送信息、数据或命令中的一或多者。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100的其它组件或主机装置105或本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100的其它组件或主机装置105实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，反之亦可。
35.主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可用于支持外部存储器控制器120和存储器装置110之间的通信。每个信道115可以是在主机装置105和存储器装置之间载送信息的传输介质的实例。每个信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输介质(例如，导体)。信号路径可以是可用于载送信号的导电路径的实例。例如，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫和在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，并且引脚可用于充当信道的部分。
36.信道115(及相关联的信号路径和端子)可专门用于传送一或多种类型的信息。例如，信道115可包含一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，信令可以使用单倍数据速率(sdr)信令或双倍数据速率(ddr)信令通过信道115传送。在sdr信令中，信号的一个调制符号(例如，信号电平)可以针对每个时钟循环寄存(例如，在时钟信号的上升或
下降边沿上)。在ddr信令中，信号的两个调制符号(例如，信号电平)可以针对每个时钟循环寄存(例如，在时钟信号的上升边沿和下降边沿两者上)。
37.在一些实例中，存储器装置110可包含由存储器装置110的多个存储器裸片160共有(例如，共享)的电源。例如，存储器装置110可包含电源180，其可配置成向存储器裸片160-a到160-n中的每一个提供电力(例如，传送电力、供应电力，经由输出导体185)。尽管输出导体185示出为与每个存储器裸片160的相应本地存储器控制器165耦合，但是存储器装置110可包含输出导体185的各种配置，用于另外或替代地耦合电源180与一组存储器阵列170或一组存储器阵列170的各种组件。电源180可与输入导体175(例如，存储器装置110的引脚或触点)耦合，所述输入导体可以也可以不与主机装置105耦合或通过主机装置105耦合。电力可通过(例如，主机装置105的、主机装置105外部的装置的)电力转换器或电压调节器、电池、电网或配电系统或其它类型的电源或发电机供应到输入导体175。尽管在存储器装置110中示出单个输出导体185，但是电源180可以与超过一个输出导体185相关联，例如根据电压和接地参考(例如，机箱接地导体)或其它参考电压提供或传送电力的一对导体，或可以根据一或多个电压电平提供电力的其它数量的导体。
38.在一些实例中，电源180可与存储器裸片160的电压调节电路系统耦合，其中此类电压调节电路系统可配置成支持相应存储器裸片160在经调节电压(例如，作为相应存储器裸片160的电压源)下的操作。例如，每一存储器裸片160可包含配置成建立用于操作存储器裸片160的组件的一或多个电压电平的组件或电路系统，包含相应本地存储器控制器165或相应存储器阵列170，以及其它组件。电压调节电路系统可包含用于建立操作电压或对所建立电压的噪声或其它波动进行滤波的组件的各种配置，所述波动可源自或基于电源180的波动，或源自负载或与相应存储器裸片160的操作相关的其它信号或电压反射的波动，以及其它来源。尽管在一些实例中，电压调节电路系统可专用于给定存储器裸片160，但此类技术可涉及每一存储器裸片160上的相对较大或相对较高容量的电压调节电路系统，以满足给定存储器裸片160的最佳性能或功耗需求。但是，在一个存储器裸片160的最佳性能或功耗期间，一或多个其它存储器裸片160的电压调节电路系统可能未充分利用，使得存储器装置110的电压调节电路系统作为一个整体可能被过度配置。
39.根据本文所公开的实例，存储器装置110可支持用于在多个存储器裸片160之间或当中耦合电压调节电路系统的各个技术。在一些实例中，此类技术可包含跨越多个存储器裸片160共享(例如，穿过多个存储器裸片160定位)的互连件(例如，总线导体)，其中每个存储器裸片160的相应电压调节器可以静态(例如，固定)布置或动态(例如，动态、可选、可切换)布置或其组合与互连件耦合。可以称为阵列电路系统的存储器裸片160的各种组件(例如，本地存储器控制器165或存储器阵列170，或其任何部分或其组合，与存储器阵列170相关联的电路系统或其操作)可与电压调节器互连件耦合或者可用于与电压调节器互连件耦合(例如，经由开关组件)，并且给定存储器裸片160的组件可基于一或多个电压调节器的输出而操作，所述电压调节器可包含其它存储器裸片160的一或多个电压调节器，并且可包含或可不包含给定存储器裸片160的电压调节器的输出。
40.在一些实例中，此类技术可包含不同存储器裸片当中的电压调节电路系统基于阵列电路系统的存取活动(例如，存在存取活动)存取活动程度(例如，相对活跃的存取、存取等于或高于阈值速率、带宽或性能标准)以及其它因素和实例进行的交叉耦合。在一些实例
中，此类技术可包含基于阵列电路系统的存取活动(例如，不存在存取活动)或存取活动程度(例如，相对不频繁的存取、存取等于或低于阈值速率、带宽或性能标准)以及其它因素和实例隔离不同存储器裸片当中的电压调节电路系统。电压调节电路系统之间的动态耦合或隔离可通过堆叠式存储器装置的各个信令来支持，例如堆叠式存储器裸片之间的信令、存储器裸片和(例如，逻辑裸片的)中央控制器之间的信令或堆叠式存储器装置和主机装置之间的信令，以及其它信令。通过在堆叠式存储器装置中的多个存储器裸片的电压调节电路系统当中提供耦合、隔离或这两者，电压调节电路系统或其容量(例如，其额定功率、其电力供应器)可以分布在存储器裸片当中且具有改进的特性，例如改进的电压稳定性、改进的热分布、降低的噪声、改进的封装灵活性或组件冗余以及其它益处，与仅在同一存储器裸片内使用给定存储器裸片的电压调节的配置相比，这可以改进存储器装置设计或性能。
41.图2示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可以是参考图1所描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可以称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器单元205，它们可各自编程为存储不同逻辑状态(例如，编程为一组两个或更多个可能状态中的一个)。例如，存储器单元205可用于一次存储一个信息位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多电平存储器单元)可用于一次存储超过一个信息位(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元205可布置成阵列，例如参考图1所描述的存储器阵列170。
42.存储器单元205可在电容器中存储表示可编程状态的电荷。dram架构可包含电容器，所述电容器包含用于存储表示可编程状态的电荷的介电材料。在其它存储器架构中，其它存储装置和组件是可能的。例如，可以采用非线性介电材料。存储器单元205可包含例如电容器230的逻辑存储组件和开关组件235。电容器230可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器230的节点可与电压源240耦合，所述电压源可以是单元板参考电压，例如vpl，也可以是地，例如vss。
43.存储器裸片200可包含一或多个存取线(例如，一或多个字线210和一或多个字线数字线215)，这些存取线布置成某一图案，例如网格状图案。存取线可以是与存储器单元205耦合的导电线，并且可用于对存储器单元205执行存取操作。在一些实例中，字线210可以称为行线。在一些实例中，数字线215可以称为列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线或位线或其类似物的提及是可互换的，不会影响理解或操作。存储器单元205可定位在字线210和数字线215的相交点处。
44.读取和写入等操作可通过激活或选择例如字线210或数字线215中的一或多者的存取线在存储器单元205上执行。通过偏置字线210和数字线215(例如，向字线210或数字线215施加电压)，单个存储器单元205可以在它们的相交点处进行存取。在二维或三维配置中字线210和数字线215的相交点可以称为存储器单元205的地址。
45.存取存储器单元205可以通过行解码器220或列解码器225控制。例如，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址并基于接收到的行地址激活字线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址并基于接收到的列地址激活数字线215。
46.选择或撤销选择存储器单元205可通过使用字线210激活或撤销激活开关组件235来实现。电容器230可使用开关组件235与数字线215耦合。例如，当开关组件235被撤销激活
时电容器230可与数字线215隔离，且当开关组件235被激活时电容器230可与数字线215耦合。
47.感测组件245可用于检测存储在存储器单元205的电容器230上的状态(例如，电荷)，并基于所存储的状态确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件245可包含一或多个感测放大器，用于放大或以其它方式转换由存取存储器单元205产生的信号。感测组件245可比较从存储器单元205检测到的信号与参考250(例如，参考电压)。检测到的存储器单元205的逻辑状态可以作为感测组件245的输出提供(例如，提供给输入/输出组件255)，并且可以向包含存储器裸片200的存储器装置的另一组件指示检测到的逻辑状态。
