存储器存储设备及其操作方法、测试方法和电子设备与流程

技术特征：
1.一种存储器存储设备，包括：存储器控制器；和状态指示电路，其中，所述存储器控制器被配置为执行响应于所述存储器存储设备的接通的第一初始化操作和第二初始化操作，以生成关于在其中执行所述第一初始化操作的所述存储器存储设备的状态的第一状态参数，并且生成关于在其中执行所述第二初始化操作的所述存储器存储设备的状态的第二状态参数，所述状态指示电路包括：第一晶体管，被配置为基于所述第一状态参数来操作；第一电阻器，连接到所述第一晶体管；第二晶体管，被配置为基于所述第二状态参数来操作；和第二电阻器，连接到所述第二晶体管。2.根据权利要求1所述的存储器存储设备，其中，所述状态指示电路被配置为输出指示基于所述第一电阻器和所述第二电阻器来测量的电阻值的存储器状态信息。3.根据权利要求2所述的存储器存储设备，其中，所述存储器状态信息对应于与所述第一电阻器的电阻值和所述第二电阻器的电阻值的总和成反比的值。4.根据权利要求2所述的存储器存储设备，其中，所述存储器状态信息对应于与所述第一电阻器的电阻值和所述第二电阻器的电阻值的总和成正比的值。5.根据权利要求2所述的存储器存储设备，其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器都连接到公共节点，并且所述存储器状态信息被配置为从所述公共节点进行输出。6.根据权利要求2所述的存储器存储设备，其中，所述第一电阻器连接到节点和所述第一晶体管的第一源/漏极，并且所述第二电阻器连接到所述第一晶体管的第二源/漏极和所述第二晶体管的第一源/漏极。7.根据权利要求1所述的存储器存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为执行不同于所述第一初始化操作和第二初始化操作的第三初始化操作，并且生成关于在其中执行所述第三初始化操作的所述存储器存储设备的状态的第三状态参数，并且所述状态指示电路包括被配置为基于所述第三状态参数来操作的第三晶体管和连接到所述第三晶体管的第三电阻器。8.根据权利要求7所述的存储器存储设备，其中，所述第一电阻器、所述第二电阻器和所述第三电阻器具有彼此不同的电阻值。9.根据权利要求1所述的存储器存储设备，其中，所述状态指示电路被放置在所述存储器控制器的内部。10.根据权利要求1所述的存储器存储设备，其中，所述状态指示电路被与所述存储器控制器分开地放置。11.根据权利要求1所述的存储器存储设备，还包括：存储器设备，被配置为由所述存储器控制器控制，
其中，所述状态指示电路被放置在所述存储器设备的内部。12.一种包括状态指示电路的存储器存储设备的操作方法，所述操作方法包括：在所述存储器存储设备上执行第一初始化操作；基于在其中执行所述第一初始化操作的所述存储器存储设备的第一状态，在第一时间时触发第一状态参数；在所述存储器存储设备上执行第二初始化操作；基于在其中执行所述第二初始化操作的所述存储器存储设备的第二状态，在所述第一时间之后的第二时间时触发第二状态参数；将所述第一状态参数和所述第二状态参数提供给所述状态指示电路；以及由所述状态指示电路基于所述第一状态参数的触发，将第一电阻器切换为第二电阻器，并且基于所述第二状态参数的触发，将所述第二电阻器切换为第三电阻器，其中，所述第一电阻器至第三电阻器彼此不同。13.根据权利要求12所述的存储器存储设备的操作方法，其中，基于在其中执行所述第一初始化操作的所述存储器存储设备的第一状态来触发所述第一状态参数包括：响应于所述存储器存储设备的第一状态为正常，触发所述第一状态参数，以及当所述存储器存储设备的第一状态为异常时，不触发所述第一状态参数。14.根据权利要求13所述的存储器存储设备的操作方法，还包括：由所述状态指示电路基于不触发所述第一状态参数，不改变所述第一电阻器。15.根据权利要求14所述的存储器存储设备的操作方法，还包括：响应于所述第一电阻器被保持，输出包括所述第一电阻器的电阻值的存储器状态信息。16.根据权利要求13所述的存储器存储设备的操作方法，还包括：响应于所述第一状态参数的触发，执行所述第二初始化操作。17.根据权利要求12所述的存储器存储设备的操作方法，其中，所述第一电阻器大于所述第二电阻器并且大于第三电阻器，并且所述第二电阻器大于所述第三电阻器。18.根据权利要求12所述的存储器存储设备的操作方法，还包括：由所述状态指示电路输出包括所述第一电阻器至第三电阻器之一的电阻值的存储器状态信息。19.一种测试方法，包括：将存储器存储设备连接到主板；将测试装置连接到与所述存储器存储设备连接的测试引脚；由所述存储器存储设备执行多个初始化操作，并且基于所述多个初始化操作的执行结果来改变连接到所述测试引脚的电阻值；以及由所述测试装置测量所述电阻值，并且基于所述电阻值来输出所述存储器存储设备的状态信息。20.根据权利要求19所述的测试方法，还包括：对连接到所述主板的应用处理器、无源元件和存储器存储设备执行调试，所述调试基于所述存储器存储设备的状态信息。

技术总结
提供了执行实时监测的存储器存储设备。存储器存储设备包括：存储器控制器；和状态指示模块/电路，其中，存储器控制器被配置为执行第一初始化操作和第二初始化操作(第一初始化操作和第二初始化操作响应于存储器存储设备的接通而执行)，以生成关于在其中执行第一初始化操作的存储器存储设备的状态的第一状态参数，并且生成关于在其中执行第二初始化操作的存储器存储设备的状态的第二状态参数。状态指示电路包括：第一晶体管，其被配置为基于第一状态参数来操作；第一电阻器，其连接到第一晶体管；第二晶体管，其被配置为基于第二状态参数来操作；和第二电阻器，其连接到第二晶体管。其连接到第二晶体管。其连接到第二晶体管。


技术研发人员：许成午 姜永山 金秀衡 金东姬 崔宗圭
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.08.10
技术公布日：2023/2/17