基于写入到写入延迟调整读取电平阈值的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及在存储器子系统中基于写入到写入延迟调整读取电平阈值。


背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据以及从存储器装置检索数据。


技术实现要素：

3.在一个方面，本公开涉及一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器单元群组；以及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置以执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到所述存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入(w2w)延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述w2w延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；和使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。
4.在另一方面，本公开涉及一种方法，其包括：由处理装置执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作和在所述第一写入操作之前发生的第二写入操作来确定写入到写入(w2w)时间；在数据结构中标识w2w延迟所满足的阈值时间准则，其中所述数据结构包括所述阈值时间准则与第一读取电压电平之间的关联；标识与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联的第二读取电压电平；以及响应于确定所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，将与所述第二存储器单元相关联的所述第二读取电压电平设置为所述第一读取电压电平的值。
5.在另外的方面，本公开涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作和在所述第一写入操作之前发生的第二写入操作来确定写入到写入(w2w)时间；在数据结构中标识w2w延迟所满足的阈值时间准则，其中所述数据结构包括所述阈值时间准则与第一读取电压电平之间的关联；标识与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联的第二读取电压电平；以及响应于确定所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，将与所述第二存储器单元相关联的所述第二读取电压电平设置为所述第一读取电压电平的值。
附图说明
6.根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。
7.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
8.图2说明根据一些实施例的存储器装置中的实例时间电压移位。
9.图3说明根据一些实施例的实例存储器单元群组和包含写入时间戳和读取电平标签的相关联元数据。
10.图4a是根据一些实施例的用于基于w2w延迟使读取电压电平与存储器单元相关联的实例方法的流程图。
11.图4b是根据一些实施例的用于基于w2w延迟使读取电平标签与存储器单元相关联的实例方法的流程图。
12.图4c是根据一些实施例的用于使用与存储器单元相关联的读取电压电平从存储器单元读取数据的实例方法的流程图。
13.图4d是根据一些实施例的用于使用与存储器单元相关联的读取电平标签从存储器单元读取数据的实例方法的流程图。
14.图5a说明根据一些实施例的将阈值时间准则映射到读取电平标签的表。
15.图5b说明根据一些实施例的将读取电平标签映射到读取电压电平的表。
16.图5c说明根据一些实施例的将阈值时间准则映射到读取电压电平的表。
17.图6说明根据一些实施例的响应于写入操作而生成的实例读取电压电平。
18.图7是本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
19.本公开的各方面涉及基于写入到写入延迟在存储器子系统中对存储器单元的读取电压调整。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供待存储于存储器子系统处的数据，且可请求从存储器子系统检索数据。
20.存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力供应到存储器装置时需要保留数据。非易失性存储器装置的一个实例为包含非易失性存储器信元阵列的三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置。3d交叉点存储器装置可以结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的变化来执行位存储。另一实例为与非(nand)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每个裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，nand装置)，每个平面由一组物理块组成。每个块由一组页组成。每个页由一组存储器信元(“信元”)组成。信元是存储信息的电子电路。取决于信元类型，信元可存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如，“0”和“1”)或此类值的组合表示。
21.存储器装置可以由布置在二维或三维网格中的位构成。存储器信元以列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列蚀刻到硅晶片上。字线可以指存储器装置的存储器信元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以生成存储器信元中的每一者的地址。位线和字线的相交点构成存储器信元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可以包含存储器信元群组、字线群组、字线或个别存储器信元。可
将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每个平面上进行并发操作。存储器装置可被称为“驱动器”，其具有分层在多个“叠组”中的多个裸片。
22.可使用具有读取电压电平的信号(例如，施加到存储器阵列的字线)来执行读取操作。读取阈值电压电平或值(在此为“读取电压电平”)可以是施加到存储器装置的存储器信元以读取存储在存储器信元处的数据的特定电压。例如，如果特定存储器信元的阈值电压被标识为低于施加到特定存储器信元的读取电压电平，则存储在特定存储器信元处的数据可以是特定值(例如，
‘1’
)，并且如果特定存储器信元的阈值电压被标识为高于读取电压电平，则存储在特定存储器信元处的数据可以是另一个值(例如，
‘0’
)。因此，可以将读取电压电平施加到存储器信元以确定存储在存储器信元处的值。