48.本地存储器控制器260可通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件245)控制存储器单元205的存取。本地存储器控制器260可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225与感测组件245中的一或多个可以与本地存储器控制器260处于相同位置。本地存储器控制器260可用于从一或多个不同的存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个，将命令或数据(或这两者)转译成可供存储器裸片200使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，并基于执行所述一或多个操作而将数据从存储器裸片200传送到主机装置105。本地存储器控制器260可产生行信号和列地址信号，以激活目标字线210与目标数字线215。本地存储器控制器260还可产生和控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文所论述的所施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可以改变，并且针对在操作存储器裸片200中论述的各种操作可以是不同的。
49.本地存储器控制器260可用于在存储器裸片200的一或多个存储器单元205上执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等等。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器260响应于各种存取命令(例如，来自主机装置105)而执行或以其它方式协调。本地存储器控制器260可用于执行此处未列出的其它存取操作或与存储器裸片200的操作有关的其它操作(与存取存储器单元205不直接相关)。
50.本地存储器控制器260可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可编程为存储所要逻辑状态。本地存储器控制器260可识别其上要执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，向字线210或数字线215施加电压)以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器260可在写入操作期间向数字线215施加特定信号(例如，写入脉冲)以在存储器单元205的电容器230中存储特定状态(例如，电荷)。用作写入操作的部分的脉冲可在一持续时间内包含一或多个电压电平。
51.本地存储器控制器260可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可以确定存储在存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑状态。本地存储器控制器260可识别其上要执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地
址)耦合的目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，向字线210或数字线215施加电压)以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可响应于偏置存取线而向感测组件245传递信号。感测组件245可放大信号。本地存储器控制器260可激活感测组件245(例如，锁存感测组件)，并由此比较从存储器单元205接收的信号与参考250。基于所述比较，感测组件245可确定存储在存储器单元205上的逻辑状态。
52.存储器裸片200的各种组件可与存储器裸片200的电压调节器270(例如，在存储器裸片200内部，存储器裸片200的电压源)耦合以支持存储器裸片200的各种操作，例如读取操作、写入操作、刷新操作、存储器管理操作和存储器裸片200的其它操作。例如，电压调节器270可建立电压，或者根据所建立电压提供电力，以支持在存储器单元205中存储逻辑状态，刷新或维持存储在存储器单元205处的逻辑状态，识别存储在存储器单元205中的逻辑状态，执行存储器管理操作(例如，在本地存储器控制器260处)，或在存储器裸片200和装置存储器控制器155或主机装置105之间传送信息，以及其它操作。为了支持此类操作，电压调节器270可通过总线275(例如，总线导体、电压源导体、电压总线)直接或间接地与本地存储器控制器260、行解码器220、列解码器225、感测组件245、参考250、输入/输出组件255或存储器裸片200的各个其它组件或其组合耦合。在一些实例中，电压调节器270可从参考图1所描述的电源180接收电力，包含通过输出导体185-a接收电力。
53.根据本文所公开的实例，包含多个存储器裸片200的存储器装置110可支持用于在多个存储器裸片200之间或当中耦合电压调节器270的各个技术。在一些实例中，此类技术可包含跨越多个存储器裸片200共享(例如，穿过多个存储器裸片200定位)的互连件(例如，总线导体)，其中每个存储器裸片200的相应电压调节器270可以静态(例如，固定)布置或动态(例如，动态、可选、可切换)布置或其组合与互连件耦合。可以称为阵列电路系统的存储器裸片200的各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件245、输入/输出组件255或本地存储器控制器260，或其任何部分或其组合，以及其它电路系统或组件)可与电压调节器互连件耦合或者可用于与电压调节器互连件耦合(例如，经由开关组件)。给定存储器裸片200的组件可基于一或多个电压调节器270的输出而操作，所述电压调节器可包含其它存储器裸片200的一或多个电压调节器270，并且可包含或可不包含给定存储器裸片200的电压调节器270的输出。通过支持堆叠式存储器装置110中的多个存储器裸片200的电压调节电路系统当中的耦合、隔离或这两者，电压调节电路系统或其容量(例如，其额定功率、其电力供应器)可以分布在存储器裸片200当中且具有改进的特性。这些特性可包含改进的电压稳定性、改进的热分布、降低的噪声、改进的封装灵活性或组件冗余以及其它益处，与仅在同一存储器裸片200内使用给定存储器裸片200的电压调节器270的配置相比，这可以改进存储器装置设计或性能。
54.图3a和3b分别示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器裸片300和存储器装置110-a的实例。存储器裸片300可以是参考图1和2描述的存储器裸片160或存储器裸片200的一或多个方面的实例。出于说明性目的，存储器裸片300和存储器装置110-a的方面可以参考坐标系301的x方向、y方向和z方向描述。在一些实例中，z方向可说明相对于存储器裸片300的衬底的方向(例如，高度方向、累积方向)，或堆叠式存储器装置110-a的裸片堆叠方向(例如，堆叠方向，用于堆叠存储器裸片300的方向)，或这两
者。
55.存储器裸片300可以是包含一或多个存储器阵列(例如，参考图1所描述的一或多个存储器阵列170)的半导体裸片的实例。存储器裸片300可与第一表面302(例如，底表面，存储器芯片的底表面)和第二表面303(例如，顶表面，沿着z方向与底表面相对，存储器芯片的顶表面)相关联(例如，可具有包含所述第一表面和第二表面的暴露表面，可具有包含所述第一表面和第二表面或至少部分地由所述第一表面和第二表面限定的物理边界、体积、范围或封装)，其中每个表面可配置成与存储器装置110的另一组件(例如，在堆叠式存储器装置110中)耦合。
56.存储器裸片300可包含裸片电路系统305，其可包含用于操作存储器裸片300的各种组件或电路系统(例如，与存储器裸片300的一或多个存储器阵列170相关联的电路系统)。在一些实例中，裸片电路系统305可包含存储器裸片300的所述一或多个存储器阵列170的存储器单元205。在一些实例中，裸片电路系统305可包含用于操作所述一或多个存储器阵列170(例如，用于支持存储器裸片300的存储器单元205上的存取操作)的各种组件或电路系统，例如参考图2所描述的本地存储器控制器260、行解码器220、列解码器225、感测组件245、参考250或输入/输出组件255中的一或多个，或各种其它组件或组件组合。
57.存储器裸片300还可包含电压调节器310，其可包含用于建立至少存储器裸片300的操作电压(例如，电压电平)的各种组件或电路系统。例如，电压调节器310可配置成输出经配置电压，其支持包含裸片电路系统305以及其它组件或电路系统的存储器裸片300的各种操作。在各种实例中，电压调节器310可用作可变电阻器、分压器、开关调节器、并联调节器、串联调节器、固定调节器或可变调节器，以及其它配置。电压调节器还可包含配置成减少噪声或以其它方式减少电压输出的波动或以其它方式经电压调节器310调节的各种滤波或其它抑制组件。在一些实例中，电压调节器310可经由导体320接收电力，其中所接收电力可由参考图1所描述的电源180提供(例如，经由输出导体185)。
58.存储器裸片300可包含用于分配经电压调节器310调节的电压或根据经电压调节器310调节的电压分配电力或这两者的各种导体或其它组件。例如，存储器裸片300可包含导体311(例如，在存储器裸片300内部的第一电压分配导体)和导体312(例如，在存储器裸片300内部的第二电压分配导体)，其中每个导体可配置成支持电压调节器310的输出。在存储器裸片300的实例中，导体311可与直接向裸片电路系统305提供经调节电压(例如，经由一或多个直接连接)相关联，导体312可与经由开关组件340向导体330(例如，电压总线、经调节电压总线)提供经调节电压(例如，用于选择性地或动态地耦合或隔离电压调节器310和共享电压总线，用于基于开关组件340的状态向导体330提供电力)相关联。在各种实例中，导体330可支持经由开关组件345向导体346提供经调节电压，或根据经调节电压提供电力(例如，用于选择性地或动态地耦合或隔离裸片电路系统305和共享电压总线，用于基于开关组件345的状态向裸片电路系统305提供电力)。在一些实例中，从导体330提供的电力可包含从存储器裸片300之外的组件或电路系统(例如，另一存储器裸片300、逻辑裸片)提供或至少部分地经其调节的电力。尽管在存储器裸片300的实例中将导体320、311、312、330和346中的每一个示出为一个，但是根据本文公开的技术的存储器裸片可包含任何数量的一或多个导体320、一或多个导体311、一或多个导体312、一或多个导体330或一或多个导体346，以支持电压调节分配的各种配置。
