含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂和磁记录介质的制作方法

1.本发明涉及含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂和磁记录介质。
2.本技术基于2020年6月11日在日本技术的特愿2020-101575号主张优先权，将其内容援引于此。


背景技术：

3.为了提高磁记录再生装置中的记录密度，正在开发适合高记录密度的磁记录介质。
4.以往，作为磁记录介质，有在基板上形成记录层、在记录层上形成由碳等构成的保护层的磁记录介质。保护层保护记录层中记录的信息的同时，提高磁头的滑动性。另外，保护层覆盖记录层，防止记录层中所含的金属被环境物质腐蚀。
5.但是，仅通过在记录层上设置保护层，不能充分地获得磁记录介质的耐久性。因此，在保护层的表面涂布润滑剂，形成厚度为0.5～3nm左右的润滑层。润滑层使保护层的耐久性和保护力提高，防止污染物质向磁记录介质内部侵入。
6.此外，在保护层的表面形成润滑层后，为了除去存在于磁记录介质表面的突起和颗粒，使表面的平滑性提高，有时要进行抛光工序。
7.作为形成磁记录介质的润滑层时使用的润滑剂，例如有含有氟类聚合物的润滑剂，所述氟类聚合物具有包含-cf
2-的重复结构，在末端具有羟基等极性基团。
8.例如，专利文献1～专利文献4中公开了包含润滑层的磁记录介质，所述润滑层包含末端具有羟基的全氟聚醚。
9.现有技术文献
10.专利文献
11.专利文献1：日本专利第5786047号公报
12.专利文献2：日本专利第4632144号公报
13.专利文献3：国际公开第2019/054148号
14.专利文献4：国际公开第2019/049585号


技术实现要素：

15.发明所要解决的问题
16.在磁记录再生装置中，需要进一步减小磁头的上浮量。因此，要求使磁记录介质中的保护层和润滑层的厚度变薄。
17.然而，如果减薄保护层和/或润滑层的厚度，则有时磁记录介质的耐腐蚀性变得不充分。特别是在形成润滑层后的磁记录介质的表面进行带抛光时，磁记录介质的耐腐蚀性容易变得不充分。因此，需要能高效抑制磁记录介质的腐蚀的润滑层。
18.本发明是鉴于上述情况而完成的，目的在于提供可以作为磁记录介质用润滑剂的材料使用的含氟醚化合物，该含氟醚化合物能得到可高效抑制磁记录介质的腐蚀的润滑
层。
19.另外，本发明的目的还在于提供包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂。
20.此外，本发明的目的还在于提供具有包含本发明的含氟醚化合物的润滑层的具有优异耐腐蚀性的磁记录介质。
21.解决问题的手段
22.为了解决上述课题，本发明人等反复进行了深入研究。
23.结果发现，只要是在全氟聚醚链的一个或两个端部与末端羟基(-oh)之间配置了由醚键(-o-)、以直链状键合的2个以上的亚甲基(-(ch2)
q-(式中的q为2～5的整数)、1个氢原子被羟基取代的亚甲基(-ch(oh)-)、和亚甲基(-ch
2-)组合而成的特定结构的连接基团的含氟醚化合物即可，从而想到了本发明。
24.即，本发明涉及以下事项。本发明包括以下的第一方案。
25.[1]一种含氟醚化合物，其特征在于由下述式(1)表示。
[0026]r1-r
2-o-ch
2-r
3-ch
2-o-r
4-r5ꢀꢀ
(1)
[0027]
式(1)中，r3为全氟聚醚链；r2由下述式(2)表示；r4由下述式(3)表示；r1和r5为氢原子或下述式(4)。
[0028][0029]
ho-(ch2)k‑…
(4)
[0030]
式(2)中的a和b为0～2的整数，c为2～5的整数；式(3)中的d和e为0～2的整数，f为2～5的整数；式(2)中的b和式(3)中的e中的至少之一为1以上；式(4)中的k为3～6的整数。
[0031]
本发明的第一方案的化合物优选包含以下的[2]～[8]所述的特征。也优选这些特征中2个以上的组合。
[0032]
[2]根据[1]所述的含氟醚化合物，上述式(2)中的a与b的合计为1或2。
[0033]
[3]根据[1]或[2]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r
1-r
2-o-为下述式(2-1)～(2-8)中的任意之一。
[0034]r1-o(ch2)2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-1)
[0035]r1-o(ch2)3ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-2)
[0036]r1-o(ch2)4ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-3)
[0037]r1-o(ch2)5ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-4)
[0038]r1-o(ch2)2ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-5)
[0039]r1-o(ch2)3ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-6)
[0040]r1-o(ch2)4ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-7)
[0041]r1-o(ch2)5ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-8)
[0042]
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(3)中的d和e的合计为1或2。
[0043]
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的-o-r
4-r5为下述式(3-1)～(3-8)中的任意之一。
[0044]-och2ch(oh)(ch2)2o-r5ꢀꢀ
(3-1)
[0045]-och2ch(oh)(ch2)3o-r5ꢀꢀ
(3-2)
[0046]-och2ch(oh)(ch2)4o-r5ꢀꢀ
(3-3)
[0047]-och2ch(oh)(ch2)5o-r5ꢀꢀ
(3-4)
[0048]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)2o-r5ꢀꢀ
(3-5)
[0049]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)3o-r5ꢀꢀ
(3-6)
[0050]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)4o-r5ꢀꢀ
(3-7)
[0051]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)5o-r5ꢀꢀ
(3-8)
[0052]
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r2和r4所包含的羟基的合计数为1～4。
[0053]
[7]根据[1]～[6]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r3为下述式(5)～(7)中的任意之一。
[0054]-cf2o-(cf2cf2o)
m-(cf2o)
n-cf2‑ꢀꢀ
(5)
[0055]
式(5)中的m、n表示平均聚合度，分别表示0～30；其中，m或n为0.1以上。
[0056]-cf(cf3)-(ocf(cf3)cf2)
g-ocf(cf3)
‑ꢀꢀ
(6)
[0057]
式(6)中的g表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0058]-cf2cf2o-(cf2cf2cf2o)
z-cf2cf2‑ꢀꢀ
(7)
[0059]
式(7)中的z表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0060]
[8]根据[1]～[7]中任一项所述的含氟醚化合物，数均分子量在500～10000的范围内。
[0061]
本发明的第二方案为以下的润滑剂。
[0062]
[9]一种磁记录介质用润滑剂，其特征在于包含[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物。
[0063]
本发明的第三方案是以下的磁记录介质。
[0064]
[10]一种磁记录介质，是在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层包含[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物。
[0065]
[11]根据[10]所述的磁记录介质，所述润滑层的平均膜厚为0.5nm～2.0nm。
[0066]
发明效果
[0067]
本发明的含氟醚化合物是上述式(1)表示的化合物。因此，可以作为能够得到磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层的磁记录介质用润滑剂的材料使用。
[0068]
本发明的磁记录介质用润滑剂，由于包含本发明的含氟醚化合物，因此可以形成磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层。
[0069]
本发明的磁记录介质，由于具有包含本发明的含氟醚化合物的润滑层，因此具有
优异的耐腐蚀性。因此，本发明的磁记录介质具有优异的可靠性和耐久性。此外，由于本发明的磁记录介质具有腐蚀抑制效果高的润滑层，因此可以使保护层和/或润滑层的厚度变薄。
[0070]
附图简要说明
[0071]
图1是表示本发明的优选磁记录介质的一个实施方式的示意性截面图。
具体实施方式
[0072]
以下，对本发明的含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂(以下，有时简称为“润滑剂”。)及磁记录介质的优选例进行详细说明。需要说明的是，本发明并不仅局限于以下所示的实施方式。例如，本发明并不仅局限于以下的例子，在不脱离本发明主旨的范围内，可以对数值、量值、比率、组成、种类、位置、材料、构成等进行增加、省略、替换、改变。
[0073]
[含氟醚化合物]
[0074]
本实施方式的含氟醚化合物由下述式(1)表示。
[0075]r1-r
2-o-ch
2-r
3-ch
2-o-r
4-r5ꢀꢀ
(1)
[0076]
式(1)中，r3为全氟聚醚链；r2由下述式(2)表示；r4由下述式(3)表示；r1和r5为氢原子或下述式(4)。
[0077][0078]
ho-(ch2)k‑…
(4)
[0079]
式(2)中的a和b为0～2的整数，c为2～5的整数；式(3)中的d和e为0～2的整数，f为2～5的整数；式(2)中的b和式(3)中的e中的至少之一为1以上；式(4)中的k为3～6的整数。
[0080]
式(1)中的r1和r5为氢原子或式(4)。因此，式(1)表示的含氟醚化合物在链状结构的最末端具有羟基。因此，使用包含式(1)表示的含氟醚化合物的润滑剂在保护层上形成润滑层时，润滑层和保护层之间产生了适宜的相互作用。因此，就成为与保护层的密合性优异的润滑层。
[0081]
式(4)中的k为3～6的整数，优选为4～6的整数。由于式(4)中的k为3以上，因此在r1和/或r5为式(4)的情况下，r1和/或r5成为在以直链状与r2或r4的氧原子结合的3个以上的亚甲基上结合有羟基的基团。对于包含r1和/或r5为式(4)的含氟醚化合物的润滑层，由于r1和/或r5所具有的以直链状键合的3个以上的亚甲基中所含的碳原子的疏水性而具有适当的疏水性。其结果是通过润滑层可以防止水向磁记录介质内部的侵入。与此相对，例如，在式(4)中的k为1或2的情况下，以直链状与r2或r4的氧原子结合的亚甲基的数量不足，因此不能得到适当的疏水性。
[0082]
另外，由于式(4)中的k为6以下，因此在r1和/或r5为式(4)的情况下，r1和/或r5的疏水性不会过高而给与保护层的密合性带来障碍。由此，包含r1和/或r5为式(4)的含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性优异，可以防止水的侵入，磁记录介质的腐蚀抑制效果好。
[0083]
式(1)中的r2为二价的连接基团，由式(2)表示。式(2)中的a为0～2的整数，b为0～2的整数，c为2～5的整数。在式(2)中的a及b为0的情况下，r2为单键。式(2)中的a和b的合计(r2中所含羟基的数量)为0～4。由于a和b的合计为4以下，因此在具有包含含氟醚化合物的润滑层的磁记录介质中，可以防止含氟醚化合物的极性过高而发生作为异物(污渍)附着于磁头的粘着。
[0084]
式(2)中的a和b的合计(r2中所含羟基的数量)优选为1～3，更优选为1或2。如果a和b的合计为1以上，则r2成为包含1个以上极性基团的含氟醚化合物，在使用包含其的润滑剂在保护层上形成润滑层的情况下，润滑层和保护层之间产生适宜的相互作用。其结果是成为与保护层的密合性良好的润滑层。如果a和b的合计为3以下，更优选为2以下，则分子的亲水性不会过高，从而成为具有适度疏水性的含氟醚化合物，是更优选的。
