掩膜板、基板、蒸镀装置及蒸镀方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板、基板、蒸镀装置及蒸镀方法。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)作为新一代发光显示技术，具有可视角宽、对比度高、响应速度快、低功耗、可柔性显示等优点，已普遍应用于手机、可穿戴设备等产品中，具有良好的应用前景。
3.oled显示面板中各发光层的制备主要采用真空蒸镀的技术。具体地，在真空环境中加热材料，使材料受热升华，通过具有图案的精密金属掩膜板，在基板上形成具有一定形状的薄膜。经过多种材料的连续沉积成膜，即可形成具有多层薄膜结构的发光层。
4.在蒸镀过程中用到的掩膜板，在长时间蒸镀之后，会在开口处积累材料，从而导致开口变小，进而使得蒸镀形成的发光层的膜厚均匀区域的面积变小，影响发光层的发光性能。


技术实现要素：

5.基于此，有必要提供一种掩膜板、基板、蒸镀装置及蒸镀方法，以改善蒸镀形成的发光层的发光性能。
6.根据本技术的一个方面，提供一种掩膜板，所述掩膜板用于在基板上蒸镀膜层，所述基板包括基板本体和设置在所述基板本体一侧的第一支撑柱；所述掩膜板包括掩膜板本体，所述掩膜板本体上设置有蒸镀孔，所述掩膜板本体具有朝向所述基板本体的第一侧和背离所述基板本体的第二侧，所述掩膜板本体的所述第一侧设置有凹槽，所述凹槽用于在蒸镀时与所述第一支撑柱相抵。
7.根据本技术实施例中的掩膜板，掩膜板本体上设置有蒸镀孔，在利用蒸镀工艺制作显示面板的发光层时，基板置于掩膜板的上方，蒸镀源可以设置在掩膜板的下方，蒸镀源加热材料从而使材料升华，材料小分子经过蒸镀孔后沉积在基板本体上。掩膜板本体的第一侧设置有凹槽，在进行蒸镀的过程中，基板本体上的第一支撑柱与凹槽相抵，使基板本体与掩膜板之间保持相对位置稳定。同时，也使得基板本体与掩膜板之间的距离有所减小，在基板本体与掩膜板之间的距离减小的情况下，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域的面积变大，而膜厚均匀区域的面积增大，会使制作出的发光层的发光亮度和发光均匀性均得到提升，进而改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
8.在一些实施例中，所述掩膜板本体的第一侧设置有磁吸附区域，所述磁吸附区域用于吸附蒸镀时位于所述基板的远离所述掩膜板本体一侧的压板。
9.在一些实施例中，所述磁吸附区域为高铁磁性材料涂层。
10.在一些实施例中，所述凹槽围绕所述蒸镀孔设置且与所述蒸镀孔连通。
11.在一些实施例中，沿所述掩膜板本体的厚度方向由所述第二侧至所述第一侧，所述蒸镀孔的截面尺寸逐渐减小。
12.在一些实施例中，所述凹槽在所述掩膜板本体的厚度方向上的深度，小于所述第一支撑柱在所述基板的厚度方向上的高度。
13.在一些实施例中，所述磁吸附区域为多个且围绕所述蒸镀孔均匀布置。
14.在一些实施例中，所述蒸镀孔的孔壁面为球形面。
15.根据本技术的另一方面，提供一种基板，包括：
16.基板本体；以及
17.第一支撑柱，所述第一支撑柱设置在所述基板本体的一侧，所述第一支撑柱的远离所述基板本体的一端设置有斜切结构。
18.在一些实施例中，所述基板还包括设置在所述基板本体上的第二支撑柱，所述第二支撑柱和所述第一支撑柱位于所述基板本体的同一侧，所述第一支撑柱在所述基板的厚度方向上的高度，大于所述第二支撑柱在所述基板的厚度方向上的高度。
19.在一些实施例中，所述第一支撑柱配置为在使用掩膜板实施蒸镀时围绕所述掩膜板的蒸镀孔布置。
20.根据本技术的又一方面，提供一种蒸镀装置，包括上述任一实施例中的掩膜板。
21.根据本技术的再一方面，提供一种蒸镀方法，包括：
22.提供如上述任一实施例中的掩膜板；
23.提供基板，所述基板包括基板本体和设置在所述基板本体上的第一支撑柱；
24.将所述第一支撑柱与所述凹槽相抵；
25.利用蒸镀工艺在基板本体上形成膜层。
26.在一些实施例中，所述掩膜板本体的所述第一侧设置有磁吸附区域，所述基板还包括设置在所述基板本体上的第二支撑柱，所述第二支撑柱配置为能够与所述吸附区域相抵；