59.在一些实例中，导体311可与在存储器裸片300处于可操作条件时(例如，在包含存储器裸片300的存储器装置110通电时)提供基线经调节电压、基线电力、专用电压或电力、进行中电力或以其它方式维持的电力或经调节电压相关联。例如，导体311可与裸片电路系统305的一或多个本地存储器控制器165耦合以便为存储器裸片300的各种裸片特定的逻辑操作或存储器管理操作(例如，可基于存储器裸片300或包含存储器裸片300的存储器装置110是处于作用中模式还是处于非作用中、待机或空闲模式而执行的操作)提供一致电力，或处于特定经调节电压的一致电力。在一些实例中，导体311可与裸片电路系统305的一或多个晶体管耦合，以在开关组件340或345可处于一个状态或另一状态(例如，断开或闭合)或正在从一个状态切换到另一状态时，将此类晶体管维持在确定状态或条件。在一些实例中，导体311可与提供与裸片电路系统305或其某一部分的特定性能水平(例如，基线带宽、基线速率或速度或基线吞吐量)相关联的某一程度的电力或处于特定电压的电力相关联。
60.在一些实例中，导体311可直接与多个存储器阵列170中的一或多个存储器阵列170的子集或存储器阵列170的一部分(例如，子阵列)、裸片电路系统305的一部分或各种相关联电路系统(例如，对应于存储器阵列170的子集或存储器阵列170的部分的操作)耦合。在一些实例中，此类技术可支持裸片电路系统305的经配置部分被一致地供电，这可对应于与相对较低时延操作相关联的裸片电路系统305的一部分(例如，可在没有与改变开关组件340或345的状态相关联的延迟的情况下进行操作)，或周期性地刷新的裸片电路系统305的一部分(例如，与易失性存储器架构相关联或以其它方式在易失性模式中操作的裸片电路系统305的一部分)，以及其它配置。在一些实例中，导体311可在存储器裸片300中省略，使得经调节电压或根据经调节电压提供的电力可至少部分地基于开关组件345的状态经由导体330动态地支持。
61.在一些实例中，导体346可与提供作用中模式电力、辅助电力、可变电力或至少部分地基于开关组件345的状态的其它间歇性电力相关联，其中开关组件345可用于耦合或隔离导体330和导体346(例如，直接与裸片电路系统305的一或多个组件耦合但是可以与导体330或电压调节器310隔离的导体)。在一些实例中，导体346可与一或多个存取线解码器、感测组件或i/o组件以及支持裸片电路系统305的一或多个存储器阵列170上的作用中存取操作的其它组件耦合。在一些实例中，导体330和346可与提供与裸片电路系统305或其某一部分的特定性能水平(例如，大于基线带宽的带宽、大于基线速率或速度的速率或速度，或大于基线吞吐量的吞吐量)相关联的某一程度的电力或处于经配置电压的电力相关联。
62.在一些实例中，导体346可直接与多个存储器阵列170的子集或存储器阵列170的一部分(例如，子阵列)、裸片电路系统305的一部分或各种相关联电路系统(例如，对应于所述多个存储器阵列170的子集或存储器阵列170的部分的操作)耦合。在一些实例中，此类技术可支持裸片电路系统305的经配置部分间歇性地供电，这可对应于与相对较高时延操作(例如，和与改变开关组件345的状态或供电时的其它初始化相关联的延迟相关)相关联的裸片电路系统305的一部分，或不涉及周期性刷新的裸片电路系统305的一部分(例如，与非易失性存储器架构相关联或以其它方式在非易失性模式中操作的裸片电路系统305的一部分)，或可能不是连续操作的裸片电路系统305的一部分(例如，可配置为非作用中、空闲或以其它方式变成非操作的存储器阵列170或其部分)，以及其它配置。在一些实例中，此类技术可支持存储器装置110(例如，包含存储器裸片300)利用相对较小或容量相对减小的电压
调节器(例如，由于一或多个存储器裸片300的裸片电路系统305的一或多个部分的供电是间歇性的)或者以相对较高的效率(例如，由于变成非作用中的裸片电路系统305的部分的泄漏减少或其它功耗减少)进行操作，以及其它益处。
63.在一些实例中，开关组件340可支持电压调节器310与导体330的动态或机会性耦合。例如，在电压调节器310相对于操作裸片电路系统305具有足够或过多容量的条件期间，或者在电压调节器310可以补偿任何噪声、电力汲取或与导体330耦合时(例如，与一或多个其它存储器裸片300或存储器装置110的其它部分耦合时，与来自导体330的电力汲取或去往导体330的电压波动相关联)所诱发的其它波动的条件期间，或者当包含存储器裸片300的存储器装置110的另一组件命令或请求可以从电压调节器310获得的电力时，开关组件340可以闭合(例如，变成导电)。在一些实例中，在电压调节器310的容量需要支持存储器裸片300的裸片电路系统305的条件期间，或者在电压调节器310可能参与支持对噪声或其它波动敏感的裸片电路系统305的操作的条件期间，或者当包含存储器裸片300的存储器装置110中的其它地方不需要电压调节器310的容量或所述容量并不有利时，开关组件340可以断开。在此类情形中，电压调节器310可与导体330隔离，并且可经由导体330(例如，而不是经由导体312、330和346)向裸片电路系统305提供电力。
64.在一些实例中，导体311和导体346可与裸片电路系统305的一或多个公共节点耦合，使得闭合开关组件340和345的连接可以在电压调节器310和所述一或多个公共节点之间提供相对较低的阻抗(例如，与通过导体311和导体312、330和346的导电性相关联)，断开开关组件340或开关组件345中的一个或两个的连接可在电压调节器310和所述一或多个公共节点之间提供相对较高的阻抗(例如，与通过导体311但不通过导体312、330和346的导电性相关联)。例如，导体311和346可会聚在存储器裸片300的公共点处(例如，在裸片电路系统305的边界处，裸片电路系统305内部)，或者可与裸片电路系统内部的公共导体的相对侧面耦合(例如，在与操作裸片电路系统305相关联的公共电压或电力分配线或存取线的相对端部处提供经调节电压)。在一些实例中(例如，当导体311和346可与裸片电路系统305的不同部分耦合时)，断开开关组件340或开关组件345中的任一个或两个可与隔离电压调节器310和裸片电路系统305的至少一部分相关联。在一些实例中，断开开关组件345可与一起隔离裸片电路系统305的至少一部分和经调节电压相关联(例如，其中裸片电路系统305的至少一部分与电压调节器310和导体330两者断开连接)。
65.在一些实例中，导体320和330或其各个部分可以根据支持经裸片布置的各种技术形成。例如，导体320或330可形成有垂直于表面302或表面303延伸的一或多个部分(例如，沿着z方向延伸，在相对于衬底的高度方向上延伸，例如存储器裸片300的一或多个tsv段)。在一些实例中，导体320和330可形成有平行于表面302或表面303延伸的一或多个部分(例如，在垂直于z方向的方向上或在xy平面中延伸，例如存储器裸片300的内部分配或重布层的一部分)。
66.开关组件340或开关组件345可配置有支持动态耦合或隔离的所描述功能性的各种组件或组件布置。例如，开关组件340或开关组件345可以是动态或连续操作或可编程的开关，例如晶体管，其可经控制(例如，使用逻辑信号，使用控制信号)以处于闭路或开路配置。开关组件340或开关组件345的状态可经编程或以其它方式使用信令经由导体350或其部分控制(例如，当导体350是具有多个信号载送路径的控制总线时)。在各种实例中，开关
组件340或开关组件345可响应于来自以下的信令：裸片电路系统305(例如，裸片电路系统305的本地存储器控制器165)、另一存储器裸片300(例如，另一存储器裸片300的本地存储器控制器165)、共享或可以其它方式操作以控制多个存储器裸片300的操作逻辑(例如，装置存储器控制器155)，或与包含存储器裸片300的存储器装置110耦合的主机装置105。
67.导体320、330和350中的每一个可与存储器裸片300的表面处的一或多个触点相关联。在存储器裸片300的实例中，导体320可与可与表面302重合的第一触点321和可与表面303重合的第二触点322相关联。此外，导体330可与可与表面302重合的第一触点331和可与表面303重合的第二触点332相关联。此外，导体350可与可与表面302重合的第一触点351和可与表面303重合的第二触点352相关联。
68.在一些实例中，一或多个触点321、一或多个触点322、一或多个触点331、一或多个触点332、一或多个触点351或一或多个触点352或其任何组合可包含在球栅阵列、栅格阵列或其它配置中或如此称呼。触点321、322、331、332、351或352中的每一个可与存储器裸片300外部的另一组件物理耦合、电耦合或既物理耦合又电耦合，并且可包含或称为接合垫、接触垫、焊接垫、线接合垫、楔形接合垫或电触点，以及其它构造或术语。在一些实例中，触点321或322可各自配置成可与电源180耦合(例如，用于与包含电源180的组件的触点耦合，用于与包含与电源180耦合或者可与电源180耦合的导电路径的另一存储器裸片300的触点耦合)。在一些实例中，触点331或332可各自配置成可与经调节电压总线耦合或以其它方式形成经调节电压总线的一部分，以在一组存储器裸片300之间或当中分配经调节电压或根据经调节电压分配电力。在一些实例中，触点351或352可各自配置成可与控制总线耦合或以其它方式形成控制总线的一部分，以与存储器裸片300或在存储器裸片300之间交换信令或信息。在一些实例中，触点321、322、331、332、351或352或其任何组合可配置成可与另一存储器裸片300耦合(例如，利用另一存储器裸片300的触点321、322、331、332、351或352)。
69.图3b示出包含参考图3a所描述的多个存储器裸片300(例如，存储器裸片300-a和300-b、存储器裸片300堆叠)的存储器装置110-a的实例。存储器裸片300-a和300-b可堆叠在基底355之上或上面(例如，堆叠在其上方)，所述基底可以是半导体裸片、印刷电路板(pcb)或存储器装置110-a的用于构造或支撑堆叠式存储器组合件的其它衬底组件的实例。在一些实例中，基底355可以称为存储器装置110的逻辑裸片，并且可以指与存储器装置110的一或多个存储器裸片300分开的半导体裸片。尽管存储器装置110-a的实例包含两个存储器裸片300，但是所描述的技术可应用于包含任何数量的存储器裸片300的存储器装置110。
