含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质的制作方法

1.本发明涉及含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂以及磁记录介质。
2.本技术基于2020年6月11日在日本技术的特愿2020-101574号来主张优先权，将其内容援用到本文中。


背景技术：

3.为了使磁记录再生装置中的记录密度高，进行了适于高记录密度的磁记录介质的开发。
4.以往，作为磁记录介质，有在基板上形成记录层，在记录层上形成了由碳等形成的保护层的物质。保护层保护被记录在记录层的信息，并且提高磁头的滑动性。此外，保护层被覆记录层，防止记录层所包含的金属被环境物质腐蚀。
5.然而，磁记录介质的耐久性仅通过在记录层上设置保护层不能充分获得。因此，在保护层的表面涂布润滑剂，形成厚度0.5～3nm左右的润滑层。润滑层使保护层的耐久性和保护力提高，防止污染物质向磁记录介质内部的侵入。
6.此外，在保护层的表面形成了润滑层后，为了将存在于磁记录介质的表面的突起和颗粒除去，使表面的平滑性提高，有时进行抛光工序。
7.作为形成磁记录介质的润滑层时使用的润滑剂，有例如，含有具有包含-cf
2-的重复结构，在末端具有羟基等极性基的氟系聚合物的物质。
8.例如，在专利文献1中公开了包含润滑层的磁盘，上述润滑层包含在两末端具有羟基的全氟聚醚。此外，在专利文献2和专利文献3中公开了在包含羟基的脂肪族烃链的两侧分别结合了全氟聚醚的化合物。
9.现有技术文献
10.专利文献
11.专利文献1：日本专利第5786047号公报
12.专利文献2：美国专利第9805755号说明书
13.专利文献3：美国专利申请公开第2020/0002640号说明书
14.专利文献4：国际公开第2019/054148号


技术实现要素：

15.发明所要解决的课题
16.在磁记录再生装置中，更加要求使磁头的上浮量小。因此，要求使磁记录介质中的保护层和润滑层的厚度薄。
17.然而，如果使保护层和/或润滑层的厚度薄，则有时磁记录介质的耐腐蚀性变得不充分。特别是，在对形成了润滑层后的磁记录介质的表面进行了带抛光的情况下，磁记录介质的耐腐蚀性易于变得不充分。因此，要求抑制磁记录介质的腐蚀的效果高的润滑层。
18.本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供可以作为获得磁记录介质的腐蚀
抑制效果高的润滑层的磁记录介质用润滑剂的材料而使用的含氟醚化合物。
19.此外，本发明的目的是提供包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂。
20.此外，本发明的目的是提供具有包含本发明的含氟醚化合物的润滑层的具有优异的耐腐蚀性的磁记录介质。
21.用于解决课题的手段
22.本发明人等为了解决上述课题而反复进行了深入研究。
23.其结果发现，只要是在链状结构的中央配置甘油结构(-och2ch(oh)ch2o-)，在其两侧经由亚甲基(-ch
2-)而依次分别结合了全氟聚醚链、亚甲基、和具有2个或3个极性基的特定的末端基的含氟醚化合物即可，从而想到了本发明。
24.即，本发明涉及以下事项。本发明包含以下第一方案。
25.[1]一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。
[0026]r1-ch
2-r
2-ch
2-och2ch(oh)ch2o-ch
2-r
3-ch
2-r4(1)
[0027]
(在式(1)中，r2和r3为全氟聚醚链；r1和r4为末端基，其包含2个或3个极性基，各极性基分别与不同的碳原子结合，上述极性基结合的碳原子彼此经由包含未结合极性基的碳原子的连接基而结合。)
[0028]
本发明的第一方案的化合物优选包含以下[2]～[8]所描述的特征。这些特征也优选组合2个以上。
[0029]
[2]根据[1]所述的含氟醚化合物，在上述式(1)中，r1和r4所具有的极性基全部为羟基。
[0030]
[3]根据[1]或[2]所述的含氟醚化合物，在上述式(1)中，-ch
2-r1和-ch
2-r4由下述式(2)表示。
[0031]-ch
2-[a]-[b]-oz
ꢀꢀ
(2)
[0032]
(在式(2)中，[a]由下述式(3)表示，[b]由下述式(4)表示，z为h、或下述式(5)所示的基团；在式(2)中[a]与[b]也可以互换，在[a]与-oz直接结合的情况下z为下述式(5)所示的基团。)
[0033][0034][0035]-(ch2)
b-oh
…
(5)
[0036]
(在式(3)中，x为0～2的整数；在式(4)中，y为0～1的整数，a为1～4的整数；式(3)中的x与式(4)中的y之和为1或2；式(5)中的b为2～4的整数。)
[0037]
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r2和r3为下述式(6)～(8)中的任一者。
[0038]-cf2o-(cf2cf2o)
c-(cf2o)
d-cf2‑ꢀꢀ
(6)
[0039]
(在式(6)中，c和d表示平均聚合度，分别表示0～20；其中，c或d为0.1以上。)
[0040]-cf2cf2o-(cf2cf2cf2o)
e-cf2cf2‑ꢀꢀ
(7)
[0041]
(在式(7)中，e表示平均聚合度，表示0.1～20。)
[0042]-cf2cf2cf2o-(cf2cf2cf2cf2o)
f-cf2cf2cf2‑ꢀꢀ
(8)
[0043]
(在式(8)中，f表示平均聚合度，表示0.1～10。)
[0044]
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物，在上述式(1)中，r1和r4分别包含2个极性基。
[0045]
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的含氟醚化合物，在上述式(1)中，r1与r4相同。
[0046]
[7]根据[1]～[6]中任一项所述的含氟醚化合物，在上述式(1)中，r2与r3相同。
[0047]
[8]根据[1]～[7]中任一项所述的含氟醚化合物，其数均分子量在500～10000的范围内。
[0048]
本发明的第二方案为以下润滑剂。
[0049]
[9]一种磁记录介质用润滑剂，其特征在于，包含[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物。
[0050]
本发明的第三方案为以下磁记录介质。
[0051]
[10]一种磁记录介质，其特征在于，是在基板上至少依次设置了磁性层、保护层、和润滑层的磁记录介质，
[0052]
上述润滑层包含[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物。
[0053]
[11]根据[10]所述的磁记录介质，上述润滑层的平均膜厚为0.5nm～2.0nm。
[0054]
发明的效果
[0055]
本发明的含氟醚化合物由于为上述式(1)所示的化合物，因此可以作为获得磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层的磁记录介质用润滑剂的材料而使用。
[0056]
本发明的磁记录介质用润滑剂由于包含本发明的含氟醚化合物，因此可以形成磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层。
[0057]
本发明的磁记录介质由于具有包含本发明的含氟醚化合物的润滑层，因此具有优异的耐腐蚀性。因此，本发明的磁记录介质具有优异的可靠性和耐久性。此外，本发明的磁记录介质由于具有腐蚀抑制效果高的润滑层，因此可以使保护层和/或润滑层的厚度薄。
附图说明
[0058]
图1为显示本发明的磁记录介质的优选的一实施方式的概略截面图。
具体实施方式
[0059]
以下，对本发明的含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂(以下，有时简写为“润滑剂”。)和磁记录介质的优选的例子进行详细说明。需要说明的是，本发明不仅仅限定于以下所示的实施方式。例如，本发明不仅仅限定于以下例子，在不超出本发明的宗旨的范围，可以对数、量、比率、组成、种类、位置、材料、构成等进行附加、省略、置换、变更。
[0060]
[含氟醚化合物]
[0061]
本实施方式的含氟醚化合物由下述式(1)表示。
[0062]r1-ch
2-r
2-ch
2-och2ch(oh)ch2o-ch
2-r
3-ch
2-r4ꢀꢀ
(1)
[0063]
(在式(1)中，r2和r3为全氟聚醚链；r1和r4为末端基，其包含2个或3个极性基，各极性基分别与不同的碳原子结合，上述极性基结合的碳原子彼此经由包含未结合极性基的碳原子的连接基而结合。)
[0064]
在式(1)所示的含氟醚化合物中，r1和r4各自独立地为包含2个或3个极性基的末端基。对于式(1)所示的含氟醚化合物，由于r1和r4具有极性基，因此在使用包含该含氟醚化合物的润滑剂在保护层上形成了润滑层的情况下，在润滑层与保护层之间发生适合的相互作用。
[0065]
在式(1)所示的含氟醚化合物中，r1所包含的极性基与r4所包含的极性基的合计数为4～6。由于上述合计数为4以上，因此包含含氟醚化合物的润滑层与保护层的附着性(密合性)高。此外，由于上述合计数为6以下，因此在具有包含含氟醚化合物的润滑层的磁记录介质中，可以防止含氟醚化合物的极性过高而发生作为异物(污渍)附着于磁头的粘着(pick up)。
[0066]
r1所包含的极性基的数与r4所包含的极性基的数优选相同。即，优选r1和r4分别包含2个极性基，或r1和r4分别包含3个极性基。在该情况下，由于包含含氟醚化合物的润滑剂与保护层平衡好地密合，因此易于获得具有高被覆率的润滑层。特别是，在r1和r4分别包含2个极性基的情况下，含氟醚化合物所包含的极性基彼此的相互作用不会过多，极性基的偏置也少，因此分子内凝集不易发生。而且，在r1和r4分别包含2个极性基的情况下，分子的亲水性不会过高，从而成为具有适度的疏水性的含氟醚化合物。基于这些，包含r1和r4分别包含2个极性基的含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性优异，磁记录介质的腐蚀抑制效果高，是更优选的。
[0067]
r1和r4所包含的极性基可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等来适当选择。作为r1和r4所包含的极性基，可举出例如，羟基(-oh)、氨基(-nh2)、羧基(-cooh)、醛基(-coh)、羰基(-co-)、磺基(-so3h)等。它们之中，r1和r4所包含的极性基特别优选为羟基。羟基与保护层、特别是由碳系的材料形成的保护层的相互作用大。因此，如果r1和/或r4所具有的极性基为羟基，则包含含氟醚化合物的润滑层与保护层的附着性(密合性)高。为了获得与保护层的密合性高的润滑层，r1和r4所具有的2个或3个极性基更优选全部为羟基。
[0068]
r1和r4所包含的各极性基分别与不同的碳原子结合。在r1和r4中，极性基结合的碳原子彼此经由包含未结合极性基的碳原子的连接基而结合。因此，式(1)所示的含氟醚化合物例如与结合极性基的碳原子彼此结合的情况相比，疏水性良好。由此推定，包含式(1)所示的含氟醚化合物的润滑层可以防止水的侵入，可以有效地抑制磁记录介质的腐蚀。
[0069]
在r1和r4中，末端极性基结合的碳原子、与与末端极性基相邻的极性基结合的碳原子之间的连接基只要包含未结合极性基的碳原子即可，可以具有氧原子，也可以不具有氧原子。换言之，末端极性基结合的碳原子、与与末端极性基相邻的极性基结合的碳原子之间的连接基可以包含醚键(-o-)，也可以不包含醚键。
[0070]
在r1和r4中，在末端极性基结合的碳原子、与与末端极性基相邻的极性基结合的碳原子之间的连接基包含氧原子的情况下，上述连接基优选具有由包含未结合极性基的碳原子在内的3～9个原子形成的直链状的结构，更优选具有由3～5个原子形成的直链状的结构。即使在上述连接基包含氧原子的情况下，在为由包含未结合极性基的碳原子在内的3个以上原子形成的直链状的结构的情况下，也成为具有良好的疏水性的含氟醚化合物。此外，
在上述连接基为由9个以下原子形成的直链状的结构的情况下，不会连接基的疏水性过高而对与保护层的密合性带来障碍。其结果，包含上述连接基为由上述原子数形成的直链状的结构的含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性优异，可以防止水的侵入，磁记录介质的腐蚀抑制效果高。
[0071]
在r1和r4中，在末端极性基结合的碳原子、与与末端极性基相邻的极性基结合的碳原子之间的连接基不包含氧原子的情况下，上述连接基优选具有由包含未结合极性基的碳原子在内的1～4个原子形成的直链状的结构。在上述连接基不包含氧原子且为由包含未结合极性基的碳原子在内的1个以上原子形成的直链状的结构的情况下，成为具有良好的疏水性的含氟醚化合物。此外，在上述连接基为由4个以下原子形成的直链状的结构的情况下，不会连接基的疏水性过高而对与保护层的密合性带来障碍。其结果，包含上述连接基为由上述原子数形成的直链状的结构的含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性优异，可以防止水的侵入，磁记录介质的腐蚀抑制效果高。
[0072]
r1与r4可以相同，也可以不同。在r1与r4相同的情况下，成为在保护层上易于均匀地润湿扩展，易于获得具有均匀的膜厚的润滑层的含氟醚化合物。其结果，包含该含氟醚化合物的润滑层易于具有良好的被覆率，是优选的。此外，在r1与r4相同的情况下，与r1与r4不同的情况相比，可以以少的制造工序效率好地制造。
[0073]
在式(1)所示的含氟醚化合物中，-ch
2-r1和-ch
2-r4优选由下述式(2)表示。
