功率管理技术的制作方法

功率管理技术
1.交叉参考
2.本专利申请要求波尔齐奥(porzio)等人于2021年8月9日提交的标题为“功率管理技术(power management techniques)”的第17/397,733号美国专利申请的优先权，所述申请转让给本受让人且以引用的方式明确并入本文中。
技术领域
3.下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统，且更确切地说，涉及功率管理技术。技术领域涉及功率管理技术。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等等。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。例如，二进制存储器单元可编程成两个支持状态中的一个，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持超过两个可能状态，其中的任一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)和与非(nand)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如，dram单元)可随时间推移而丢失它们的编程状态，除非它们通过外部电源周期性地刷新。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)可将它们的编程状态维持很长一段时间，即使在不存在外部电源的情况下也如此。


技术实现要素：

6.描述一种设备。所述设备可包含存储器装置和控制器，所述控制器与所述存储器装置耦合且配置成使所述设备：接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令，所述第一功率模式的功耗低于所述第二电力模式；至少部分地基于退出所述第一功率模式，确定与所述第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值；接收与执行刷新操作相关联的第二命令；以及至少部分地基于接收到所述第二命令且确定所述持续时间满足所述阈值，执行一或多个功率管理操作。
7.描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。所述代码可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置：接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令，所述第一功率模式的功耗低于所述第二功率模式；至少部分地基于退出所述第一功率模式，确定与所述第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值；
接收与执行刷新操作相关联的第二命令；以及至少部分地基于接收到所述第二命令且确定所述持续时间满足所述阈值，执行一或多个功率管理操作。
8.描述一种方法。所述方法可包含：接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令，所述第一功率模式的功耗低于所述第二功率模式；至少部分地基于退出第一功率模式，确定与所述第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值；接收与执行刷新操作相关联的第二命令；以及至少部分地基于接收到所述第二命令且确定所述持续时间满足所述阈值，执行一或多个功率管理操作。
附图说明
9.图1示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的系统的实例。
10.图2示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的时序图的实例。
11.图3示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的流程图的实例。
12.图4示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的流程图的实例。
13.图5示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的存储器系统的框图。
14.图6示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持功率管理技术的一或多种方法。
具体实施方式
15.一些存储器系统可具有用于各种不同情形的多个功率模式。例如，存储器系统可具有用于执行存取操作的第一功率模式、用于节省功率的第二功率模式(例如低功率模式)，以及响应于存储器系统空闲达某一持续时间而进行的第三功率模式(例如休眠模式)。在一些情况下，在处于休眠模式之后，存储器系统可能想要转变到低功率模式，节省更多功率。为了从休眠模式转变到低功率模式，存储器系统可转变到作用中模式以执行作为进入低功率模式的部分的一或多个存储器管理操作。例如，存储器系统可进入作用中模式，将存储在高速缓存(例如，易失性存储器装置)中的信息传递到非易失性存储器装置(例如，nand装置)。在进入低功率模式之前执行的这一系列功率管理操作可增加在接收到进入低功率模式的命令之后进入低功率模式的时延。例如，从休眠模式转变到低功率模式的序列可包含：接收退出休眠模式的命令，接收同步高速缓存命令，以及最后接收可使存储器系统进入低功率模式的命令(例如，开始停止单元(ssu)命令)。另外，进入作用中模式和执行功率管理操作可消耗功率，并且可使得存储器系统经受性能损失，这可能会增加与主机系统相关的其它操作的时延。存储器系统的总体性能可能会降低，这可能会导致主机系统的读取、写入和擦除速度受损。可能需要用于提高进入低功率模式的效率和减少进入低功率模式的时延的技术。
16.本文中描述了用于通过在进入低功率模式之前执行一系列功率管理操作来增加性能并减少时延的技术、系统和装置。例如，存储器系统可检测命令模式，如果检测到，那么此命令模式可指示存储器系统将从休眠模式转变到低功率模式(中间转变到作用中模式以执行所述一或多个功率管理操作)。例如，存储器系统可接收退出休眠模式的命令，并在接收到命令之后确定在休眠模式期间空闲周期的持续时间是否满足阈值。接着，存储器系统可接收执行刷新操作的命令(例如，同步高速缓存命令)。如果空闲周期确定满足阈值，那么
存储器系统可预测进入低功率模式的最后命令可能将要到来。存储器系统可在确定空闲周期的持续时间满足阈值并接收到执行刷新操作的命令之后执行一或多个功率管理操作。功率管理操作可在接收执行刷新操作的命令之后且在接收进入低功率模式的命令之前执行。此类功率管理操作通常可在接收到进入低功率模式的命令之后执行。通过在过程的早期执行功率管理操作，可以减少存储器系统在接收到进入低功率模式的命令之后进入低功率模式的时延。
17.通过使用功率管理技术，存储器系统可通过使一些功率管理操作在接收同步高速缓存命令之后且在接收进入低功率模式的命令之前执行来减少进入低功率模式的操作时延。使用功率管理技术可改进存储器系统的总体效率，这可使存储器系统具有改进的读取、写入和擦除速度、降低的功耗、改进的处理时间、减少的存储器单元磨损等。
18.本公开的特征首先在参考图1的系统的上下文中描述。本公开的特征在参考图2-4的时序和流程图的上下文中描述。本公开的这些和其它特征进一步由参考图5-6的涉及功率管理技术的设备图和流程图示出并在所述设备图和流程图的上下文中描述。
19.图1示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
20.存储器系统110可以是或包含任何装置或装置集合，其中装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可以是或包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态驱动器(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)或非易失性dimm(nvdimm)，以及其它可能性。
21.系统100可包含在计算装置中，所述计算装置例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，交通工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置。