23.在一些存储器子系统中，当存储器信元的阈值电压编程分布改变时，使用读取操作的相同读取电压电平可能产生读取错误，因此导致重试，这降低系统性能。例如，存储器信元可被编程为具有低于读取电压电平的阈值电压。经编程阈值电压可以随着时间推移而改变，并且可转变为高于读取电压电平。例如，存储器信元的阈值电压可以从最初低于读取电压电平转变为高于读取电压电平。因此，当将读取电压电平施加到存储器信元时，与阈值电压尚未转变时最初存储的值相比，存储在存储器信元处的数据可能被误读或误解为错误的值。
24.对于某些存储器类型(即，对于采用某些类型的存储媒体的存储器子系统)，错误率可以随着时间推移而改变。确切地说，一些非易失性存储器具有随着时间推移而移动或“漂移”得更高的阈值电压编程分布。在给定的读取电压电平(即，作为读取操作的一部分施加到存储器信元的电压的值)下，如果阈值电压编程分布移动，则某些可靠性统计数据也可能受到影响。可靠性统计数据的一个实例是误码率(ber)。ber可以被定义为错误位的数目与存储在存储器子系统的单元中的所有数据位的数目的比率，其中单元可以是整个存储器子系统、存储器装置的裸片、码字的集合，或存储器子系统的任何其它有意义的部分。
25.一些存储器子系统可通过对媒体信元执行读取清理操作来减轻电压漂移的影响。读取操作刷新媒体信元，由此减少信元的电压漂移。例如，存储器子系统可按周期性间隔(例如，每3个小时)执行读取存储器系统的每个信元的读取操作。读取清理操作将阈值电压编程分布向下推以减轻电压漂移。读取清理操作可执行为后台操作，例如优先级低于普通读取和写入操作且存储器子系统可在其它操作空闲时执行的操作。然而，读取清理可能会例如通过减小例如读取或写入时延的服务质量度量来降低系统性能。此外，读取清理可能会产生读取干扰，其中对特定信元执行的读取操作可使附近信元随着时间推移而改变。读取干扰可能会引起读取错误和数据损失。一些存储器子系统还可通过基于自从对群组中的存储器单元的前一写入以来所经过的时间量而调整群组中的所有存储器单元的读取电压电平来管理电压漂移。然而，此类技术并未考虑群组中的不同存储器单元的不同的老化，且通常不会改进繁重的工作负载或短漂移时间的性能。
26.本公开的各方面通过使用读取电压调整技术来解决以上和其它缺陷，其中存储器子系统基于写入到写入延迟调整读取电压电平。存储器子系统维持存储器单元群组中的每个存储器单元(例如，存储器页)的读取电压电平。读取电压电平可具有例如0、1、2、3等值，所述值中的每一个对应于可在对与所述读取电压电平相关联的存储器单元的读取操作中使用的读取电压电平。因此，为了从存储器单元读取数据，存储器子系统可存取与存储器单
元相关联的读取电压电平，标识与所述读取电压电平相关联的读取电压电平，且根据所标识读取电压电平执行读取操作。
27.由于每个读取电压电平可消耗相对较小量的存储器(例如，1或2位)，且存储器子系统可高效地存储并更新对应于数千个存储器页的数千个读取电压电平。读取电压电平0可表示最低读取电压，且可以是用于最近已写入或不含有有效数据的存储器单元的初始读取电平。读取电压电平1可表示用于在过去大于阈值时间量内进行写入(例如，具有大于阈值量的写入到写入延迟)的旧存储器单元的较高读取电压。读取电压电平2可表示用于更旧存储器单元的更高读取电压，依此类推。依次编号的读取电平可表示对应于依次变旧的依次变高读取电压。
28.随着时间推移且对个别存储器单元执行写入操作，存储器子系统可更新每个存储器单元的读取电压电平以反映自从对存储器单元执行写入操作以来已经过的时间量。存储器子系统可根据例如阈值时间值或范围等阈值老化准则而更新与存储器单元相关联的读取电压电平。例如，存储器子系统可响应于写入操作而更新读取电压电平。可响应于通过对存储器单元群组中的任何存储器单元执行的写入操作的写入到写入(w2w)延迟满足阈值老化准则而由存储器子系统更新每个读取电压电平。如果满足与较高读取电压电平相关联的阈值老化准则，则可将与存储器单元相关联的读取电压电平改变为较高读取电压电平(例如，对应于较高读取电压值，例如0.3伏)，或者可响应于对与读取电压电平相关联的存储器单元执行写入操作而将与存储器单元相关联的读取电压电平复位到最低读取电压电平。
29.本公开的优点包含但不限于改进的数据完整性产生的改进的性能。由于调整读取电压电平以抵消电压漂移，因此减小了读取错误速率和读取重试速率。存储每个存储器单元的读取电压电平会增加繁重工作负载和在短到长漂移时间范围内的漂移时间的性能，这是由于可根据自从写入到特定存储器单元以来的每存储器单元时间来确定每个存储器单元的读取电压电平。由于读取电压电平较小(例如，一个或两个位)，因此存储每存储器单元读取电平可比例如存储每个存储器单元的时间戳或读取电压电平等替代方案更高效。此外，读取电压电平的调整可减少对读取刷新操作的需要或不需要读取刷新操作，进而减少读取干扰效应。
30.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或这些的组合。
31.存储器子系统110可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储装置(ufs)驱动器以及硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)和非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
32.计算环境100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。主机系统120使用存储器子系统110以例如将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。如本文中所使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如不具有介入组件)，无论有
线还是无线，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。
33.主机系统120可以是计算装置，例如，台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车，或其它运输工具)、物联网(iot)装置、嵌入式计算机(例如，运载工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的此类计算装置。主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接的scsi(sas)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm快速(nvme)接口存取存储器组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。
34.存储器装置可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
35.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(nand)型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器。非易失性存储器的交叉点阵列可以结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的变化来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器信元的情况下对非易失性存储器信元进行编程。
36.尽管描述了例如3d交叉点型存储器之类的非易失性存储器组件，但是存储器装置130可以基于任何其它类型的非易失性存储器，例如与非(nand)、只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、或非(nor)快闪存储器，以及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。