[0074]-ch
2-[a]-[b]-oz
ꢀꢀ
(2)
[0075]
(在式(2)中，[a]由下述式(3)表示，[b]由下述式(4)表示，z为h、或下述式(5)所示的基团；在式(2)中[a]与[b]可以互换，在[a]与-oz直接结合的情况下z为下述式(5)所示的基团。)
[0076][0077][0078]-(ch2)
b-oh
…
(5)
[0079]
(在式(3)中，x为0～2的整数；在式(4)中，y为0～1的整数，a为1～4的整数；式(3)中的x与式(4)中的y之和为1或2；式(5)中的b为2～4的整数。)
[0080]
式(2)所示的-ch
2-r1和-ch
2-r4例如分别可以具有式(3)所示的1个[a]和式(4)所示的1个[b]，也可以具有1个或2个仅[a]，也可以仅具有1个[b]。在具有[a]和[b]两者的情况下，[a]和[b]的哪个都可以配置在全氟聚醚链侧。此外，在[a]与-oz直接结合的情况下，z为式(5)所示的基团。
[0081]
由于-ch
2-r1和-ch
2-r4由式(2)表示，因此在r1和/或r4所包含的羟基为2个或3个的情况下，末端的羟基结合的碳原子、与与末端的羟基相邻的羟基结合的碳原子之间的连接基具有由适当的原子数形成的直链状的结构。进一步，在r1和/或r4所包含的羟基为3个的情
况下，被配置在全氟聚醚链侧的羟基结合的碳原子、与与该羟基相邻的羟基结合的碳原子之间的连接基也具有由适当的原子数形成的直链状的结构。因此，在-ch
2-r1和-ch
2-r4由式(2)表示的情况下，成为具有适当的疏水性的含氟醚化合物。
[0082]
在式(2)中在[a]与-oz直接结合的情况下，z为式(5)所示的基团，z不为h。例如，在[a]与-oz直接结合的情况下如果z为h，则成为[a]所具有的羟基结合的碳原子、与-oz的z为h的羟基结合的碳原子直接结合的末端基。因此，含氟醚化合物的亲水性变高。其结果，包含含氟醚化合物的润滑层的疏水性不足，设置了润滑层的磁记录介质的耐腐蚀性变得不充分。
[0083]
此外，在式(2)中，式(3)中的x为0～2的整数，式(4)中的y为0～1的整数，式(3)中的x与式(4)中的y之和为1或2。因此，式(1)所示的含氟醚化合物中的-ch
2-r1和/或-ch
2-r4所占的比例不会过多。因此，在分子中充分包含r2和r3所示的全氟聚醚链，成为疏水性更良好的含氟醚化合物。
[0084]
在式(2)中，在式(4)中的y为1且a为1～4的整数的情况下，成为具有适当的疏水性的含氟醚化合物，是优选的。为了成为具有更适当的疏水性的含氟醚化合物，式(4)中的a优选为2～4的整数。
[0085]
在式(2)中，在z为式(5)且b为2～4的整数的情况下，成为具有适当的疏水性的含氟醚化合物，是优选的。在z为式(5)且b为2以上的情况下，成为与z结合的醚键(-o-)的氧原子与式(5)所具有的羟基分别与不同的碳原子结合的末端基。由此，通过醚键的柔软性，从而可以防止式(5)所具有的羟基与[a]和/或[b]所具有的羟基接近而凝集，或含氟醚化合物的亲水性变得过高。此外，在b为4以下的情况下，不会连接基的疏水性过高而对与保护层的密合性带来障碍。为了成为具有更适当的疏水性的含氟醚化合物，上述式(5)中的b优选为3～4的整数。
[0086]
在上述式(1)所示的含氟醚化合物中，r2和r3为全氟聚醚链(pfpe链)。在将包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂涂布在保护层上而形成了润滑层的情况下，r2和r3所示的pfpe链被覆保护层的表面，并且向润滑层赋予润滑性而使磁头与保护层的摩擦力减少。此外，pfpe链通过其低表面能而向包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层赋予耐水性，使设置了润滑层的磁记录介质的耐腐蚀性提高。
[0087]
r2和r3只要是pfpe链即可，可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等来适当选择。作为pfpe链，可举出例如，由全氟甲醛聚合物、全氟环氧乙烷聚合物、全氟环氧正丙烷聚合物、全氟环氧异丙烷聚合物、它们的共聚物形成的pfpe链等。
[0088]
具体而言，式(1)中的r2和r3优选为下述式(6)～(8)中的任一者。需要说明的是，对式(6)中的作为重复单元的(cf2cf2o)与(cf2o)的排列顺序没有特别限制。式(6)可以包含由单体单元(cf
2-cf
2-o)和(cf
2-o)形成的无规共聚物、嵌段共聚物、和交替共聚物中的任一者。
[0089]-cf2o-(cf2cf2o)
c-(cf2o)
d-cf2‑ꢀꢀ
(6)
[0090]
(在式(6)中，c和d表示平均聚合度，分别表示0～20；其中，c或d为0.1以上。)
[0091]-cf2cf2o-(cf2cf2cf2o)
e-cf2cf2‑ꢀꢀ
(7)
[0092]
(在式(7)中，e表示平均聚合度，表示0.1～20。)
[0093]-cf2cf2cf2o-(cf2cf2cf2cf2o)
f-cf2cf2cf2‑ꢀꢀ
(8)
[0094]
(在式(8)中，f表示平均聚合度，表示0.1～10。)
[0095]
式(6)中的表示平均聚合度的c、d分别为0～20(其中，c或d为0.1以上。)，式(7)中的表示平均聚合度的e为0.1～20，式(8)中的表示平均聚合度的f为0.1～10。如果c、d、e、f为0.1以上，则成为获得具有良好的耐磨损性，并且可以更抑制磁记录介质的腐蚀的润滑层的含氟醚化合物。此外，如果c、d、e分别为20以下，f为10以下，则含氟醚化合物的粘度不会过高，包含该含氟醚化合物的润滑剂易于涂布，是优选的。为了成为在保护层上易于润湿扩展，易于获得具有均匀的膜厚的润滑层的含氟醚化合物，表示平均聚合度的c、d、e、f都优选为2～10，更优选为3～8。c、d、e根据需要分别可以为0.5～18、1～16、3～14、4～7、5～6。f根据需要分别可以为1～10、2～9、3～8、3～6、4～7、5～6。
[0096]
在式(1)中的r2和r3为式(6)～式(8)中的任一者的情况下，含氟醚化合物的合成容易，是优选的。在r2和r3为式(6)或式(7)的情况下，由于原料获得容易，因此是更优选的。
[0097]
此外，在r2和r3为式(6)～式(8)中的任一者的情况下，全氟聚醚链中的、氧原子数(醚键(-o-)数)相对于碳原子数的比例是适当的。因此，成为具有适度的硬度的含氟醚化合物。因此，被涂布在保护层上的含氟醚化合物在保护层上不易凝集，可以以充分的被覆率形成厚度更加薄的润滑层。
[0098]
在式(1)所示的含氟醚化合物中，r2和r3所示的pfpe链可以相同，也可以不同。在r2与r3相同的情况下，含氟醚化合物的合成容易，是优选的。
[0099]
进一步，r2与r3相同，且r1与r4也相同的含氟醚化合物由于成为以甘油结构作为中心的对称结构，因此在保护层上易于均匀地润湿扩展，易于获得具有均匀的膜厚的润滑层，是更优选的。此外，r2与r3相同，且r1与r4也相同的含氟醚化合物可以以少的制造工序容易效率好地制造。
[0100]
在式(1)所示的含氟醚化合物中，被配置在链状结构的中央的甘油结构(-och2ch(oh)ch2o-)的羟基(-oh)使包含含氟醚化合物的润滑层的与保护层的密合性提高。
[0101]
此外，被配置在甘油结构的两端部的氧原子与被配置在其两侧的亚甲基(-ch
2-)结合而形成醚键(-o-)。该2个醚键向式(1)所示的含氟醚化合物赋予适度的柔软性，使甘油结构所具有的羟基与保护层的亲和性增大。
[0102]
此外，对于式(1)所示的含氟醚化合物，在被配置在链状结构的中央的甘油结构、与r1和r4所示的末端基之间，分别配置有全氟聚醚链(r2和r3)。因此，甘油结构所具有的羟基(-oh)、与r1和r4所示的末端基所具有的极性基的距离是适当的。因此，甘油结构所具有的羟基和r1和r4所示的末端基所具有的极性基都不易通过相邻的极性基而阻碍与保护层上的活性点的结合。因此，甘油结构所具有的羟基、和r1和r4所示的末端基所具有的极性基都易于参与与保护层上的活性点的结合。换言之，上述含氟醚化合物所具有的极性基全部不易成为未参与与保护层上的活性点的结合的极性基。因此，对于上述含氟醚化合物，可以抑制未参与与保护层上的活性点的结合的极性基的数。其结果，对于包含上述含氟醚化合物的润滑层，由于被覆率高，使污染物质生成的环境物质不易从间隙侵入，因此可以抑制磁记录介质的腐蚀。
[0103]
此外，对于上述含氟醚化合物，由于甘油结构所具有的羟基、与r1和r4所示的末端基所具有的极性基的距离是适当的，因此甘油结构所具有的羟基与r1和r4所示的末端基所具有的极性基不易凝集。而且，各全氟聚醚链的两端部分别通过甘油结构所具有的羟基、和
[b]-oz表示。
[0122]
下述式(2a)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0123]
下述式(2b)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为3。
[0124]
下述式(2c)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为4。
[0125]
下述式(2d)所示的化合物的式(3)中的x为2，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0126]
下述式(2e)所示的化合物的式(3)中的x为2，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为3。
[0127]
下述式(2f)所示的化合物的式(3)中的x为2，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为4。
[0128]
下述式(2g)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为1，z为氢原子。
[0129]
下述式(2h)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为2，z为氢原子。
[0130]
下述式(2i)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为4，z为氢原子。
[0131]
下述式(2j)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为1，a为1，z为氢原子。
[0132]
下述式(2k)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为1，z为式(5)。式(5)中的b为3。
[0133]
下述式(2l)所示的化合物的-ch
2-r1为式(2)所示的基团，式(2)的结合顺序由-ch
2-[b]-[a]-oz表示。式(3)中的x为1，式(4)中的y为1，a为2，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0134]
下述式(3a)～(3l)所示的化合物都r1与r4相同。下述式(3a)～(3l)所示的化合物都r2与r3相同，r2和r3为上述式(7)所示的pfpe链。
[0135]
下述式(3a)～(3k)中的-ch
2-r1都由式(2)表示，式(2)的结合顺序由-ch
2-[a]-[b]-oz表示。
[0136]
下述式(3a)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0137]
下述式(3b)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为3。
[0138]
下述式(3c)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为4。
[0139]
下述式(3d)所示的化合物的式(3)中的x为2，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0140]
下述式(3e)所示的化合物的式(3)中的x为2，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为3。
[0141]
下述式(3f)所示的化合物的式(3)中的x为2，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为4。
[0142]
下述式(3g)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为1，z为氢原子。
[0143]
下述式(3h)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为2，z为氢原子。
[0144]
下述式(3i)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为4，z为氢原子。
[0145]
下述式(3j)所示的化合物的式(3)中的x为1，式(4)中的y为1，a为1，z为氢原子。
[0146]
下述式(3k)所示的化合物的式(3)中的x为0，式(4)中的y为1，a为1，z为式(5)。式(5)中的b为3。
[0147]
下述式(3l)所示的化合物的-ch
2-r1为式(2)所示的基团，式(2)的结合顺序由-ch
2-[b]-[a]-oz表示。式(3)中的x为1，式(4)中的y为1，a为2，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0148]
下述式(4a)所示的化合物的r1与r4相同，r2与r3相同，r2和r3为上述式(8)所示的pfpe链。
[0149]
下述式(4a)所示的化合物的-ch
2-r1为式(2)所示的基团，式(2)的结合顺序由-ch