22.系统100可包含可与存储器系统110耦合的主机系统105。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106介接，所述主机系统控制器可以是配置成使主机系统105根据如本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，并且在一些情况下，可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件堆栈。例如，主机系统105可包含配置成与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个芯、一或多个高速缓存(例如，在主机系统105本地或包含在主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)和存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110，例如以将数据写入到存储器系统110和从存储器系统110读取数据。尽管在图1中示出一个存储器系统110，但是主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。
23.主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105和存储器系统110可配置成使用相关联的协议经由物理主机接口通信(例如，在存储器系统110和主机系统105之间交换或以其它方式传送控制、地址、数据和其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行连接的scsi(sas)、双倍数据速率
(ddr)接口、dimm接口(例如，支持ddr的dimm套接接口)、开放式nand快闪接口(onfi)，以及低功率双倍数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可包含在主机系统105的主机系统控制器106和存储器系统110的存储器系统控制器115中或以其它方式支持在它们之间。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每个存储器装置130的相应物理主机接口或经由用于包含在存储器系统110中的每个类型的存储器装置130的相应物理主机接口而与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
24.存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任一类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管图1的实例中示出两个存储器装置130-a和130-b，但是存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含超过一个存储器装置130，那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
25.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合并与其通信(例如，经由物理主机接口)，并且可以是配置成使存储器系统110根据如本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合并与其通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据——及其它这类操作——这些可统称为存取操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令，并与一或多个存储器装置130通信以执行此类命令(例如，在所述一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。例如，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作，并且可将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现存储器装置130的所需存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105及一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于来自主机系统105的命令或以其它方式与所述命令相关联)。例如，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据包或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。
26.存储器系统控制器115可配置成用于与存储器装置130相关联的其它操作。例如，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测操作或错误校正操作等错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、背景刷新、健康监测，以及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba))和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。
27.存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑以执行本文中属于存储器系统控制器115的操作的电路系统。存储器系统控制器115可以是或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))，或任何其它合适的处理器或处理电路系统。
28.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或其它可存储操作代码(例如，可执行指令)的存储器，所述操作代码可由存储器系统控制器115执行以执行本文中属于存储器系统控制器115的功能。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或其它可供存储器
系统控制器115用于内部存储或计算的存储器，例如，与本文中属于存储器系统控制器115的功能有关的内部存储或计算。另外或替代地，本地存储器120可用作存储器系统控制器115的高速缓存。例如，如果从存储器装置130读取或向其写入，那么数据可以存储在本地存储器120中，并且数据可在本地存储器120内供主机系统105(例如，相对于存储器装置130具有减小的时延)用于后续根据高速缓存策略进行检索或操控(例如，更新)。
29.尽管图1中的存储器系统110的实例已经示出为包含存储器系统控制器115，但在一些情况下，存储器系统110可能不包含存储器系统控制器115。例如，存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或一或多个本地控制器135，它们可分别在存储器装置130内部，以执行本文中属于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中属于存储器系统控制器115的一或多个功能在一些情况下实际可由主机系统105、本地控制器135或其任何组合执行。在一些情况下，至少部分地受存储器系统控制器115管理的存储器装置130可被称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
30.存储器装置130可包含一或多个非易失性存储器单元阵列。例如，存储器装置130可包含nand(例如，nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它硫族化物基存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁性ram(mram)、nor(例如，nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、氧化物基rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含一或多个易失性存储器单元阵列。例如，存储器装置130可包含ram存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元和同步dram(sdram)存储器单元。
31.在一些实例中，存储器装置130可包含(例如，在同一裸片上或在同一封装内)本地控制器135，其可在相应存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或者可执行本文中属于存储器系统控制器115的一或多个功能。例如，如图1中所示，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a，且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。