37.一种类型的存储器信元，例如单层级信元(slc)可每信元存储一个位。其它类型的存储器信元，例如多层级信元(mlc)、三层级信元(tlc)和四层级信元(qlc)可每信元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器信元阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc或这些的任何组合。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器信元的slc部分，以及mlc部分、tlc部分或qlc部分。存储器装置130的存储器信元可以分组为页或码字，所述页或码字可以指用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。在一些类型的存储器(例如，nand)的情况下，可以将页分组以形成块。一些类型的存储器(例如3d交叉点)可以将跨裸片和沟道的页分组以形成管理单元(mu)。
38.存储器子系统控制器115可与存储器装置130通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据，以及其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有用于执行本文中所描述的操作的专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适的处理器。
39.存储器子系统控制器115可包含被配置成执行存储在本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含
被配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处理存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程和例程。
40.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储器寄存器，其存储存储器指针、所提取的数据等。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。
41.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将命令或操作转换为指令或适当命令以实现对存储器装置130的所需存取。存储器子系统控制器115可负责与存储器装置130相关联的其它操作，例如损耗均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作，以及在逻辑块地址与物理块地址之间的地址转换。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收的命令转换为命令指令以存取存储器装置130，以及将与存储器装置130相关联的响应转换为用于主机系统120的信息。
42.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓冲存储器或缓冲器(例如，dram)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，所述地址电路系统可从存储器子系统控制器115接收地址且对所述地址进行解码以存取存储器装置130。
43.在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115进行操作以对存储器装置130的一或多个存储器信元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其是与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以用于在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
44.存储器子系统110包含读取电平管理组件113，所述读取电平管理组件可用于调整表示存储器单元的读取电压电平的读取电压电平，且使用从读取电压电平确定的读取电压从存储器单元读取数据。读取电压电平标识将在读取相关联存储器单元的信元时使用的读取电压电平。读取电压电平可具有例如0、1、2、3等值，所述值的每一个表示读取电平且对应于读取电压。随着时间推移且对个别存储器单元执行写入操作，存储器子系统更新与每个存储器单元相关联的读取电压电平以反映时间电压移位量，以便读取操作使用被调整以补偿电压移位的读取电平。下文描述与读取电压调整组件113的操作有关的另外细节。
45.图2说明根据一些实施例的存储器装置中的实例时间电压移位。曲线图200上展示的为对应于例如0之类的经编程值的set电压分布202a，以及对应于例如1之类的经编程值的reset电压分布204a。水平(伏)轴表示电压值，其向右增加。在某一时间段期间，初始set分布202a已漂移到移位的set分布202b。存储器装置130可以在至少一部分时间段内处于断电状态。set分布202a、202b之间的电压移位量被标记为“断电set漂移”。类似地，初始reset分布204a在同一时间段期间已漂移到移位的reset分布204b。reset分布204a、204b之间的电压移位量被标记为“断电reset漂移”。划分移位的set分布202b和移位的reset分布204b
的阈值读取电压电平(未展示)也已移位。由于所施加的读取电压与移位的阈值电压之间的差，使用未被调整为补偿时间电压移位的读取电压电平来读取数据有可能产生读取错误。初始reset信元选择偏置vsel 206a也已漂移到移位的reset信元选择偏置vsel 206b，如由标记“reset信元选择偏置漂移”所指示。由于reset信元选择偏置已漂移到更高的电压vsel 206b，因此选择reset信元以写入数据所需的电压量也已增加。
46.图3说明根据一些实施例的存储器单元304、314的实例群组302和包含写入时间戳308和读取电平标签320的相关联元数据306。如图3中所示，存储器子系统300包含存储器装置130和元数据306。存储器子系统300对应于图1的存储器子系统110。元数据306可存储在存储器装置130或其它存储媒体(未展示)上。例如，元数据306可由存储器子系统300的读取电平管理组件113生成和更新。尽管关于图6的实例元数据的描述是指存储在元数据中的读取电平标签，但所述描述还适用于将读取电平电压存储在元数据中以替代或补充读取电平标签。
47.存储器装置130可包含布置在存储器单元304、314中的信元。存储器单元可以是码字的集合，例如页，或存储器子系统的任何其它有意义的部分。存储器单元304、314可布置在群组302中。在图3的实例中，存储器单元304的第一群组302a包含存储器单元304a和304b到304n。此外，存储器单元314的第二群组302b包含存储器单元314a和314b到314n。每个存储器单元群组302与存储在元数据306中的写入时间戳308相关联。更确切地说，存储器单元的第一群组302a与第一写入时间戳308a相关联，并且存储器单元的第二群组302b与第二写入时间戳308b相关联。每个写入时间戳308可指定数据写入到相关联群组302中的存储器单元304的时间。数据写入操作可例如通过将存储在存储器单元304中的数据写入到不同存储器信元来编程存储器信元。因此，数据写入操作具有将存储器信元的电压阈值复位到初始(例如，预移位)值的作用。写入时间戳308指示群组302的存储器单元304的电压移位开始的时间，因此当前时间与写入时间戳之间的时间差表示电压移位已发生的时间量。因此，时间差与阈值电压(例如读取电压电平)已移位的量相关。