[0085]
在r1为式(4)的情况下，式(2)中的a和b的合计优选为1。在r1为式(4)且式(2)中的a和b的合计为1的情况下，式(1)表示的含氟醚化合物中的r
1-r
2-o-所占的比例不会变得过多。因此，分子中充分包含r3表示的全氟聚醚链，成为疏水性更好的含氟醚化合物。
[0086]
式(2)中的c为2～5的整数。由于式(2)中的c为2～5的整数，因此在式(2)中的b为1或2的情况下，r2具有以直链状键合的2个以上的亚甲基(-(ch2)
q-(式中的q为2～5的整数))。对于包含式(2)中的b为1或2的含氟醚化合物的润滑层，由于r2所具有的以直链状键合的2个以上的亚甲基中所含的碳原子的疏水性，因而具有适当的疏水性。其结果是通过润滑层可以防止水向磁记录介质内部的侵入。另外，由于式(2)中的c为5以下，因此在式(2)中的b为1或2的情况下，r2的疏水性不会过高而给与保护层的密合性带来障碍。由此，包含式(2)中的b为1或2的含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性优异，可以防止水的侵入，使磁记录介质的腐蚀抑制效果更高。
[0087]
在r1为氢原子的情况下，式(2)中的c更优选为3～5的整数，进一步优选为4～5。在r1为式(4)的情况下，式(2)中的c更优选为2～3的整数。
[0088]
在式(2)中的b为0的情况下，为了成为具有更适当的疏水性的含氟醚化合物，优选r1为式(4)。
[0089]
式(2)中，[o(ch2)cch(oh)ch2]b配置于比[och2ch(oh)ch2]a更靠近r1侧。因此，例如与[och2ch(oh)ch2]a配置于比[o(ch2)cch(oh)ch2]b更靠r1侧的情况相比，成为可以形成磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层的含氟醚化合物。据推测这是基于以下所示的理由。
[0090]
例如，在[och2ch(oh)ch2]a配置于比[o(ch2)cch(oh)ch2]b更靠近r1侧的情况下，通过[och2ch(oh)ch2]a，形成了在氧原子所键合的亚甲基之间配置有羟基所键合的碳原子的结构。由于该结构的柔软性高，因此r2的柔软性高。由此，在保护层上形成的润滑层中包含的含氟醚化合物中的r
1-r2变得容易凝聚。其结果是可推断润滑层中的[o(ch2)cch(oh)ch2]b中所含的疏水性的部分(以直链状键合的2个以上的亚甲基)变得难以以朝向与保护层相反侧的面的状态排列，润滑层的疏水性变得不充分，磁记录介质的腐蚀抑制效果不足。
[0091]
与此相对，在[o(ch2)cch(oh)ch2]b配置在比[och2ch(oh)ch2]a更靠r1侧的情况下，即使通过[och2ch(oh)ch2]a赋予了柔软性，也只是r2中的r3所表示的全氟聚醚链侧的部分的
柔软性变高，对r
1-r2的柔软性造成的影响小。因此，可推断对润滑层中的[o(ch2)cch(oh)ch2]b中所含的疏水性部分的排列造成的影响也小，充分地保证了润滑层的疏水性。
[0092]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，式(1)中的r
1-r
2-o-可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等进行适当选择。优选式(1)中的r
1-r
2-o-为下述式(2-1)～(2-8)中的任意之一。
[0093]r1-o(ch2)2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-1)
[0094]r1-o(ch2)3ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-2)
[0095]r1-o(ch2)4ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-3)
[0096]r1-o(ch2)5ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-4)
[0097]r1-o(ch2)2ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-5)
[0098]r1-o(ch2)3ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-6)
[0099]r1-o(ch2)4ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-7)
[0100]r1-o(ch2)5ch(oh)ch2och2ch(oh)ch2o
‑ꢀꢀ
(2-8)
[0101]
将式(2-1)～(2-8)的结构适用于式(2)时的a、b、c分别如下所述。
[0102]
式(2-1)：a＝0，b＝1，c＝2
[0103]
式(2-2)：a＝0，b＝1，c＝3
[0104]
式(2-3)：a＝0，b＝1，c＝4
[0105]
式(2-4)：a＝0，b＝1，c＝5
[0106]
式(2-5)：a＝1，b＝1，c＝2
[0107]
式(2-6)：a＝1，b＝1，c＝3
[0108]
式(2-7)：a＝1，b＝1，c＝4
[0109]
式(2-8)：a＝1，b＝1，c＝5
[0110]
式(1)中的r4为二价的连接基团，由式(3)表示。式(3)中的d为0～2的整数，e为0～2的整数，f为2～5的整数。在式(3)中的d及e为0的情况下，r4为单键。式(3)中的d和e的合计(r4中所含羟基的数量)为0～4。由于d和e的合计为4以下，因此在具有包含含氟醚化合物的润滑层的磁记录介质中，可以防止含氟醚化合物的极性过高而产生作为异物(污渍)附着于磁头的粘着。
[0111]
式(3)中的d和e的合计(r4中所含羟基的数量)优选为1～3，更优选为1或2。如果d和e的合计为1以上，则r4成为包含1个以上极性基团的含氟醚化合物，在使用包含其的润滑剂在保护层上形成润滑层的情况下，润滑层与保护层之间产生适宜的相互作用。其结果是成为与保护层的密合性良好的润滑层。如果d和e的合计为3以下，更优选为2以下，则分子的亲水性不会过高，从而成为具有适度疏水性的含氟醚化合物，是更优选的。
[0112]
在r5为式(4)的情况下，式(3)中的d和e的合计优选为1。在r5为式(4)且式(3)中的d和e的合计为1的情况下，式(1)表示的含氟醚化合物中的-o-r
4-r5所占的比例不会变得过多。因此，分子中充分包含r3表示的全氟聚醚链，成为疏水性良好的含氟醚化合物。
[0113]
式(3)中的f为2～5的整数。由于式(3)中的f为2～5的整数，因此在式(3)中的e为1或2的情况下，r4具有以直链状键合的2个以上的亚甲基(-(ch2)
q-(式中的q为2～5的整数。))。对于包含式(3)中的e为1或2的含氟醚化合物的润滑层，由于r4所具有的以直链状键合的2个以上的亚甲基中所含的碳原子的疏水性，从而具有适当的疏水性。其结果是通过润
滑层可以防止水向磁记录介质内部的侵入。另外，由于式(3)中的f为5以下，因此在式(3)中的e为1或2的情况下，r4的疏水性不会过高而给与保护层的密合性带来障碍。由此，包含式(3)中的e为1或2的含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性优异，可以防止水的侵入，磁记录介质的腐蚀抑制效果更高。
[0114]
在r5为氢原子的情况下，式(3)中的f更优选为3～5的整数，进一步优选为4～5。在r5为式(4)的情况下，式(3)中的f更优选为2～3的整数。
[0115]
在式(3)中的e为0的情况下，为了成为具有更适当的疏水性的含氟醚化合物，r5优选为式(4)。
[0116]
在式(3)中，[ch2ch(oh)(ch2)fo]e配置于比[ch2ch(oh)ch2o]d更靠r5侧。因此，例如与[ch2ch(oh)ch2o]d配置于比[ch2ch(oh)(ch2)fo]e更靠r5侧的情况相比，成为可以形成磁记录介质的腐蚀抑制效果高的润滑层的含氟醚化合物。据推测这是基于以下所示的理由。
[0117]
例如，在[ch2ch(oh)ch2o]d配置于比[ch2ch(oh)(ch2)fo]e更靠r5侧的情况下，形成了在氧原子所键合的亚甲基之间配置有羟基所键合的碳原子的结构。该结构的柔软性高，因此r4的柔软性高。由此，在保护层上形成的润滑层中所含的含氟醚化合物中的r
4-r5变得容易凝聚。其结果是可推断润滑层中的[ch2ch(oh)(ch2)fo]e中所含的疏水性的部分(以直链状键合的2个以上的亚甲基)变得难以以朝向与保护层相反侧的面的状态排列，润滑层的疏水性变得不充分，磁记录介质的腐蚀抑制效果不足。
[0118]
与此相对，在[ch2ch(oh)(ch2)fo]e配置于比[ch2ch(oh)ch2o]d更靠r5侧的情况下，即使由[ch2ch(oh)ch2o]d赋予柔软性，对r
4-r5的柔软性造成的影响也小。因此，据推断对润滑层中的[ch2ch(oh)(ch2)fo]e中所含的疏水性的部分的排列造成的影响也小，充分地确保了润滑层的疏水性。
[0119]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，式(1)中的-o-r
4-r5可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等适当选择。式(1)中的-o-r
4-r5优选为下述式(3-1)～(3-8)中的任意之一。
[0120]-och2ch(oh)(ch2)2o-r5ꢀꢀ
(3-1)
[0121]-och2ch(oh)(ch2)3o-r5ꢀꢀ
(3-2)
[0122]-och2ch(oh)(ch2)4o-r5ꢀꢀ
(3-3)
[0123]-och2ch(oh)(ch2)5o-r5ꢀꢀ
(3-4)
[0124]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)2o-r5ꢀꢀ
(3-5)
[0125]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)3o-r5ꢀꢀ
(3-6)
[0126]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)4o-r5ꢀꢀ
(3-7)
[0127]-och2ch(oh)ch2och2ch(oh)(ch2)5o-r5ꢀꢀ
(3-8)
[0128]
将式(3-1)～(3-8)的结构适用于式(3)时的d、e、f分别如下所述。
[0129]
式(3-1)：d＝0，e＝1，f＝2
[0130]
式(3-2)：d＝0，e＝1，f＝3
[0131]
式(3-3)：d＝0，e＝1，f＝4
[0132]
式(3-4)：d＝0，e＝1，f＝5
[0133]
式(3-5)：d＝1，e＝1，f＝2
[0134]
式(3-6)：d＝1，e＝1，f＝3
[0135]
式(3-7)：d＝1，e＝1，f＝4
[0136]
式(3-8)：d＝1，e＝1，f＝5
[0137]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，r2和r4分别包含0～4个羟基。式(2)中的b与式(3)中的e中的至少之一为1以上，因此r2中所含的羟基与r4中所含的羟基的合计数为1～8。对于式(1)表示的含氟醚化合物，由于r2和r4所含的羟基的合计数为1以上，因此在使用包含其的润滑剂在保护层上形成润滑层的情况下，可得到与保护层的密合性优异的润滑层。由于r2和r4所含的羟基的合计数为8以下，因此能够防止含氟醚化合物的极性变得过高而发生作为异物(污渍)附着于磁头的粘着。r2和r4中所含的羟基的总数优选为1～4，更优选为2～3。
[0138]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，r
1-r
2-o-与-o-r
4-r5可以相同，也可以不同。在r
1-r
2-o-与-o-r
4-r5相同的情况下，成为容易在保护层上均匀地润湿扩展、容易得到具有均匀膜厚的润滑层的含氟醚化合物。其结果是包含该含氟醚化合物的润滑层容易具有良好的被覆率，是优选的。另外，在r
1-r
2-o-与-o-r
4-r5相同的情况下，与r
1-r
2-o-与-o-r
4-r5不同的情况相比，能够以少的制造工序高效地制造。
[0139]
在上述式(1)表示的含氟醚化合物中，r3为全氟聚醚链(pfpe链)。在将包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂涂布在保护层上而形成润滑层的情况下，r3表示的pfpe链被覆保护层的表面。另外，对润滑层赋予润滑性，使磁头与保护层的摩擦力降低。进而，pfpe链通过其低表面能，对包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层赋予耐水性，使设置了润滑层的磁记录介质的耐腐蚀性提高。
[0140]