32.在一些情况下，存储器装置130可以是或包含nand装置(例如，nand快闪装置)。存储器装置130可以是或包含存储器裸片160。例如，在一些情况下，存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可以是从晶片切割的一片电子器件级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每一裸片160可包含一或多个平面165，每个平面165可包含相应的一组块170，其中每个块170可包含相应的一组页175，每个页175可包含一组存储器单元。
33.在一些情况下，nand存储器装置130可包含配置成各自存储一个信息位的存储器单元，其可以称为单层级单元(slc)。另外或替代地，nand存储器装置130可包含配置成各自存储多个信息位的存储器单元，如果配置成各自存储两个信息位，那么其可以称为多层级单元(mlc)，如果配置成各自存储三个信息位，那么可以称为三层级单元(tlc)，如果配置成各自存储四个信息位，那么可以称为四层级单元(qlc)，或者更一般地称为多层级存储器单元。多层级存储器单元相对于slc存储器单元可提供更大的存储密度，但是在一些情况下，可能会涉及更窄的读取或写入裕度或支持电路系统的更大复杂性。
34.在一些情况下，平面165可以指块170的群组，并且在一些情况下，可在不同平面
165内进行并行操作。例如，并行操作可在不同块170内的存储器单元上执行，只要所述不同块170在不同平面165中即可。在一些情况下，单独的块170可被称为物理块，并且虚拟块180可以指其内可进行并行操作的块170的群组。例如，并行操作可在分别位于平面165-a、165-b、165-c和165-d的块170-a、170-b、170-c和170-d上执行，并且块170-a、170-b、170-c和170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a和存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可在它们相应的平面165内具有相同块地址(例如，块170-a可以是平面165-a的“块0”，块170-b可以是平面165-b的“块0”，以此类推)。在一些情况下，在不同平面165中执行并行操作可具有一或多个限制，例如并行操作是对在相应平面165内具有相同页地址的不同页175内的存储器单元执行的(例如，与命令解码、页地址解码电路系统或其它电路系统跨平面165共享有关)。
35.在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如，串，未示出)的存储器单元。例如，同一页175中的存储器单元可共享公共字线(例如，与其耦合)，并且同一串中的存储器单元可共享公共数字线(其可被替代地称作位线)(例如，与其耦合)。
36.对于一些nand架构，存储器单元可在第一粒度级(例如，在页粒度级)读取和编程(例如，写入)，但是可在第二粒度级(例如，在块粒度级)擦除。也就是说，页175可以是可独立编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并行编程或读取)的最小存储器(例如，存储器单元集)单位，并且块170可以是可独立擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并行擦除)的最小存储器(例如，存储器单元集)单位。此外，在一些情况下，nand存储器单元可在它们可以用新数据重写之前擦除。因此，例如，在一些情况下，已用页175可直到包含页175的整个块170被擦除才更新。
37.在一些情况下，为了更新块170内的一些数据同时保留块170内的其它数据，存储器装置130可将要保留的数据复制到新块170，并将更新后的数据写入到新块170的一或多个其余页。存储器装置130(例如，本地控制器135)或存储器系统控制器115可将保持在旧块170中的数据标记或以其它方式表示为无效或作废，并且可更新逻辑到物理(l2p)映射表，使数据的逻辑地址(例如，lba)与新的有效块170而不是旧的无效块170相关联。例如，在一些情况下，由于考虑到时延或耗损，可执行此类复制和重新映射，而不是擦除和重写整个旧块170。在一些情况下，l2p映射表的一或多个副本可存储在存储器装置130的存储器单元内(例如，一或多个块170或平面165内)，以供本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如，参考和更新)。
38.在一些情况下，l2p表可被维持，且数据可在页粒度级别标记为有效或无效，并且页175可含有有效数据、无效数据或不含数据。无效数据可以是由于更为新近或更新后的数据版本存储在存储器装置130的不同页175中而过时的数据。无效数据先前已编程到无效页175，但是可能不再与有效逻辑地址相关联，例如主机系统105所引用的逻辑地址。有效数据可以是此类存储在存储器装置130上的最新版本的数据。不包含数据的页175可以是从未被写入或已经被擦除的页175。
39.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的部分)，例如耗损均衡、背景刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测或其它操作，或其任何组合。例如，在存储器装置130内，块170可具有
一些含有有效数据的页175和一些含有无效数据的页175。为了避免等待块170中的全部页175具有无效数据以便擦除和重复使用块170，可以调用称为“垃圾收集”的算法，使得块170被擦除和释放为空闲块以用于后续写入操作。垃圾收集可以指一组媒体管理操作，包含例如选择含有有效和无效数据的块170，选择块中含有有效数据的页175，将有效数据从选定页175复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)，将先前选定页175中的数据标记为无效，以及擦除选定块170。因此，已经擦除的块170的数目可以增加，使得更多块170可用于存储后续数据(例如，后续从主机系统105接收的数据)。
40.系统100可包含任何数量的支持功率管理技术的非暂时性计算机可读媒体。例如，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或者可以其它方式存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储用于执行本文中属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能的指令(例如，固件)。例如，此类指令如果由主机系统105(例如，主机系统控制器106)、存储器系统控制器115或存储器装置130(例如，本地控制器135)执行，可使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行本文中所描述的一或多个相关联功能。
41.在一些情况下，存储器系统110可使用存储器系统控制器115提供受管理存储器系统，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列和与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统的实例是受管理nand(mnand)系统。
42.在一些实例中，存储器系统110可接收退出休眠模式的命令(例如，第一命令)。休眠模式可以是第一功率模式的实例。存储器系统可确定空闲周期的持续时间是否满足阈值。在一些情况下，空闲周期的持续时间可从接收进入休眠模式的命令延伸到接收退出休眠模式的命令。在一些情况下，空闲周期的持续时间可从命令队列为空延伸到接收到退出休眠模式的命令。在一些实例中，存储器系统可在确定空闲周期的持续时间是否满足阈值之后接收同步(synchronization/sync)高速缓存命令(例如，第二命令)。
43.如果空闲周期的持续时间未能满足阈值(例如，低于阈值)且接收到同步高速缓存命令，那么存储器系统可阻止在接收进入低功率模式的命令(例如，ssu命令)之前执行功率管理操作。实际上，存储器系统可在接收到ssu命令之后执行功率管理操作。如果空闲周期的持续时间满足阈值(例如，等于或高于阈值)且接收到同步高速缓存命令，那么存储器系统可在接收ssu命令之前且在接收同步高速缓存命令之后执行功率管理操作的至少一部分。通过在接收ssu命令之前执行功率管理操作的一部分，存储器系统可减少与在接收到ssu命令之后再执行ssu命令相关联的时延，并且可增加存储器系统的总体性能和效率。