70.在堆叠式存储器装置110的各种实例中，例如存储器装置110-a，一或多个存储器裸片300和基底355可使用各种技术一起组装(例如，接合、连接)，例如钎焊(例如，使用回流炉，使用红外加热器)、接合(例如，热超声接合、热压接合、线接合、楔形粘合)、铜焊、焊接(例如，超声波焊接、压力焊接)或其它连接技术。在一些实例中，存储器装置110-a可在相应的经组装组件之间包含一或多个接合层(未示出)，其中接合层可包含与经组装组件的各个触点接触的导电材料部分，以提供相应电耦合或互连。在各种实例中，导电材料部分可包含焊料(例如，焊球)、铜焊焊料(brazing)、导电膏、导电线、弹簧连接器或在存储器装置110-a的经组装组件之间提供电互连的其它特征或材料。
71.基底355可包含可在存储器裸片300外部的电源180-a。电源180-a可以是参考图1和2描述的电源180的一或多个方面，并且在一些实例中，可包含或称为电压源或电压调节
器。电源180-a可通过基底355的一或多个输入导体(例如，经由触点381的输入导体380)接收电力，所述输入导体可与主机装置105(例如，主机装置105的电力供应器或电力供应器引脚)或另一电力供应器耦合。
72.在存储器装置110-a的实例中，电源180-a可配置成经由导体370和相关联触点371向存储器裸片300-a和300-b中的每一个提供电力。在各种实例中，电源180-a可配置成根据电压电平或根据第一电压电平和第二电压电平提供电力，例如正电压和接地电压，或正电压和负电压，或两个正电压，以及一或多个电压电平的其它配置。在一些实例中，基底355及存储器裸片300-a和300-b可经由一或多个额外导体和触点(未示出)共享一或多个单独的接地连接、机箱接地连接、返回连接或其它电压参考或电流路径连接。
73.基底355还可包含装置存储器控制器155-a，其可与存储器装置110-a的一或多个(例如，所有)存储器裸片300通信(例如，经由基底355的一或多个导体390和相关联触点391)。装置存储器控制器155-a可操作用于与主机装置105通信或进行其它耦合或互连(例如，经由信道115，经由一或多个导体，例如基底355的导体385和相关联触点386)。在一些实例中，存储器装置110-a的两个或更多个(例如，所有)存储器裸片300(例如，每个存储器裸片300的一或多个存储器阵列170、每个存储器裸片300的存储器单元205)可以经由存储器装置110的相同或公共通信连接寻址，例如存储器装置110的或存储器装置110和主机装置105之间的公共命令/地址总线。在一些实例中，装置存储器控制器155-a可监测共享电压总线(例如，包含导体330-a和330-b)的一或多个条件，并且此类监测可至少部分地由与共享电压总线耦合的导体360和相关联触点361支持。在一些实例中，装置存储器控制器155-a可至少部分地使用经由导体360传送的电力(例如，经由电压调节器310-a或310-b中的一个或两个提供的电力)供电，或者装置存储器控制器155-a可使用通过导体360传送的电气条件(例如，电压电平、电压波形、电压干扰)来执行各种操作。
74.存储器装置110-a可配置成支持用于动态电压调节分配的各种技术，其可包含用于操作存储器裸片300的开关组件340、开关组件345或开关组件340和开关组件345两者以在相应电压调节器310和裸片电路系统305之间或当中进行各种互连的各种技术。
75.在一些实例中，每个开关组件345可标称地或通常在常开条件中操作，使得给定开关组件345在功耗升高或其它相对较高活动性或相对较高性能条件之前或响应于这些条件闭合，这可能受益于与一或多个电压调节器310的连接(例如，同一存储器裸片的电压调节器、不同存储器裸片300的电压调节器，经由一或多个导体330进行)。例如，在标称、基线、默认、空闲或待机条件下，开关组件345-a和345-b都可能处于开路状态。开关组件345-a可响应于与裸片电路系统305-a相关联的活动(例如，与裸片电路系统305-a的存储器单元相关联的存取操作、向裸片电路系统305-a的相对较高的信息传递带宽的转变、裸片电路系统305-a的存储器管理操作、电力模式或性能模式)或在所述活动之前修改为闭路状态(例如，闭合、连接、激活、导电)。在一些实例中，此类激活可以伴随着闭合开关组件340-a或340-b中的一个或两个的命令、请求或其它信号(例如，来自存储器裸片300-a、来自存储器裸片300-b、来自装置存储器控制器155a)，这可能与增加包含导体330-a和330-b的共享电压总线的电压调节容量或电力供应容量相关联，或者此类激活可以由开关组件340-a或340-b中的一个或两个维持在闭路状态的条件支持。
76.在一些实例中，存储器裸片300-a或裸片电路系统305-a自身可识别裸片电路系统
305-a的电力条件(例如，使用存储器裸片300-a的本地存储器控制器)，并且可使用导体350-a上的信令(例如，在存储器裸片300-a的本地存储器控制器165和开关组件345-a之间)激活开关组件340-a或开关组件345-a。在一些实例中，装置存储器控制器155-a可识别裸片电路系统305-a的电力条件(例如，存取活动的存在或程度)，或者可识别经调节电压总线的条件(例如，经由导体360)，并且可使用经由导体390和350-a的信令(例如，作为命令、请求或激活信号，在装置存储器控制器155-a和开关组件345-a之间)激活开关组件345-a，这可与导体350-a上的信令相关联，所述信令可以由也可以不由(例如，裸片电路系统305-a的)本地存储器控制器165中继、处理或评估。在一些实例中，存储器裸片300-a的裸片电路系统305-a或另一部分或装置存储器控制器155-a的裸片电路系统或另一部分或这两者可包含电力监测或其它电气监测电路系统(例如，电压检测电路系统、电流检测电路系统、温度检测电路系统)，并且可基于各种条件激活开关组件345-a，例如操作电压或操作电流的指示(例如，电压下降等于或低于电压阈值，汲取电流等于或高于电流阈值)，以及其它条件。在一些实例中，存储器裸片300-a(例如，存储器裸片300-a的本地存储器控制器165或装置存储器控制器155-a可至少部分地基于从主机装置105接收到的命令(例如，存取命令、功率命令、性能模式命令)而激活开关组件345-a。在这些和其它实例中，相比于开关组件345-b闭合，将开关组件345-b维持在开路状态(例如，隔离裸片电路系统305-b的至少一部分与电压调节器310-a或310-b中的一个或两个，维持电压调节器310-b和裸片电路系统305-b之间的相对较高阻抗)可支持裸片电路系统305-a的一或多个组件的操作改进。
77.在一些实例中，每个开关组件345可标称地或通常在常闭条件中操作，使得一个存储器裸片300的给定开关组件345在不同存储器裸片300的功耗升高或其它相对较高活动性条件之前或响应于这些条件断开，这可能受益于与一或多个电压调节器310的连接(例如，同一存储器裸片的电压调节器、不同存储器裸片300的电压调节器，经由一或多个导体330进行)。例如，在标称、基线或默认条件下，开关组件345-a和345-b都可能处于闭路状态。开关组件345-a可响应于与裸片电路系统305-b相关联的活动(例如，与裸片电路系统305-b的存储器单元相关联的存取操作、向裸片电路系统305-b的相对较高的信息传递带宽的转变、裸片电路系统305-b的存储器管理操作、裸片电路系统305-b的电力模式，或裸片电路系统305-b的高性能模式)或在所述活动之前修改为开路状态(例如，断开、隔离、撤销激活、不导电)。在一些实例中，此类撤销激活可以伴随着闭合开关组件340-a或340-b中的一个或两个的命令、请求或另一信号(例如，来自存储器裸片300-a、来自存储器裸片300-a、来自装置存储器控制器155a)，这可能与增加包含导体330-a和330-b的共享电压总线的电压调节容量或电力供应容量相关联，或者此类撤销激活可以由开关组件340-a或340-b中的一个或两个维持在闭路状态的条件支持。
78.另外或替代地，一个存储器裸片300的给定开关组件345可在相同存储器裸片300的经减小功耗或其它相对较低活动性条件之前或响应于这些条件断开。例如，开关组件345-a可响应于存储器裸片300-a的裸片电路系统305-a或其某一部分进入空闲或待机条件或在进入之前修改为开路状态。在一些实例中，此类撤销激活可以伴随着或基于断开开关组件340-a或340-b中的一个或两个的命令或请求(例如，减小包含导体330-a和330-b的共享电压总线的电压调节或电力供应容量)，或者可以由开关组件340-a或340-b中的一个或两个维持在开路状态的条件支持。
79.在一些实例中，存储器裸片300-a或裸片电路系统305-a自身可识别裸片电路系统305-a的电力条件(例如，使用存储器裸片300-a的本地存储器控制器)，并且可使用导体350-a上的信令(例如，在存储器裸片300-a的本地存储器控制器165和开关组件345-a之间)撤销激活开关组件345-a。在一些实例中，存储器裸片300-b可识别裸片电路系统305-b的电力条件，并且可使用经由导体350-b和350-a的信令(例如，作为命令、请求或解除激活信号，在存储器裸片300-b和开关组件345-a之间)使开关组件345-a撤销激活，这可与导体350-a上的信令相关联，所述信令可以由也可以不由(例如，裸片电路系统305-a的)本地存储器控制器165中继、处理或评估。
80.在一些实例中，装置存储器控制器155-a可识别裸片电路系统305-a或裸片电路系统305-b的电力条件或包含导体330-a和330-b的共享电压总线的电力条件(例如，经由导体360)，并且可使用经由导体390和350-a的信令(例如，作为命令、请求或激活信号，在装置存储器控制器155-a和开关组件345-a之间)撤销激活开关组件345-a，这可与导体350-a上的信令相关联，所述信令可以由也可以不由(例如，裸片电路系统305-a的)本地存储器控制器165中继、处理或评估。例如，在撤销激活开关组件345-a之前，存储器裸片300-a的控制器或电路系统可评估在存储器裸片300-a处(例如，从存储器裸片300-b、从装置存储器控制器155-a)接收到的请求或其它信号，例如评估存储器裸片300-a的操作模式或电力条件是否支持开关组件345-a的撤销激活，在此情况下，此类请求或信号可被接受或拒绝。在一些实例中，在存储器裸片300-a处接收到的命令或其它信号(例如，直接解除激活信号)可假设被接受、转发或可以其它方式操作以撤销激活开关组件345-a。在一些实例中，装置存储器控制器155-a可至少部分地基于从主机装置105接收到的命令(例如，存取命令、功率命令、性能模式命令)撤销激活开关组件345-a。在这些和其它实例中，相比于开关组件345-a闭合，将开关组件345-a转变到开路状态(例如，隔离裸片电路系统305-a的至少一部分与电压调节器310-a或310-b中的一个或两个，维持电压调节器310-a和裸片电路系统305-a之间的相对较高阻抗)可支持裸片电路系统305-b的一或多个组件的操作改进。