2-[a]-[b]-oz表示。式(3)中的x为1，式(4)中的y为0，z为式(5)。式(5)中的b为2。
[0150][0151]
(在式(1a)中，ma1、ma2、na1、na2表示平均聚合度，ma1、ma2表示0.1～20，na1、na2表示0.1～20。)
[0152]
(在式(1b)中，mb1、mb2、nb1、nb2表示平均聚合度，mb1、mb2表示0.1～20，nb1、nb2表示0.1～20。)
[0153]
(在式(1c)中，mc1、mc2、nc1、nc2表示平均聚合度，mc1、mc2表示0.1～20，nc1、nc2表示0.1～20。)
[0154][0155]
(在式(1d)中，md1、md2、nd1、nd2表示平均聚合度，md1、md2表示0.1～20，nd1、nd2表示0.1～20。)
[0156]
(在式(1e)中，me1、me2、ne1、ne2表示平均聚合度，me1、me2表示0.1～20，ne1、ne2表示0.1～20。)
[0157]
(在式(1f)中，mf1、mf2、nf1、nf2表示平均聚合度，mf1、mf2表示0.1～20，nf1、nf2表示0.1～20。)
[0158][0159]
(在式(1g)中，mg1、mg2、ng1、ng2表示平均聚合度，mg1、mg2表示0.1～20，ng1、ng2表示0.1～20。)
[0160]
(在式(1h)中，mh1、mh2、nh1、nh2表示平均聚合度，mh1、mh2表示0.1～20，nh1、nh2表示0.1～20。)
[0161]
(在式(1i)中，mi1、mi2、ni1、ni2表示平均聚合度，mi1、mi2表示0.1～20，ni1、ni2表示0.1～20。)
[0162][0163]
(在式(1j)中，mj1、mj2、nj1、nj2表示平均聚合度，mj1、mj2表示0.1～20，nj1、nj2表示0.1～20。)
[0164]
(在式(1k)中，mk1、mk2、nk1、nk2表示平均聚合度，mk1、mk2表示0.1～20，nk1、nk2表示0.1～20。)
[0165]
(在式(1l)中，ml1、ml2、nl1、nl2表示平均聚合度，ml1、ml2表示0.1～20，nl1、nl2表示0.1～20。)
[0166]
(在式(1m)中，mm1、mm2、nm1、nm2表示平均聚合度，mm1、mm2表示0.1～20，nm1、nm2表示0.1～20。)
[0167][0168]
(在式(2a)中，m’a1、m’a2表示平均聚合度，m’a1、m’a2表示0.1～20。)
[0169]
(在式(2b)中，m’b1、m’b2表示平均聚合度，m’b1、m’b2表示0.1～20。)
[0170]
(在式(2c)中，m’c1、m’c2表示平均聚合度，m’c1、m’c2表示0.1～20。)
[0171][0172]
(在式(2d)中，m’d1、m’d2表示平均聚合度，m’d1、m’d2表示0.1～20。)
[0173]
(在式(2e)中，m’e1、m’e2表示平均聚合度，m’e1、m’e2表示0.1～20。)
[0174]
(在式(2f)中，m’f1、m’f2表示平均聚合度，m’f1、m’f2表示0.1～20。)
[0175][0176]
(在式(2g)中，m’g1、m’g2表示平均聚合度，m’g1、m’g2表示0.1～20。)
[0177]
(在式(2h)中，m’h1、m’h2表示平均聚合度，m’h1、m’h2表示0.1～20。)
[0178]
(在式(2i)中，m’i1、m’i2表示平均聚合度，m’i1、m’i2表示0.1～20。)
[0179][0180]
(在式(2j)中，m’j1、m’j2表示平均聚合度，m’j1、m’j2表示0.1～20。)
[0181]
(在式(2k)中，m’k1、m’k2表示平均聚合度，m’k1、m’k2表示0.1～20。)
[0182]
(在式(2l)中，m’l1、m’l2表示平均聚合度，m’l1、m’l2表示0.1～20。)
[0183][0184]
(在式(3a)中，pa1、pa2表示平均聚合度，pa1、pa2表示0.1～20。)
[0185]
(在式(3b)中，pb1、pb2表示平均聚合度，pb1、pb2表示0.1～20。)
[0186]
(在式(3c)中，pc1、pc2表示平均聚合度，pc1、pc2表示0.1～20。)
[0187][0188]
(在式(3d)中，pd1、pd2表示平均聚合度，pd1、pd2表示0.1～20。)
[0189]
(在式(3e)中，pe1、pe2表示平均聚合度，pe1、pe2表示0.1～20。)
[0190]
(在式(3f)中，pf1、pf2表示平均聚合度，pf1、pf2表示0.1～20。)
[0191][0192]
(在式(3g)中，pg1、pg2表示平均聚合度，pg1、pg2表示0.1～20。)
[0193]
(在式(3h)中，ph1、ph2表示平均聚合度，ph1、ph2表示0.1～20。)
[0194]
(在式(3i)中，pi1、pi2表示平均聚合度，pi1、pi2表示0.1～20。)
[0195][0196]
(在式(3j)中，pj1、pj2表示平均聚合度，pj1、pj2表示0.1～20。)
[0197]
(在式(3k)中，pk1、pk2表示平均聚合度，pk1、pk2表示0.1～20。)
[0198]
(在式(3l)中，pl1、pl2表示平均聚合度，pl1、pl2表示0.1～20。)
[0199]
(在式(4a)中，qa1、qa2表示平均聚合度，qa1、qa2表示0.1～10。)
[0200]
如果式(1)所示的化合物为上述式(1a)～(1m)、(2a)～(2l)、(3a)～(3l)、(4a)所示的任一化合物，则原料易于获得，可以形成即使厚度薄也可以抑制磁记录介质的腐蚀的
润滑层，是优选的。
[0201]
本实施方式的含氟醚化合物可以任意选择，但数均分子量(mn)优选为500～10000的范围内，更优选为700～7000的范围内，特别优选为1000～5000的范围内。如果数均分子量为500以上，则包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂不易蒸发，可以防止润滑剂蒸发而移附于磁头。此外，如果数均分子量为10000以下，则含氟醚化合物的粘度变得适当，通过涂布包含该含氟醚化合物的润滑剂，从而可以容易地形成厚度薄的润滑层。如果数均分子量为5000以下，则在应用于润滑剂的情况下成为易于操作的粘度，因此是更优选的。上述数均分子量例如可以为1000～4500、1200～4000、1400～3500、1600～3000、1800～2800、2000～2600、2100～2500等的范围。
[0202]
含氟醚化合物的数均分子量(mn)为通过采用
ブルカー
·
バイオスピン
社制avanceiii400的1h-nmr和
19
f-nmr而测定的值。在nmr(核磁共振)的测定中，将试样稀释于六氟苯、d-丙酮、d-四氢呋喃等的单独或混合溶剂，使用于测定。
19
f-nmr化学位移的基准将六氟苯的峰设为-164.7ppm。1h-nmr化学位移的基准将丙酮的峰设为2.2ppm。
[0203]“制造方法”[0204]
本实施方式的含氟醚化合物的制造方法没有特别限定，可以使用以往公知的制造方法制造。本实施方式的含氟醚化合物例如可以使用以下所示的制造方法制造。
[0205]
在制造r1与r4相同，且r2和r3所示的2个pfpe链相同的化合物的情况下，首先，准备在与式(1)中的r2(＝r3)对应的全氟聚醚链的两末端分别配置了羟基甲基(-ch2oh)的氟系化合物。接着，使被配置在上述氟系化合物的一个末端的羟基甲基的羟基、与具有由式(1)中的-r1(＝-r4)构成的基团的环氧化合物反应(第1反应)。由此，获得在与r2(＝r3)对应的全氟聚醚链的一个末端具有与-r1(＝-r4)对应的基团的中间体化合物。
[0206]
具有由-r1(＝-r4)构成的基团的环氧化合物可以将羟基使用适当的保护基进行保护后，使其与上述氟系化合物反应。
[0207]
然后，使被配置在上述中间体化合物末端的羟基甲基的羟基与表溴醇反应而获得环氧化合物，进一步使另一分子的上述中间体化合物的末端羟基与所述环氧化合物反应(第2反应)。
[0208]
通过进行以上工序，从而可以制造在链状结构的中央具有甘油结构，在式(1)中r1与r4相同，且r2和r3所示的2个pfpe链相同的化合物。
[0209]
在r1与r4、r2与r3所示的2个pfpe链之中的任1个以上不同的情况下，与制造在上述式(1)中，r1与r4相同，且r2和r3所示的2个pfpe链相同的化合物的情况同样地操作，制造在与r2对应的全氟聚醚链的一个末端具有与-r1对应的基团的第1中间体化合物。
[0210]
接下来，与在一个末端具有与-r1对应的基团的第1中间体化合物同样地操作，制造在与r3对应的全氟聚醚链的一个末端具有与-r4对应的基团的第2中间体化合物。
[0211]
然后，使第2中间体化合物与使第1中间体化合物与表溴醇反应而形成的环氧化合物反应。
[0212]
通过进行以上工序，从而可以制造在链状结构的中央具有甘油结构，在式(1)中r1与r4、r2和r3所示的2个pfpe链之中的任1个以上不同的化合物。
[0213]
通过以上方法，获得式(1)所示的化合物。
[0214]
在制造本实施方式的含氟醚化合物时所使用的环氧化合物，例如，可以通过使具
有与由制造的含氟醚化合物的-r1(或-r4)构成的基团对应的结构的醇、与选自表氯醇、表溴醇、2-溴乙基环氧乙烷、烯丙基缩水甘油基醚中的任一具有环氧基的化合物反应来合成。这样的环氧化合物可以通过将不饱和键进行氧化的方法来合成，也可以购入市售品而使用。
[0215]
这里，对使用包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂，在保护层上形成的润滑层的功能进行说明。
[0216]
作为磁记录介质的腐蚀的原因，可举出存在于磁记录介质的表面的离子性的污染物质。离子性的污染物质多数在磁记录介质的制造工序中从外部附着。关于离子性的污染物质，也有时侵入到硬磁盘驱动器(磁记录再生装置)内的环境物质附着于磁记录介质而生成。具体而言，例如，磁记录介质和/或硬磁盘驱动器在高温/高湿条件下被保持，从而有时在磁记录介质的表面附着包含离子等环境物质的水。包含离子等环境物质的水如果穿过被形成在磁记录介质的表面的润滑层，则使存在于润滑层下的微少的离子成分凝聚，使离子性的污染物质生成。
[0217]
本实施方式的含氟醚化合物由于为式(1)所示的化合物，因此包含该含氟醚化合物的润滑层的磁记录介质的腐蚀抑制效果高。磁记录介质的腐蚀抑制效果基于使用包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂而形成在保护层上的润滑层与保护层的密合性和耐水性优异，具有适当的疏水性，易于以均匀的被覆状态形成在保护层上的协同效果。
[0218]
更详细而言，形成在保护层上的润滑层通过式(1)所示的含氟醚化合物的被配置在链状结构的中央的甘油结构(-och2ch(oh)ch2o-)的羟基(-oh)、与r1和r4中分别包含2个或3个的极性基而与保护层密合。其结果，通过润滑层来妨碍污染物质向磁记录介质内部的侵入，抑制磁记录介质的腐蚀。
[0219]
此外，对于式(1)所示的含氟醚化合物，在被配置在链状结构的中央的甘油结构的羟基、与r1和r4所示的末端基之间，配置有r2和r3所示的pfpe链。因此，甘油结构的羟基、与r1和r4所示的末端基所具有的极性基的距离变得适当。其结果，甘油结构所具有的羟基与r1和r4所示的末端基所具有的极性基不易凝集，与保护层密合。其结果，式(1)所示的含氟醚化合物在保护层上易于润湿扩展，包含该含氟醚化合物的润滑层易于以均匀的被覆状态形成。以均匀的被覆状态形成的润滑层的被覆率高，使污染物质生成的环境物质不易从间隙侵入，抑制磁记录介质的腐蚀。
[0220]
此外，式(1)所示的含氟醚化合物具有r2和r3所示的pfpe链。润滑层所包含的r2和r3所示的pfpe链被覆保护层的表面，并且表面能低从而向润滑层赋予耐水性。因此，关于包含式(1)所示的含氟醚化合物的润滑层，水不易穿过，可以妨碍水向磁记录介质内部的侵入，使磁记录介质的耐腐蚀性提高。
[0221]
进一步，对于式(1)所示的含氟醚化合物，r1和r4所包含的各极性基分别与不同的碳原子结合，极性基结合的碳原子彼此经由包含未结合极性基的碳原子的连接基而结合。可以认为在高温/高湿条件下，含氟醚化合物发生由热引起的分子运动，水从分子间的间隙侵入。因此，即使被配置在分子末端的r1和r4分别包含2个或3个极性基，也通过极性基结合的碳原子和连接基所包含的碳原子的疏水性，从而包含式(1)所示的含氟醚化合物的润滑层具有适当的疏水性。其结果，通过润滑层，从而防止水向磁记录介质内部的侵入，抑制磁记录介质的腐蚀。
[0222]
[磁记录介质用润滑剂]
[0223]
本实施方式的磁记录介质用润滑剂包含式(1)所示的含氟醚化合物。
[0224]
本实施方式的润滑剂只要为不损害由包含式(1)所示的含氟醚化合物带来的特性的范围内，就可以将作为润滑剂的材料而使用的公知的材料根据需要混合使用。
[0225]
作为公知的材料的具体例，可举出例如，fomblin(注册商标)zdiac、fomblin zdeal、fomblin am-2001(以上，solvay solexis社制)、moresco a20h(moresco社制)等。与本实施方式的润滑剂混合使用的公知的材料优选数均分子量为1000～10000。
[0226]
在本实施方式的润滑剂包含除式(1)所示的含氟醚化合物以外的材料的情况下，优选本实施方式的润滑剂中的式(1)所示的含氟醚化合物的含量为50质量％以上，更优选为70质量％以上。式(1)所示的含氟醚化合物的含量可以为80质量％以上，也可以为90质量％以上。然而不仅仅限定于这些例子。
[0227]
本实施方式的润滑剂由于包含式(1)所示的含氟醚化合物，因此可以形成抑制磁记录介质的腐蚀的效果高的润滑层。由本实施方式的润滑剂形成的润滑层由于磁记录介质的腐蚀抑制效果高，因此可以使厚度薄。
[0228]
[磁记录介质]