44.图2示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的时序图200的实例。时序图200可包含部分205期间的空闲周期、部分210期间的激活、部分215期间的空闲周期评估、部分220期间的刷新操作执行、部分225期间的一些装置的撤销激活，以及部分230期间的其余装置的撤销激活。时序图200描绘随时间t而变的事件的序列和持续时间。
45.在一些情况下，存储器系统可在接收进入低功率模式和进入低功率模式的命令之间经历时延。在此持续时间期间经历的时延可增加存储器系统的功耗。在进入低功率模式之前，存储器系统可执行功率管理操作，例如完成进行中的内务处理操作。这些操作的完成可能要耗费时间。在一些系统中，存储器系统可在存储器系统处接收到ssu命令之后开始与
进入低功率模式相关联的操作。在这些情况下，执行操作可延迟ssu命令时延，从而对总体用户体验产生影响并降低存储器系统的总体效率。
46.在这些情况下，可能需要减少与进入低功率模式相关联的功耗和时延的技术。例如，用于从休眠模式转变到低功率模式(通过中间作用中模式)的时延和功耗可以减少。通过预测存储器系统在退出休眠模式之后是否可以进入低功率模式，存储器系统可缩短进入低功率模式的持续时间。例如，存储器系统可确定(例如，预测)下一传入命令可能是ssu命令。基于预测，存储器系统可在存储器系统处接收到ssu命令之前开始与ssu命令相关联的操作。通过在接收ssu命令之前执行功率管理操作，存储器系统可在ssu命令到达之前完成操作，从而减少接收ssu命令和进入低功率模式之间的持续时间。
47.存储器系统可确定与空闲周期的持续时间相关联的阈值，以确定功率管理操作是否可在接收ssu命令之前执行。确定持续时间阈值可以是训练阶段(未示出)的实例。存储器系统可估计在进入休眠模式和退出休眠模式之间的空闲周期的持续时间。为了估计所述持续时间，每次存储器系统接收进入休眠模式的命令(例如，存储器系统进入休眠模式)时，可以分配定时器。存储器系统可在空闲周期的持续时间之后接收退出休眠模式的命令。在检测到退出休眠命令时，定时器可以停止，并且持续时间的值可以存储在存储器系统的寄存器中(即，定时器在接收到退出休眠命令时停止)。如果退出休眠命令的后面是同步高速缓存命令和跟在同步高速缓存命令之后的ssu命令，那么存储在寄存器中的值是阈值，并被识别为低功率模式的目标时间。在这些情况下，空闲周期的持续时间可以是存储器系统进入低功率模式的时间量的实例。
48.在一些实例中，主机系统可通知存储器系统阈值(例如，低功率模式的目标时间的值)。在这些情况下，主机系统可向存储器系统指示空闲周期的持续时间。例如，存储器系统可基于从主机系统接收到阈值而在描述符寄存器中执行写入操作。使用此技术可使存储器系统跳过训练阶段并借助主机系统确定阈值。
49.在一些情况下，与汽车系统或其它车辆系统集成的存储器系统可实施时序图200的各方面。但是，存储器系统可检测到命令缓冲器在某一持续时间内为空(例如，没有待决命令要执行)，而不是基于从训练阶段确定的阈值来执行功率管理操作。在这些情况下，主机系统可阻止传输进入和退出休眠命令。如果存储器系统确定空闲周期的持续时间满足阈值(例如，命令缓冲器为空的持续时间)，那么存储器系统可开始执行功率管理操作。在这些情况下，阈值确定可在接收同步高速缓存命令和ssu命令之前进行。在一些实例中，存储器系统中可不存在休眠命令，如果接收到同步高速缓存命令，那么存储器系统可评估阈值，这可增强存储器系统的电池管理。
50.在存储器系统识别出阈值之后，存储器系统可实施功率管理技术。在时间t0，可接收进入休眠命令201。例如，存储器系统可进入休眠模式(例如，第一功率模式)。存储器系统可从主机系统接收进入休眠命令201。在休眠模式中，存储器系统的存储器装置的一部分可被撤销激活(例如，关闭)。例如，在休眠模式期间，存储器系统可撤销激活(例如，断开)协议层，这可断开主机系统和存储器系统之间的通信线路。存储器系统可在时间t0进入功率节省模式。例如，第一功率模式可以是空闲模式、掉电模式或这两者的实例。
51.部分205可从时间t0延伸到时间t1。在部分205期间，可激活定时器，以确定空闲周期的持续时间(例如，空闲时间)。在存储器系统处于休眠模式时，空闲周期的持续时间可从
时间t0跨越到时间t1。例如，空闲周期可以是存储器系统处于休眠模式的周期的实例。在一些情况下，空闲周期的持续时间可以是3秒或5秒的实例。在部分205期间，存储器系统可能几乎不执行操作。在一些情况下，存储器系统可执行一些存储器管理操作(例如，由存储器系统发起的后台操作)，因为存储器系统未用于执行来自主机系统的命令。空闲周期可以是命令缓冲器为空且不存在命令要执行的持续时间的实例。
52.在时间t1，可接收退出休眠命令206。例如，存储器系统可接收由主机系统传输的退出休眠命令206。在这些情况下，存储器系统可在接收到退出休眠命令时退出休眠模式。存储器系统可在时间t1撤销激活(例如，停止)与空闲周期的持续时间相关联的定时器。在这些情况下，退出休眠模式可向存储器系统通知空闲周期的持续时间完整。在时间t1，存储器系统可接通。例如，存储器系统可响应于退出休眠模式而进入作用中模式(例如，第二功率模式)。在部分210期间，存储器系统可通电。部分210可从时间t1跨越到时间t2，并且包含存储器系统接通(例如，激活)的持续时间。第二功率模式可以是相比于休眠模式可消耗更多能量的较高功率模式的实例。第二功率模式可与执行所接收命令相关联。
53.在时间t2，可评估空闲周期。例如，存储器系统可评估在时间t2到时间t3的部分215期间空闲周期的持续时间是否满足阈值。例如，存储器系统可比较空闲周期的持续时间与存储在寄存器中的值(例如，阈值)。如果空闲周期的持续时间等于或大于阈值，那么存储器系统可评估要采取什么步骤进入低功率模式。如果空闲周期的持续时间小于阈值，那么存储器系统可阻止评估要采取什么步骤进入低功率模式，直到接收到ssu命令226。
54.在时间t3，可接收同步高速缓存命令216。同步高速缓存命令216可以是确保易失性高速缓存(例如，sram)中的待决数据可以传递到非易失性高速缓存(例如，nand)的命令的实例。在这些情况下，主机系统可发出同步高速缓存命令216，并且存储器系统可在接收到所述命令之后执行与同步高速缓存命令相关联的操作。在一些实例中，在时间t3可接收一或多个同步高速缓存命令。
55.部分220可从时间t3延伸到时间t4。在部分220期间，存储器系统可基于确定空闲周期的持续时间满足阈值且接收到同步高速缓存命令而开始执行功率管理操作，为进入低功率模式做准备。在一些情况下，存储器系统可在部分220期间执行刷新操作。刷新操作可以是将数据从高速缓存和易失性存储装置传递到非易失性存储装置的实例。例如，存储器系统可在部分220期间将存储在存储器系统的易失性存储器装置中的信息传递到存储器系统的非易失性存储器装置。在这些情况下，在存储器系统退出低功率模式之后，存储器系统可恢复操作，而无需重新初始化操作参数中的一些或全部。
56.存储器系统可验证易失性高速缓存的内容已写入到nand装置及相关信息已成功传递。在一些情况下，易失性高速缓存可不含数据。存储器系统可刷新数据内容(l2p映射的部分除外)，结束或中断进行中的内务处理操作，或其组合，为进入低功率模式做准备。存储器系统可在部分220期间将存储在易失性高速缓存中的各个映射(例如，l2p映射或物理有效性(pvt)映射)的副本传递到非易失性存储器装置(例如，nand)。在这些情况下，存储器系统可预测到可能接收进入低功率模式的命令。基于所述预测，存储器系统可以在接收到同步高速缓存命令之后开始进入低功率模式的过程。在这些情况下，在存储器系统等待接收ssu命令226以完全进入低功率模式的持续时间期间，存储器系统可开始执行内务处理操作。
57.在一些系统中，存储器系统可响应于接收到ssu命令226(例如，第三命令)而开始执行所述一或多个功率管理操作。通过响应于接收到同步高速缓存命令(例如，在接收ssu命令226之前)执行所述一或多个功率管理操作，存储器系统可减少与进入低功率模式相关联的时延。所述一或多个功率管理操作可以是在部分220期间执行与存储器系统的高速缓存相关联的刷新操作、在部分220期间执行与存储器系统的表相关联的刷新操作或这两者的实例。
58.在一些情况下，在进入休眠模式之前，存储器系统可能已经执行过刷新操作。在这些情况下，存储器系统可接收同步高速缓存命令216，并且可阻止断开存储器装置的部分和执行刷新操作，因为这些操作在接收同步高速缓存命令216之前已经执行过。存储器系统可响应于在进入休眠模式之前执行刷新操作而阻止在部分210期间激活存储器系统的部分。
59.在时间t4，可撤销激活存储器装置。例如，存储器系统可在时间t4开始撤销激活存储器装置的一部分。在这些情况下，存储器系统可在部分225期间在接收ssu命令226之前继续执行功率管理操作。部分225可从时间t4延伸到时间t5。在部分225期间，可撤销激活(例如，断开)存储器系统的一些组件。但是，存储器系统可保持存储器系统的控制器激活(例如，接通)。例如，存储器系统可保持存储器系统中接收ssu命令226的部分激活。