48.元数据306使一组读取电平标签与每个存储器单元群组302相关联。一组读取电平标签310中的每个读取电平标签310a、310b、310n与第一存储器单元群组302a中的相应存储器单元304a、304b、304n相关联。304.每个读取电平标签可对应于读取电压电平。例如，读取电平标签310b可具有值“0”以指示相关联存储器单元304a的读取电压电平为特定值，例如0.1伏。读取电平标签310b可具有值“1”以指示相关联存储器单元304b的读取电压电平为不同特定值，例如0.2伏。读取电平标签310可响应于对相关联存储器单元304执行写入操作而复位到对应于初始(例如，最低)读取电压电平的初始值。例如，如果读取电平标签“0”对应于初始读取电压电平，则读取电平管理组件113可响应于对存储器单元304a执行写入操作而设置与存储器单元304a相关联的读取电平标签310a。此外，可更新与第一群组302a相关联的写入时间戳308a以反映执行对存储器单元304a的写入操作的时间。
49.存储器装置130可包含存储器单元314的第二群组302b。群组302b与第二写入时间戳308b相关联，所述第二写入时间戳可指定数据写入到相关联群组302中的存储器单元314的时间。一组读取电平标签320中的每个读取电平标签320a、320b、320n与第二存储器单元群组302b中的相应存储器单元314a、314b、314n相关联。
50.图4a是根据一些实施例的用于基于w2w延迟使读取电压电平与存储器单元相关联
的实例方法400的流程图。方法400可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法400由图1的读取电平管理组件113执行。虽然以特定顺序或次序展示，但除非另外规定，否则可修改过程的次序。因此，说明的实施例应仅作为实例理解，且说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，可以在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每一实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。
51.读取电平管理组件113可维持将存储器单元映射到对应读取电压电平的数据结构。每个读取电压电平可以是使用少量位(例如，1、2或3位)表示的数值。例如，1位读取电压电平可以是两个读取电压电平(电平1和电平2)中的一个。2位读取电压电平可以是四个读取电压电平(电平1、2、4和4)中的一个。使用少量位(例如，比例如整数或浮点值之类的数值少的位)表示的读取电压电平在本文中也可被称为“读取电平标签”。读取电压电平可替代地为用于读取操作的电压值，例如，0.2伏或其它值。在一些实施例中，可使用比读取电压电平少的位表示读取电平标签，并且读取电平标签可与每个存储器单元相关联。每个读取电平标签可通过映射数据结构映射到对应读取电压电平，在此情况下，每个读取电压电平可以是数值电平标识符(例如，电平1、电平2，依此类推)，或电压值(例如，0.2伏或其它值)。数值电平标识符可通过映射表映射到电压值。在其它实施例中，作为数值电平标识符的读取电压电平可与每个存储器单元相关联，并且映射表可用于将数值电平标识符映射到电压值以执行读取操作。
52.读取电平管理组件113最初可将每个存储器单元的读取电压电平设置为待用于写入操作的初始读取电压电平，对于所述初始读取电压电平，写入到写入时间小于阈值时间量。例如，当从最近已写入的存储器单元读取时，可使用初始读取电平。初始读取电压电平可以是存储器装置的基础读取电平。“基础读取电平”在本文中将指存储器信元在紧接在编程之后所展现的初始阈值电压电平。在一些实施方案中，基础读取电平可存储在存储器装置130的元数据中。
53.在操作402处，处理装置执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元304a的写入操作。第一存储器单元304a可在存储器单元的群组302a中，所述群组还包含一或多个第二存储器单元304b。例如，处理装置可从主机系统120接收请求。所述请求可指定数据和在存储器单元304a中待由写入操作存储数据的存储器位置(例如，地址)。写入操作可将指定数据存储在第一存储器单元304a的一或多个存储器信元中。
54.在操作404处，处理装置基于第一写入操作与对存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入(w2w)延迟，使得第二写入操作发生在第一写入操作之前。w2w延迟可表示自从对存储器单元群组中的任何存储器单元的最近写入以来已经过的时间量。w2w延迟可被确定为执行写入操作的时间(例如，当前时间)与表示对存储器单元群组中的任何存储器单元执行最近写入操作的时间的写入时间戳之间的差。写入时间戳可存储在存储器子系统的元数据中且与存储器单元群组相关联。每当对所述群组的存储器单元执行写入操作时，存储器子系统可更新写入时间戳以反映执行写入操作的时间(例如，当前时间)。
55.在操作406处，处理装置标识w2w延迟所满足的阈值时间准则。处理装置可使用数
据结构标识参考标签，其中每个记录包含阈值时间准则。每个阈值时间准则可以是当针对指定w2w延迟评估时产生的结果为真(如果满足条件)或假(如果不满足条件)的条件。处理装置可搜索数据结构以寻找具有w2w延迟所满足的阈值时间准则的记录。如果数据结构含有匹配记录(例如，具有w2w延迟所满足的阈值准则的记录)，则所述阈值时间准则为或对应于w2w延迟所满足的阈值准则。
56.在操作408处，处理装置标识与w2w延迟所满足的阈值时间准则相关联的第一读取电压电平。如果在操作406处搜索的数据结构含有匹配记录(例如，具有w2w延迟所满足的阈值准则的记录)，则由匹配记录中包含的参考标签指定所标识第一读取电平。包含将阈值准则映射到读取电压电平的条目的实例数据结构在图5c中展示。
57.可使用多个阈值，在此情况下，读取电压电平可选自超过两个读取电压电平。例如，如果写入到写入时间小于第一阈值时间量，则可将读取电压电平设置为第一读取电压电平，如果写入到写入时间在第一阈值时间量与第二阈值时间量之间，则可将读取电压电平设置为第二(例如，较高)读取电压电平，并且如果写入到写入时间大于或等于第二阈值时间量，则可将读取电压电平设置为第三(例如，更高)读取电压电平。
58.在操作410处，处理装置标识存储器单元群组的第二存储器单元，其中第二存储器单元与满足选择准则的第二读取电压电平相关联，并且其中选择准则基于第二读取电压电平与第一读取电压电平的比较。如果例如第二读取电压电平标签小于参考标签，则可满足选择准则。操作410可标识存储器群组的除第一存储器单元(在操作402处对其执行写入操作)之外的第二存储器单元中的每一个。由于在操作402处写入第一存储器单元，因此可将与第一存储器单元相关联的读取电压电平复位到初始(例如，基础)读取电压电平。
59.在操作412处，处理装置使第一读取电压电平与第二存储器单元相关联。处理装置可例如将记录存储在数据结构中，所述记录将存储器单元标识符映射到读取电压电平。所述记录可使第二存储器单元的存储器单元标识符与所述第一读取电压电平相关联。所述记录可替换使存储器单元标识符与不同读取电压电平(例如，先前相关联读取电压电平)相关联的现有记录。相关联读取电压电平可用于如下文相对于图4c和4d所描述的读取操作中。
