具有高压缩强度、低热导率和高表面质量的聚异氰脲酸酯树脂泡沫的制作方法

技术特征：
1.制备聚异氰脲酸酯泡沫的方法，其中混合a)芳族多异氰酸酯，b)包含至少一种聚醚醇(b1)和/或聚酯醇(b2)的异氰酸酯反应性化合物，其中组分(b1)和(b2)的异氰酸酯反应性氢原子的数均含量为至少1.7，c)催化剂，d)发泡剂，e)阻燃剂，f)任选地助剂和添加物质，g)任选地具有脂族疏水基团且不落入化合物(a)至(f)的定义的化合物，以提供反应混合物并使其固化以提供硬质聚异氰脲酸酯泡沫，其中发泡剂(d)包含至少一种由2至5个碳原子、至少一个氢原子和至少一个氟和/或氯原子组成的脂族卤代烃化合物(d1)，并且化合物(d1)包含至少一个碳-碳双键；和具有4至8个碳原子的烃化合物(d2)，卤代烃化合物(d1)的摩尔比例为20至60摩尔％，烃化合物(d2)的摩尔比例为40至80mol％，在各自情况下均基于发泡剂(d1)和(d2)的总含量计，组分(b)至(f)可包含具有脂族疏水基团的化合物，并且脂族疏水基团的含量为0重量％至4.0重量％，基于组分(b)至(g)的总重量计，并且提供反应混合物的混合在至少240的异氰酸酯指数下进行。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃化合物(d2)包含至少60mol％的环脂族烃化合物，基于烃化合物(d2)的总重量计。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中烃化合物(d2)选自戊烷的异构体。4.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中卤代烃化合物(d1)为1-氯-3，3，3-三氟丙烯。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述发泡剂包括甲酸。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述催化剂(c)包含至少一种具有叔胺基团的胺催化剂和至少一种铵或碱金属羧酸盐催化剂。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种具有叔胺基团的胺催化剂选自五甲基二亚乙基三胺和双(2-二甲基氨基乙基)醚，并且所述至少一种碱金属羧酸盐催化剂选自甲酸钾、乙酸钾和2-乙基己酸钾。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中具有至少一个异氰酸酯反应性氢原子的化合物(b)包含0重量％至30重量％的聚醚醇(b1)和70重量％至100重量％的聚酯醇(b2)，在各自情况下均基于聚醚醇(b1)和聚酯醇(b2)的总重量计。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述聚醚多元醇(b1)为具有2至4的官能度的起始分子与包括环氧乙烷的环氧烷的反应产物，并且具有150至300mg koh/g的羟值。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述聚酯多元醇(b2)使用芳族二羧酸或其衍生物获得。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所使用的阻燃剂(e)仅为无卤阻燃剂。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中将所述反应混合物施加到连续移动的外层上。13.根据权利要求12所述的方法，其中将反应混合物施加到连续移动的外层上是在用于制备夹层元件的双传送带线上进行的。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中包括包含芳族多异氰酸酯(a)的异氰酸酯组分(a)和包含异氰酸酯反应性化合物(b)的多元醇组分(b)的预混物用于制备反应混合物并且将所有或一些其他组分(c)至(g)整体或部分地加入到组分(a)或(b)之一中。15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中将物理发泡剂(d1)和(d2)以额外料流的形式添加到反应混合物中。16.可通过根据权利要求1至15中任一项的方法获得的硬质聚异氰脲酸酯泡沫。

技术总结
本发明涉及制备聚异氰脲酸酯泡沫的方法，在该方法中：混合a)芳族多异氰酸酯，b)包含至少一种聚醚醇(b1)和/或聚酯醇(b2)的异氰酸酯基团反应性化合物，其中组分(b1)和(b2)的异氰酸酯反应性氢原子的数均含量为至少1.7，c)催化剂，d)发泡剂，e)阻燃剂，f)任选地助剂和添加剂，g)任选地具有脂族疏水基团且不属于化合物(a)至(f)的定义的化合物，以形成反应混合物并使其固化以形成聚异氰脲酸酯树脂泡沫，其中发泡剂(d)包含至少一种由2至5个碳原子、至少一个氢原子和至少一个氟和/或氯原子组成的脂族卤代烃化合物(d1)，并且化合物(d1)包含至少一个碳-碳双键；且包含具有4至8个碳原子的烃化合物(d2)，并且卤代烃化合物(d1)的摩尔比例为20至60摩尔％，烃化合物(d2)的摩尔比例为40至80mol％，在各自情况下均基于发泡剂(d1)和(d2)的总含量计，组分(b)至(f)可包含具有脂族疏水基团的化合物，并且脂族疏水基团的含量为至多4.0重量％，基于组分(b)至(g)的总重量计，并且形成反应混合物的混合在至少240的异氰酸酯指数下进行。本发明还涉及可通过根据本发明的方法获得的聚异氰脲酸酯树脂泡沫。的方法获得的聚异氰脲酸酯树脂泡沫。


技术研发人员：T
受保护的技术使用者：巴斯夫欧洲公司
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2023/2/13