60.在部分225期间，存储器系统可在所述一或多个组件中的至少一些上执行时钟门控，撤销激活与存储器系统相关联的易失性存储器装置，撤销激活存储器系统的一或多个组件，或其组合。存储器系统可基于在部分220期间传递信息而在部分225期间撤销激活易失性存储器装置。例如，存储器系统可断开sram。在一些情况下，存储器系统可基于执行所述一或多个功率管理操作而撤销激活与存储器系统相关联的一或多个组件的第一部分，并将内部指针表保存到内部存储装置。
61.在时间t5，可接收ssu命令226(例如，第三命令)。例如，存储器系统可接收ssu命令226并进入低功率模式(例如，第三功率模式)。主机系统可发出ssu命令226，通知存储器系统进入低功率模式。在时间t5，存储器系统可通过在部分230期间撤销激活其余装置而开始进入低功率模式。低功率模式可以是睡眠模式、断电模式或这两者的实例。在这些情况下，ssu命令226可以是睡眠命令、低功率模式命令、断电命令或其组合的实例。在这些情况下，相比于休眠模式和作用中模式，存储器系统的低功率模式可消耗更少能量。
62.部分230可从时间t5延伸到时间t6。在一些实例中，存储器系统可在部分230期间断开一些或所有其余存储器装置，其可包含在部分225期间保持激活的组件。例如，存储器系统可撤销激活配置成接收ssu命令226的控制器。低功率模式可以是睡眠模式的实例。例如，低功率模式的功耗可低于休眠模式和作用中模式。
63.部分230所包含的持续时间可小于存储器系统阻止执行功率管理操作直到接收到ssu命令226为止的持续时间。通过在时间t3而不是时间t5开始功率管理操作，部分230的持续时间可以缩短。在这些情况下，ssu命令执行时间可变短，并且接收ssu命令226和断开存储器装置之间的持续时间可变小。在时间t6，可断开存储器系统(例如，处于低功率模式)。例如，存储器系统可在时间t6完全掉电(例如，进入低功率模式)。
64.ssu命令可包含在scsi命令集中。尽管图2可关于ssu命令进行描述，但是在其它实例中，可执行相同功能和命令。在这些情况下，存储器系统可接收其它可使存储器系统进入低功率模式的命令。例如，在包含emmc的存储器系统中，存储器系统可接收pon sleep通知，
此通知可以是可使存储器系统进入低功率模式的命令的实例。
65.图3示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的流程图300的实例。流程图300的操作可由本文所述的任何装置或其组件实施。例如，流程图300的操作可由参考图1-2所描述的存储器系统执行。可实施下文的替代性实例，其中一些步骤以不同次序执行或者不执行。一些步骤可另外包含下面未提及的额外特征。流程图300示出其中存储器系统可实施功率管理技术的技术。流程图300可表示与参考图2所描述的时序图200所示类似的操作。
66.流程图300的各方面可由控制器及其它组件实施。另外或替代地，流程图300的各方面可实施为存储在控制器(例如，与存储器系统耦合的控制器)中的指令。例如，所述指令在由控制器(例如，存储器系统控制器115)执行时可使控制器执行流程图300的操作。
67.在305处，可接收进入休眠命令。例如，存储器系统可接收进入休眠模式(例如，第一功率模式)的命令(例如，第四命令)。主机系统可传输进入休眠命令，并且存储器系统可接收进入休眠命令。在这些情况下，存储器系统可直接响应于接收到命令而进入休眠模式。
68.在310处，可激活定时器。例如，存储器系统可响应于(或直接响应于)接收到命令而激活与空闲周期相关联的定时器。在一些实例中，存储器系统可在接收到进入休眠模式的命令的同时或之后开始定时器。定时器可测量进入休眠模式和退出休眠模式之间的空闲周期的持续时间。
69.在315处，可接收退出休眠命令。例如，存储器系统可接收退出休眠模式的命令(例如，第一命令)。命令可包含退出休眠模式并进入作用中模式(例如，第二功率模式)的指令。在这些情况下，休眠模式的功耗可低于作用中模式。主机系统可传输退出休眠命令，并且存储器系统可响应于接收到命令而进入作用中模式。在一些实例中，存储器系统可直接响应于接收到退出休眠命令而撤销激活与空闲周期相关联的定时器。例如，存储器系统可在接收到退出休眠模式的命令之后停止定时器。
70.在320处，可确定是否接收到同步高速缓存命令。例如，存储器系统可确定是否可接收同步高速缓存命令(例如，第二命令)。同步高速缓存命令可与执行刷新操作相关联。在一些实例中，存储器系统可确定主机系统是否传输同步高速缓存命令。在这些情况下，存储器系统可在存储器系统接收同步高速缓存命令之前确定同步高速缓存命令是否预期用于存储器系统。存储器系统可直接响应于接收到退出休眠命令而确定存储器系统是否接收同步高速缓存命令。在其它实例中，存储器系统可直接响应于确定空闲周期的持续时间满足阈值而确定存储器系统是否接收同步高速缓存命令。
71.在325处，如果存储器系统确定未接收到同步高速缓存命令，那么可执行所述命令。存储器系统可确定接收到不同命令(非同步高速缓存命令)或不同命令预期用于存储器系统。例如，存储器系统可接收从非易失性存储器装置检索数据的读取命令，或者可接收在非易失性存储器装置中存储数据的写入命令。在这些情况下，存储器系统可确定接收到不同于同步高速缓存命令的命令。所述命令可以是读取命令、写入命令、擦除命令或其组合的实例。存储器系统可在作用中模式期间接收所述命令。存储器系统可响应于确定在存储器系统处未接收到同步高速缓存命令而执行所述命令。在一些情况下，存储器系统可跳过(例如，阻止)执行功率管理操作，并舍弃队列中的功率管理操作。
72.在330处，如果存储器系统确定接收到同步高速缓存命令，那么可确定与休眠模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值。在一些情况下，330处的确定可在接收退出休
眠命令(例如，在315处)之后且在确定存储器系统是否接收到同步高速缓存命令(例如，在320处)之前完成。存储器系统可响应于退出休眠模式而确定空闲周期的持续时间是否满足阈值。在一些情况下，存储器可在确定同步高速缓存命令可预期用于存储器系统之后但在接收同步高速缓存命令之前开始评估空闲周期的持续时间。阈值可以是存储在存储器系统的寄存器中的值的实例。在一些情况下，存储器系统可基于激活和撤销激活定时器且确定空闲周期的持续时间而确定持续时间是否满足阈值。
73.在一些情况下，存储器系统可在确定空闲周期的持续时间是否满足阈值之后接收同步高速缓存命令。在其它实例中，存储器系统可在确定空闲周期的持续时间是否满足阈值之前接收同步高速缓存命令。在一些情况下，存储器系统可在作用中模式期间接收同步高速缓存命令。
74.在其它实例中，存储器系统可确定空闲周期的持续时间未能满足阈值。在这些情况下，在335处，可接收ssu命令。例如，存储器系统可响应于确定空闲周期的持续时间未能满足阈值而接收进入低功率模式的命令。低功率模式的功耗可低于休眠模式和作用中模式。在一些情况下，存储器系统可在接收到同步高速缓存命令之后接收ssu命令。
75.在340处，可执行一或多个功率管理操作。例如，存储器系统可响应于接收到ssu命令而执行一或多个功率管理操作。在这些情况下，存储器系统可响应于接收到ssu命令而撤销激活与存储器系统相关联的一或多个组件的第一部分，并撤销激活所述一或多个组件的第二部分。例如，存储器系统可在接收到ssu命令之后断开与存储器系统相关联的一些或所有组件。在一些实例中，响应于接收到ssu命令，存储器系统可执行与存储器系统的高速缓存相关联的刷新操作，执行与存储器系统的表相关联的刷新操作，在所述一或多个组件中的至少一些上执行时钟门控，撤销激活与存储器系统相关联的易失性存储器装置(例如，sram)，撤销激活存储器系统的一或多个组件，或其组合。存储器系统可在将存储在sram中的信息传递到存储器系统的非易失性存储器装置(例如，nand)之后断开(例如，撤销激活)sram。信息可包含命令中所包含的逻辑地址和与nand相关联的物理地址之间的映射。
76.在其它实例中，存储器系统可确定空闲周期的持续时间满足阈值。在这些情况下，在345处，可在接收ssu命令之前执行一或多个功率管理操作。例如，存储器系统可直接响应于确定空闲周期的持续时间满足阈值且接收到同步高速缓存命令而执行一或多个功率管理操作。
77.存储器系统可撤销激活与存储器系统相关联的一或多个组件的第一部分。例如，存储器系统可在接收ssu命令之前断开一些组件，并使其余组件保持接通。其余组件可以是配置成接收ssu命令的装置及其它组件的实例。响应于确定空闲周期的持续时间满足阈值且接收到同步高速缓存命令，存储器系统可执行与存储器系统的高速缓存相关联的刷新操作，执行与存储器系统的表相关联的刷新操作，在所述一或多个组件中的至少一些上执行时钟门控，撤销激活与存储器系统相关联的易失性存储器装置，撤销激活存储器系统的一或多个组件，或其组合。存储器系统可将存储在存储器系统的sram中的信息传递到存储器系统的nand，并至少部分地基于传递信息而撤销激活sram。传递的信息包含命令中所包含的逻辑地址和与非易失性存储器装置相关联的物理地址之间的映射。