[0229]
本实施方式的磁记录介质在基板上至少依次设置了磁性层、保护层和润滑层。
[0230]
对于本实施方式的磁记录介质，在基板与磁性层之间，可以根据需要设置1层或2层以上基底层。此外，也可以在基底层与基板之间设置附着层和/或软磁性层。
[0231]
图1为显示本发明的磁记录介质的一实施方式的概略截面图。
[0232]
本实施方式的磁记录介质10形成在基板11上依次设置了附着层12、软磁性层13、第1基底层14、第2基底层15、磁性层16、保护层17、和润滑层18的结构。
[0233]“基板”[0234]
作为基板11，可以使用例如，在由al或al合金等金属或合金材料形成的基体上，形成了由nip或nip合金形成的膜的非磁性基板等。
[0235]
此外，作为基板11，可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料形成的非磁性基板，也可以使用在由这些非金属材料形成的基体上形成了nip或nip合金的膜的非磁性基板。
[0236]“附着层”[0237]
附着层12防止将基板11、与设置在附着层12上的软磁性层13相接配置的情况下发生的、基板11的腐蚀的进行。
[0238]
附着层12的材料例如可以从cr、cr合金、ti、ti合金、crti、nial、alru合金等适当选择。附着层12例如可以通过溅射法形成。
[0239]“软磁性层”[0240]
软磁性层13优选具有依次叠层了第1软磁性膜、由ru膜构成的中间层、和第2软磁性膜的结构。即，软磁性层13优选通过在2层软磁性膜之间夹入由ru膜构成的中间层，从而中间层的上下的软磁性膜具有进行了反铁耦合(afc)结合的结构。
[0241]
作为第1软磁性膜和第2软磁性膜的材料，可举出cozrta合金、cofe合金等。
[0242]
优选在第1软磁性膜和第2软磁性膜所使用的cofe合金中添加zr、ta、nb中的任一者。由此，第1软磁性膜和第2软磁性膜的非晶质化被促进，第1基底层(籽晶层)的取向性提高，并且能够使磁头的上浮量减少。
[0243]
软磁性层13例如可以通过溅射法形成。
[0244]“第1基底层”[0245]
第1基底层14为控制设置在其上的第2基底层15和磁性层16的取向和结晶尺寸的层。
[0246]
作为第1基底层14，可举出例如，cr层、ta层、ru层、或crmo合金层、cow合金层、crw合金层、crv合金层、crti合金层等。
[0247]
第1基底层14例如可以通过溅射法形成。
[0248]“第2基底层”[0249]
第2基底层15为以磁性层16的取向变得良好的方式控制的层。第2基底层15优选为由ru或ru合金形成的层。
[0250]
第2基底层15可以为由1层构成的层，也可以由多层构成。在第2基底层15由多层构成的情况下，可以全部层由相同材料构成，也可以至少一层由不同的材料构成。
[0251]
第2基底层15例如可以通过溅射法形成。
[0252]“磁性层”[0253]
磁性层16由易磁化轴相对于基板面朝向垂直或水平方向的磁性膜构成。磁性层16为包含co和pt的层，进一步为了改善snr特性，可以为包含氧化物、cr、b、cu、ta、zr等的层。
[0254]
作为磁性层16所含有的氧化物，可举出sio2、sio、cr2o3、coo、ta2o3、tio2等。
[0255]
磁性层16可以由1层构成，也可以由由组成不同的材料形成的多个磁性层构成。
[0256]
例如，在磁性层16由从下方起依次叠层的第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成的情况下，第1磁性层优选为由包含co、cr、pt，进一步包含氧化物的材料形成的粒状结构。作为第1磁性层所含有的氧化物，优选使用例如，cr、si、ta、al、ti、mg、co等的氧化物。其中，特别是，可以适合使用tio2、cr2o3、sio2等。此外，第1磁性层优选由添加了2种以上氧化物的复合氧化物形成。其中，特别是，可以适合使用cr2o
3-sio2、cr2o
3-tio2、sio
2-tio2等。
[0257]
第1磁性层除了co、cr、pt、氧化物以外还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re中的1种以上元素。在第2磁性层中，可以使用与第1磁性层同样的材料。第2磁性层优选为粒状结构。
[0258]
第3磁性层优选为由包含co、cr、pt，不包含氧化物的材料形成的非粒状结构。第3磁性层除了co、cr、pt以外还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re、mn中的1种以上元素。
[0259]
在磁性层16由多个磁性层形成的情况下，优选在相邻的磁性层之间设置非磁性层。在磁性层16由第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成的情况下，优选在第1磁性层与第2磁性层之间、和在第2磁性层与第3磁性层之间设置非磁性层。
[0260]
设置在磁性层16的相邻的磁性层间的非磁性层可以适合使用例如，ru、ru合金、cocr合金、cocrx1合金(x1表示选自pt、ta、zr、re、ru、cu、nb、ni、mn、ge、si、o、n、w、mo、ti、v、b中的1种或2种以上元素。)等。
[0261]
优选在设置在磁性层16的相邻的磁性层间的非磁性层中，使用包含氧化物、金属氮化物、或金属碳化物的合金材料。具体而言，作为氧化物，可以使用例如，sio2、al2o3、ta2o5、cr2o3、mgo、y2o3、tio2等。作为金属氮化物，可以使用例如，aln，si3n4，tan，crn等。作为金属碳化物，可以使用例如，tac、bc、sic等。
[0262]
非磁性层例如可以通过溅射法形成。
[0263]
为了实现更高的记录密度，磁性层16优选为易磁化轴相对于基板面朝向垂直方向的垂直磁记录的磁性层。磁性层16可以为面内磁记录的磁性层。
[0264]
磁性层16可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控管溅射法等以往公知的任何方法形成。磁性层16通常通过溅射法形成。
[0265]“保护层”[0266]
保护层17保护磁性层16。保护层17可以由一层构成，也可以由多层构成。作为保护层17的材料，可举出碳、包含氮的碳、碳化硅等。
[0267]
作为保护层17，可以优选使用碳系保护层，特别优选无定形碳保护层。如果保护层17为碳系保护层，则与润滑层18中的含氟醚化合物所包含的羟基的相互作用更加提高，因此是优选的。
[0268]
碳系保护层与润滑层18的附着力能够通过使碳系保护层为氢化碳和/或氮化碳，调节碳系保护层中的氢含量和/或氮含量来控制。碳系保护层中的氢含量优选在通过氢前向散射法(hfs)测定时为3～20原子％。此外，碳系保护层中的氮含量优选在通过x射线光电子分光分析法(xps)测定时，为4～15原子％。
[0269]
碳系保护层所包含的氢和/或氮不需要在碳系保护层整体均匀地含有。碳系保护层例如为使保护层17的润滑层18侧含有氮，使保护层17的磁性层16侧含有氢的组成倾斜层是适合的。在该情况下，磁性层16和润滑层18、与碳系保护层的附着力更加提高。
[0270]
保护层17的膜厚为1nm～7nm为好。如果保护层17的膜厚为1nm以上，则充分获得作为保护层17的性能。如果保护层17的膜厚为7nm以下，则从保护层17的薄膜化的观点考虑是优选的。
[0271]
作为保护层17的成膜方法，可以使用使用包含碳的靶材的溅射法、使用乙烯、甲苯等烃原料的cvd(化学蒸镀法)法，ibd(离子束蒸镀)法等。
[0272]
在形成碳系保护层作为保护层17的情况下，例如可以通过dc磁控管溅射法成膜。特别是，在形成碳系保护层作为保护层17的情况下，优选通过等离子体cvd法而成膜无定形碳保护层。通过等离子体cvd法而成膜了的无定形碳保护层的表面均匀，粗糙度小。
[0273]“润滑层”[0274]
润滑层18防止磁记录介质10的污染。此外，润滑层18使在磁记录介质10上滑动的磁记录再生装置的磁头的摩擦力减少，使磁记录介质10的耐久性提高。
[0275]
润滑层18如图1所示那样，在保护层17上相接地形成。润滑层18包含上述含氟醚化合物。
[0276]
润滑层18在被配置在润滑层18下的保护层17为碳系保护层的情况下，特别是，与保护层17以高结合力结合。其结果，易于获得即使润滑层18的厚度薄也以高被覆率被覆了保护层17的表面的磁记录介质10，可以有效地防止磁记录介质10的表面的污染。
[0277]
润滑层18的平均膜厚优选为更优选为如果润滑层18的平均膜厚为0.5nm以上，则润滑层18不成为岛状或网眼状而以均匀的膜厚形成。因此，通过润滑层18，从而可以以高被覆率被覆保护层17的表面。此外，通过使润滑层18的平均膜厚为2.0nm以下，从而可以将润滑层18充分地
薄膜化，使磁头的上浮量充分小。
[0278]
在保护层17的表面未通过润滑层18以充分高的被覆率被覆的情况下，吸附在磁记录介质10的表面的环境物质穿过润滑层18的间隙，侵入到润滑层18下。侵入到润滑层18下的环境物质吸附、结合于保护层17，使污染物质生成。生成的污染物质(凝集成分)在磁记录再生时，作为污渍而附着(转印)于磁头，使磁头破损，或使磁记录再生装置的磁记录再生特性降低。
[0279]
作为使污染物质生成的环境物质，可举出例如，硅氧烷化合物(环状硅氧烷、直链硅氧烷)、离子性杂质、二十八烷等分子量较高的烃、邻苯二甲酸二辛酯等增塑剂等。作为离子性杂质所包含的金属离子，可以举出例如，钠离子、钾离子等。作为离子性杂质所包含的无机离子，可以举出例如，氯离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、铵根离子等。作为离子性杂质所包含的有机物离子，可以举出例如，草酸根离子、甲酸根离子等。
[0280]“润滑层的形成方法”[0281]
作为形成润滑层18的方法，可举出例如，准备在基板11上形成了直到保护层17为止的各层的制造中途的磁记录介质，在保护层17上涂布润滑层形成用溶液，使其干燥的方法。
[0282]
润滑层形成用溶液通过使上述实施方式的磁记录介质用润滑剂根据需要分散溶解于溶剂，制成适于涂布方法的粘度和浓度来获得。
[0283]
作为润滑层形成用溶液所使用的溶剂，可举出例如，
バートレル
(注册商标)xf(商品名，三井
デュポンフロロケミカル
社制)等氟系溶剂等。
[0284]
润滑层形成用溶液的涂布方法没有特别限定，可举出例如，旋转涂布法、喷雾法、纸涂布法、浸渍法等。
[0285]
在使用浸渍法的情况下，可以使用例如，以下所示的方法。首先，在加入到浸渍涂布装置的浸渍槽的润滑层形成用溶液中，浸渍形成了直到保护层17为止的各层的基板11。接着，从浸渍槽以规定的速度提拉基板11。由此，将润滑层形成用溶液涂布在基板11的保护层17上的表面。
[0286]
通过使用浸渍法，可以将润滑层形成用溶液均匀地涂布于保护层17的表面，可以在保护层17上以均匀的膜厚形成润滑层18。
[0287]
在本实施方式中，优选在基板11的表面形成了润滑层18后，进行抛光(精密研磨)工序。通过进行抛光工序，从而可以将存在于形成了润滑层18的基板11的表面的突起缺陷和颗粒除去，获得表面平滑的磁记录介质10。如果磁记录介质10的表面平滑，则可以使与磁头的间距损耗少，谋求信号特性的提高，因此是优选的。
[0288]
作为抛光工序，例如，可以为在形成了润滑层18的基板11的表面上，使抛光带进行扫描的工序。作为抛光带，可以使用例如，由保持了磨粒的树脂膜构成的物质。磨粒的粒度可以为例如，#6000～#20000。
[0289]
在本实施方式中，优选对形成了润滑层18的基板11实施热处理。通过实施热处理，从而润滑层18与保护层17的密合性提高，润滑层18与保护层17的附着力提高。
[0290]
热处理温度优选为100～180℃。如果热处理温度为100℃以上，则充分获得使润滑层18与保护层17的密合性提高的效果。此外，通过使热处理温度为180℃以下，从而可以防止润滑层18的热分解。热处理时间优选为10～120分钟。
[0291]
本实施方式的磁记录介质10在基板11上至少依次设置了磁性层16、保护层17、和润滑层18。对于本实施方式的磁记录介质10，与保护层17上相接地形成有包含上述含氟醚化合物的润滑层18。该润滑层18抑制磁记录介质10的腐蚀的效果高。因此，本实施方式的磁记录介质10存在于表面上的污染物质少，具有优异的耐腐蚀性，可靠性和耐久性良好。此外，本实施方式的磁记录介质10由于具有腐蚀抑制效果高的润滑层18，因此可以使保护层17和/或润滑层18的厚度薄。此外，本实施方式的磁记录介质10中的润滑层18不易使异物(污渍)产生，可以抑制粘着。
[0292]
实施例
[0293]
以下，通过实施例和比较例进一步具体地说明本发明。需要说明的是，本发明不仅仅限定于以下实施例。
[0294]
[实施例1]
[0295]
通过以下所示的方法，制造出上述式(1a)所示的化合物。
[0296]
在氮气气氛下，在200ml茄型烧瓶中加入hoch2cf2o(cf2cf2o)m(cf2o)ncf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的m为4.5，表示平均聚合度的n为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)20g、下述式(9)所示的化合物2.4g(分子量202.3，12mmol)、和叔丁醇19ml，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中进一步加入叔丁醇钾0.67g(分子量112.21，6mmol)，在70℃下搅拌16小时使其反应。
[0297]
式(9)所示的化合物通过使用二氢吡喃，将乙二醇单烯丙基醚进行了保护，将所得的化合物进行氧化来合成。
[0298]