r3只要是pfpe链即可，可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等适当选择。作为pfpe链，可以列举例如由全氟氧化亚甲基聚合物、全氟环氧乙烷聚合物、全氟正环氧丙烷聚合物、全氟异环氧丙烷聚合物、它们的共聚物构成的pfpe链等。
[0141]
具体而言，式(1)中的r3优选为下述式(5)～(7)中的任意之一。需要说明的是，作为式(5)中的重复单元的(cf2cf2o)和(cf2o)的排列顺序没有特别限制。式(5)可以包含由单体单元(cf
2-cf
2-o)和(cf
2-o)形成的无规共聚物、嵌段共聚物及交替共聚物中的任意一种。
[0142]-cf2o-(cf2cf2o)
m-(cf2o)
n-cf2‑ꢀꢀ
(5)
[0143]
式(5)中的m、n表示平均聚合度，分别表示0～30，其中，m或n为0.1以上。
[0144]-cf(cf3)-(ocf(cf3)cf2)
g-ocf(cf3)
‑ꢀꢀ
(6)
[0145]
式(6)中的g表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0146]-cf2cf2o-(cf2cf2cf2o)
z-cf2cf2‑ꢀꢀ
(7)
[0147]
式(7)中的z表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0148]
式(5)中表示平均聚合度的m、n分别为0～30(其中，m或n为0.1以上)。式(6)中表示平均聚合度的g为0.1～30，式(7)中表示平均聚合度的z为0.1～30。如果m、n、g、z为0.1以上，则成为可得到具有良好的耐磨损性，并且可以进一步抑制磁记录介质的腐蚀的润滑层的含氟醚化合物。此外，如果m、n、g、z分别为30以下，则含氟醚化合物的粘度不会变得过高，包含其的润滑剂容易涂布，是优选的。为了成为容易在保护层上润湿扩展、容易得到具有均匀的膜厚的润滑层的含氟醚化合物，表示平均聚合度的m、n、g、z均优选为2～20，更优选为3～8。m、n、g、z根据需要可以分别为0.1～25、0.5～18、1～15、5～10、3～10、3～6等。
[0149]
在式(1)中的r3为式(5)～式(7)中的任意之一的情况下，含氟醚化合物的合成容易，是优选的。在r3为式(5)或式(7)的情况下，原料容易获得，因此是更优选的。
[0150]
另外，在r3为式(5)～式(7)中的任意之一的情况下，全氟聚醚链中的氧原子数(醚键(-o-)数)相对于碳原子数的比例是适当的。因此，就成为具有适度硬度的含氟醚化合物。因此，涂布在保护层上的含氟醚化合物在保护层上不易凝聚，可以以充分的被覆率形成厚度更薄的润滑层。
[0151]
特别是在式(1)中的r3为具有包含以直链状键合的3个-cf
2-的重复单元的式(7)的情况下，包含含氟醚化合物的润滑层通过起因于pfpe链的优异疏水性，可以更有效地抑制磁记录介质的腐蚀。
[0152]
式(1)表示的含氟醚化合物具体而言优选为下述式(1a)～(1p)、(2a)～(2p)、(3a)～(3p)表示的任一化合物。需要说明的是，式(1a)～(1p)中的重复数za～zp、式(2a)～(2p)中的重复数ya～yp、及(3a)～(3p)中的重复数ma～mp、na～np为表示平均聚合度的值，因此未必为整数。
[0153]
式(1a)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0154]
式(1b)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝3。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝3，r5为氢原子。
[0155]
式(1c)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝4，r5为氢原子。
[0156]
式(1d)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝5。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝5，r5为氢原子。
[0157]
式(1e)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0158]
式(1f)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0159]
式(1g)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝5。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0160]
式(1h)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝4，r5为氢原子。
[0161]
式(1i)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝1，b＝1，c＝2。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0162]
式(1j)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝1，b＝0。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝4。r5为氢原子。
[0163]
式(1k)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝1，b＝0。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0164]
式(1l)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝2。r5为式(4)，k＝3。
[0165]
式(1m)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0166]
式(1n)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝3。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0167]
式(1p)表示的化合物，r1为式(4)且k＝6。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(7)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0168]
式(2a)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0169]
式(2b)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝3。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝3，r5为氢原子。
[0170]
式(2c)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝4，r5为氢原子。
[0171]
式(2d)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝5。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝5，r5为氢原子。
[0172]
式(2e)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0173]
式(2f)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0174]
式(2g)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝5。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0175]
式(2h)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝4，r5为氢原子。
[0176]
式(2i)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝1，b＝1，c＝2。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0177]
式(2j)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝1，b＝0。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝4。r5为氢原子。
[0178]
式(2k)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝1，b＝0。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0179]
式(2l)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝2。r5为式(4)且k＝3。
[0180]
式(2m)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0181]
式(2n)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝3。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0182]
式(2p)表示的化合物，r1为式(4)且k＝6。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，n＝0。r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0183]
式(3a)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0184]
式(3b)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝3。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝3，r5为氢原子。
[0185]
式(3c)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝4，r5为氢原子。
[0186]
式(3d)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝5。r3为式(5)，r4为
式(3)，d＝0，e＝1，f＝5，r5为氢原子。
[0187]
式(3e)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0188]
式(3f)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0189]
式(3g)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝5。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0190]
式(3h)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝4。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝4，r5为氢原子。
[0191]
式(3i)表示的化合物，r1为氢原子，r2为式(2)，a＝1，b＝1，c＝2。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2，r5为氢原子。
[0192]
式(3j)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝1，b＝0。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝4。r5为氢原子。
[0193]
式(3k)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝1，b＝0。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0194]
式(3l)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝0，e＝1，f＝2。r5为式(4)，k＝3。
[0195]
式(3m)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0196]