27.所述利用蒸镀工艺在基板本体上形成膜层的步骤之前，所述蒸镀方法还包括：
28.提供压板，所述压板设置在基板本体的远离所述掩膜板本体一侧，所述压板配置为被所述磁吸附区域吸引。
29.在一些实施例中，所述凹槽围绕所述蒸镀孔设置且与所述蒸镀孔连通，沿所述掩膜板本体的厚度方向由所述第二侧至所述第一侧，所述蒸镀孔的截面尺寸逐渐减小。
30.在一些实施例中，所述第一支撑柱远离所述基板本体的一端设置有斜切结构。
31.在一些实施例中，所述磁吸附区域为多个且围绕所述蒸镀孔均匀布置。
附图说明
32.图1为本技术一实施例中的掩膜板的结构示意图；
33.图2为图1中a-a剖面的示意图；
34.图3为本技术一实施例中的基板的示意图；
35.图4为本技术一实施例中的掩膜板用于蒸镀时的示意图；
36.图5为本技术一实施例中的掩膜板用于蒸镀时的示意图(掩膜板本体厚度最小处发生变形时)；
37.图6为本技术一实施例中的掩膜板的结构示意图(图中示意出了第一支撑柱、第二支撑柱与掩膜板本体的位置关系)。
具体实施方式
38.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
39.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
40.在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一元件“上”时，其能直接在其他元件上或亦可存在中间元件。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个发光单元。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个发光单元。
41.在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
42.应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本技术的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
43.还应当理解的是，在解释元件时，尽管没有明确描述，但元件解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
44.此外，在说明书中，短语“平面分布示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图，短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
45.此外，附图并不是1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。
46.oled显示面板中各发光层的制备主要采用真空蒸镀的技术。具体地，在真空环境中加热材料，使材料受热升华，通过具有图案的精密金属掩膜板，在待蒸镀的基板上形成具有一定形状的薄膜。经过多种材料的连续沉积成膜，即可形成具有多层薄膜结构的发光层。
47.其中，对材料进行加热以使材料升华的装置为蒸镀源，在蒸镀的过程中，蒸镀源通常在掩膜板的下方沿水平方向进行往复平移运动。在蒸镀源移动的过程中，材料小分子上升并且经过掩膜板上的蒸镀孔沉积在待蒸镀的基板上。对于掩膜板上的单个的蒸镀孔来说，当蒸镀源位于该蒸镀孔的正下方时材料小分子能够沉积在基板上的区域，与当蒸镀源运动至偏离该蒸镀孔正下方时材料小分子能够沉积在基板上的区域，有所不同。尽管如此，有一部分区域是蒸镀源处于蒸镀孔正下方以及偏离蒸镀孔正下方时，材料小分子均能够沉积在基板上的区域，蒸镀所形成的膜层在该区域的部分，厚度较为均匀，因此可以称为膜层的厚度均匀区域。而膜层的位于厚度均匀区域周边的部分，受到蒸镀孔边缘位置在基板上形成的阴影区的影响，材料小分子有时无法达到该部分，致使厚度所有减薄并且均匀性不
佳，因此，膜层的该部分也可称为减薄区域。可以理解的是，所形成的膜层的膜厚均匀区域越大，最终制作出的发光层的发光性能(亮度及发光均匀性)越好。