将反应后获得的反应生成物冷却到25℃，向加入了水100ml的分液漏斗转移，用乙酸乙酯100ml提取3次。将有机层水洗，通过无水硫酸钠进行了脱水。在将干燥剂进行了过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行精制，作为中间体而获得了下述式(10)所示的化合物9.6g(分子量1202.3，8.0mmol)。
[0299][0300]
(在式(9)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0301]
(在式(10)中，表示平均聚合度的m表示4.5，表示平均聚合度的n表示4.5。在式(10)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0302]
在氮气气氛下在200ml茄型烧瓶中，加入作为中间体的式(10)所示的化合物9.6g(分子量1202.3，8.0mmol)、叔丁醇5.6ml、和叔丁醇钾0.539g(分子量112.21，4.8mmol)，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中加入表溴醇0.27ml(分子量137，3.3mmol)，在70℃下搅拌24小时使其反应。
[0303]
将反应后获得的反应液恢复到室温，加入10％的氯化氢/甲醇溶液(氯化氢-甲醇试剂(5-10％)东京化成工业株式会社制)31g，在室温下搅拌2小时。将反应液一点点地转移到加入了食盐水100ml的分液漏斗中，用乙酸乙酯200ml提取3次。将有机层以食盐水100ml、
饱和碳酸氢钠水100ml、食盐水100ml的顺序洗涤，通过无水硫酸钠进行了脱水。在将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行了精制。通过进行以上工序，从而获得了化合物(1a)(在式(1a)中，表示平均聚合度的ma1、ma2、na1、na2为4.5。)4.1g(分子量2292，1.8mmol)。
[0304]
进行所得的化合物(1a)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0305]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.46～4.24(36h)
[0306]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0307]
[实施例2]
[0308]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(11)所示的化合物2.6g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1b)所示的化合物(在式(1b)中，表示平均聚合度的mb1、mb2、nb1、nb2为4.5。)4.2g。
[0309]
式(11)所示的化合物通过将1,3-丙二醇的一个羟基用thp(四氢吡喃基)基进行保护，使另一个羟基与表溴醇反应来合成。
[0310][0311]
(在式(11)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0312]
进行所得的化合物(1b)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0313]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.57～1.81(4h)，3.38～4.25(36h)
[0314]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0315]
[实施例3]
[0316]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(12)所示的化合物2.8g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1c)所示的化合物(在式(1c)中，表示平均聚合度的mc1、mc2、nc1、nc2为4.5。)4.2g。
[0317]
式(12)所示的化合物通过将1,4-丁二醇的一个羟基用thp基进行保护，使另一个羟基与表溴醇反应来合成。
[0318][0319]
(在式(12)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0320]
进行所得的化合物(1c)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0321]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.55～1.83(8h)，3.40～4.25(36h)
[0322]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0323]
[实施例4]
[0324]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(13)所示的化合物3.8g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1d)所示的化合物(在式(1d)中，表示平均聚合度的md1、md2、nd1、nd2为4.5。)4.4g。
[0325][0326]
(在式(13)中，thp表示四氢吡喃基，mom表示甲氧基甲基。)
[0327]
式(13)所示的化合物通过以下方法合成。
[0328]
向3-烯丙基氧基-1,2-丙二醇所具有的伯羟基导入叔丁基二甲基甲硅烷基(tbs)基作为保护基，向所得的化合物的仲羟基导入甲氧基甲基(mom)基作为保护基。然后，从化合物除去tbs基，使2-溴乙氧基四氢吡喃与产生的伯羟基反应。将所得的化合物的双键进行了氧化。通过以上工序，获得了式(13)所示的化合物。
[0329]
进行所得的化合物(1d)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0330]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.37～4.32(48h)
[0331]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0332]
[实施例5]
[0333]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(14)所示的化合物4.0g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1e)所示的化合物(在式(1e)中，表示平均聚合度的me1、me2、ne1、ne2为4.5。)4.4g。
[0334][0335]
(在式(14)中，thp表示四氢吡喃基，mom表示甲氧基甲基。)
[0336]
式(14)所示的化合物通过以下方法合成。
[0337]
向3-烯丙基氧基-1,2-丙二醇的伯羟基导入tbs基，向所得的化合物的仲羟基导入了mom基。在将所得的化合物的tbs基除去后，使2-(氯丙氧基)四氢-2h-吡喃与产生的伯羟基反应。将所得的化合物的双键进行了氧化。通过以上工序，获得了式(14)所示的化合物。
[0338]
进行所得的化合物(1e)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0339]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.50～1.80(4h)，3.40～4.25(48h)
[0340]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0341]
[实施例6]
[0342]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(15)所示的化合物4.2g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1f)所示的化合物(在式(1f)中，表示平均聚合度的mf1、mf2、nf1、nf2为4.5。)4.5g。
[0343][0344]
(在式(15)中，thp表示四氢吡喃基，mom表示甲氧基甲基。)
[0345]
式(15)所示的化合物通过以下方法合成。
[0346]
向3-烯丙基氧基-1,2-丙二醇的伯羟基导入tbs基，向所得的化合物的仲羟基导入了mom基。在将所得的化合物的tbs基除去后，使2-(溴丁氧基)四氢-2h-吡喃与产生的伯羟
基反应。将所得的化合物的双键进行了氧化。通过以上工序，获得了式(15)所示的化合物。
[0347]
进行所得的化合物(1f)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0348]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.52～1.81(8h)，3.44～4.26(48h)
[0349]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0350]
[实施例7]
[0351]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(16)所示的化合物2.1g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1g)所示的化合物(在式(1g)中，表示平均聚合度的mg1、mg2、ng1、ng2为4.5。)4.0g。
[0352]
式(16)所示的化合物通过向3-丁烯-1-醇的伯羟基导入thp基，使所得的化合物的双键氧化来合成。
[0353][0354]
(在式(16)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0355]
进行所得的化合物(1g)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0356]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.50～4.32(32h)
[0357]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0358]
[实施例8]
[0359]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(17)所示的化合物2.2g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1h)所示的化合物(在式(1h)中，表示平均聚合度的mh1、mh2、nh1、nh2为4.5。)4.1g。
[0360]
式(17)所示的化合物通过向4-戊烯-1-醇的伯羟基导入thp基，使所得的化合物的双键氧化来合成。
[0361][0362]
(在式(17)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0363]
进行所得的化合物(1h)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0364]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.38～1.75(4h)，3.37～4.31(32h)
[0365]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0366]
[实施例9]
[0367]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(18)所示的化合物2.6g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1i)所示的化合物(在式(1i)中，表示平均聚合度的mi1、mi2、ni1、ni2为4.5。)4.2g。
[0368]
式(18)所示的化合物通过向6-庚烯-1-醇的伯羟基导入thp基，使所得的化合物的双键氧化来合成。
[0369]
[0370]
(在式(18)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0371]
进行所得的化合物(1i)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0372]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.39～1.84(12h)，3.35～4.35(32h)
[0373]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0374]
[实施例10]
[0375]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(19)所示的化合物3.0g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1j)所示的化合物(在式(1j)中，表示平均聚合度的mj1、mj2、nj1、nj2为4.5。)4.3g。
[0376][0377]
(在式(19)中，ph表示苯基。)
[0378]
式(19)所示的化合物通过以下方法合成。
[0379]
使苯甲醛二甲基缩醛与1,2,4-丁三醇反应，合成出将与1,2,4-丁三醇的2位的碳和4位的碳结合了的羟基进行了保护的化合物。通过使该化合物与表溴醇反应，从而合成出式(19)所示的化合物。
[0380]