式(3n)表示的化合物，r1为式(4)且k＝3。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝3。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0197]
式(3p)表示的化合物，r1为式(4)且k＝6。r2为式(2)，a＝0，b＝1，c＝2。r3为式(5)，r4为式(3)，d＝1，e＝1，f＝2。r5为氢原子。
[0198][0199]
式(1a)中的za表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0200]
式(1b)中的zb表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0201]
式(1c)中的zc表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0202]
式(1d)中的zd表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0203]
式(1e)中的ze表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0204]
式(1f)中的zf表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0205]
式(1g)中的zg表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0206][0207]
式(1h)中的zh表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0208]
式(1i)中的zi表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0209]
式(1j)中的zj表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0210]
式(1k)中的zk表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0211]
式(1l)中的zl表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0212]
式(1m)中的zm表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0213]
式(1n)中的zn表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0214]
式(1p)中的zp表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0215][0216]
式(2a)中的ya表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0217]
式(2b)中的yb表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0218]
式(2c)中的yc表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0219]
式(2d)中的yd表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0220]
式(2e)中的ye表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0221]
式(2f)中的yf表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0222]
式(2g)中的yg表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0223][0224]
式(2h)中的yh表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0225]
式(2i)中的yi表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0226]
式(2j)中的yj表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0227]
式(2k)中的yk表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0228]
式(2l)中的yl表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0229]
式(2m)中的ym表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0230]
式(2n)中的yn表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0231]
式(2p)中的yp表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0232][0233]
式(3a)中的ma、na表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0234]
式(3b)中的mb、nb表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0235]
式(3c)中的mc、nc表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0236]
式(3d)中的md、nd表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0237]
式(3e)中的me、ne表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0238]
式(3f)中的mf、nf表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0239]
式(3g)中的mg、ng表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0240][0241]
式(3h)中的mh、nh表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0242]
式(3i)中的mi、ni表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0243]
式(3j)中的mj、nj表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0244]
式(3k)中的mk、nk表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0245]
式(3l)中的ml、nl表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0246]
式(3m)中的mm、nm表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0247]
式(3n)中的mn、nn表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0248]
式(3p)中的mp、np表示平均聚合度，表示0.1～30。
[0249]
如果式(1)表示的化合物为上述式(1a)～(1p)、(2a)～(2p)、(3a)～(3p)表示的任一化合物，则原料容易获得，可以形成即使润滑层的厚度薄也可以抑制磁记录介质的腐蚀的润滑层，因此是优选的。
[0250]
本实施方式的含氟醚化合物可以任意选择，但数均分子量(mn)优选在500～10000的范围内。如果数均分子量为500以上，则包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂不易蒸发，可以防止润滑剂蒸发而转移到磁头。含氟醚化合物的数均分子量更优选为1000以上。此外，如果数均分子量为10000以下，则含氟醚化合物的粘度变得适当，通过涂布包含其的润滑剂，可以容易地形成厚度薄的润滑层。为了成为在应用于润滑剂的情况下容易处理的粘度，含氟醚化合物的数均分子量优选为3000以下。上述数均分子量例如可以为500～3000、600～2500、700～2000、800～1600、900～1500、1000～1400、1100～1300等范围。
[0251]
含氟醚化合物的数均分子量(mn)是通过采用bruker biospin公司制avanceiii400的1h-nmr和
19
f-nmr测定的值。在nmr(核磁共振)的测定中，将试样在六氟苯、d-丙酮、d-四氢呋喃等单独或混合溶剂中稀释，用于测定。
19
f-nmr化学位移的基准是将六氟苯的峰视为-164.7ppm，1h-nmr化学位移的基准是将丙酮的峰视为2.2ppm。
[0252]
[制造方法]
[0253]
本实施方式的含氟醚化合物的制造方法没有特别限定，可以使用以往公知的制造方法来制造。本实施方式的含氟醚化合物例如可以使用以下所示的制造方法来制造。
[0254]
首先，准备在与式(1)中的r3对应的全氟聚醚链的两末端分别配置了羟甲基(-ch2oh)的氟类化合物。
[0255]
接着，将配置于上述氟类化合物的一个末端的羟甲基的羟基取代为由式(1)中的r
1-r
2-o-构成的基团(第一反应)。然后，将配置于另一末端的羟甲基的羟基取代为由式(1)中的-o-r
4-r5构成的末端基(第二反应)。
[0256]
第一反应和第二反应可以使用以往公知的方法进行，可以根据式(1)中的r1、r2、r4、r5的种类等适当决定。另外，可以先进行第一反应和第二反应中的任一反应。在r1与r5相同、r2与r4也相同的情况下，可以同时进行第一反应和第二反应。
[0257]
通过以上的方法，可得到式(1)表示的化合物。
[0258]
在本实施方式中，为了制造r2由式(2)表示、r4由式(3)表示的含氟醚化合物，优选使用环氧化合物。该环氧化合物可以购买市售品来使用。此外，环氧化合物也可以使具有与制造的含氟醚化合物的r1或r5表示的末端基对应的结构的醇，与选自表氯醇、表溴醇、2-溴乙基环氧乙烷中的任意之一进行反应而合成。另外，环氧化合物也可以使用将不饱和键进行氧化的方法来合成。
[0259]
本实施方式的含氟醚化合物为式(1)表示的化合物，r2由式(2)表示，r4由式(3)表示，r1和r5为氢原子或式(4)。进而，式(2)中的a和b为0～2的整数，式(3)中的d和e为0～2的整数，式(2)中的b和式(3)中的e中的至少之一为1以上。因此，式(1)表示的含氟醚化合物在r2和/或r4、以及链状结构的两个最末端包含合计3个以上的羟基。因此，包含本实施方式的
含氟醚化合物的润滑层与保护层的密合性良好。
[0260]
另外，式(1)表示的含氟醚化合物具有r3表示的全氟聚醚链(pfpe链)。在包含含氟醚化合物的润滑层中r3被覆保护层的表面，同时由于表面能低而对润滑层赋予耐水性。而且，在式(1)表示的含氟醚化合物中，式(2)中的c为2～5的整数，式(3)中的f为2～5的整数，式(2)中的b和式(3)中的e中的至少之一为1以上。因此，在式(1)表示的含氟醚化合物中，r2和/或r4具有包含以直链状键合的2个以上的亚甲基的疏水性部分。由此，包含式(1)表示的含氟醚化合物的润滑层的耐水性良好，水不易通过，可以阻碍水向磁记录介质内部的侵入。
[0261]
式(1)表示的含氟醚化合物在分子内同时具有亲水性部分(3个以上的羟基)和疏水性部分(pfpe链和以直链状键合的2个以上的亚甲基)。由此，可推断在包含式(1)表示的含氟醚化合物的润滑剂中，含氟醚化合物中的亲水性部分与保护层具有相互作用，疏水性部分以朝向与保护层相反侧的面的状态排列。其结果是可推断能得到与保护层的密合性良好、可以阻碍水向磁记录介质内部的侵入、可以抑制磁记录介质的腐蚀的润滑层。
[0262]
进而，在式(1)表示的含氟醚化合物中，在r1和/或r5为式(4)的情况下，由于式(4)中的k为3～6的整数，因此链状结构的一个或两个最末端的羟基与以直链状键合的3个以上的亚甲基键合。因此，可推断对于包含r1和/或r5为式(4)的含氟醚化合物的润滑层，由于以直链状键合的3个以上的亚甲基的疏水性，可以阻碍水向磁记录介质内部的侵入，可以更有效地抑制磁记录介质的腐蚀。
[0263]
[磁记录介质用润滑剂]
[0264]
本实施方式的磁记录介质用润滑剂包含式(1)表示的含氟醚化合物。
[0265]
本实施方式的润滑剂，只要在不损害包含式(1)表示的含氟醚化合物所带来的特性的范围内，可以根据需要混合使用作为润滑剂的材料使用的公知材料。
[0266]
作为公知材料的具体例子，例如可以列举fomblin(注册商标)zdiac、fomblin zdeal、fomblin am-2001(以上为solvay solexis公司制)、moresco a20h(moresco公司制)等。与本实施方式的润滑剂混合使用的公知材料的数均分子量优选为1000～10000。