48.相关技术中，在蒸镀过程中所使用的掩膜板，在长时间蒸镀之后，会在开口处积累材料，从而导致开口变小，进而使得蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域的面积变小，影响最终制作出的发光层的发光性能。
49.针对上述问题，本技术第一方面的实施例提出了一种掩膜板10，以改善蒸镀形成的发光层的发光性能。
50.如图1至图4所示，本技术第一方面实施例中的掩膜板10，用于在基板上蒸镀膜层，基板包括基板本体20和设置在基板本体20一侧的第一支撑柱210。掩膜板10包括掩膜板本体100，掩膜板本体100上设置有蒸镀孔110，掩膜板本体100具有蒸镀时朝向基板本体20的第一侧101和背离基板本体20的第二侧102，掩膜板本体100的第一侧101设置有凹槽120，凹槽120用于在蒸镀时与第一支撑柱210相抵。
51.根据本技术实施例中的掩膜板10，掩膜板本体100上设置有蒸镀孔110，在利用蒸镀工艺制作显示面板的发光层时，基板置于掩膜板10的上方，蒸镀源可以设置在掩膜板10的下方，蒸镀源加热材料从而使材料升华，材料小分子经过蒸镀孔110后沉积在基板本体20上。掩膜板本体100的第一侧101设置有凹槽120，在进行蒸镀的过程中，基板本体20上的第一支撑柱210与凹槽120相抵，使基板本体20与掩膜板10之间保持相对位置稳定。同时，也使得基板本体20与掩膜板10之间的距离有所减小，在基板本体20与掩膜板10之间的距离减小的情况下，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积变大，而膜厚均匀区域30的面积增大，会使制作出的发光层的发光亮度和发光均匀性均得到提升，进而改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
52.在一些实施例中，掩膜板本体100的第一侧101设置有磁吸附区域130，磁吸附区域130用于吸附蒸镀时位于基板的远离掩膜板本体100一侧的压板40。在该实施例中，在掩膜板本体100的第一侧101设置磁吸附区域130，与之相应地，在进行蒸镀的过程中在基板的远离掩膜板本体100的一侧放置可被磁吸附区域130吸引的压板40。在磁吸附区域130的吸附力的作用下，压板40对基板本体20施加压力，使基板本体20上的第一支撑柱210与掩膜板本体100上的凹槽120紧密相抵，以消除基板本体20与掩膜板本体100之间的间隙。由此，可以使基板本体20和掩膜板本体100之间的距离达到最小，以便于达到使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积变大的目的，从而改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
53.在一些实施例中，磁吸附区域130为高铁磁性材料涂层。通过在掩膜板本体100上制作高铁磁性材料涂层，从而形成具有磁性的磁吸附区域130。相比于将磁铁嵌入掩膜板本体100的方式，采用高铁磁性材料涂层的方式，更有利于减小掩膜板本体100的厚度。与之相应地，压板40可以是导磁材料板(例如铁板或磁铁板)。
54.在一些实施例中，如图4、图5及图6所示，凹槽120围绕蒸镀孔110设置且与蒸镀孔110连通。在进行蒸镀时，基板本体20的第一支撑柱210与凹槽120相抵，以使基板本体20与掩膜板10之间保持相对位置稳定。在该实施例中，将凹槽120围绕蒸镀孔110设置，这样，当蒸镀基板的第一支撑柱210与凹槽120相抵时，尤其能够保证基板本体20上的待蒸镀成膜区域相对于掩膜板10的位置稳定性，从而有利于保证蒸镀质量。另外，使围绕蒸镀孔110设置的凹槽120与蒸镀孔110连通，可以降低凹槽120加工的工艺难度，从而有利于提高凹槽120
的加工精度以及加工效率。
55.在一些实施例中，如图4、图5所示，沿掩膜板本体100的厚度方向由掩膜板本体100的第二侧102至掩膜板本体100的第一侧101，蒸镀孔110的截面尺寸逐渐减小。这使得掩膜板本体100在蒸镀孔110的孔壁面所在的区域，呈现出厚度的逐渐变化。即，掩膜板本体100在孔壁面所在的区域，越靠近孔中心处厚度越小。对于掩膜板本体100的厚度最小处，其结构刚度也最弱，在基板本体20的第一支撑柱210与掩膜板本体100的厚度最小处紧密相抵的情况下，该厚度最小处可能发生变形，从而使基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小，由此，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积进一步增大，进而进一步改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