进行所得的化合物(1j)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0381]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.38～4.36(44h)
[0382]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0383]
[实施例11]
[0384]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(20)所示的化合物2.8g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1k)所示的化合物(在式(1k)中，表示平均聚合度的mk1、mk2、nk1、nk2为4.5。)4.2g。
[0385][0386]
(在式(20)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0387]
式(20)所示的化合物通过以下方法合成。
[0388]
通过使3-丁烯-1-醇与2-(3-溴丙氧基)四氢-2h-吡喃反应而使所得的化合物的双键氧化来合成。
[0389]
进行所得的化合物(1k)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0390]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.34～1.79(4h)，3.36～4.32(40h)
[0391]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0392]
[实施例12]
[0393]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(21)所示的化合物4.7g，除此以外，进
行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1l)所示的化合物(在式(1l)中，表示平均聚合度的ml1、ml2、nl1、nl2为4.5。)4.5g。
[0394][0395]
(在式(21)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0396]
式(21)所示的化合物通过使上述式(9)所示的化合物、与4-戊烯-1-醇的羟基反应，将所得的化合物的仲羟基用thp基进行保护，使所得的化合物的双键氧化来合成。
[0397]
进行所得的化合物(1l)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0398]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.55～1.78(4h)，3.36～4.25(52h)
[0399]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0400]
[实施例13]
[0401]
代替式(9)所示的化合物，而使用了上述式(17)所示的化合物，除此以外，与实施例1的中间体同样地操作，获得了实施例13的中间体(分子量1186.2,4.0mmol)。
[0402]
在氮气气氛下在200ml茄型烧瓶中，加入作为实施例1的中间体的式(10)所示的化合物4.8g(分子量1202.3，4.0mmol)、叔丁醇5.6ml、和叔丁醇钾0.45g(分子量112.21，4.0mmol)，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中加入表溴醇0.33ml(分子量137，4.0mmol)，在70℃下搅拌24小时使其反应。
[0403]
在所得的反应液中，加入实施例13的中间体4.75g，进行搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中，加入叔丁醇钾0.45g(分子量112.21，4.0mmol)，在70℃下搅拌24小时使其反应。
[0404]
将反应后获得的反应液恢复到室温，加入10％的氯化氢/甲醇溶液(氯化氢-甲醇试剂(5-10％)东京化成工业株式会社制)33g，在室温下搅拌2小时。将反应液一点点地转移到加入了食盐水100ml的分液漏斗中，用乙酸乙酯200ml提取3次。将有机层以食盐水100ml、饱和碳酸氢钠水100ml、食盐水100ml的顺序洗涤，通过无水硫酸钠进行了脱水。在将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行了精制。通过进行以上工序，从而获得了化合物(1m)(在式(1m)中，表示平均聚合度的mm1、mm2、nm1、nm2为4.5。)4.1g(分子量2276.4，1.8mmol)。
[0405]
进行所得的化合物(1m)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0406]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.38～1.75(2h)，3.37～4.31(34h)
[0407]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0408]
[实施例14]
[0409]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2a)所示的化合物。
[0410]
代替实施例1的hoch2cf2o(cf2cf2o)m(cf2o)ncf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的m为4.5，表示平均聚合度的n为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)，而使用了hoch2cf2o(cf2cf2o)
m’(cf2o)
n’cf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的m’为7.1，表示平均聚合度的n’为0。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)，除此以外，进行与实施例
1同样的操作，获得了化合物(2a)(在式(2a)中，表示平均聚合度的m’a1、m’a2为7.1。)4.0g。
[0411]
进行所得的化合物(2a)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0412]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.46～4.24(36h)
[0413]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0414]
[实施例15]
[0415]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2b)所示的化合物。
[0416]
代替上述式(9)所示的化合物，而使用了上述式(11)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2b)(在式(2b)中，表示平均聚合度的m’b1、m’b2为7.1。)4.2g。
[0417]
进行所得的化合物(2b)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0418]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.57～1.81(4h)，3.38～4.25(36h)
[0419]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0420]
[实施例16]
[0421]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2c)所示的化合物。
[0422]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(12)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2c)(在式(2c)中，表示平均聚合度的m’c1、m’c2为7.1。)4.2g。
[0423]
进行所得的化合物(2c)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0424]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.55～1.83(8h)，3.40～4.25(36h)
[0425]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0426]
[实施例17]
[0427]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2d)所示的化合物。
[0428]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(13)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2d)(在式(2d)中，表示平均聚合度的m’d1、m’d2为7.1。)4.4g。
[0429]
进行所得的化合物(2d)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0430]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.37～4.32(48h)
[0431]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0432]
[实施例18]
[0433]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2e)所示的化合物。
[0434]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(14)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2e)(在式(2e)中，表示平均聚合度的m’e1、m’e2为7.1。)4.4g。
[0435]
进行所得的化合物(2e)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0436]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.50～1.80(4h)，3.40～4.25(48h)
[0437]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0438]
[实施例19]
[0439]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2f)所示的化合物。
[0440]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(15)所示的化合物，除此以外，进行
与实施例14同样的操作，获得了化合物(2f)(在式(2f)中，表示平均聚合度的m’f1、m’f2为7.1。)4.5g。
[0441]
进行所得的化合物(2f)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0442]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.52～1.81(8h)，3.44～4.26(48h)
[0443]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0444]
[实施例20]
[0445]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2g)所示的化合物。
[0446]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(16)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2g)(在式(2g)中，表示平均聚合度的m’g1、m’g2为7.1。)4.0g。
[0447]
进行所得的化合物(2g)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0448]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.50～4.32(32h)
[0449]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0450]
[实施例21]
[0451]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2h)所示的化合物。
[0452]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(17)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2h)(在式(2h)中，表示平均聚合度的m’h1、m’h2为7.1。)4.1g。
[0453]
进行所得的化合物(2h)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0454]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.38～1.75(4h)，3.37～4.31(32h)
