一种新型硅碳负极材料及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种新型硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗纳米硅基材料表面污染物并除去表面氧化层，然后烘干；(2)将烘干后的纳米硅基粉末转移至pecvd制备室，炉腔内抽取真空，使用硅烷和氢气作为反应气体进行pecvd沉积反应；(3)沉积完成并冷却后，将纳米硅与碳源在乙醇中充分分散混合、随后在真空干燥箱中烘干；(4)待步骤(3)中形成均一的干燥混合物，转移至马弗炉内在氩气气氛中高温焙烧，冷却后得到产物。2.根据权利要求1所述的新型硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)具体为采用rca标准清洗法去除纳米硅基材料表面污染物，随后用无水乙醇反复冲洗后放入2％氢氟酸中浸泡8～10s，除去表面的自然氧化层，放入真空烘箱中烘干。3.根据权利要求1所述的新型硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中沉积温度为150～500℃，硅烷流量为5～20sccm，氢气流量为160～200sccm，沉积功率为35～50w，沉积气压为100～200pa，沉积时间为30～150min。4.根据权利要求1所述的新型硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中烘干温度为80～150℃，时间为24h以上。5.根据权利要求1所述的新型硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中焙烧温度为800～1000℃，焙烧时间为2～5h。6.一种新型硅碳负极材料，其特征在于，其采用权利要求1～5任意一项所述的制备方法制备得到。

技术总结
本发明公开一种新型硅碳负极材料及其制备方法，包括如下步骤：(1)清洗纳米硅基材料表面污染物并除去表面氧化层，然后烘干；(2)将烘干后的纳米硅基粉末转移至PECVD制备室，炉腔内抽取真空，使用硅烷和氢气作为反应气体进行PECVD沉积反应；(3)沉积完成并冷却后，将纳米硅与碳源在乙醇中充分分散混合、随后在真空干燥箱中烘干；(4)待步骤(3)中形成均一的干燥混合物，转移至马弗炉内在氩气气氛中高温焙烧，冷却后得到产物。通过该方法制备出的复合负极材料显著提高了电池的循环寿命，并且在体积膨胀问题上得到了明显的改善，可使电池的安全性能得到大幅度提升。能得到大幅度提升。


技术研发人员：高剑 杨羽婷 高阳 王铭
受保护的技术使用者：四川长虹电子控股集团有限公司
技术研发日：2022.11.15
技术公布日：2023/1/13