使用掺杂层的栅极界面工程的制作方法

技术特征：
1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：在半导体基板之上形成硅层，其中所述形成包含以下步骤：形成并入掺杂剂的硅层；和使所述硅层的一部分氧化，其中所述氧化驱使所述掺杂剂的一部分通过所述硅层且进入所述半导体基板。2.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述硅层由原子层沉积或外延生长形成。3.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述掺杂剂包含氮、磷或氟中的一者或多者。4.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述硅层形成为小于或约为5nm的厚度。5.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中使所述硅层的一部分氧化形成牺牲氧化物，所述方法进一步包含以下步骤：移除所述牺牲氧化物，其中所述移除包括原位干式化学工艺。6.如权利要求5所述的形成半导体结构的方法，其中所述移除在第一处理腔室中执行，且其中所述方法进一步包含以下步骤：形成含氧材料；将所述半导体基板自所述第一处理腔室传送至第二处理腔室；和形成覆盖所述含氧材料的高k介电材料。7.如权利要求6所述的形成半导体结构的方法，进一步包含以下步骤：在形成所述高k介电材料之前，用含氮前驱物或含氧前驱物在所述含氧材料上引入反应性配体。8.如权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其中所述含氮前驱物包含氨。9.如权利要求6所述的形成半导体结构的方法，其中所述高k介电材料包含选自由铪、锆、硅、镧、铝、钛和锶组成的群组的至少一种元素。10.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述方法在一个或多个处理腔室中执行，而不将所述半导体基板暴露于大气。11.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述硅层外延地形成于所述半导体基板之上，且其中所述半导体基板包含硅锗。12.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中使所述硅层的一部分氧化形成牺牲氧化物，其中形成所述牺牲氧化物包含第一氧化工艺，且其中所述方法进一步包含以下步骤：使与所述半导体基板接触的所述硅层的所述部分氧化包含与所述第一氧化工艺不同的第二氧化工艺。13.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中使与所述半导体基板接触的所述硅层的所述部分氧化包含将含氮和氧的前驱物输送至所述半导体基板。14.如权利要求13所述的形成半导体结构的方法，其中使与所述半导体基板接触的所述硅层的所述部分氧化在低于或约为750℃的温度下发生。15.一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：自半导体处理腔室中所含有的基板的表面移除氧化物，其中所述基板包含硅锗鳍片；
在半导体基板之上形成硅层，其中所述形成包含以下步骤：形成并入作为掺杂剂的氮、氟或磷的硅层；和使所述硅层氧化以形成牺牲氧化物，其中所述氧化使所述掺杂剂的一部分扩散通过所述硅层且进入所述半导体基板；移除所述牺牲氧化物；将氧化亚氮输送至所述基板以形成含氧材料；通过使所述基板与含氮前驱物接触来预加工所述含氧材料；和形成覆盖经预加工的所述含氧材料的高k介电材料。16.如权利要求15所述的形成半导体结构的方法，其中所述移除包括原位干式化学工艺。17.如权利要求16所述的形成半导体结构的方法，其中所述移除在第一处理腔室中执行，且其中所述方法进一步包含以下步骤：在形成所述高k介电材料之前将所述基板自所述第一处理腔室传送至第二处理腔室。18.如权利要求15所述的形成半导体结构的方法，其中所述硅层由原子层沉积或外延生长形成，且其中所述硅层形成为小于或约为5nm的厚度。19.如权利要求15所述的形成半导体结构的方法，其中形成所述牺牲氧化物包含以下步骤：将含氧前驱物和含氢前驱物输送至所述基板以形成含氧材料。20.一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：自半导体处理腔室中所含有的基板的表面移除本征氧化物，其中所述基板包含硅锗；在半导体基板之上形成硅层，其中所述形成包含以下步骤：形成并入掺杂剂的硅层；和使所述硅层的一部分氧化以形成牺牲氧化物，同时保持所述硅层的一部分与所述半导体基板接触，其中所述氧化驱使所述掺杂剂的一部分通过所述硅层且进入所述半导体基板；和移除所述牺牲氧化物。

技术总结
可执行处理方法以产生半导体结构。这些方法可包括在半导体基板之上形成硅层。此形成可包括形成并入掺杂剂的硅层。这些方法可包括使此硅层的一部分氧化，同时保持此硅层的一部分与此半导体基板接触。此氧化可驱使此掺杂剂的一部分通过此硅层且进入此半导体基板。一部分通过此硅层且进入此半导体基板。一部分通过此硅层且进入此半导体基板。


技术研发人员：史蒂文
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.06.08
技术公布日：2023/2/13