60.图4b是根据一些实施例的用于使读取电平标签与存储器单元相关联且更新写入时间戳的实例方法420的流程图。方法420可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法420由图1的读取电平管理组件113执行。虽然以特定顺序或次序展示，但除非另外规定，否则可修改过程的次序。因此，说明的实施例应仅作为实例理解，且说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，可以在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每一实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。尽管对方法420的描述是指可映射到读取电压电平的读取电平标签，但方法420可替代地用于使读取电压电平与存储器单元相关联。读取电压电平可以是读取电平标识符(例如，使用少量位表示)或电压值(例如，0.2伏)。
61.在操作422处，处理装置初始化存储器单元群组的读取电平标签和写入时间戳。处理装置可响应于例如施加到群组中的每个存储器单元的格式操作或群组层级写入操作而执行操作422。每个存储器单元可与读取电平标签相关联，并且当存储器单元最近已写入时，可将每个读取电平标签设置为初始标签值，使得电压漂移量较低。初始标签值可以是读
取电平标签0，所述读取电平标签可表示最低读取电压，例如，存储器装置130的基础读取电平。
62.在操作424处，处理装置响应于写入请求而执行将指定数据写入到存储器单元群组中的第一存储器单元的写入操作，所述存储器单元群组还包含一或多个第二存储器单元。在操作426处，处理装置将与第一存储器单元相关联的读取电平标签设置为初始标签值。初始标签值可对应于基础读取电平，因为存储器单元的存储器信元的电压漂移通常通过在操作424处执行的写入操作而减小。
63.在操作428处，处理装置基于当前时间与与存储器单元群组相关联的写入时间戳之间的差来确定写入到写入(w2w)延迟。w2w延迟可表示对存储器单元群组中的存储器单元执行的第一写入操作与对存储器单元群组中的任何存储器单元执行的在第一写入操作之前作为最近写入的第二写入操作之间经过的时间量。
64.可基于执行写入操作的时间与与包含存储器单元的存储器单元群组相关联的写入时间戳之间的差针对特定写入操作确定存储器单元的w2w延迟。写入时间戳指示对存储器单元群组执行最近先前写入操作的时间。例如，写入时间戳可存储在元数据中。写入时间戳可最初为例如影响存储器单元群组中的所有存储器单元的驱动格式操作或其它写入操作(例如，群组层级写入操作)执行的时间。每当对存储器单元群组中的任何存储器单元执行写入操作时，可更新与所述群组相关联的写入时间戳。
65.在操作430处，处理装置标识对应于w2w延迟的参考标签。处理装置可使用数据结构标识参考标签，其中每个记录包含阈值时间准则和参考标签。每个阈值时间准则可以是当针对指定延迟时间评估时产生的结果为真(如果满足条件)或假(如果不满足条件)的条件。所述条件可包含一或多个阈值。例如，如果指定延迟时间大于阈值，则满足条件。作为另一实例，如果指定延迟时间在两个阈值之间，则满足条件。处理装置可搜索数据结构以寻找具有在操作428处确定的w2w延迟时间所满足的阈值时间准则的记录。如果数据结构含有匹配记录(例如，具有w2w延迟所满足的阈值准则的记录)，则由匹配记录中包含的参考标签指定所标识参考标签。包含将阈值准则映射到参考标签的条目的实例数据结构在图5a和5c中展示。
66.在操作432处，处理装置标识存储器单元群组中的第二存储器单元中的一个。操作432可遍及存储器单元群组的存储器单元进行迭代，例如通过每当通过方法420执行操作432时选择不同存储器单元来进行迭代。因此，操作432使得针对存储器单元群组中的每个存储器单元执行后续操作(434)。对于群组中的第二存储器单元中的每一个，方法420可在对应于写入到写入(w2w)延迟的参考标签满足阈值准则的情况下将相关联的现有读取电平标签设置为所述参考标签。在一个实例中，如果现有读取电平标签小于参考标签，则满足选择准则，使得不更新大于或等于参考标签的现有读取电平标签。因此，映射到较低值读取电平标签的相对较短w2w延迟不会使读取电平管理组件113将较高值读取电平标签(其对应于较大的电压移位量)改变为较低值读取电平标签。
67.在操作434处，处理装置确定所标识存储器单元的读取电平标签是否小于参考标签。如果是，则在操作436处，处理装置将与所标识存储器单元相关联的读取电平标签更新为参考标签。处理装置可例如将记录存储在数据结构中，所述记录将存储器单元标识符映射到读取电平标签。所述记录可使第二存储器单元中的所述一者的存储器单元标识符与参
考标签相关联。所述记录可替换使存储器单元标识符与不同标签(例如，所选择的读取电平标签)相关联的现有记录。如果在操作422处，处理装置确定所标识存储器单元的读取电平标签不小于参考标签，则处理装置在操作438处继续操作。
68.在操作438处，处理装置确定群组中是否存在下一个未经处理的第二存储器单元。如果是，则在操作440处，处理装置标识下一个未经处理的第二存储器单元，且在操作434处继续操作。下一个未经处理的第二存储器单元可以是存储器单元群组中先前尚未由操作432或440标识的存储器单元。如果在操作438处，处理装置确定群组中不存在另外的未经处理的第二存储器单元，则处理装置在操作442处继续操作。在操作442处，处理装置例如基于当前时间更新与存储器单元群组相关联的写入时间戳以反映执行操作424的写入操作的时间。
69.图4c是根据一些实施例的用于使用与存储器单元相关联的读取电压电平从存储器单元读取数据的实例方法450的流程图。方法450可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法450由图1的读取电平管理组件113执行。虽然以特定顺序或次序展示，但除非另外规定，否则可修改过程的次序。因此，说明的实施例应仅作为实例理解，且说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，可以在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每一实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。
70.在操作452处，处理装置接收对从存储器单元读取的请求。在操作454处，处理装置响应于对从存储器单元读取的请求而标识与存储器单元相关联的读取电压电平。处理装置可使用将存储器单元映射到读取电压电平的数据结构来标识读取电压电平。此类数据结构的实例在图6中展示。数据结构可通过例如图4a的操作412或图4b的操作436生成。处理装置可搜索数据结构以寻找包含对应于将从其读取数据的存储器单元的存储器单元标识符的记录。如果找到包含存储器单元标识符的匹配记录，则由匹配记录中的读取电压电平指定所标识读取电压电平。在操作456处，处理装置根据所标识读取电压电平从存储器单元读取数据。
71.图4d是根据一些实施例的用于使用读取电平标签从存储器单元读取数据的实例方法460的流程图。方法460可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法460由图1的读取电平管理组件113执行。虽然以特定顺序或次序展示，但除非另外规定，否则可修改过程的次序。因此，说明的实施例应仅作为实例理解，且说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，可以在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每一实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。