56.在一些实施例中，凹槽120在掩膜板本体100的厚度方向上的深度，小于第一支撑柱210在基板的厚度方向上的高度。如此设置，可以保证在磁吸附区域130对压板40的吸附力作用下，基板本体20上的第一支撑柱210能够与掩膜板本体100上的凹槽120紧密相抵。
57.在一些实施例中，如图5、图6所示，磁吸附区域130为多个且围绕蒸镀孔110均匀布置。在该实施例中，磁吸附区域130为多个且围绕蒸镀孔110均匀布置，使得在蒸镀孔110周围处，掩膜板本体100与压板40之间的吸附力最强。在磁吸附区域130对于压板40的较强的吸附作用下，基板本体20的第一支撑柱210与掩膜板本体100的厚度最小处紧密相抵，从而促使该掩膜板本体100的厚度最小处发生变形，使基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小，由此，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积进一步增大，进而进一步改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
58.在一些实施例中，蒸镀孔110的孔壁面为球形面。为了提高蒸镀孔110的加工精度，蒸镀孔110和凹槽120可以采用在掩膜板本体100两面加工的方式而形成。即，在掩膜板本体100的第二侧102加工蒸镀孔110，在掩膜板本体100的第一侧101加工与围绕蒸镀孔110设置且与蒸镀孔110连通的凹槽120，这样，在制作蒸镀孔110时无需在掩膜板本体100的一侧直接加工出贯穿掩膜板本体100的蒸镀孔110，通过两面加工的方式制作蒸镀孔110，可以降低蒸镀孔110的制作难度，从而有利于提高蒸镀孔110的加工精度。另外，在采用两面加工方式的情况下，当位于掩膜板本体100的第二侧102的蒸镀孔110的孔壁面为球形面时，对蒸镀孔110的孔径的控制较为容易把控，更有利于提高蒸镀孔110的加工精度。再者，蒸镀孔110的孔壁面采用球形面，也可以满足由掩膜板本体100的第二侧102至掩膜板本体100的第一侧101，使蒸镀孔110的截面尺寸逐渐减小的要求。
59.本技术第二方面的实施例提出了一种基板。如图3、图4所示，该基板包括基板本体20和设置在基板本体20一侧的第一支撑柱210，第一支撑柱210的远离基板本体的一端设置有斜切结构211。
60.根据本技术实施例的基板，可配合上述第一方面实施例中的掩膜板10使用。具体地，在基板本体20的一侧设置有第一支撑柱210，在对基板蒸镀膜层的过程中，基板置于掩膜板10的上方，蒸镀源可以设置在掩膜板10的下方。并且，基板本体20上的第一支撑柱210与掩膜板本体100上的凹槽120相抵，使基板本体20与掩膜板10之间保持相对位置稳定，同时，也使得基板本体20与掩膜板10之间的距离有所减小，在基板本体20与掩膜板10之间的距离减小的情况下，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积变大，而膜厚均匀区域30的面积增大，会使制作出的发光层的发光亮度和发光均匀性均得到提升，进而改善蒸
镀所形成的发光层的发光性能。另外，第一支撑柱210的端部设置有切角结构211，使得第一支撑柱210与掩膜板本体100的接触面积变小，从而使第一支撑柱210与掩膜板本体100之间的压强增大，进而在第一支撑柱210的压强作用下，掩膜板本体100可能发生变形，从而使得基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小，由此，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积进一步增大，以进一步改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