[0455]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0456]
[实施例22]
[0457]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2i)所示的化合物。
[0458]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(18)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2i)(在式(2i)中，表示平均聚合度的m’i1、m’i2为7.1。)4.1g。
[0459]
进行所得的化合物(2i)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0460]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.39～1.84(12h)，3.35～4.35(32h)
[0461]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0462]
[实施例23]
[0463]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2j)所示的化合物。
[0464]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(19)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2j)(在式(2j)中，表示平均聚合度的m’j1、m’j2为7.1。)4.3g。
[0465]
进行所得的化合物(2j)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0466]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.38～4.36(44h)
[0467]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0468]
[实施例24]
[0469]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2k)所示的化合物。
[0470]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(20)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2k)(在式(2k)中，表示平均聚合度的m’k1、m’k2为7.1。)4.2g。
[0471]
进行所得的化合物(2k)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0472]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.34～1.79(4h)，3.36～4.32(40h)
[0473]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0474]
[实施例25]
[0475]
通过以下所示的方法，制造出上述式(2l)所示的化合物。
[0476]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(21)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2l)(在式(2l)中，表示平均聚合度的m’l1、m’l2为7.1。)4.1g。
[0477]
进行所得的化合物(2l)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0478]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.55～1.78(4h)，3.36～4.25(52h)
[0479]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0480]
[实施例26]
[0481]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3a)所示的化合物。
[0482]
代替实施例1的hoch2cf2o(cf2cf2o)m(cf2o)ncf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的m为4.5，表示平均聚合度的n为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)，而使用了hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
p
cf2cf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的p为4.4。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了化合物(3a)(在式(3a)中，表示平均聚合度的pa1、pa2为4.4。)4.0g。
[0483]
进行所得的化合物(3a)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0484]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.46～4.24(36h)
[0485]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0486]
[实施例27]
[0487]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3b)所示的化合物。
[0488]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(11)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3b)(在式(3b)中，表示平均聚合度的pb1、pb2为4.4。)4.2g。
[0489]
进行所得的化合物(3b)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0490]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.57～1.81(4h)，3.38～4.25(36h)
[0491]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0492]
[实施例28]
[0493]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3c)所示的化合物。
[0494]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(12)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3c)(在式(3c)中，表示平均聚合度的pc1、pc2为4.4。)4.2g。
130.0～-129.0(17f)
[0522]
[实施例33]
[0523]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3h)所示的化合物。
[0524]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(17)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3h)(在式(3h)中，表示平均聚合度的ph1、ph2为4.4。)4.1g。
[0525]
进行所得的化合物(3h)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0526]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.38～1.75(4h)，3.37～4.31(32h)
[0527]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0528]
[实施例34]
[0529]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3i)所示的化合物。
[0530]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(18)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3i)(在式(3i)中，表示平均聚合度的pi1、pi2为4.4。)4.1g。
[0531]
进行所得的化合物(3i)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0532]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.39～1.84(12h)，3.35～4.35(32h)
[0533]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0534]
[实施例35]
[0535]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3j)所示的化合物。
[0536]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(19)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3j)(在式(3j)中，表示平均聚合度的pj1、pj2为4.4。)4.3g。
[0537]
进行所得的化合物(3j)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0538]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.38～4.36(44h)
[0539]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0540]
[实施例36]
[0541]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3k)所示的化合物。
[0542]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(20)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3k)(在式(3k)中，表示平均聚合度的pk1、pk2为4.4。)4.2g。
[0543]
进行所得的化合物(3k)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0544]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.34～1.79(4h)，3.36～4.32(40h)
[0545]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0546]
[实施例37]
[0547]
通过以下所示的方法，制造出上述式(3l)所示的化合物。
[0548]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(21)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3l)(在式(3l)中，表示平均聚合度的pl1、pl2为4.4。)4.2g。
[0549]
进行所得的化合物(3l)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0550]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.55～1.78(4h)，3.36～4.25(52h)
[0551]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0552]
[实施例38]
[0553]
通过以下所示的方法，制造出上述式(4a)所示的化合物。
[0554]
代替实施例1的hoch2cf2o(cf2cf2o)m(cf2o)ncf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的m为4.5，表示平均聚合度的n为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)而使用了hoch2cf2cf2cf2o(cf2cf2cf2cf2o)qcf2cf2cf2ch2oh(式中的表示平均聚合度的q为3.0。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了化合物(4a)(在式(4a)中，表示平均聚合度的qa1、qa2为3.0。)4.3g。
[0555]
进行所得的化合物(4a)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0556]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.46～4.24(36h)