72.在操作462处，处理装置接收对从存储器单元读取的请求。在操作464处，处理装置响应于对从存储器单元读取的请求而标识与存储器单元相关联的读取电平标签。处理装置可使用将存储器单元映射到读取电平标签的数据结构来标识读取电平标签。此类数据结构的实例在图6中展示。数据结构可通过例如图4a的操作412或图4b的操作436生成。处理装置可搜索数据结构以寻找包含对应于将从其读取数据的存储器单元的存储器单元标识符的
记录。如果找到包含存储器单元标识符的匹配记录，则由匹配记录指定相关联读取电平标签。
73.在操作466处，处理装置标识对应于读取电平标签的读取电压电平。处理装置可使用将读取电平标签映射到读取电压电平的数据结构来标识读取电压电平。此类数据结构的实例在图5b中展示。处理装置可搜索数据结构以寻找包含由操作464标识的读取电平标签的记录。如果找到包含读取电平标签的匹配记录，则由匹配记录指定相关联读取电压电平。在操作468处，处理装置根据所标识读取电压电平从存储器单元读取数据。
74.图5a说明根据一些实施例的将阈值时间准则506映射到读取电平标签508的表500。表520可供读取电平管理组件510用于标识对应于阈值时间准则506的参考读取电平标签508。表500包含四个记录501-504，所述记录中的每一个将阈值时间准则506映射到读取电平标签508。例如，阈值时间准则506和读取电平标签508可通过媒体表征信息确定。
75.第一记录501包含为“w2w》＝0秒且《1分钟”的阈值时间准则506，以及为0的读取电平标签508。因此，第一记录521指定0秒与1分钟之间的w2w延迟时间映射到具有值0的读取电平标签。第一记录521的阈值时间准则506因此包含0秒的下限延迟阈值和1分钟的上限延迟阈值。例如，如果w2w延迟为20秒，则所选择的参考读取电平标签具有值0，因为20秒的w2w延迟满足通过记录501与读取电平标签0相关联的阈值时间准则“w2w》＝0秒且《1分钟”。
76.第二记录502包含为“w2w》＝1分钟且《60分钟”的阈值时间准则506，以及为1的读取电平标签508。因此，第二记录522指定1分钟与60分钟之间的w2w延迟时间映射到具有值1的读取电平标签。第二记录522的阈值时间准则506因此包含1分钟的下限延迟阈值和60分钟的上限延迟阈值。第三记录503包含为“w2w》＝60分钟且《180分钟”的阈值时间准则506，以及为2的读取电平标签508。因此，第三记录523指定60分钟与180分钟之间的w2w延迟时间映射到具有值2的读取电平标签。第四记录504包含为“w2w》＝180分钟”的阈值时间准则506，以及为3的读取电平标签508。因此，第四记录524指定将180分钟或大于180分钟的w2w延迟时间映射到具有值3的读取电平标签。
77.图5b说明根据一些实施例的将读取电平标签508映射到读取电压电平510的表505。表505可供读取电平管理组件113用于标识对应于阈值时间准则506的读取电压电平510。表505包含四个记录511-514，所述记录中的每一个将读取电平标签508映射到读取电压电平510。例如，读取电平标签508和读取电压电平510可通过媒体表征信息确定。
78.第一记录511包含读取电平标签508(0)和读取电压电平510(vdm1)。因此，第一记录521指定具有值0的读取电平标签映射到读取电压分界电平(“vdm”)1(例如，数值1或数值0.1伏)。第二记录512指定具有值1的读取电平标签映射到读取电压电平vdm 2(例如，数值2或数值0.15伏)。第三记录513指定具有值2的读取电平标签映射到读取电压电平vdm 3(例如，数值3或数值0.2伏)。第四记录514指定具有值3的读取电平标签映射到读取电压电平vdm 4(例如，数值4或数值0.25伏)。
79.图5c说明根据一些实施例的将阈值时间准则506映射到读取电压电平510的表520。表520可供读取电平管理组件113用作表500和505的替代或补充以标识对应于阈值时间准则506的读取电压电平510。表520包含四个记录521-524，所述记录中的每一个将阈值时间准则506映射到读取电压电平510。例如，阈值时间准则506和读取电压电平510可通过媒体表征信息确定。
80.第一记录521包含阈值时间准则506(“w2w》＝0秒且《1分钟”)和读取电压电平510(1)。因此，第一记录521指定0秒与1分钟之间的w2w延迟时间映射到读取电压电平1。例如，如果w2w延迟为20秒，则所选择的读取电压电平为1，因为20秒的w2w延迟满足通过记录521与读取电压电平1相关联的阈值时间准则“w2w》＝0秒且《1分钟”。
81.第二记录522包含阈值时间准则506(“w2w》＝1分钟且《60分钟)和读取电压电平510(2)。因此，第二记录522指定1分钟与60分钟之间的w2w延迟时间映射到读取电压电平2。第三记录523包含阈值时间准则506(“w2w》＝60分钟且《180分钟”)和读取电压电平510(3)。因此，第三记录523指定60分钟与180分钟之间的w2w延迟时间映射到读取电压电平3。第四记录524包含阈值时间准则506(“w2w》＝180分钟”)和读取电压电平510(4)。因此，第四记录524指定将180分钟或大于180分钟的w2w延迟时间映射到读取电压电平3。尽管在图5a-5c的实例中展示特定阈值时间准则、读取电平标签和读取电压电平，但在其它实例中，可使用其它阈值时间准则、读取电平标签和读取电压电平。
82.图6说明根据一些实施例的实例表600-610，所述表中的每一个在对应时间将存储器单元标识符映射到读取电压电平。表600-610中的每一个可表示存储器单元群组的存储器单元304与对应读取电压电平之间的映射，或替代地，与图3中所示的读取电平标签310之间的映射。表600-610中的每一个展示由读取电平管理组件113执行的操作的结果，所述操作响应于写入操作而更新读取电压电平(或替代地，读取电平标签)。写入操作与在表上方展示的时间发生的每个表相关联。尽管下文关于图6的实例表的描述是指读取电压电平，所述描述还适用于具有读取电压标签以替代或补充读取电平电压的表。
83.表600展示在初始时间t＝0分钟时(例如，在格式操作之后对存储器单元群组执行任何写入操作之前)与存储器单元标识符相关联的读取电压电平。存储器单元群组包含存储器单元mu0-mu4。每个存储器单元与读取电压电平相关联。在初始时间t＝0时，尚未对存储器单元群组执行写入操作。如表600中所示，在时间t＝0时，每个读取电压电平具有初始值，例如0。此外，在时间t＝0时，与存储器单元群组相关联的写入时间戳具有值0，并且w2w延迟具有初始值0。
84.表602展示在对存储器单元mu2执行写入操作之后存储器单元的读取电压电平。在时间t＝2分钟时执行写入操作。在时间t＝2分钟时，写入时间戳为0，并且w2w延迟为2分钟(计算为写入操作的时间(2分钟)减去写入时间戳(0分钟))。读取电平管理组件113可标识：第一存储器单元，其为通过在t＝2分钟时发生的写入操作而写入数据的存储器单元(在此实例中为mu2)；以及一或多个第二存储器单元，其为群组中的未通过在t＝2分钟时发生的写入操作而写入数据的其它存储器单元(mu0、mu1、mu3和mu4)。由于数据写入到mu2，因此读取电平管理组件113将与mu2相关联的读取电压电平设置为0。对于群组中的其它存储器单元，读取电平管理组件113使用图5a的表500(或替代地，图5c的表520)标识参考读取电压电平。由于w2w延迟为2分钟，因此满足记录502的阈值时间准则，并且根据表500，参考读取电压电平为1。