78.在350处，可接收ssu命令。例如，存储器系统可接收进入低功率模式(例如，第三功率模式)的命令(例如，第三命令)。存储器系统可在执行所述一或多个功率管理操作之后或
响应于执行所述一或多个功率管理操作而接收ssu命令。例如，存储器系统可响应于撤销激活所述一或多个组件的第一部分而接收ssu命令。
79.在355处，可撤销激活(例如，断开)存储器系统的其余存储器装置。例如，存储器系统可响应于接收到ssu命令而撤销激活所述一或多个组件的第二部分。在这些情况下，存储器系统可在接收到ssu命令之后断开其余装置。存储器系统可响应于撤销激活所述第二部分而进入低功率模式。
80.ssu命令可包含在scsi命令集中。尽管图3可关于ssu命令进行描述，但是在其它实例中，可执行相同功能和命令。在这些情况下，存储器系统可接收其它可使存储器系统进入低功率模式的命令。例如，在包含emmc的存储器系统中，存储器系统可接收pon sleep通知，此通知可以是可使存储器系统进入低功率模式的命令的实例。
81.图4示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的流程图400的实例。流程图400的操作可由本文所述的任何装置或其组件实施。例如，流程图400的操作可由参考图1-3所描述的存储器系统执行。可实施下文的替代性实例，其中一些步骤以不同次序执行或者不执行。一些步骤可另外包含下面未提及的额外特征。流程图400可示出其中存储器系统可确定用于功率管理技术的阈值的技术。在一些情况下，流程图400可以是参考图2所描述的训练阶段的实例。
82.流程图400的各方面可由控制器及其它组件实施。另外或替代地，流程图400的各方面可实施为存储在控制器(例如，与存储器系统耦合的控制器)中的指令。例如，所述指令在由控制器(例如，存储器系统控制器115)执行时可使控制器执行流程图400的操作。
83.在405处，可接收进入休眠命令。例如，存储器系统可接收进入休眠模式(例如，第一功率模式)的命令(例如，第四命令)。主机系统可传输进入休眠命令。在这些情况下，存储器系统可接收所述命令，并且直接响应于接收到所述命令而进入休眠模式。
84.在410处，可激活定时器。例如，存储器系统可直接响应于接收到所述命令而激活与空闲周期相关联的定时器。在一些实例中，存储器系统可在接收到进入休眠模式的命令的同时或之后开始定时器。定时器可测量空闲周期的持续时间。空闲周期可以是进入休眠模式和退出休眠模式之间的持续时间。
85.在415处，可接收退出休眠命令。例如，存储器系统可接收退出休眠模式的命令(例如，第一命令)。命令可包含退出休眠模式并进入作用中模式(例如，第二功率模式)的指令。在这些情况下，休眠模式的功耗可低于作用中模式。主机系统可传输退出休眠命令，并且存储器系统可接着响应于接收到命令而进入作用中模式。在一些实例中，存储器系统可直接响应于接收到退出休眠命令而撤销激活与空闲周期相关联的定时器。例如，存储器系统可在接收到退出休眠模式的命令之后停止定时器。
86.在420处，可确定空闲周期的持续时间。例如，存储器系统可响应于接收到退出休眠命令而确定空闲周期的持续时间。例如，存储器系统可确定空闲周期的持续时间并将值存储在寄存器中。在这些情况下，存储器系统可直接响应于确定空闲周期的持续时间而在寄存器中存储空闲周期的持续时间的值。存储器系统可在撤销激活定时器之后确定空闲周期的持续时间并存储值。
87.在425处，可接收同步高速缓存命令。例如，存储器系统可接收与执行刷新操作相关联的命令(例如，第二命令)。主机系统可传输同步高速缓存命令，并且存储器系统可在确
定空闲周期的持续时间之后接收同步高速缓存命令。在一些情况下，存储器系统可在作用中模式期间接收同步高速缓存命令。
88.在430处，可接收ssu命令。例如，存储器系统可接收进入低功率模式(例如，第三功率模式)的命令(例如，第三命令)。低功率模式的功耗可低于休眠模式和作用中模式。存储器系统可在接收到同步高速缓存命令之后或响应于接收到同步高速缓存命令而接收ssu命令。
89.在435处，可确定阈值。例如，存储器系统可响应于接收到同步高速缓存命令且接收到ssu命令而确定存储在寄存器中的值满足阈值。在这些情况下，存储器系统可基于在退出休眠模式之后接收到同步高速缓存命令且接收到ssu命令而确定存储在寄存器中的值是阈值。存储器系统可将所存储的值识别为低功率模式的目标时间。在435处所确定的阈值可以是存储器系统在图3的330处使用的阈值。
90.ssu命令可包含在scsi命令集中。尽管图4可关于ssu命令进行描述，但是在其它实例中，可执行相同功能和命令。在这些情况下，存储器系统可接收其它可使存储器系统进入低功率模式的命令。例如，在包含emmc的存储器系统中，存储器系统可接收pon sleep通知，此通知可以是可使存储器系统进入低功率模式的命令的实例。
91.图5示出根据本文所公开的实例的支持功率管理技术的存储器系统520的框图500。存储器系统520可以是参考图1到3所描述的存储器系统的各方面的实例。存储器系统520或其各种组件可以是用于执行本文所述的功率管理技术的各个方面的构件的实例。例如，存储器系统520可包含休眠组件525、空闲组件530、同步高速缓存组件535、功率管理操作器540、低功率组件545、命令接收器550或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
92.休眠组件525可配置为或以其它方式支持用于接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令的构件，第一功率模式的功耗低于第二功率模式。空闲组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于退出第一功率模式而确定与第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值的构件。同步高速缓存组件535可配置为或以其它方式支持用于接收与执行刷新操作相关联的第二命令的构件。功率管理操作器540可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第二命令且确定持续时间满足阈值而执行一或多个功率管理操作的构件。
93.在一些实例中，低功率组件545可配置为或以其它方式支持用于以下的构件：在执行所述一或多个功率管理操作的至少部分之后，接收进入功耗低于第一功率模式的第三功率模式的第三命令。
94.在一些实例中，功率管理操作器540可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于执行所述一或多个功率管理操作而撤销激活与存储器系统相关联的一或多个组件的第一部分的构件，其中接收第三命令至少部分地基于撤销激活所述一或多个组件的第一部分。在一些实例中，功率管理操作器540可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第三命令而撤销激活所述一或多个组件的第二部分的构件。
95.在一些实例中，休眠组件525可配置为或以其它方式支持用于接收进入第一功率模式的第四命令的构件。在一些实例中，空闲组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第四命令而激活与空闲周期相关联的定时器的构件，其中确定持续时间
是否满足阈值至少部分地基于激活定时器。
96.在一些实例中，空闲组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第一命令而撤销激活与空闲周期相关联的定时器的构件，其中确定持续时间是否满足阈值至少部分地基于撤销激活定时器。
97.在一些实例中，空闲组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第一命令而确定空闲周期的持续时间的构件。在一些实例中，空闲组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定空闲周期的持续时间而在寄存器中存储空闲周期的持续时间的值的构件，其中确定持续时间是否满足阈值至少部分地基于存储值。
98.在一些实例中，低功率组件545可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第二命令而接收进入功耗低于第一功率模式的第三功率模式的第三命令的构件。在一些实例中，空闲组件530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到第二命令且接收到第三命令而确定存储在寄存器中的值满足阈值的构件，其中确定持续时间是否满足阈值至少部分地基于确定存储在寄存器中的值满足阈值。