[0267]
在本实施方式的润滑剂包含式(1)表示的含氟醚化合物以外的其他材料的情况下，本实施方式的润滑剂中的式(1)表示的含氟醚化合物的含量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上。式(1)表示的含氟醚化合物的含量可以为80质量％以上，也可以为90质量％以上。但是，并不仅局限于这些例子。
[0268]
由于本实施方式的润滑剂包含式(1)表示的含氟醚化合物，因此可以形成与保护层的密合性良好、可以阻碍水向磁记录介质内部的侵入、可以抑制磁记录介质的腐蚀的润滑层。对于由本实施方式的润滑剂形成的润滑层，由于磁记录介质的腐蚀抑制效果高，因此可以减薄厚度。
[0269]
[磁记录介质]
[0270]
本实施方式的磁记录介质在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层。
[0271]
在本实施方式的磁记录介质中，可以根据需要在基板与磁性层之间设置1层或2层以上的基底层。另外，也可以在基底层与基板之间设置附着层和/或软磁性层。
[0272]
图1是表示本发明的磁记录介质的一个实施方式的示意性截面图。
[0273]
本实施方式的磁记录介质10形成了在基板11上依次设置有附着层12、软磁性层13、第一基底层14、第二基底层15、磁性层16、保护层17和润滑层18的结构。
[0274]
[基板]
[0275]
作为基板11，例如可以使用在由al或al合金等金属或合金材料构成的基体上形成有由nip或nip合金构成的膜的非磁性基板等。
[0276]
另外，作为基板11，可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料构成的非磁性基板，也可以使用在由这些非金属材料构成的基体上形成有nip或nip合金的膜的非磁性基板。
[0277]
[附着层]
[0278]
附着层12防止将基板11与设置于附着层12上的软磁性层13相接配置时所发生的基板11的腐蚀的进行。
[0279]
对于附着层12的材料，例如可以从cr、cr合金、ti、ti合金、crti、nial、alru合金等中适当选择。附着层12例如可以通过溅射法形成。
[0280]
[软磁性层]
[0281]
软磁性层13优选具有依次层叠有第一软磁性膜、由ru膜构成的中间层和第二软磁性膜的结构。即，软磁性层13优选具有如下结构：通过在两层软磁性膜之间夹入由ru膜构成的中间层，中间层上下的软磁性膜进行了反铁磁耦合(afc)结合。
[0282]
作为第一软磁性膜和第二软磁性膜的材料，可以列举cozrta合金、cofe合金等。
[0283]
在第一软磁性膜和第二软磁性膜中使用的cofe合金中，优选添加zr、ta、nb中的任意之一。由此，第一软磁性膜和第二软磁性膜的非晶质化被促进，第一基底层(晶种层)的取向性提高，同时能够降低磁头的上浮量。
[0284]
软磁性层13例如可以通过溅射法形成。
[0285]
[第一基底层]
[0286]
第一基底层14是控制设置于其上的第二基底层15和磁性层16的取向和结晶尺寸的层。
[0287]
作为第一基底层14，例如可以列举cr层、ta层、ru层、或crmo合金层、cow合金层、crw合金层、crv合金层、crti合金层等。
[0288]
第一基底层14例如可以通过溅射法形成。
[0289]
[第二基底层]
[0290]
第二基底层15是以磁性层16的取向变得良好的方式进行控制的层。第二基底层15优选是由ru或ru合金构成的层。
[0291]
第二基底层15可以是由一层构成的层，也可以由多层构成。在第二基底层15由多层构成的情况下，可以是全部的层由相同的材料构成，也可以是至少一层由不同的材料构成。
[0292]
第二基底层15例如可以通过溅射法形成。
[0293]
[磁性层]
[0294]
磁性层16由易磁化轴相对于基板面朝向垂直或水平方向的磁性膜构成。磁性层16是包含co和pt的层，为了进一步改善snr特性，也可以是包含氧化物、cr、b、cu、ta、zr等的层。
[0295]
作为磁性层16中含有的氧化物，可以列举sio2、sio、cr2o3、coo、ta2o3、tio2等。
[0296]
磁性层16可以由1层构成，也可以由包含组成不同的材料的多个磁性层构成。
[0297]
例如，在磁性层16由从下方起依次层叠的第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层这3层构成的情况下，第一磁性层优选为由包含co、cr、pt，进而还包含氧化物的材料构成的粒状结构。作为第一磁性层中含有的氧化物，例如优选使用cr、si、ta、al、ti、mg、co等的氧化物。其中，特别优选使用tio2、cr2o3、sio2等。另外，第一磁性层优选由添加有2种以上的氧化物的复合氧化物形成。其中，可以特别优选使用cr2o
3-sio2、cr2o
3-tio2、sio
2-tio2等。
[0298]
第一磁性层，除了co、cr、pt、氧化物以外，还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re中的1种以上的元素。
[0299]
第二磁性层可以使用与第一磁性层同样的材料。第二磁性层优选为粒状结构。
[0300]
第3磁性层优选为由包含co、cr、pt且不包含氧化物的材料形成的非粒状结构。第3磁性层，除了co、cr、pt以外，还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re、mn中的1种以上的元素。
[0301]
在磁性层16由多个磁性层形成的情况下，优选在相邻的磁性层之间设置非磁性层。在磁性层16由第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层这3层构成的情况下，优选在第一磁性层与第二磁性层之间、以及第二磁性层与第3磁性层之间设置非磁性层。
[0302]
设置于磁性层16的相邻磁性层之间的非磁性层，可适宜使用例如ru、ru合金、cocr合金、cocrx1合金(x1表示选自pt、ta、zr、re、ru、cu、nb、ni、mn、ge、si、o、n、w、mo、ti、v、b中的1种或2种以上的元素。)等。
[0303]
在设置于磁性层16的相邻的磁性层之间的非磁性层中，优选使用包含氧化物、金属氮化物或金属碳化物的合金材料。具体而言，作为氧化物，例如可以使用sio2、al2o3、ta2o5、cr2o3、mgo、y2o3、tio2等。作为金属氮化物，例如可以使用aln、si3n4、tan、crn等。作为金属碳化物，例如可以使用tac、bc、sic等。
[0304]
非磁性层例如可以通过溅射法形成。
[0305]
为了实现更高的记录密度，磁性层16优选为易磁化轴朝向与基板面垂直的方向的垂直磁记录的磁性层。磁性层16也可以是面内磁记录的磁性层。
[0306]
磁性层16可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控溅射法等以往公知的任何方法形成。磁性层16通常通过溅射法形成。
[0307]
[保护层]
[0308]
保护层17保护磁性层16。保护层17可以由一层构成，也可以由多层构成。作为保护层17的材料，可以列举碳、含氮的碳、碳化硅等。
[0309]
作为保护层17，可以优选使用碳类保护层，特别优选无定形碳保护层。如果保护层17为碳类保护层，则与润滑层18中的含氟醚化合物所包含的羟基的相互作用进一步提高，因此是优选的。
[0310]
对于碳类保护层与润滑层18的附着力，可以通过将碳类保护层设定为氢化碳和/或氮化碳，并调节碳类保护层中的氢含量和/或氮含量来控制。碳类保护层中的氢含量，通过氢前向散射法(hfs)测定时优选为3～20原子％。另外，碳类保护层中的氮含量，通过x射线光电子能谱分析法(xps)测定时，优选为4～15原子％。
[0311]
碳类保护层中所含的氢和/或氮不需要在碳类保护层整体中均匀地含有。碳类保护层，优选设定为例如使保护层17的润滑层18侧含有氮、使保护层17的磁性层16侧含有氢的组成倾斜层。在该情况下，磁性层16及润滑层18与碳类保护层的附着力更进一步提高。
[0312]
保护层17的膜厚可以设定为1nm～7nm。若保护层17的膜厚为1nm以上，则可充分获得作为保护层17的性能。保护层17的膜厚为7nm以下时，从保护层17的薄膜化方面考虑是优选的。
[0313]
作为保护层17的成膜方法，可以使用采用含碳靶材的溅射法、采用乙烯、甲苯等烃原料的cvd(化学蒸镀法)法、ibd(离子束蒸镀)法等。
[0314]
在形成碳类保护层作为保护层17的情况下，例如可以通过dc磁控溅射法进行成膜。特别是在形成碳类保护层作为保护层17的情况下，优选通过等离子体cvd法形成无定形碳保护层。通过等离子体cvd法成膜的无定形碳保护层的表面均匀，粗糙度小。
[0315]
[润滑层]
[0316]
润滑层18防止磁记录介质10的污染。另外，润滑层18使在磁记录介质10上滑动的磁记录再生装置的磁头的摩擦力降低，使磁记录介质10的耐久性提高。
[0317]
润滑层18如图1中所示的那样，在保护层17上相接地形成。润滑层18包含上述的含氟醚化合物。
[0318]
润滑层18，在配置于润滑层18之下的保护层17为碳类保护层的情况下，尤其可与保护层17以高结合力结合。其结果是即使润滑层18的厚度薄，也容易得到以高被覆率被覆保护层17的表面的磁记录介质10，可以有效地防止磁记录介质10的表面污染。
[0319]
润滑层18的平均膜厚优选为更优选为如果润滑层18的平均膜厚为0.5nm以上，则润滑层18不会成为岛状或网眼状而以均匀的膜厚形成。因此，通过润滑层18，能够以高被覆率被覆保护层17的表面。另外，通过使润滑层18的平均膜厚为2.0nm以下，可以使润滑层18充分薄膜化，可以充分减小磁头的上浮量。
[0320]
在保护层17的表面没有被润滑层18以足够高的被覆率被覆的情况下，吸附于磁记录介质10的表面的环境物质穿过润滑层18的间隙而侵入到润滑层18之下。侵入到润滑层18之下的环境物质，吸附、结合于保护层17上，生成污染物质。在磁记录再生时，生成的污染物质(凝聚成分)作为污渍附着(转印)于磁头，使磁头破损，或使磁记录再生装置的磁记录再生特性降低。
[0321]
作为生成污染物质的环境物质，例如可以列举硅氧烷化合物(环状硅氧烷、直链硅氧烷)、离子性杂质、二十八烷等分子量较高的烃、邻苯二甲酸二辛酯等增塑剂等。作为离子性杂质中所含的金属离子，例如可以列举钠离子、钾离子等。作为离子性杂质中所含的无机离子，例如可以列举氯离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、铵离子等。作为离子性杂质中所含的有机物离子，例如可以列举草酸根离子、甲酸根离子等。
[0322]
[润滑层的形成方法]
[0323]
作为形成润滑层18的方法，可以列举例如，准备在基板11上形成了直至保护层17为止的各层的制造过程中的磁记录介质、在保护层17上涂布润滑层形成用溶液、使其干燥的方法。
[0324]
润滑层形成用溶液，通过使上述的实施方式的磁记录介质用润滑剂根据需要分散溶解于溶剂，形成适合于涂布方法的粘度和浓度而得到。
[0325]
作为润滑层形成用溶液中使用的溶剂，可以列举例如
バートレル
(注册商标)xf(商
品名，三井
デュポンフロロケミカル
社制)等氟类溶剂等。
[0326]
润滑层形成用溶液的涂布方法没有特别限制，可以列举例如，旋涂法、喷涂法、纸涂法、浸渍法等。
[0327]
在使用浸渍法的情况下，例如可以使用以下所示的方法。首先，在放入到浸涂装置的浸渍槽中的润滑层形成用溶液中，浸渍形成了直到保护层17为止的各层的基板11。接着，以规定的速度从浸渍槽中提起基板11。由此，将润滑层形成用溶液涂布于基板11的保护层17的表面上。
[0328]
通过使用浸渍法，可以将润滑层形成用溶液均匀地涂布于保护层17的表面上，可以在保护层17上以均匀的膜厚形成润滑层18。
[0329]
在本实施方式中，优选在基板11的表面形成润滑层18后，进行抛光(精密研磨)工序。通过进行抛光工序，可以除去在形成了润滑层18的基板11的表面存在的突起缺陷和颗粒，得到表面平滑的磁记录介质10。如果磁记录介质10的表面光滑，则可以减少与磁头的无信号损耗，达成信号特性的改善，因此是优选的。
[0330]
作为抛光工序，例如可以设定为在形成有润滑层18的基板11的表面上扫掠抛光带的工序。作为抛光带，例如可以使用由保持有磨粒的树脂膜构成的抛光带。磨粒的粒度例如可以设定为#6000～#20000。
[0331]
在本实施方式中，优选对形成了润滑层18的基板11实施热处理。通过实施热处理，润滑层18与保护层17的密合性提高，润滑层18与保护层17的附着力提高。
[0332]
热处理温度优选设定为100～180℃。如果热处理温度为100℃以上，则可充分得到使润滑层18与保护层17的密合性提高的效果。另外，通过将热处理温度设定为180℃以下，能够防止润滑层18的热分解。热处理时间优选设定为10～120分钟。
[0333]