85.读取电平管理组件113更新满足选择准则的一或多个所选择读取电压电平。在此实例中，如果所选择的读取电压电平小于读取电压电平，则满足选择准则，使得不更新大于或等于参考读取电压电平的读取电压电平。因此，映射到较低读取电压电平的相对较短w2w延迟不会使读取电平管理组件113将对应于较大电压移位量的较高读取电压电平改变为较
低读取电压电平。
86.对于表602，为了标识所选择的读取电压电平，读取电平管理组件113基于第二读取电压电平中的每一者的值来评估选择准则。在t＝2分钟时发生的写入操作之前，第二读取电压电平中的每一者的值为0(如由作为表600的先前表所示)。由于所选择的读取电压电平中的每一个为0，其小于参考读取电压电平1，因此第二读取电压电平中的每一个满足选择准则，并且选择每个第二读取电压电平来更新。读取电平管理组件113通过将所选择的读取电压电平中的每一个设置为参考读取电压电平(1)来更新每个所选择读取电压电平。因此，如表602中所示，由于在t＝2分钟时发生的写入操作，读取电平管理组件113已分别针对mu0、mu1、mu2、mu3、mu4生成读取电压电平1、1、0、1、1。
87.表604展示在对存储器单元mu1执行写入操作之后存储器单元的读取电压电平。在时间t＝65分钟时对mu1执行写入操作。在时间t＝65分钟时，写入时间戳为2分钟(其为前一写入操作发生的时间)，并且w2w延迟为63分钟(计算为写入操作的时间(65分钟)减去写入时间戳(2分钟))。读取电平管理组件113可标识：第一存储器单元，其为通过在t＝65分钟时发生的写入操作而写入数据的存储器单元(在此实例中为mu1)；以及一或多个第二存储器单元，其为群组中的未通过在t＝65分钟时发生的写入操作而写入数据的其它存储器单元(mu0、mu2、mu3和mu4)。由于数据写入到mu1，因此读取电平管理组件113将与mu1相关联的读取电压电平设置为0。对于群组中的其它存储器单元，读取电平管理组件113使用图5a的表500标识参考读取电压电平。由于w2w延迟为63分钟，因此满足记录503的阈值时间准则，并且根据表500，参考读取电压电平为2。
88.根据上文所描述的选择准则，读取电平管理组件113更新小于参考读取电压电平的每个所选择读取电压电平。在时间t＝65时发生的写入之前的读取电压电平的值由作为表602的先前表展示。因此，在t＝65时针对mu0、mu2、mu3和mu4发生的写入操作之前第二存储器单元的读取电压电平的值分别为1、1、1、1。由于第二读取电压电平中的每一个为1，其小于参考读取电压电平2，因此第二读取电压电平中的每一个满足选择准则。因此，选择第二读取电压电平中的每一个来更新。读取电平管理组件113通过将所选择的读取电压电平中的每一个设置为参考读取电压电平(2)来更新每个所选择读取电压电平。如表604中所示，由于在t＝65分钟时发生的写入操作，读取电平管理组件113已分别针对mu0、mu1、mu2、mu3、mu4生成读取电压电平2、0、2、2、2。
89.表606展示在对存储器单元mu2执行写入操作之后存储器单元的读取电压电平。在时间t＝68分钟时对mu2执行写入操作。在时间t＝68分钟时，写入时间戳为65分钟(其为前一写入操作发生的时间)，并且w2w延迟为3分钟(计算为写入操作的时间(68分钟)减去写入时间戳(65分钟))。读取电平管理组件113可标识：第一存储器单元，其为通过在t＝68分钟时发生的写入操作而写入数据的存储器单元(在此实例中为mu2)；以及一或多个第二存储器单元，其为群组中的未通过在t＝68分钟时发生的写入操作而写入数据的其它存储器单元(mu0、mu1、mu3和mu4)。由于数据写入到mu2，因此读取电平管理组件113将与mu2相关联的读取电压电平设置为0。对于群组中的其它存储器单元，读取电平管理组件113使用图5a的表500标识参考读取电压电平。由于w2w延迟为3分钟，因此满足记录502的阈值时间准则，并且根据表500，参考读取电压电平为1。
90.根据上文所描述的选择准则，读取电平管理组件113更新小于参考读取电压电平
的每个所选择读取电压电平。在时间t＝68时发生的写入之前的读取电压电平的值由作为表604的先前表展示。在此实例中，在t＝68时针对mu0、mu1、mu3和mu4发生的写入操作之前第二存储器单元的读取电压电平的值分别为2、0、2、2。小于为1的参考读取电压电平的读取电压电平满足选择准则。仅小于1的读取电压电平为与mu1相关联的读取电压电平。读取电平管理组件113通过将与mu1相关联的读取电压电平设置为参考读取电压电平(1)来更新与mu1相关联的读取电压电平。因此，如表606中所示，由于在t＝68分钟时发生的写入操作，读取电平管理组件113已分别针对mu0、mu1、mu2、mu3、mu4生成读取电压电平2、1、0、2、2。
91.表608展示在对存储器单元mu3执行写入操作之后存储器单元的读取电压电平。在时间t＝268分钟时对mu3执行写入操作。在时间t＝268分钟时，写入时间戳为68分钟(其为前一写入操作发生的时间)，并且w2w延迟为200分钟(计算为写入操作的时间(268分钟)减去写入时间戳(68分钟))。读取电平管理组件113可标识：第一存储器单元，其为通过在t＝268分钟时发生的写入操作而写入数据的存储器单元(在此实例中为mu3)；以及一或多个第二存储器单元，其为群组中的未通过在t＝268分钟时发生的写入操作而写入数据的其它存储器单元(mu0、mu1、mu2和mu4)。由于数据写入到mu3，所以读取电平管理组件113将与mu3相关联的读取电压电平设置为0。对于群组中的其它存储器单元，读取电平管理组件113使用图5a的表500标识参考读取电压电平。由于w2w延迟为200分钟，因此满足记录504的阈值时间准则，并且根据表500，参考读取电压电平为3。
92.根据上文所描述的选择准则，读取电平管理组件113更新小于参考读取电压电平的每个所选择读取电压电平。在时间t＝268时发生的写入之前的读取电压电平的值由作为表606的先前表展示。因此，在t＝268时针对mu0、mu1、mu2和mu4发生的写入操作之前第二存储器单元的读取电压电平的值分别为2、1、0、2。由于第二读取电压电平中的每一个小于参考读取电压电平3，因此第二读取电压电平中的每一个满足选择准则。因此，选择第二读取电压电平中的每一个来更新。读取电平管理组件113通过将所选择的读取电压电平中的每一个设置为参考读取电压电平(3)来更新每个所选择读取电压电平。如表608中所示，由于在t＝268分钟时发生的写入操作，读取电平管理组件113已分别针对mu0、mu1、mu2、mu3、mu4将读取电压电平设置为3、3、3、0、3。
93.表610展示在对存储器单元mu4执行写入操作之后存储器单元的读取电压电平。在时间t＝338分钟时对mu4执行写入操作。在时间t＝338分钟时，写入时间戳为268分钟(其为前一写入操作发生的时间)，并且w2w延迟为70分钟(计算为写入操作的时间(338分钟)减去写入时间戳(268分钟))。读取电平管理组件113可标识：第一存储器单元，其为通过在t＝338分钟时发生的写入操作而写入数据的存储器单元(在此实例中为mu4)；以及一或多个第二存储器单元，其为群组中的未通过在t＝338分钟时发生的写入操作而写入数据的其它存储器单元(mu0、mu1、mu2和mu3)。由于数据写入到mu4，因此读取电平管理组件113将与mu4相关联的读取电压电平设置为0。对于群组中的其它存储器单元，读取电平管理组件113使用图5a的表500标识参考读取电压电平。由于w2w延迟为80分钟，因此满足记录503的阈值时间准则，并且根据表500，参考读取电压电平为2。
