真空保护装置的制作方法

技术特征：
1.一种真空保护装置，用于使分子束外延设备的源炉(600)处于真空环境，其特征在于，包括：保护罩(100)，具有第一容纳腔，所述保护罩(100)用于罩设于所述源炉(600)，以将所述源炉(600)封闭于所述第一容纳腔内；所述保护罩(100)还具有与所述第一容纳腔连通的第一接口(110)；真空发生机构(200)，包括真空发生器，所述真空发生器与所述第一接口(110)连通；所述真空发生器通过所述第一接口(110)对所述第一容纳腔抽真空，以使位于所述第一容纳腔内的所述源炉(600)处于真空环境。2.根据权利要求1所述的真空保护装置，其特征在于，所述第一容纳腔的开口朝下；所述真空保护装置包括第一连接盘(410)，所述第一连接盘(410)连接于所述开口，以封堵所述第一容纳腔，且用于支撑所述源炉(600)。3.根据权利要求2所述的真空保护装置，其特征在于，所述第一连接盘(410)与所述保护罩(100)之间连接有密封件。4.根据权利要求2所述的真空保护装置，其特征在于，所述真空保护装置包括第一支撑座(300)，所述第一支撑座(300)包括第一底板(320)和多个第一支撑杆(310)；多个所述第一支撑杆(310)沿所述第一连接盘(410)的周向间隔分布，各所述第一支撑杆(310)连接于所述第一底板(320)和所述第一连接盘(410)之间。5.根据权利要求4所述的真空保护装置，其特征在于，所述第一支撑座(300)包括第二连接盘(330)，所述第二连接盘(330)位于所述第一支撑杆(310)远离所述第一底板(320)的一端；所述第一连接盘(410)和所述第二连接盘(330)分别设置有第一连接孔组(411)和第二连接孔组，所述第一支撑杆(310)的一端穿过所述第二连接孔组并连接于所述第一连接孔组(411)。6.根据权利要求5所述的真空保护装置，其特征在于，所述第一连接孔组(411)和所述第二连接孔组的数量为多组，多组所述第一连接孔组(411)和所述第二连接孔组均沿所述第二连接盘(330)的径向间隔设置。7.根据权利要求1所述的真空保护装置，其特征在于，所述真空发生机构(200)包括主管道(210)、真空接口(240)和第二接口(220)；所述主管道(210)具有第二容纳腔，所述真空接口(240)和所述第二接口(220)均与所述第二容纳腔连通；所述真空接口(240)用于与所述真空发生器连接；所述第二接口(220)用于与所述第一接口(110)连接。8.根据权利要求7所述的真空保护装置，其特征在于，所述第二接口(220)设置有多个，多个所述第二接口(220)沿所述主管道(210)的轴向间隔布置。9.根据权利要求8所述的真空保护装置，其特征在于，至少两个所述第二接口(220)的口径不同。10.根据权利要求7所述的真空保护装置，其特征在于，所述真空发生机构(200)包括多个第二支撑座(230)，多个所述第二支撑座(230)沿所述主管道(210)的轴向间隔设置；各所述第二支撑座(230)包括第二底板(232)和第二支撑杆(231)；所述第二支撑杆(231)连接于所述第二底板(232)和所述主管道(210)之间，所述第二支撑杆(231)用于支撑所述主管道(210)。

技术总结
本实用新型涉及一种真空保护装置，包括保护罩和真空发生机构。保护罩具有第一容纳腔和连通于第一容纳腔的第一接口，保护罩用于将源炉封闭在第一容纳腔内。第一接口与第一容纳腔连通。真空发生机构包括真空发生器，真空发生器与第一接口连通，真空发生机构通过第一接口对第一容纳腔抽真空，从而使得第一容纳腔内的源炉处于真空环境。在实际使用过程中，在对分子束外延设备的生长腔破真空后，先将源炉转移至保护罩的第一容纳腔内；然后利用与第一接口连接的真空发生器对第一容纳腔进行抽真空操作，使得保护罩内的源炉处于真空环境，使得源炉内部维持在一定的真空度，降低源炉内部的源材料出现污染及氧化的可能。材料出现污染及氧化的可能。材料出现污染及氧化的可能。


技术研发人员：王旭光 倪健 薛聪
受保护的技术使用者：埃特曼半导体技术有限公司
技术研发日：2022.07.28
技术公布日：2022/12/30