61.在一些实施例中，基板还包括设置在基板本体20上的第二支撑柱220，第二支撑柱220和第一支撑柱210位于基板本体20的同一侧，第一支撑柱210在基板的厚度方向上的高度，大于第二支撑柱220在基板的厚度方向上的高度。其中，在对基板实施蒸镀的过程中，第二支撑柱220与掩膜板本体100上的磁吸附区域130相抵。由于压板40与磁吸附区域130正对的部位受到的吸附力最大，使得该部位可能会发生变形从而使基板本体20对应部位也发生变形，从而增加了基板本体20与磁吸附区域130直接接触的可能性，进而引起致使基板本体20被划伤的风险。为避免上述情况，在该实施例中，基板本体20上设置有第二支撑柱220，第二支撑柱220用于与磁吸附区域130相抵，这样，就可以避免基板本体20与磁吸附区域130接触而被划伤的情况。
62.在一些实施例中，第一支撑柱210配置为在使用掩膜板10实施蒸镀时围绕掩膜板10的蒸镀孔110布置。第一支撑柱210一方面用于与掩膜板本体100上的凹槽120相抵，以保持基板本体20与掩膜板10之间相对位置稳定性，另一方面通过端部的切角结构211促使掩膜板本体100发生变形，以使基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小。基于第一支撑柱210的上述两方面作用，使第一支撑柱210配置为围绕掩膜板10的蒸镀孔110布置，由此，既可以提升基板本体20与掩膜板10之间的支撑稳定性，又有利于促使掩膜板本体100在靠近蒸镀孔110的位置均匀地发生变形，进而可以避免基板本体20与掩膜板10之间距离变小的过程中，两者之间的相对姿态发生明显的偏离。
63.本技术第三方面的实施例提出了一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括上述第一方面任一实施例中的掩膜板10。
64.根据本技术实施例的蒸镀装置，其掩膜板10的掩膜板本体100上设置有蒸镀孔110，在利用蒸镀工艺制作显示面板的发光层时，基板置于掩膜板10的上方，蒸镀源可以设置在掩膜板10的下方，蒸镀源加热材料从而使材料升华，材料小分子经过蒸镀孔110后沉积在基板本体20上。掩膜板本体100的第一侧101设置有凹槽120，在进行蒸镀的过程中，基板本体20上的第一支撑柱210与凹槽120相抵，使基板本体20与掩膜板10之间保持相对位置稳定。同时，也使得基板本体20与掩膜板10之间的距离有所减小，在基板本体20与掩膜板10之间的距离减小的情况下，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积变大，而膜厚均匀区域30的面积增大，会使制作出的发光层的发光亮度和发光均匀性均得到提升，进而改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
65.本技术第四方面的实施例提出了一种蒸镀方法，该蒸镀方法包括：
66.提供上述第一方面任一实施例中的掩膜板10；
67.提供基板本体20，所述基板本体20上设置有第一支撑柱210；
68.将所述第一支撑柱210与所述凹槽120相抵；
69.利用蒸镀工艺在基板本体20上形成膜层。
70.根据本技术实施例的蒸镀方法，所采用的掩膜板10的第一侧101设置有凹槽120，
在进行蒸镀的过程中，基板本体20上的第一支撑柱210与凹槽120相抵，使基板本体20与掩膜板10之间保持相对位置稳定。同时，也使得基板本体20与掩膜板10之间的距离有所减小，在基板本体20与掩膜板10之间的距离减小的情况下，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积变大，而膜厚均匀区域30的面积增大，会使制作出的发光层的发光亮度和发光均匀性均得到提升，进而改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
71.在一些实施例中，掩膜板本体100的第一侧101设置有磁吸附区域130，基板本体20上设置有第二支撑柱220，第二支撑柱220配置为能够与吸附区域相抵。所述蒸镀方法还包括：