本实施方式的磁记录介质10，在基板11上至少依次设置有磁性层16、保护层17和润滑层18。在本实施方式的磁记录介质10中，在保护层17上相接地形成了包含上述含氟醚化合物的润滑层18。该润滑层18抑制磁记录介质10腐蚀的效果高。因此，本实施方式的磁记录介质10的表面上存在的污染物质少，具有优异的耐腐蚀性，可靠性和耐久性良好。另外，本实施方式的磁记录介质10由于具有腐蚀抑制效果高的润滑层18，因此可以使保护层17和/或润滑层18的厚度变薄。此外，本实施方式的磁记录介质10中的润滑层18不易产生异物(污渍)，可以抑制粘着。
[0334]
实施例
[0335]
以下，通过实施例及比较例对本发明进行更具体的说明。还有，本发明并不仅仅局限于以下的实施例。
[0336]
实施例1
[0337]
在氮气气氛下，在100ml茄形烧瓶中加入hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)zcf2cf2ch2oh(式中的z为4.5。)表示的化合物(数均分子量1025，分子量分布1.1)10.3g、下述式(12)表示的化合物3.44g及叔丁醇10ml，在室温下搅拌至变得均匀。在该均匀液体中进一步加入叔丁醇钾0.34g，在70℃下搅拌30小时使其反应，得到反应产物。
[0338]
式(12)所示的化合物是将3-丁烯-1醇的羟基用四氢吡喃基(thp)基保护后，将双键进行氧化而得到的。
[0339][0340]
将得到的反应产物放置冷却至25℃，加入10％的氯化氢-甲醇溶液(氯化氢-甲醇试剂(5-10％)，东京化成工业株式会社制)20g，在室温下搅拌2小时。将反应液一点一点地转移到加入有8％碳酸氢钠水溶液70ml的分液漏斗中，用乙酸乙酯150ml萃取2次。将有机层水洗，利用无水硫酸钠(干燥剂)进行脱水。
[0341]
滤除干燥剂后，浓缩滤液，将残渣用硅胶柱色谱精制，得到化合物(1a)(式(1a)中，表示平均聚合度的za为4.5。)7.65g。
[0342]
对得到的化合物(1a)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0343]
化合物(1a)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0344]
δ[ppm]1.3-1.7(4h)、3.4-4.2(18h)
[0345]
实施例2
[0346]
使用下述式(13)表示的化合物3.73g代替式(12)表示的化合物，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到化合物(1b)(式(1b)中，表示平均聚合度的zb为4.5。)7.83g。
[0347]
化合物(13)是将4-戊烯-1醇的羟基用thp基保护后，将双键进行氧化而得到的。
[0348][0349]
对得到的化合物(1b)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0350]
化合物(1b)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0351]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(18h)
[0352]
实施例3
[0353]
使用下述式(14)表示的化合物3.73g代替式(12)表示的化合物，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到化合物(1c)(式(1c)中，表示平均聚合度的zc为4.5。)8.01g。
[0354]
化合物(14)是将5-己烯-1醇的羟基用thp基保护后，将双键进行氧化而得到的。
[0355][0356]
对得到的化合物(1c)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0357]
化合物(1c)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0358]
δ[ppm]1.3-1.7(12h)、3.4-4.2(18h)
[0359]
实施例4
[0360]
使用下述式(15)表示的化合物3.73g代替式(12)表示的化合物，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到化合物(1d)(式(1d)中，表示平均聚合度的zd为4.5。)得到8.19g。
[0361]
化合物(15)是将6-庚烯-1醇的羟基用thp基保护后，将双键进行氧化而得到的。
[0362]
[0363]
对得到的化合物(1d)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0364]
化合物(1d)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0365]
δ[ppm]1.3-1.7(16h)、3.4-4.2(18h)
[0366]
实施例5
[0367]
在氮气气氛下，在100ml茄形烧瓶中加入hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)zcf2cf2ch2oh(式中的z为4.5。)表示的化合物(数均分子量1025，分子量分布1.1)20.0g、上述式(12)表示的化合物2.07g和叔丁醇20ml，在室温下搅拌至变得均匀。在该均匀液体中进一步加入叔丁醇钾0.67g，在70℃下搅拌30小时使其反应，得到反应产物。
[0368]
将得到的反应产物放置冷却至25℃，转移至加入有50ml水的分液漏斗，用乙酸乙酯150ml萃取2次。将有机层水洗，利用无水硫酸钠(干燥剂)进行脱水。
[0369]
将干燥剂过滤分离后，浓缩滤液，将残渣用硅胶柱色谱进行精制，得到式(16)表示的化合物9.38g。
[0370][0371]
式(16)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0372]
在氮气气氛下，在100ml茄形烧瓶中加入上述式(16)表示的化合物9.30g、下述式(17)表示的化合物1.99g和叔丁醇25ml，在室温下搅拌至变得均匀。在该均匀液体中加入叔丁醇钾0.14g，在70℃下搅拌16小时使其反应。
[0373]
式(17)表示的化合物是通过使1,2,4-丁三醇与苯甲醛反应而制成缩醛化合物后，与表溴醇反应而得到的。
[0374][0375]
将得到的反应产物放置冷却至25℃，加入10％的氯化氢-甲醇溶液(氯化氢-甲醇试剂(5-10％)，东京化成工业株式会社制)20g，在室温下搅拌2小时。将反应液一点一点地转移到加入有8％碳酸氢钠水溶液70ml的分液漏斗中，用乙酸乙酯150ml萃取2次。将有机层水洗，利用无水硫酸钠(干燥剂)进行脱水。
[0376]
滤除干燥剂后，浓缩滤液，将残渣用硅胶柱色谱精制，得到化合物(1e)(式(1e)中，表示平均聚合度的ze为4.5。)6.45g。
[0377]
对得到的化合物(1e)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0378]
化合物(1e)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0379]
δ[ppm]1.5-1.8(4h)、3.4-4.2(24h)
[0380]
实施例6
[0381]
使用上述式(14)表示的化合物2.40g代替式(12)表示的化合物，得到作为中间体的下述式(18)表示的化合物9.60g，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1f)(式
(1f)中，表示平均聚合度的zf为4.5。)6.58g。
[0382][0383]
式(18)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0384]
对得到的化合物(1f)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0385]
化合物(1f)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0386]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(24h)
[0387]
实施例7
[0388]
使用上述式(15)表示的化合物2.57g代替式(12)表示的化合物，得到作为中间体的下述式(19)表示的化合物9.70g，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1g)(式(1g)中，表示平均聚合度的zg为4.5。)6.50g。
[0389][0390]
式(19)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0391]
对得到的化合物(1g)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0392]
化合物(1g)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0393]
δ[ppm]1.3-1.7(10h)、3.4-4.2(24h)
[0394]
实施例8
[0395]
使用上述式(14)表示的化合物2.40g代替式(12)表示的化合物，合成式(18)表示的化合物作为中间体。然后，使用下述式(20)表示的化合物2.84g代替式(17)表示的化合物，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1h)(式(1h)中，表示平均聚合度的zh为4.5。)6.69g。
[0396]
式(20)表示的化合物是将使式(14)表示的化合物与烯丙醇反应而生成的化合物的羟基用thp基保护，进而将双键进行氧化而得到的。
[0397][0398]
对得到的化合物(1h)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0399]
化合物(1h)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0400]
δ[ppm]1.3-1.7(14h)、3.4-4.2(24h)
[0401]
实施例9
[0402]
使用式(17)表示的化合物5.00g代替式(12)表示的化合物，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到化合物(1i)(式(1i)中，表示平均聚合度的zi为4.5。)8.55g。
[0403]
对得到的化合物(1i)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0404]
化合物(1i)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0405]
δ[ppm]1.3-1.7(4h)、3.4-4.2(30h)
[0406]
实施例10
[0407]
使用式(14)表示的化合物2.40g代替式(12)表示的化合物，合成式(18)表示的化合物作为中间体。然后，使用下述式(21)表示的化合物1.68g代替式(17)表示的化合物，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1j)(式(1j)中，表示平均聚合度的zj为4.5。)6.26g。
[0408]
式(21)表示的化合物是将丙二醇的一个羟基用thp基保护，使另一个羟基与表溴醇反应而得到的。
[0409][0410]
对得到的化合物(1j)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0411]
化合物(1j)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0412]
δ[ppm]1.5-1.8(8h)、3.4-4.2(22h)
[0413]
实施例11
[0414]
使用上述式(21)表示的化合物2.60g代替式(12)表示的化合物，得到9.73g式(22)表示的化合物作为中间体，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1k)(式(1k)中，表示平均聚合度的zk为4.5。)6.26g。
[0415][0416]
式(22)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0417]
对得到的化合物(1k)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0418]
化合物(1k)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0419]
δ[ppm]1.5-1.8(4h)、3.4-4.2(28h)
[0420]
实施例12
[0421]
使用下述式(23)表示的化合物4.61g代替式(12)表示的化合物，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到化合物(1l)(式(1l)中，表示平均聚合度的zl为4.5。)8.40g。
[0422]