81.尽管存储器装置110-a示出为暴露了存储器裸片300和基底355的面，但是在一些实例中，存储器装置110的一或多个面可以由二次材料(例如介电材料或塑料涂层以及其它涂层)覆盖或涂覆，以保护存储器装置110的内部组件。在存储器装置110-a的实例中，如果没有完全覆盖存储器裸片300-b的触点322-b、332-b和352-b，那么这种材料可以至少部分地覆盖，但不能覆盖基底355的触点381和386。在一些实例中，存储器装置110-a的一或多个部分可以在存储器裸片300或基底355的一或多个外表面上提供金属化或其它导电材料部分(例如，存储器裸片300-b的顶表面的至少一部分，存储器裸片300-a或300-b或基底355的一或多个侧表面)，这可为存储器裸片300或基底355的至少一部分提供一定程度的电磁屏蔽。
82.尽管存储器裸片300和存储器装置110-a的一些方面是参考与单个经调节电压电平相关联的电压调节器310的互连描述和说明的，但是存储器裸片300或存储器装置110可包含用于在支持多个电压电平的电压调节器310当中互连的各种布置。在此类实例中，每一存储器裸片300的一或多个电压调节器310可支持与裸片电路系统305或其某一部分的直接或静态连接，或每一存储器裸片300的一或多个电压调节器310可支持与裸片电路系统305的可选或动态连接，或其各种组合。在一些实例中，一或多个电压调节器310可另外或替代
地支持基底355的各种组件或电路系统的操作，例如支持装置存储器控制器155的操作。
83.在一些实例中，触点331和332、导体312、330和346或开关组件340和345的概念性布置可针对与不同电压电平相关联的一或多个电压调节器功能性地重复。例如，此类概念性布局或其某一部分可功能性重复以支持漏极供电电压(例如，vdd)、源极供电电压(例如，vss、接地电压)、正泵电压(例如，vpp)、参考电压(例如，vref)、衬底供电电压(例如，vbb、负电压)或各种其它电压或其组合中的一或多个。另外或替代地，在图3b中应用于与单个裸片电路系统305的单个连接的触点331和332、导体312、330和346或开关组件340和345的概念性布置可功能性地重复以用于与存储器裸片300的单个裸片电路系统305的多个连接，功能性地重复以用于与存储器裸片300的多个裸片电路系统305的连接，或其各种组合(未示出)。在这些和其它实例中，经功能性重复布局的相应触点和导体可以跨越存储器裸片300的不同部分分布，以维持经功能性重复布局之间的电隔离，例如使触点和导体跨越x方向上的不同位置、y方向上的不同位置或这两者分布。
84.在一些实例中，开关组件340或345中的一个或两个可在存储器裸片300中省略，以支持存储器装置110中的电压调节分配的替代性实施方案。例如，在每一存储器裸片300的电压调节器310直接连接到共享电压总线(例如，直接连接到相应导体330)的实施方案中，开关组件340可省略。在此类实施方案中，存储器装置110中的所有电压调节器310的全容量在包含相应导体330的共享电压总线上可用，并且开关组件345可经包含以基于各种条件或标准将裸片电路系统305的一或多个例子动态地耦合到共享电压总线。在一些实例中，在每一存储器裸片300的裸片电路系统305直接连接到共享电压总线(例如，直接连接到相应导体330)的实施方案中，开关组件345可省略。在此类实施方案中，开关组件340可经包含以基于各种条件或标准将一或多个电压调节器310动态地耦合到共享电压总线，这可改变共享电压总线上可用的电力或电压调节容量。在一些实例中，导体311可在存储器裸片300中省略，以支持存储器装置110中的电压调节分配的替代性实施方案。在此类实例中，开关组件340、开关组件345或这两者可经包含以支持用于电压调节器310和裸片电路系统305之间的动态耦合的各种技术，所述技术省略了经由导体311提供的静态耦合的一或多个方面。
85.图4示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的包含存储器裸片300-c和300-d的存储器装置110-b的实例。存储器裸片300-c和300-d可以是参考图1到3描述的存储器裸片160、存储器裸片200或存储器裸片300的一或多个方面的实例。存储器裸片300-c到300-e可堆叠在基底355-a上面(例如，堆叠在其上方)。基底355-a可包含装置存储器控制器155-b、电源180-b和导体360-a、370-a、380-a、385-a和390-a，其中的每一个可以是参考图3b所描述的相应组件的一或多个方面的实例。尽管存储器装置110-b的实例包含两个存储器裸片300，但是所描述的技术可以应用于包含任何数量的存储器裸片300的存储器装置110。
86.在存储器装置110-b的实例中，每个存储器裸片300可包含相应裸片电路系统305、电压调节器310及导体320、312、330、346和350，其中的每一个可以是参考图3a和3b描述的相应组件的一或多个方面的实例。但是，在存储器装置110-b的实例中，每个存储器裸片300可省略开关组件340和开关组件。因此，相应导体312、330和346可以直接连接(例如，作为公共节点，作为直接互连件)，这可示出静态电压调节分配的实例。因此，电压调节器310-c和310-d的总体容量可由裸片电路系统305-c和305-d或由裸片电路系统305-c和305-d与装置
存储器控制器155-b及其它电路系统或组件共享，无需动态切换。相比于参考图3b所描述的存储器装置110-a，此实施方案可与减小的开关和逻辑复杂性相关联，但是可受益于跨越多个存储器裸片300的电压调节容量分配。例如，相比于电压调节电路系统不在多个存储器裸片300当中共享的其它技术，此实施方案可与改进的布局灵活性、改进的热分布或其它益处相关联。
87.在一些实例中，存储器装置110-b的触点和导体的概念性布置可针对与不同电压电平相关联的一或多个电压调节器功能性地重复。例如，此类概念性布局或其某一部分可功能性重复以支持漏极供电电压(例如，vdd)、源极供电电压(例如，vss、接地电压)、正泵电压(例如，vpp)、参考电压(例如，vref)、衬底供电电压(例如，vbb、负电压)或各种其它电压或其组合中的一或多个。另外或替代地，在图4中应用于与单个裸片电路系统305的单个连接的触点和导体的概念性布置可功能性地重复以用于与存储器裸片300的单个裸片电路系统305的多个连接，功能性地重复以用于与存储器裸片300的多个裸片电路系统305的连接，或其各种组合(未示出)。在这些和其它实例中，经功能性重复布局的相应触点和导体可以跨越存储器裸片300的不同部分分布，以维持经功能性重复布局之间的电隔离，例如使触点和导体跨越x方向上的不同位置、y方向上的不同位置或这两者分布。此外，在一些实例中，例如参考图4所描述的静态电压调节分配的一或多个方面(例如，应用于存储器装置的一些电压电平或功能组件)可以与例如参考图3a和3b所描述的动态电压调节分配的一或多个方面(例如，应用于存储器装置的其它电压电平或功能组件)组合。
88.图5示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的半导体裸片520的框图500。半导体裸片520可以是参考图1到4所描述的半导体裸片(例如，存储器裸片)的各方面的实例。半导体裸片520或其各种组件可以是用于执行本文所述的堆叠式存储器的电压调节分配的各个方面的构件的实例。例如，半导体裸片520可包含信号接收组件525、电压调节器连接切换组件530、操作条件识别组件535、信号传输组件540、存储器阵列电路系统545或电压调节器550，或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
89.存储器阵列电路系统545可包含与操作存储器单元阵列205相关联的电路系统的各种组件。在一些实例中，存储器阵列电路系统545可包含一或多个存储器阵列170。在一些实例中，存储器阵列电路系统545可包含与存取存储器单元205相关联的各种电路系统，包含行解码器220、列解码器225、感测组件245或输入/输出组件255中的一或多个或其任何组合。在一些实例中，存储器阵列电路系统545可包含本地存储器控制器260或其某一部分。但是，在一些实例中，本地存储器控制器260的至少一部分可与一致或静态电力供应器或电压调节器相关联，在此情况下，本地存储器控制器260可以被视为也可以不被视为包含在存储器阵列电路系统545中。例如，在一些实施方案中，信号接收组件525、电压调节器连接切换组件530、操作条件识别组件535或信号传输组件540或其任何组合可以是由电源或电压调节器一致供电的本地存储器控制器260的一部分，所述电压调节器可以是也可以不是可使用开关组件(例如开关组件340或开关组件345)与存储器阵列电路系统545动态耦合的相同电压调节器。
90.在一些实例中，半导体裸片520可以是包含与第一存储器阵列相关联的电路系统(例如，存储器阵列电路系统545)和电压调节器(例如，电压调节器550)的第一半导体裸片
的实例，其可用于支持与第一存储器阵列相关联的电路系统的存取或其它操作。半导体裸片520可包含与第二半导体裸片耦合的触点，其中第二半导体裸片可包含与第二存储器阵列相关联的电路系统。在一些实例中，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于接收信号的构件，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于信号接收组件525接收到信号而修改电压调节器550和与第二半导体裸片耦合的触点之间的开关组件的状态的构件。
91.在一些实例中，为了支持接收信号，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于从第二半导体裸片接收修改开关组件的状态的请求的构件。
92.在一些实例中，为了支持接收信号，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于从与半导体裸片520和第二半导体裸片耦合的第三半导体裸片接收修改开关组件的状态的命令的构件。