72.提供压板40，压板40设置在基板本体20的远离掩膜板本体100一侧，压板40配置为被所述磁吸附区域130吸引。
73.在掩膜板本体100的第一侧101设置磁吸附区域130，与之相应地，在进行蒸镀的过程中在基板本体20的远离掩膜板本体100的一侧放置可被磁吸附区域130吸引的压板40。在磁吸附区域130的吸附力的作用下，压板40对基板本体20施加压力，使基板本体20上的第一支撑柱210与掩膜板本体100上的凹槽120紧密相抵，以消除基板本体20与掩膜板本体100之间的间隙。由此，可以使基板本体20和掩膜板本体100之间的距离达到最小，以便于达到使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积变大的目的，从而改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
74.另外，压板40与磁吸附区域130正对的部位受到的吸附力最大，使得该部位可能会发生变形从而使基板本体20对应部位也发生变形，从而增加了基板本体20与磁吸附区域130直接接触的可能性，进而引起致使基板本体20被划伤的风险。为避免上述情况，在该实施例中，基板本体20上设置有第二支撑柱220，第二支撑柱220用于与磁吸附区域130相抵，这样，就可以避免基板本体20与磁吸附区域130接触而被划伤的情况。
75.在一些实施例中，凹槽120围绕蒸镀孔110设置且与蒸镀孔110连通，沿所述掩膜板本体100的厚度方向由第二侧102至第一侧101，蒸镀孔110的截面尺寸逐渐减小。
76.在该实施例中，凹槽120围绕蒸镀孔110设置且与蒸镀孔110连通，沿所述掩膜板本体100的厚度方向由第二侧102至第一侧101，蒸镀孔110的截面尺寸逐渐减小。这使得掩膜板本体100在蒸镀孔110的孔壁面所在的区域，呈现出厚度的逐渐变化。即，掩膜板本体100在孔壁面所在的区域，越靠近孔中心处厚度越小。对于掩膜板本体100的厚度最小处，其结构刚度也最弱。在基板本体20的第一支撑柱210与掩膜板本体100的厚度最小处紧密相抵的情况下，该厚度最小处可能发生变形，从而使基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小，由此，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积进一步增大，进而进一步改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
77.在一些实施例中，第一支撑柱210远离基板的一端设置有斜切结构211。
78.第一支撑柱210远离基板的一端设置有斜切结构211，在第一支撑柱210与掩膜板本体100的厚度最小处紧密相抵的情况下，因第一支撑柱210的端部设置有斜切结构211，使得第一支撑柱210与掩膜板本体100的接触面积变小，从而使第一支撑柱210与掩膜板本体100之间的压强增大，进而可以使得掩膜板本体100的该厚度最小处在第一支撑柱210的压强作用下发生变形，使得基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小，由此，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积进一步增大，以进一步改善蒸镀所形成的发光层的发
光性能。
79.在一些实施例中，磁吸附区域130为多个且围绕所述蒸镀孔110均匀布置。
80.在该实施例中，磁吸附区域130为多个且围绕蒸镀孔110均匀布置，使得在蒸镀孔110周围处，掩膜板本体100与压板40之间的吸附力最强。在磁吸附区域130对于压板40的较强的吸附作用下，基板本体20的第一支撑柱210与掩膜板本体100的厚度最小处紧密相抵，从而促使该掩膜板本体100的厚度最小处发生变形，使基板本体20与掩膜板10之间的距离进一步减小，由此，可以使蒸镀形成的膜层的膜厚均匀区域30的面积进一步增大，进而进一步改善蒸镀所形成的发光层的发光性能。
81.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
82.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。