式(23)表示的化合物是将使3-丁烯-1醇与2-(3-氯丙氧基)四氢-2h-吡喃反应而得到的化合物的双键进行氧化而得到的。
[0423][0424]
对得到的化合物(1l)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0425]
化合物(1l)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0426]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(26h)
[0427]
实施例13
[0428]
使用上述式(23)表示的化合物2.76g代替式(12)表示的化合物，得到下述式(24)表示的化合物9.82g作为中间体，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1m)(式
(1m)中，表示平均聚合度的zm为4.5。)6.71g。
[0429][0430]
式(24)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0431]
对得到的化合物(1m)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0432]
化合物(1m)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0433]
δ[ppm]1.5-1.8(6h)、3.4-4.2(28h)
[0434]
实施例14
[0435]
使用下述式(25)表示的化合物2.93g代替式(12)表示的化合物，得到下述式(26)表示的化合物9.99g作为中间体，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1n)(式(1n)中，表示平均聚合度的zn为4.5。)6.62g。
[0436]
式(25)表示的化合物是将使4-戊烯-1醇与2-(3-氯丙氧基)四氢-2h-吡喃反应而得到的化合物的双键进行氧化而得到的。
[0437][0438]
式(26)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0439]
对得到的化合物(1n)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0440]
化合物(1n)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0441]
δ[ppm]1.5-1.8(8h)、3.4-4.2(28h)
[0442]
实施例15
[0443]
使用下述式(27)表示的化合物3.27g代替式(12)表示的化合物，得到下述式(28)表示的化合物10.10g作为中间体，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到式(1p)(式(1p)中，表示平均聚合度的zp为4.5。)6.80g。
[0444]
式(27)表示的化合物是将己二醇的一个羟基用thp基保护，使另一个羟基与2-溴乙基环氧乙烷反应而得到的。
[0445][0446][0447]
式(28)中，表示平均聚合度的z为4.5。
[0448]
对得到的化合物(1p)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0449]
化合物(1p)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0450]
δ[ppm]1.5-1.8(12h)、3.4-4.2(28h)
[0451]
实施例16～30
[0452]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)mcf2ch2oh(式中的m为7.0。)表示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)zcf2cf2ch2oh(式中的z为4.5。)表示的化合物(数均分子量1025，分子量分布1.1)，除此以外，分别进行与实施例1～15同样的操作，得到式(2a)～(2p)。
[0453]
对得到的化合物(2a)(式(2a)中，表示平均聚合度的ya为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0454]
化合物(2a)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0455]
δ[ppm]1.3-1.7(4h)、3.4-4.2(18h)
[0456]
对得到的化合物(2b)(式(2b)中，表示平均聚合度的yb为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0457]
化合物(2b)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0458]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(18h)
[0459]
对得到的化合物(2c)(式(2c)中，表示平均聚合度的yc为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0460]
化合物(2c)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0461]
δ[ppm]1.3-1.7(12h)、3.4-4.2(18h)
[0462]
对得到的化合物(2d)(式(2d)中，表示平均聚合度的yd为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0463]
化合物(2d)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0464]
δ[ppm]1.3-1.7(16h)、3.4-4.2(18h)
[0465]
对得到的化合物(2e)(式(2e)中，表示平均聚合度的ye为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0466]
化合物(2e)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0467]
δ[ppm]1.5-1.8(4h)、3.4-4.2(24h)
[0468]
对得到的化合物(2f)(式(2f)中，表示平均聚合度的yf为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0469]
化合物(2f)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0470]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(24h)
[0471]
对得到的化合物(2g)(式(2g)中，表示平均聚合度的yg为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0472]
化合物(2g)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0473]
δ[ppm]1.3-1.7(10h)、3.4-4.2(24h)
[0474]
对得到的化合物(2h)(式(2h)中，表示平均聚合度的yh为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0475]
化合物(2h)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0476]
δ[ppm]1.3-1.7(14h)、3.4-4.2(24h)
[0477]
对得到的化合物(2i)(式(2i)中，表示平均聚合度的yi为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0478]
化合物(2i)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0479]
δ[ppm]1.3-1.7(4h)、3.4-4.2(30h)
[0480]
对得到的化合物(2j)(式(2j)中，表示平均聚合度的yj为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0481]
化合物(2j)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0482]
δ[ppm]1.5-1.8(8h)、3.4-4.2(22h)
[0483]
对得到的化合物(2k)((2k)中，表示平均聚合度的yk为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0484]
化合物(2k)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0485]
δ[ppm]1.5-1.8(4h)、3.4-4.2(28h)
[0486]
对得到的化合物(2l)(式(2l)中，表示平均聚合度的yl为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0487]
化合物(2l)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0488]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(26h)
[0489]
对得到的化合物(2m)(式(2m)中，表示平均聚合度的ym为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0490]
化合物(2m)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0491]
δ[ppm]1.5-1.8(6h)、3.4-4.2(28h)
[0492]
对得到的化合物(2n)(式(2n)中，表示平均聚合度的yn为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0493]
化合物(2n)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0494]
δ[ppm]1.5-1.8(8h)、3.4-4.2(28h)
[0495]
对得到的化合物(2p)(式(2p)中，表示平均聚合度的yp为7.0。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0496]
化合物(2p)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0497]
δ[ppm]1.5-1.8(12h)、3.4-4.2(28h)
[0498]
实施例31～45
[0499]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)m(cf2o)ncf2ch2oh(式中的m为4.5，n为4.5。)表示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)zcf2cf2ch2oh(式中的z为4.5。)表示的化合物(数均分子量1025，分子量分布1.1)，除此以外，分别进行与实施例1～15同样的操作，得到式(3a)～(3p)。
[0500]
对得到的化合物(3a)(式(3a)中，表示平均聚合度的ma、na为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0501]
化合物(3a)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0502]
δ[ppm]1.3-1.7(4h)、3.4-4.2(18h)
[0503]
对得到的化合物(3b)(式(3b)中，表示平均聚合度的mb、nb为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0504]
化合物(3b)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0505]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(18h)
[0506]
对得到的化合物(3c)(式(3c)中，表示平均聚合度的mc、nc为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0507]
化合物(3c)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0508]
δ[ppm]1.3-1.7(12h)、3.4-4.2(18h)
[0509]