93.在一些实例中，为了支持接收信号，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于从与包含半导体裸片520和第二半导体裸片的存储器装置耦合的主机装置接收修改开关组件的状态的命令的构件。
94.在一些实例中，信号可包含操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的条件的指示。在各种实例中，操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的条件的指示可包含带宽的指示、性能模式的指示、电力模式的指示、电压的指示、电流的指示或存取状态的指示，或其组合。
95.在一些实例中，修改开关组件的状态可隔离电压调节器550与存储器阵列电路系统545。
96.在一些实例中，为了支持修改开关组件的状态，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于信号接收组件525接收到信号而将开关组件的状态从闭路状态转变到开路状态的构件。在一些实例中，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于接收第二信号的构件，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于信号接收组件525接收到第二信号而将开关组件的状态从开路状态修改到闭路状态的构件。
97.在一些实例中，为了支持修改开关组件的状态，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于信号接收组件525接收到信号而将开关组件的状态从开路状态转变到闭路状态的构件。在一些实例中，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于接收第二信号的构件，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于信号接收组件525接收到第二信号而将开关组件的状态从闭路状态修改为开路状态的构件。
98.在一些实例中，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于识别操作存储器阵列电路系统545的条件的构件，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的条件而修改存储器阵列电路系统545和可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点之间的开关组件的状态的构件。
99.在一些实例中，为了支持至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的条件而修改开关组件的状态，电压调节器连接切换组件530可配置为
或以其它方式支持用于至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的条件而将开关组件的状态从开路状态转变到闭路状态的构件。
100.在一些实例中，为了支持至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的条件而修改开关组件的状态，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的条件而将开关组件的状态从闭路状态转变到开路状态的构件。
101.在一些实例中，信号传输组件540可配置为或以其它方式支持用于向第二半导体裸片传输信号的构件，所述信号是修改第二半导体裸片的电压调节器和与第一半导体裸片耦合的第二半导体裸片的触点之间的第二开关组件的状态。
102.在一些实例中，信号接收组件525可配置为或以其它方式支持用于接收存取第一存储器阵列的命令的构件，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于信号接收组件525接收到存取第一存储器阵列的命令而识别操作存储器阵列电路系统545的条件的构件。
103.在一些实例中，为了支持识别操作存储器阵列电路系统545的条件，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于识别操作存储器阵列电路系统545的速度或带宽满足阈值的构件。
104.在一些实例中，为了支持识别操作存储器阵列电路系统545的条件，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于识别操作存储器阵列电路系统545的电压或电流满足阈值的构件。
105.在一些实例中，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于识别操作存储器阵列电路系统545的第二条件的构件，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的第二条件而修改开关组件的状态的构件。
106.在一些实例中，为了支持至少部分地基于操作条件识别组件535识别到操作存储器阵列电路系统545的第二条件而修改开关组件的状态，电压调节器连接切换组件530可配置为或以其它方式支持用于将开关组件的状态从闭路状态转变到开路状态的构件。
107.在一些实例中，为了支持识别操作存储器阵列电路系统545的第二条件，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于识别存储器阵列电路系统545的空闲条件或待机条件的构件。
108.在一些实例中，为了支持识别操作存储器阵列电路系统545的条件，操作条件识别组件535可配置为或以其它方式支持用于识别与操作存储器阵列电路系统545相关联的第二电压或第二电流满足阈值的构件。
109.在一些实例中，存储器阵列电路系统545可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于修改开关组件的状态而操作与存储器阵列相关联的电路系统的构件。
110.图6示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器装置620的框图600。存储器装置620可以是参考图1到4所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置620或其各种组件可以是用于执行本文所述的堆叠式存储器的电压调节分配的各个方面的构件的实例。例如，存储器装置620可包含操作条件识别组件625、电压调节器连接管理组件630、第一半导体裸片635、第二半导体裸片640、电源645或其任何组合。第一半
导体裸片635可包含与至少第一存储器阵列相关联的电路系统和第一电压调节器，其可至少部分地基于电源645而操作，第二半导体裸片640可包含与至少第二存储器阵列相关联的电路系统和第二电压调节器，其也可至少部分地基于电源645而操作。这些组件中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
111.操作条件识别组件625可配置为或以其它方式支持用于识别操作存储器装置620的条件的构件。电压调节器连接管理组件630可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于操作条件识别组件625识别到操作存储器装置620的条件而修改第一半导体裸片635和第二半导体裸片640的电压调节器之间的连接或第二半导体裸片640和第一半导体裸片635的电压调节器之间的连接或这两者的构件。
112.在一些实例中，为了支持识别操作存储器装置620的条件，操作条件识别组件625可配置为或以其它方式支持用于识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的速度或带宽满足阈值或识别操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的速度或带宽满足阈值或这两者的构件。
113.在一些实例中，为了支持识别操作存储器装置620的条件，操作条件识别组件625可配置为或以其它方式支持用于识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的电力满足阈值或识别操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的电力满足阈值或这两者的构件。
114.在一些实例中，为了支持识别操作存储器装置620的条件，操作条件识别组件625可配置为或以其它方式支持用于识别第一存储器阵列的存取操作或识别第二存储器阵列的存取操作或这两者的构件。
115.在一些实例中，为了支持修改连接，电压调节器连接管理组件630可配置为或以其它方式支持用于修改第一半导体裸片635的开关组件的状态或修改第二半导体裸片640的开关组件的状态或这两者的构件。
116.在一些实例中，为了支持修改连接，电压调节器连接管理组件630可配置为或以其它方式支持用于修改包含存储器装置620的逻辑(例如，逻辑裸片)的存储器装置的第三半导体裸片的开关组件的状态的构件。
117.图7示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持堆叠式存储器的电压调节分配的方法700。方法700的操作可由本文所述的半导体裸片或其组件实施。例如，方法700的操作可由参考图1到5所描述的半导体裸片执行。在一些实例中，半导体裸片可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，半导体裸片可使用专用硬件执行所描述功能的各方面。
118.在705处，所述方法可包含在第一半导体裸片处接收信号，所述第一半导体裸片包含电压调节器、与第二半导体裸片耦合的触点和与第一存储器阵列相关联的电路系统。在一些实例中，第二半导体裸片可包含与第二存储器阵列相关联的电路系统。操作705可根据本文包含参考图3的所公开的实例执行。在一些实例中，操作705的各方面可由参考图5所描述的信号接收组件525执行。
119.在710处，所述方法可包含至少部分地基于接收到信号，修改第一半导体裸片的电压调节器和与第二半导体裸片耦合的触点之间的开关组件的状态。操作710可根据本文包含参考图3所公开的实例执行。在一些实例中，操作710的各方面可由参考图5所描述的电压调节器连接切换组件530执行。