99.在一些实例中，功率管理操作器540可配置为或以其它方式支持用于以下的构件：执行与存储器系统的高速缓存相关联的刷新操作，执行与存储器系统的表相关联的刷新操作，在一或多个组件上执行时钟门控，撤销激活与存储器系统相关联的易失性存储器装置，撤销激活存储器系统的一或多个组件，或其组合。
100.在一些实例中，功率管理操作器540可配置为或以其它方式支持用于将存储在存储器系统的易失性存储器装置中的信息传递到存储器系统的非易失性存储器装置的构件。在一些实例中，功率管理操作器540可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于传递信息而撤销激活易失性存储器装置的构件。
101.在一些实例中，易失性存储器装置包含存储器系统的静态随机存取存储器。在一些实例中，非易失性存储器装置包含存储器系统的nand存储器。在一些实例中，信息包含命令中所包含的逻辑地址和与非易失性存储器装置相关联的物理地址之间的映射。
102.在一些实例中，第一命令包含退出休眠命令。在一些实例中，第二命令包含同步高速缓存命令。
103.图6示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持功率管理技术的方法600。方法600的操作可由本文所述的存储器系统或其组件实施。例如，方法600的操作可由参考图1到5所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所述功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行所述功能的各方面。
104.在605处，可接收第一命令。例如，所述方法可包含接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令，第一功率模式的功耗低于第二功率模式。操作605可根据本文所公开的实例执行。在一些实例中，操作605的各方面可由参考图5所描述的休眠组件525执行。
105.在610处，可确定空闲周期的持续时间。例如，所述方法可包含至少部分地基于退出第一功率模式而确定与第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值。操作610可根据本文所公开的实例执行。在一些实例中，操作610的各方面可由参考图5所描述的空闲组件530执行。
106.在615处，可接收第二命令。例如，所述方法可包含接收与执行刷新操作相关联的第二命令。操作615可根据本文所公开的实例执行。在一些实例中，操作615的各方面可由参考图5所描述的同步高速缓存组件535执行。
107.在620处，可执行一或多个功率管理操作。例如，所述方法可包含至少部分地基于接收到第二命令且确定持续时间满足阈值而执行一或多个功率管理操作。操作620可根据本文所公开的实例执行。在一些实例中，操作620的各方面可由参考图5所描述的功率管理操作器540执行。
108.在一些实例中，本文所述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。所述设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令，第一功率模式的功耗低于第二功率模式；至少部分地基于退出第一功率模式，确定与第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值；接收与执行刷新操作相关联的第二命令；以及至少部分地基于接收到第二命令且确定持续时间满足阈值，执行一或多个功率管理操作。
109.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在执行所述一或多个功率管理操作的至少部分之后，接收进入功耗低于第一功率模式的第三功率模式的第三命令。
110.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于执行所述一或多个功率管理操作而撤销激活与存储器系统相关联的一或多个组件的第一部分，其中接收第三命令可至少部分地基于撤销激活所述一或多个组件的第一部分，且撤销激活所述一或多个组件的第二部分可至少部分地基于接收到第三命令。
111.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：接收进入第一功率模式的第四命令，并至少部分地基于接收到第四命令而激活与空闲周期相关联的定时器，其中确定持续时间是否满足阈值可至少部分地基于激活定时器。
112.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于接收到第一命令而撤销激活与空闲周期相关联的定时器，其中确定持续时间是否满足阈值可至少部分地基于撤销激活定时器。
113.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于接收到第一命令而确定空闲周期的持续时间，并至少部分地基于确定空闲周期的持续时间而在寄存器中存储空闲周期的持续时间的值，其中确定持续时间是否满足阈值可至少部分地基于存储值。
114.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分地基于接收到第二命令而接收进入功耗低于第一功率模式的第三功率模式的第三命令，并至少部分地基于接收到第二命令且接收到第三命令而确定存储在寄存器中的值满足阈值，其中确定持续时间是否满足阈值可至少部分地基于确定存储在寄存器中的值满足阈值。
115.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系
统、逻辑、构件或指令：执行与存储器系统的高速缓存相关联的刷新操作，执行与存储器系统的表相关联的刷新操作，在一或多个组件上执行时钟门控，撤销激活与存储器系统相关联的易失性存储器装置，撤销激活存储器系统的一或多个组件，或其组合。
116.方法600和本文所述设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：将存储在存储器系统的易失性存储器装置中的信息传递到存储器系统的非易失性存储器装置，并至少部分地基于传递信息而撤销激活易失性存储器装置。
117.在方法600和本文所述设备的一些实例中，易失性存储器装置包含存储器系统的静态随机存取存储器，非易失性存储器装置包含存储器系统的nand存储器，并且信息包含命令中所包含的逻辑地址和与非易失性存储器装置相关联的物理地址之间的映射。
118.在方法600和本文所述设备的一些实例中，第一命令包含退出休眠命令，第二命令包含同步高速缓存命令。
119.应注意，上文所描述的方法描述可能实施方案，并且操作和步骤可以重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或更多个的部分。
120.描述一种设备。所述设备可包含存储器装置和控制器，所述控制器与所述存储器装置耦合且配置成使所述设备：接收退出第一功率模式并进入第二功率模式的第一命令，所述第一功率模式的功耗低于所述第二电力模式；至少部分地基于退出所述第一功率模式，确定与所述第一功率模式相关联的空闲周期的持续时间是否满足阈值；接收与执行刷新操作相关联的第二命令；以及至少部分地基于接收到所述第二命令且确定所述持续时间满足所述阈值，执行一或多个功率管理操作。
121.在一些实例中，控制器可进一步配置成使所述设备：在执行所述一或多个功率管理操作的至少部分之后，接收进入功耗低于第一功率模式的第三功率模式的第三命令。
122.在一些实例中，控制器可进一步配置成使所述设备：至少部分地基于执行所述一或多个功率管理操作而撤销激活与存储器系统相关联的一或多个组件的第一部分，其中接收第三命令至少部分地基于撤销激活所述一或多个组件的第一部分，且撤销激活所述一或多个组件的第二部分至少部分地基于接收到第三命令。
123.在一些实例中，控制器可进一步配置成使所述设备：接收进入第一功率模式的第四命令，并至少部分地基于接收到第四命令而激活与空闲周期相关联的定时器，其中确定持续时间是否满足阈值至少部分地基于激活定时器。
124.在一些实例中，控制器可进一步配置成使所述设备：至少部分地基于接收到第一命令而撤销激活与空闲周期相关联的定时器，其中确定持续时间是否满足阈值至少部分地基于撤销激活定时器。
125.在一些实例中，控制器可进一步配置成使所述设备：至少部分地基于接收到第一命令而确定空闲周期的持续时间，并至少部分地基于确定空闲周期的持续时间而在寄存器中存储空闲周期的持续时间的值，其中确定持续时间是否满足阈值至少部分地基于存储值。
126.在一些实例中，控制器可进一步配置成使所述设备：至少部分地基于接收到第二命令而接收进入功耗低于第一功率模式的第三功率模式的第三命令，并至少部分地基于接收到第二命令且接收到第三命令而确定存储在寄存器中的值满足阈值，其中确定持续时间