[0557]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(32f)，-122.5(8f)，-126.0(24f)，-129.0～-128.0(8f)
[0558]
[比较例1]
[0559]
通过专利文献2所记载的方法合成出下述式(1x)所示的化合物。
[0560][0561]
(在式(1x)中，表示平均聚合度的mx1、mx2、nx1、nx2为4.5。)
[0562]
进行所得的化合物(1x)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0563]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.42～4.29(28h)
[0564]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0565]
[比较例2]
[0566]
通过专利文献2所记载的方法合成出下述式(2x)所示的化合物。
[0567][0568]
(在式(2x)中，表示平均聚合度的m’x1、m’x2为7.1。)
[0569]
进行所得的化合物(2x)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0570]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.41～4.30(28h)
[0571]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0572]
[比较例3]
[0573]
通过专利文献2所记载的方法合成出下述式(3x)所示的化合物。
[0574][0575]
(在式(3x)中，表示平均聚合度的px1、px2为4.4。)
[0576]
进行所得的化合物(3x)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0577]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.40～4.32(28h)
[0578]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0579]
[比较例4]
[0580]
通过以下方法合成出下述式(1y)所示的化合物。
[0581]
代替式(9)所示的化合物，而使用了下述式(22)所示的化合物3.8g，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了上述式(1y)所示的化合物(在式(1y)中，表示平均聚合度的my1、my2、ny1、ny2为4.5。)4.2g。
[0582][0583]
(在式(1y)中，表示平均聚合度的my1、my2、ny1、ny2为4.5。)
[0584][0585]
(在式(22)中，thp表示四氢吡喃基。)
[0586]
式(22)所示的化合物通过以下方法合成。
[0587]
向3-烯丙基氧基-1,2-丙二醇所具有的伯和仲羟基导入thp基作为保护基，将所得的化合物的双键进行了氧化。通过以上工序，获得了式(22)所示的化合物。
[0588]
进行所得的化合物(1y)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0589]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.32～4.23(40h)
[0590]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(18f)，-77.7(4f)，-80.3(4f)，-91.0～-88.5(36f)
[0591]
[比较例5]
[0592]
通过以下方法合成出下述式(2y)所示的化合物。
[0593]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(22)所示的化合物，除此以外，进行与实施例14同样的操作，获得了化合物(2y)(在式(2y)中，表示平均聚合度的m’y1、m’y2为7.1。)4.2g。
[0594][0595]
(在式(2y)中，表示平均聚合度的m’y1、m’y2为7.1。)
[0596]
进行所得的化合物(2y)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0597]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.32～4.22(40h)
[0598]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-78.6(4f)，-81.3(4f)，-90.0～-88.5(56f)
[0599]
[比较例6]
[0600]
通过以下所示的方法，制造出下述式(3y)所示的化合物。
[0601]
代替上述式(9)所示的化合物而使用了上述式(22)所示的化合物，除此以外，进行与实施例26同样的操作，获得了化合物(3y)(在式(3y)中，表示平均聚合度的py1、py2为4.4。)4.2g。
[0602][0603]
(在式(3y)中，表示平均聚合度的py1、py2为4.4。)
[0604]
进行所得的化合物(3y)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0605]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝3.30～4.22(40h)
[0606]
19
f-nmr(acetone-d6)：δ[ppm]＝-84.0～-83.0(35f)，-86.4(8f)，-124.3(8f)，-130.0～-129.0(17f)
[0607]
[比较例7]
[0608]
通过专利文献4所记载的方法合成出下述式(1z)所示的化合物。
[0609][0610]
(在式(1z)中，表示平均聚合度的mz、nz为4.5。)
[0611]
进行所得的化合物(1z)的1h-nmr测定，通过以下结果而鉴定了结构。
[0612]1h-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝1.60～1.79(4h)，3.61～4.23(22h)
[0613]
19
f-nmr(cd3cocd3)：δ[ppm]＝-55.6～-50.6(9f)，-77.7(2f)，-80.3(2f)，-91.0～-88.5(18f)
[0614]
将这样操作而获得的实施例1～38、比较例1～7的化合物代入到式(1)时的r1和r4的结构(在式(2)～(5)中的a、b、x、y和z)、r2和r3的结构示于表1～表7中。关于比较例7，将两末端基的结构示于r1的栏中，将pfpe链示于r2的栏中。
[0615]
[表1]
[0616][0617]
[表2]
[0618][0619]
[表3]
[0620][0621]
[表4]
[0622][0623]
[表5]
[0624][0625]
[表6]
[0626][0627]
[表7]
[0628]
表7
[0629][0630]
此外，通过上述1h-nmr和
19
f-nmr的测定而求出实施例1～38、比较例1～7的化合物的数均分子量(mn)。将其结果示于表1～表7中。需要说明的是，推定根据作为化合物的原料而使用的氟聚醚的分子量分布、合成化合物时的操作的差异等，合成出的化合物的平均分子量的值存在1～5左右的偏差。
[0631]
接下来，通过以下所示的方法，使用实施例1～38、比较例1～7中获得的化合物而调制出润滑层形成用溶液。进而，使用所得的润滑层形成用溶液，通过以下所示的方法，形成磁记录介质的润滑层，获得了实施例1～38、比较例1～7的磁记录介质。
[0632]“润滑层形成用溶液”[0633]
将实施例1～38、比较例1～7中获得的化合物分别溶解于作为氟系溶剂的
バートレル
(注册商标)xf(商品名，三井
デュポンフロロケミカル
社制)，以涂布在保护层上时的涂膜的膜厚成为的方式用
バートレル
xf进行稀释，制成润滑层形成用溶液。
[0634]“磁记录介质”[0635]
准备在直径65mm的基板上依次设置了附着层、软磁性层、第1基底层、第2基底层、磁性层和保护层的磁记录介质。保护层为厚度1～5nm的由碳形成的物质。
[0636]
在形成了直到保护层为止的各层的磁记录介质的保护层上，将实施例1～38、比较例1～7的润滑层形成用溶液分别通过浸渍法涂布。需要说明的是，浸渍法在浸渍速度10mm/秒、浸渍时间30秒、提拉速度1.2mm/秒的条件下进行。
[0637]
然后，在形成了润滑层的磁记录介质的表面，进行了使保持了粒度#6000的磨粒的
抛光带扫描的抛光工序。
[0638]
将抛光工序后的磁记录介质加入到120℃的恒温槽中，进行了加热10分钟的热处理。
[0639]
通过以上工序，获得了实施例1～38、比较例1～7的磁记录介质(有抛光)。
[0640]
此外，不进行抛光工序，除此以外，与具有抛光的磁记录介质同样地操作，获得了实施例1～38、比较例1～7的磁记录介质(无抛光)。
[0641]
(膜厚测定)
[0642]
使用ft-ir(商品名：nicolet is50，thermo fisher scientific社制)测定了这样操作而获得的实施例1～38、比较例1～7的磁记录介质(有抛光和无抛光)所具有的润滑层的膜厚。在实施例1～38、比较例1～7的磁记录介质中，在有抛光和无抛光中，润滑层的膜厚都没有差别。将其结果示于表8～表11中。
[0643]
[表8]
[0644]
表8
[0645][0646]
[表9]
[0647]
表9
[0648][0649]
[表10]
[0650]
表10
[0651][0652]
[表11]
[0653]
表11
[0654]
[0655]
接下来，对实施例1～38、比较例1～7的有抛光和无抛光的磁记录介质，分别进行了以下所示的耐腐蚀性试验。
[0656]
(耐腐蚀性试验)
[0657]
将磁记录介质在85℃相对湿度90％的条件下曝露48小时。然后，使用光学表面分析装置计数磁记录介质腐蚀了的场所的数，基于以下评价基准进行了评价。将其结果示于表8～表11中。
[0658]“评价基准”[0659]
a：小于200
[0660]
b：200以上且小于400
[0661]
c：400以上且小于600
[0662]
d：600以上且小于800
[0663]
e：800以上
[0664]
如表8～表10所示那样，具有包含式(1)所示的化合物的润滑层的实施例1～38的磁记录介质在无带抛光的情况和有带抛光的情况下，耐腐蚀性试验的结果都为a或b，耐腐蚀性良好。
[0665]
与此相对，如表11所示那样，比较例1～7的磁记录介质在无带抛光的情况和有带抛光的情况下，耐腐蚀性试验的结果全部都为e，与实施例1～38的磁记录介质相比，耐腐蚀性差。
[0666]
更详细而言，相对于具有包含末端羟基结合的碳原子、与相邻的羟基结合的碳原子之间的连接基中的碳原子数为0的化合物的润滑层的磁记录介质，具有包含上述连接基的碳原子数为1～4的化合物的润滑层的磁记录介质显示优异的耐腐蚀性(相对于比较例1而实施例7～9，相对于比较例2而实施例20～22，相对于比较例3而实施例32～34，相对于比较例4而实施例10，相对于比较例5而实施例23，相对于比较例6而实施例35)。特别是，具有包含上述连接基的碳原子数更多的化合物的润滑层的磁记录介质(实施例8～9、实施例21～22、实施例33～34)的耐腐蚀性良好。推定这是因为，如果使上述连接基的碳原子数多，则润滑层的疏水性增加，妨碍水向润滑层下的侵入。
[0667]
此外，在具有包含末端羟基结合的碳原子、与相邻的羟基结合的碳原子之间的连接基具有氧原子的化合物的润滑层的磁记录介质中，也与具有包含末端羟基结合的碳原子、与相邻的羟基结合的碳原子结合的化合物的润滑层的磁记录介质(比较例1～比较例6)相比，获得了优异的耐腐蚀性(实施例1～6、实施例11～19、实施例24～31、实施例36～38)。推定这是因为，即使上述连接基具有氧原子，也通过连接基所包含的碳原子数为适当的范围，从而润滑层显示适度的疏水性，通过润滑层可以妨碍水的侵入。
[0668]
此外，式(1)中的r1所包含的羟基、与r4所包含的羟基的合计数为4的物质(例如实施例2～3、实施例8～9等)的耐腐蚀性特别良好。推定这是因为，在r1所包含的羟基、与r4所包含的羟基的合计数为4的情况下，与上述合计数为6的情况相比，羟基彼此的相互作用不会过多，分子内凝集不易发生，易于与保护层密合，获得被覆适当的润滑层。此外，推定因为，在r1所包含的羟基、与r4所包含的羟基的合计数为4的情况下，与上述合计数为6的情况相比，分子的亲水性不会过高，获得具有适当的疏水性的润滑层。
[0669]
此外，实施例1～38的磁记录介质相对于比较例7的磁记录介质，显示优异的耐腐
蚀性。通过pfpe链的低表面能而向润滑层赋予耐水性。对于使用了具有2个pfpe链的化合物的实施例1～38，化合物的分子中的pfpe链所占的比例与使用了pfpe链为1个的化合物的比较例7相比多。因此推定，对于实施例1～38的磁记录介质，与比较例7的磁记录介质相比，润滑层的耐水性良好，通过润滑层而可以妨碍水的侵入。
[0670]
产业可利用性
[0671]
通过使用包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂，从而可以形成磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层。
[0672]
符号的说明
[0673]
10
···
磁记录介质，11
···
基板，12
···
附着层，13
···
软磁性层，14
···
第1基底层，15
···
第2基底层，16
···
磁性层，17
···
保护层，18
···
润滑层。