120.在一些实例中，本文所述设备可执行一或多种方法，例如方法700。所述设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在第一半导体裸片处接收信号，所述第一半导体裸片包含电压调节器、与第二半导体裸片耦合的触点和与第一存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于接收到信号，修改第一半导体裸片的电压调节器和与第二半导体裸片耦合的触点之间的开关组件的状态。在一些实例中，第二半导体裸片可包含与第二存储器阵列相关联的电路系统。
121.在方法700和本文所述设备的一些实例中，接收信号可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在第一半导体裸片处从第二半导体裸片接收修改开关组件的状态的请求。
122.在方法700和本文所述设备的一些实例中，接收信号可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在第一半导体裸片处从与第一半导体裸片和第二半导体裸片耦合的第三半导体裸片接收修改开关组件的状态的命令。
123.在方法700和本文所述设备的一些实例中，接收信号可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在第一半导体裸片处从与包含第一半导体裸片和第二半导体裸片的存储器装置耦合的主机装置接收修改开关组件的状态的命令。
124.在方法700和本文所述设备的一些实例中，所述信号可包含操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的条件的指示。
125.在方法700和本文所述设备的一些实例中，操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的条件的指示可包含带宽的指示、性能模式的指示、电力模式的指示、电压的指示、电流的指示或存取状态的指示，或其组合。
126.在方法700和本文所述设备的一些实例中，修改开关组件的状态可隔离电压调节器和与第一存储器阵列相关联的电路系统。
127.在方法700和本文所述设备的一些实例中，修改开关组件的状态可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于接收到所述信号，将开关组件的状态从闭路状态转变到开路状态。
128.方法700和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在第一半导体裸片处接收第二信号，以及至少部分地基于接收到第二信号，将开关组件的状态从开路状态修改为闭路状态。
129.图8示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持堆叠式存储器的电压调节分配的方法800。方法800的操作可由本文所述的半导体裸片或其组件实施。例如，方法800的操作可由参考图1到5所描述的半导体裸片执行。在一些实例中，半导体裸片可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，半导体裸片可使用专用硬件执行所描述功能的各方面。
130.在805处，所述方法可包含：在包含与第一存储器阵列相关联的电路系统、第一电压调节器及可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点的第一半导体裸片处，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件。在一些实例中，第二半导体裸片可包含与第二存储器阵列相关联的电路系统。操作805可根据本文包含参考图3所公开的实例执行。在一些实例中，操作805的各方面可由参考图5所描述的操作条件识别组件535执行。
131.在810处，所述方法可包含：至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件，修改与第一存储器阵列相关联的电路系统和可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点之间的开关组件的状态。操作810可根据本文包含参考图3所公开的实例执行。在一些实例中，操作810的各方面可由参考图5所描述的电压调节器连接切换组件530执行。
132.在一些实例中，本文所述设备可执行一或多种方法，例如方法800。所述设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在包含与第一存储器阵列相关联的电路系统、第一电压调节器及可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点的第一半导体裸片处，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件；以及至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件，修改与第一存储器阵列相关联的电路系统和可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点之间的开关组件的状态。在一些实例中，第二半导体裸片可包含与第二存储器阵列相关联的电路系统。
133.在方法800和本文所述设备的一些实例中，至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件而修改开关组件的状态可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件，将开关组件的状态从开路状态转变到闭路状态。
134.在方法800和本文所述设备的一些实例中，至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件而修改开关组件的状态可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件，将开关组件的状态从闭路状态转变到开路状态。
135.方法800和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：向第二半导体裸片传输信号，所述信号是修改第二半导体裸片的第二电压调节器和与第一半导体裸片耦合的第二半导体裸片的触点之间的第二开关组件的状态。
136.方法800和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：接收存取第一存储器阵列的命令，并至少部分地基于接收到存取第一存储器阵列的命令，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件。
137.在方法800和本文所述设备的一些实例中，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的速度或带宽满足阈值。
138.在方法800和本文所述设备的一些实例中，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的电压或电流满足阈值。
139.方法800和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在第一半导体裸片处，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的第二条件，并至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的第二条件而修改开关组件的状态。
140.在方法800和本文所述设备的一些实例中，至少部分地基于识别到操作与第一存
储器阵列相关联的电路系统的第二条件而修改开关组件的状态可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：将开关组件的状态从闭路状态转变到开路状态。
141.在方法800和本文所述设备的一些实例中，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的第二条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别与第一存储器阵列相关联的电路系统的空闲条件或待机条件。
142.在方法800和本文所述设备的一些实例中，识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别和操作与第一存储器阵列相关联的电路系统相关联的第二电压或第二电流满足阈值。
143.方法800和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于修改开关组件的状态，操作与第一存储器阵列相关联的电路系统。
144.图9示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持堆叠式存储器的电压调节分配的方法900。方法900的操作可由本文所述的存储器装置或其组件实施。例如，方法900的操作可由参考图1到4和6所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述功能的各方面。
145.在905处，所述方法可包含：在存储器装置的逻辑处识别操作存储器装置的条件，所述逻辑与存储器装置的包含与第一存储器阵列相关联的电路系统的第一半导体裸片耦合且与存储器装置的包含与第二存储器阵列相关联的电路系统的第二半导体裸片耦合。操作905可根据本文包含参考图3所公开的实例执行。在一些实例中，操作905的各方面可由参考图6所描述的操作条件识别组件625执行。
146.在910处，所述方法可包含至少部分地基于识别到操作存储器装置的条件，修改第一半导体裸片和第二半导体裸片的电压调节器之间的连接或第二半导体裸片和第一半导体裸片的电压调节器之间的连接或这两者。操作910可根据本文包含参考图3所公开的实例执行。在一些实例中，操作910的各方面可由参考图6所描述的电压调节器连接管理组件630执行。
147.在一些实例中，本文所述设备可执行一或多种方法，例如方法900。设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在存储器装置的逻辑处识别操作存储器装置的条件，所述逻辑与存储器装置的包含与第一存储器阵列相关联的电路系统的第一半导体裸片耦合且与存储器装置的包含与第二存储器阵列相关联的电路系统的第二半导体裸片耦合；以及至少部分地基于识别到操作存储器装置的条件，修改第一半导体裸片和第二半导体裸片的电压调节器之间的连接或第二半导体裸片和第一半导体裸片的电压调节器之间的连接或这两者。