是否满足阈值至少部分地基于确定存储在寄存器中的值满足阈值。
127.在一些实例中，为了执行所述一或多个功率管理操作，控制器可进一步配置成使所述设备：执行与存储器系统的高速缓存相关联的刷新操作，执行与存储器系统的表相关联的刷新操作，在一或多个组件上执行时钟门控，撤销激活与存储器系统相关联的易失性存储器装置，撤销激活存储器系统的一或多个组件，或其组合。
128.在一些实例中，为了执行所述一或多个功率管理操作，控制器可进一步配置成使所述设备：将存储在存储器系统的易失性存储器装置中的信息传递到存储器系统的非易失性存储器装置，并至少部分地基于传递信息而撤销激活易失性存储器装置。
129.在一些实例中，易失性存储器装置包括存储器系统的静态随机存取存储器，非易失性存储器装置包括存储器系统的nand存储器，并且信息包括命令中所包含的逻辑地址和与非易失性存储器装置相关联的物理地址之间的映射。
130.在一些实例中，第一命令包括退出休眠命令，第二命令包括同步高速缓存命令。
131.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。
132.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持信号在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件中断所连接组件之间的信号流动一段时间。
133.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。如果例如控制器的一组件将其它组件耦合在一起，那么所述组件引发允许信号通过导电路径在所述其它组件之间流动的改变，所述导电路径先前不允许信号流动。
134.术语“隔离”是指信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在断路，那么它们彼此隔离。例如，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。如果控制器将两个组件隔离，控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
135.术语“如果”、“当
……
时”、“基于”或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
……
时”、“基于”或“至少部分地基于”是用于描述条件性动作、条件性过程或过程部分之间的连接，那么这些术语可以互换。
136.术语“响应于”可指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不完全地)发生的一个条件或动作。例如，可执行第一条件或动作，并且作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作后的一或多个其它中间条件或动作
发生之后)，第二条件或动作可至少部分地发生。
137.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指作为先前条件或动作的直接结果而发生一个条件或动作。在一些实例中，可执行第一条件或动作，并且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，与是否发生其它条件或动作无关。在一些实例中，可执行第一条件或动作，并且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此种其它条件或动作而执行。
138.本文中所论述的包含存储器阵列的装置可形成于半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
139.本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂(例如简并)半导体区。源极与漏极可由轻掺杂的半导体区或沟道间隔开。如果沟道是n型(即，大部分载体为电子)，那么fet可被称作n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载体为空穴)，那么fet可被称作p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。如果大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极，那么晶体管可“接通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极，那么晶体管可“断开”或“撤销激活”。
140.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”，且不比其它实例“优选”或“有利”。详细描述包含特定细节，以便提供对所描述技术的理解。然而，这些技术可在没有这些特定细节的情况下实践。在一些例子中，以框图的形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。
141.在附图中，类似组件或特征可以具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着连字符及区分类似组件的第二标记来区分为相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个，而与第二参考标记无关。
142.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可以将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体来传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的本质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位
置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
143.例如，结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块和组件可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心，或任何其它此类配置)。
144.如本文中(包含在权利要求书中)所使用，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语结尾的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。并且，如本文中所使用，短语“基于”不应被理解为对一组封闭条件的引用。例如，被描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者，而不脱离本公开的范围。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应按照与短语“至少部分地基于”相同的方式来解释。
145.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储装置媒体和通信媒体两者，通信媒体包含有助于将计算机程序从一个地方传送到另一地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是任何可用的媒体，它可以由通用或专用计算机存取。举例来说且不加限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或任何其它可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可以通过通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的非暂时性媒体。并且，任何连接被适当地称为计算机可读媒体。例如，如果软件从网站、服务器或其它远程源使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或红外、无线电和微波等无线技术传输，那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或红外、无线电和微波等无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合同样包含在计算机可读媒体的范围内。
146.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本发明不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。