对得到的化合物(3d)(式(3d)中，表示平均聚合度的md、nd为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0510]
化合物(3d)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0511]
δ[ppm]1.3-1.7(16h)、3.4-4.2(18h)
[0512]
对得到的化合物(3e)(式(3e)中，表示平均聚合度的me、ne为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0513]
化合物(3e)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0514]
δ[ppm]1.5-1.8(4h)、3.4-4.2(24h)
[0515]
对得到的化合物(3f)(式(3f)中，表示平均聚合度的mf、nf为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0516]
化合物(3f)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0517]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(24h)
[0518]
对得到的化合物(3g)(式(2g)中，表示平均聚合度的mg、ng为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0519]
化合物(3g)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0520]
δ[ppm]1.3-1.7(10h)、3.4-4.2(24h)
[0521]
对得到的化合物(3h)(式(3h)中，表示平均聚合度的mh、nh为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0522]
化合物(3h)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0523]
δ[ppm]1.3-1.7(14h)、3.4-4.2(24h)
[0524]
对得到的化合物(3i)(式(3i)中，表示平均聚合度的mi、ni为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0525]
化合物(3i)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0526]
δ[ppm]1.3-1.7(4h)、3.4-4.2(30h)
[0527]
对得到的化合物(3j)(式(3j)中，表示平均聚合度的mj、nj为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0528]
化合物(3j)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0529]
δ[ppm]1.5-1.8(8h)、3.4-4.2(22h)
[0530]
对得到的化合物(3k)((3k)中，表示平均聚合度的mk、nk为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0531]
化合物(3k)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0532]
δ[ppm]1.5-1.8(4h)、3.4-4.2(28h)
[0533]
对得到的化合物(3l)(式(3l)中，表示平均聚合度的ml、nl为4.5。)进行1h-nmr测
定，由以下结果鉴定了结构。
[0534]
化合物(3l)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0535]
δ[ppm]1.3-1.7(8h)、3.4-4.2(26h)
[0536]
对得到的化合物(3m)(式(3m)中，表示平均聚合度的mm、nm为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0537]
化合物(3m)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0538]
δ[ppm]1.5-1.8(6h)、3.4-4.2(28h)
[0539]
对得到的化合物(3n)(式(3n)中，表示平均聚合度的mn、nn为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0540]
化合物(3n)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0541]
δ[ppm]1.5-1.8(8h)、3.4-4.2(28h)
[0542]
对得到的化合物(3p)(式(3p)中，表示平均聚合度的mp、np为4.5。)进行1h-nmr测定，由以下结果鉴定了结构。
[0543]
化合物(3p)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0544]
δ[ppm]1.5-1.8(12h)、3.4-4.2(28h)
[0545]
比较例1
[0546]
利用专利文献1中记载的方法合成下述式(s)表示的化合物。
[0547]
ho-ch2ch(oh)ch2o-ch
2-cf2cf2o(c3f6o)
zs
cf2cf
2-ch
2-och2ch(oh)ch
2-oh(s)
[0548]
式(s)中，表示平均聚合度的zs为4.5。
[0549]
比较例2
[0550]
利用专利文献2中记载的方法合成下述式(t)表示的化合物。
[0551]
hoch2ch2o-ch2ch(oh)ch2o-ch
2-cf2o(cf2cf2o)
mt
(cf2o)
nt
cf
2-ch
2-och2ch(oh)ch
2-och2ch2oh(t)
[0552]
式(t)中，表示平均聚合度的mt为4.5，表示平均聚合度的nt为4.5。
[0553]
比较例3
[0554]
利用专利文献3中记载的方法合成下述式(u)表示的化合物。
[0555][0556]
式(u)中，表示平均聚合度的mu为4.5，表示平均聚合度的nu为4.5。
[0557]
比较例4
[0558]
利用专利文献3中记载的方法合成下述式(v)表示的化合物。
[0559][0560]
式(v)中，表示平均聚合度的mv为4.5，表示平均聚合度的nv为4.5。
[0561]
比较例5
[0562]
利用专利文献4中记载的方法合成下述式(w)表示的化合物。
[0563][0564]
式(w)中，表示平均聚合度的mw为4.5，表示平均聚合度的nw为4.5。
[0565]
比较例6
[0566]
利用专利文献4中记载的方法合成下述式(x)表示的化合物。
[0567][0568]
式(x)中，表示平均聚合度的mx为4.5，表示平均聚合度的nx为4.5。
[0569]
将如此得到的实施例1～45、比较例1～6的化合物适用于式(1)时的r1和r5的结构、r2的结构(式(2)中的a、b、c)、r3的结构、r4的结构(式(3)中的d、e、f)示于表1～表4中。
[0570]
表1
[0571]
[0572]
表2
[0573][0574]
表3
[0575][0576]
表4
[0577][0578]
另外，通过1h-nmr和
19
f-nmr的测定求出实施例1～45、比较例1～6的化合物的数均分子量(mn)。将其结果示于表1～表4中。需要说明的是，根据作为化合物的原料使用的氟聚
醚的分子量分布、合成化合物时的操作的差异等，推断合成的化合物的平均分子量的值存在1～5左右的偏差。
[0579]
接着，通过以下所示的方法，使用实施例1～45和比较例1～6中得到的化合物配制润滑层形成用溶液。然后，使用得到的润滑层形成用溶液，通过以下所示的方法形成磁记录介质的润滑层，得到实施例1～45和比较例1～6的磁记录介质。
[0580]
[润滑层形成用溶液]
[0581]
将实施例1～45和比较例1～6中得到的化合物分别溶解于作为氟类溶剂的
バートレル
(注册商标)xf(商品名，三井
デュポンフロロケミカル
社制)中，按照使涂布在保护层上时的膜厚成为约的方式用
バートレル
稀释，制成润滑层形成用溶液。
[0582]
[磁记录介质]
[0583]
准备在直径65mm的基板上依次设置了附着层、软磁性层、第一基底层、第二基底层、磁性层和保护层的磁记录介质。保护层由厚度2.7nm的碳构成。
[0584]
在形成了直至保护层为止的各层的磁记录介质的保护层上，分别采用浸渍法涂布实施例1～45和比较例1～6的润滑层形成用溶液。需要说明的是，浸渍法是在浸渍速度10mm/秒、浸渍时间30秒、提拉速度1.2mm/秒的条件下进行。
[0585]
然后，在形成了润滑层的磁记录介质的表面上，实施用保持有粒度#6000的磨粒的抛光带进行扫掠的抛光工序。
[0586]
将经过抛光工序后的磁记录介质放入120℃的恒温槽，进行加热10分钟的热处理。
[0587]
通过以上工序，可得到实施例1～45、比较例1～6的磁记录介质(经过抛光)。
[0588]
另外，除了不进行抛光工序以外，进行与经过抛光的磁记录介质同样的操作，得到实施例1～45、比较例1～6的磁记录介质(未抛光)。
[0589]
(膜厚测定)
[0590]
使用ft-ir(商品名：nicolet is50，thermo fisher scientific公司制)测定如此得到的实施例1～45、比较例1～6的磁记录介质(未抛光)具有的润滑层的膜厚。将其结果示于表5～表8中。
[0591]
表5
[0592][0593]
表6
[0594][0595]
表7
[0596][0597]
表8
[0598][0599]
接着，对于实施例1～45、比较例1～6的经过抛光和未抛光的磁记录介质，分别进行以下所示的耐腐蚀性试验。
[0600]
(耐腐蚀性试验)
[0601]
将磁记录介质在85℃和相对湿度90％的条件下暴露48小时。然后，使用光学表面分析装置对磁记录介质的腐蚀部位的数量进行计数，基于以下的评价标准进行评价。将其结果示于表5～表8中。
[0602]
[评价标准]
[0603]
a：500以下
[0604]
b：501以上且1000以下
[0605]
c：1001以上且1500以下
[0606]
d：1501以上且2000以下
[0607]
e：2001或更高
[0608]
如表5～表7中所示，对于具有包含式(1)表示的化合物的润滑层的实施例1～45的
磁记录介质，在未抛光的情况和经过抛光的情况下，耐腐蚀性试验的结果均为a或b，耐腐蚀性良好。据推断这是通过实施例1～45的磁记录介质的润滑层中所含的式(1)表示的化合物在分子内兼具亲水性部分(4～6个羟基)和疏水性部分(pfpe链和以直链状键合的2个以上的亚甲基)而实现的。
[0609]
特别是与式(1)中的r3为具有包含以直链状键合的3个-cf
2-的重复单元的式(7)的情况(例如，实施例1、10、15)、式(1)中的r3为具有包含以直链状键合的2个-cf
2-的重复单元的式(5)的情况(例如，实施例16、25、30、31、40、45)相比，经过抛光情况下的耐腐蚀性试验的结果良好。
[0610]
另外，在式(2)中的c为4的情况下(例如，实施例6、实施例21、实施例36)，与式(2)中的c为2的情况(例如，实施例5、实施例20、实施例35)相比，经过抛光情况下的耐腐蚀性试验的结果良好。
[0611]
另外，在式(3)中的f为4的情况下(例如实施例10)，与式(2)中的f为2的情况(例如实施例11)相比，经过抛光情况下的耐腐蚀性试验的结果良好。
[0612]
另外，与式(2)中的a为0、b为1、式(3)中的d为0、e为1的情况(例如实施例1、实施例16、实施例31)、式(2)中的a和b为1、式(3)中的d和e为1的情况(例如实施例9、实施例24、实施例39)相比，未抛光和/或经过抛光情况下的耐腐蚀性试验的结果良好。
[0613]
另外，与式(1)中的r1为式(4)且k为6的情况(例如实施例15)、式(1)中的r1为氢原子的情况(例如实施例5)相比，经过抛光情况下的耐腐蚀性试验的结果良好。
[0614]
与此相对，式(2)中的b和式(3)中的e均为0的比较例1、式(2)中的b和式(3)中的e均为0、式(1)中的r1和r5为式(4)且k为2的比较例2、式(1)中的r1和r5为式(4)且k为2的比较例3、式(1)中的r1不是氢原子或式(4)的比较例4～6的磁记录介质如表8所示，在未抛光的情况下，耐腐蚀性试验的结果为c，在经过抛光的情况下，耐腐蚀性试验的结果为d或e，与实施例1～45的磁记录介质相比，耐腐蚀性差。
[0615]
产业上可利用性
[0616]
通过使用本发明的包含含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂，可以形成即使厚度薄也可以实现优异的耐腐蚀性的润滑层。
[0617]
符号说明
[0618]
10
···
磁记录介质，11
···
基板，12
···
附着层，13
···
软磁性层，14
···
第一基底层，15
···
第二基底层，16
···
磁性层，17
···
保护层，18
···
润滑层。