148.在方法900和本文所述设备的一些实例中，识别操作存储器装置的条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的速度或带宽满足阈值，或识别操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的速度或带宽满足阈值，或这两者。
149.在方法900和本文所述设备的一些实例中，识别操作存储器装置的条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别操作与第一存储器阵列相关联的电
路系统的电力满足阈值，或识别操作与第二存储器阵列相关联的电路系统的电力满足阈值，或这两者。
150.在方法900和本文所述设备的一些实例中，识别操作存储器装置的条件可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：识别第一存储器阵列的存取操作，或识别第二存储器阵列的存取操作，或这两者。
151.在方法900和本文所述设备的一些实例中，修改连接可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：修改第一半导体裸片的开关组件的状态，或修改第二半导体裸片的开关组件的状态，或这两者。
152.在方法900和本文所述设备的一些实例中，修改连接可包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：修改包含存储器装置的逻辑的存储器装置的第三半导体裸片的开关组件的状态。
153.应注意，本文中所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可重新布置或者被修改，并且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自两个或更多个方法的部分。
154.描述另一设备。所述设备可包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片包含第一电压调节器、与第一存储器阵列相关联且可至少部分地基于第一电压调节器而操作的电路系统、可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点，以及耦合在触点和与第一存储器阵列相关联的电路系统之间的开关组件。
155.在一些实例中，所述设备可包含可用于至少部分地基于操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件而控制开关组件的状态的逻辑。
156.在一些实例中，所述设备可包含可用于至少部分地基于从第一半导体裸片外接收到的信号而控制开关组件的状态的逻辑。
157.在一些实例中，所述设备可包含配置成从第一半导体裸片外接收信号的第四触点。
158.在一些实例中，所述设备可包含可用于向第二半导体裸片传输信号的逻辑，所述信号是修改耦合在第一半导体裸片的触点和第二半导体裸片的第二电压调节器之间的第二开关组件的状态。
159.在一些实例中，所述设备可包含配置成将信号传输到第二半导体裸片的第五触点。
160.描述另一设备。所述设备可包含：第一半导体裸片，其包含第一电压调节器和与第一存储器阵列相关联的电路系统；第二半导体裸片，其包含第二电压调节器和与第二存储器阵列相关联的电路系统；电力供应器，其位于第一半导体裸片和第二半导体裸片外部并且可用于与第一电压调节器和第二电压调节器耦合；第一开关组件，其可用于耦合或隔离第二电压调节器和与第一存储器阵列相关联的电路系统；以及第二开关组件，其可用于耦合或隔离第一电压调节器和与第二存储器阵列相关联的电路系统。
161.在所述设备的一些实例中，第一开关组件可位于第一半导体裸片中，第二开关组件可位于第二半导体裸片中。
162.在所述设备的一些实例中，第一开关组件和第二开关组件可位于第三半导体裸片中，所述第三半导体裸片可与第一半导体裸片和第二半导体裸片耦合。
163.在一些实例中，所述设备可包含可用于直接耦合电力供应器与第一电压调节器、
第二电压调节器或这两者的一或多个导体。
164.描述另一设备。所述设备可包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片包含电压调节器、与第一存储器阵列相关联并且可至少部分地基于电压调节器而操作的电路系统、可用于与包含第二存储器阵列的第二半导体裸片耦合的触点、在电压调节器和触点之间的开关组件、配置成在第一半导体裸片处接收信号并至少部分地基于接收到信号而修改开关组件的状态的逻辑。
165.描述另一设备。所述设备可包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片包含电压调节器、与第一存储器阵列相关联并且可至少部分地基于电压调节器而操作的电路系统、可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点、在触点和与第一存储器阵列相关联的电路系统之间的开关组件、配置成识别操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件并至少部分地基于识别到操作与第一存储器阵列相关联的电路系统的条件而修改开关组件的状态的逻辑。
166.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。
167.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持信号在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件中断所连接组件之间的信号流动一段时间。
168.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。当例如控制器的一组件将其它组件耦合在一起时，那么所述组件引发允许信号通过导电路径在所述其它组件之间流动的改变，所述导电路径先前不允许信号流动。
169.术语“隔离”是指信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在断路，那么它们彼此隔离。例如，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器将两个组件隔离时，控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
170.本文所使用的术语“层”或“层级”是指几何结构(例如，相对于衬底)的层或片。每一层或层级可具有三个尺寸(例如，高度、宽度和深度)，并且可覆盖表面的至少一部分。例如，层或层级可以是有两个尺寸大于第三个尺寸的三维结构，例如薄膜。层或层级可包含不同元件、组件和/或材料。在一些实例中，一个层或层级可以由两个或更多个子层或子层级构成。
171.本文中所论述的包含存储器阵列的装置可形成于半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗
合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
172.本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂(例如简并)半导体区。源极与漏极可由轻掺杂的半导体区或沟道间隔开。如果沟道是n型(即，大部分载体为电子)，那么fet可被称作n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载体为空穴)，那么fet可被称作p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“撤销激活”。
173.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”，且不比其它实例“优选”或“有利”。详细描述包含特定细节，以便提供对所描述技术的理解。然而，这些技术可在没有这些特定细节的情况下实践。在一些例子中，以框图的形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。
174.在附图中，类似组件或特征可以具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着长划线及区分类似组件的第二标记来区分为相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个，而与第二参考标记无关。
175.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可以将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体来传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的本质，本文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
176.例如，结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块和模块可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心，或任何其它此类配置)。
177.如本文中(包含在权利要求书中)所使用，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语结尾的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。并且，如本文中所使用，短语“基于”不应被理解为提及一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范
围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
178.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本发明不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。