94.根据上文所描述的选择准则，读取电平管理组件113更新小于参考读取电压电平的每个所选择读取电压电平。在时间t＝338时发生的写入之前的读取电压电平的值由作为表608的先前表展示。在此实例中，在t＝338时针对mu0、mu1、mu2和mu3发生的写入操作之前
第二存储器单元的读取电压电平的值分别为3、3、3、0。小于为2的参考读取电压电平的读取电压电平满足选择准则。仅小于2的读取电压电平为与mu3相关联的读取电压电平(具有读取电压电平0)。读取电平管理组件113通过将与mu3相关联的读取电压电平设置为参考读取电压电平(2)来更新与mu3相关联的读取电压电平。因此，如表610中所示，由于在t＝33时分钟发生的写入操作，读取电平管理组件113已分别针对mu0、mu1、mu2、mu3、mu4生成读取电压电平3、3、3、2、0。
95.图7说明计算机系统700的实例机器，在所述计算机系统内可执行用于使机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多个的指令集。在一些实施例中，计算机系统700可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)，或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的读取电平管理组件113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如联网)到lan、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而在客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量中操作。
96.机器可以是个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器、数字或非数字电路系统，或能够(依序或以其它方式)执行指定将由此机器采取的动作的指令集的任何机器。此外，虽然说明了单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行指令的集合(或多个集合)以执行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
97.实例计算机系统700包含处理装置702、主存储器704(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等动态随机存取存储器(dram))、静态存储器706(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)，以及数据存储系统718，它们经由总线730彼此通信。
98.处理装置702表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更确切地说，处理装置可以是复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置702还可以是一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置702被配置成执行指令726以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统700可进一步包含网络接口装置708以经由网络720进行通信。
99.数据存储系统718可包含机器可读存储媒体724(也被称为计算机可读媒体)，所述机器可读存储媒体上存储有一或多个指令集726或体现本文中所描述的方法或功能中的任何一或多者的软件。指令726还可在其由计算机系统700执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器704内和/或处理装置702内，主存储器704和处理装置702也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体724、数据存储系统718，和/或主存储器704可对应于图1的存储器子系统110。
100.在一个实施例中，指令726包含用于实施对应于读取电压调整组件(例如，图1的读取电平管理组件113)的功能性的指令。虽然在实例实施例中机器可读存储媒体724展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多
个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且使机器执行本公开的方法中的任何一或多种的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被认为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
101.已依据计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示为数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。算法在这里并且通常被认为是产生所需结果的操作的自洽序列。所述操作是需要对物理量进行物理操控的操作。这些量通常但未必呈能够被存储、组合、比较和以其它方式操控的电或磁信号的形式。有时，主要出于通用的原因，已证明将这些信号称为位、值、元件、符号、字符、术语、数字等是方便的。
102.然而，应牢记，所有这些和类似术语应与适当物理量相关联，且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可指将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数据操控和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
103.本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可出于预期目的而专门构造，或其可包含通过存储于计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储于计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、cd-rom和磁性光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，它们各自耦合到计算机系统总线。
104.本文中呈现的算法和显示本质上不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造更加专用的设备以执行所述方法是方便的。将如下文描述中所阐述的那样呈现各种这些系统的结构。另外，不参考任何特定编程语言描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示。
105.本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
106.在前述说明书中，本公开的实施例已经参考其具体实例实施例进行描述。将显而易见的是，可以在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，说明书和图式应被视为说明性的而非限制性的。