密集图案的光学临近修正方法及装置、电子设备与流程

1.本发明涉及半导体设计和制造技术领域，尤其涉及一种密集图案的光学临近修正方法及装置、电子设备。


背景技术：

2.光学临近修正（optical proximity correction，简称opc）是先进节点芯片生产制造工艺中生成掩膜数据的关键一环。opc技术通过对掩膜板进行光刻前预处理，来最大化的减少由于光学等非线性效应造成的光学邻近效应。随着工艺节点的不断缩小，光学临近修正的目标图案越来越密集，图案间距（pitch）也越来越小。现有的光学临近修正具体流程一般会对目标图案的边缘按照一定规则进行分段，然后对每个边缘段移动。对于密集图案进行光学临近修正时，由于对边缘段移动后形成的图案除了掩膜规则验证以外，没有其他的约束，常常会造成最终掩膜板图案中心间距比目标图案中心间距小很多的情况。
3.请参阅图1，其为现有光学临近修正的目标图案与掩膜板图案中心间距示意图，其中，（a）部分对应于目标图案、（b）部分对应于掩膜板图案。如图1中（a）部分所示，光学临近修正的目标图案在竖直方向的最小图案中心间距p为：p=1/2*l1 s 1/2*l2。如图1中（b）部分所示，光学临近修正后的掩膜板图案在竖直方向的最小图案中心间距p’为：p’=1/2*l1’ s’ 1/2*l2’。在该实施例中，p’远小于p。
4.掩膜板图案中心间距的显著减少会带来两个问题：1）光刻工艺中光源的形状通常是基于光学临近修正目标图案的最小图案中心间距p进行优化，对于掩膜板图案的中心间距p’（p’显著小于p）的图案，其工艺窗口，尤其是归一化的光强对数斜率（normalized image log slope，简称nils）会显著变差。2）光学临近修正模型通常是基于光学临近修正目标图案的最小线宽、间距和图案中心间距，进行取样、量测和校正，当实际的掩膜板图案的中心间距显著小于目标图案的中心间距时，该掩膜板图案远超光学临近修正模型校正的取样范围，从而导致光学临近修正模型无法对该掩膜板图案做出准确的预测。上述两个问题都会导致热点和缺陷的出现，最终影响晶片生产的良率。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种密集图案的光学临近修正方法及装置、电子设备，用于解决现有的光学临近修正方法得到的掩膜板图案中心间距的显著减少所造成的热点和缺陷的技术问题，通过图案中心间距约束，实现避免因为掩膜板图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高晶片生产的良率。
6.为实现上述目的，本发明提供了一种密集图案的光学临近修正方法，包括如下步骤：建立掩膜板图案的中心间距规则，其中，所述中心间距规则为光学临近修正后的掩膜板图案的图案中心间距大于或等于第一预设阈值；基于预设规则对光学临近修正的目标图案的边缘进行分段；对所划分的边缘段进行移动，并对移动后的所有所述边缘段进行掩膜规则验证，获取光学临近修正后的第一掩膜板图案；对所获取的第一掩膜板图案的所有边缘
段进行所述中心间距规则验证，找出违反所述中心间距规则的所有边缘段；对所找出的每一所述边缘段进行移动修正、并再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证，以获取第二掩膜板图案；以及利用光学临近修正模型对所获取的第二掩膜板图案进行仿真以及边缘位置误差检查，以获取光学临近修正后的最终掩膜板图案。
7.为实现上述目的，本发明还提供了一种密集图案的光学临近修正装置，包括：建立模块，用于建立掩膜板图案的中心间距规则，其中，所述中心间距规则为光学临近修正后的掩膜板图案的图案中心间距大于或等于第一预设阈值；分段模块，用于基于预设规则对光学临近修正的目标图案的边缘进行分段；第一验证模块，用于对所划分的边缘段进行移动，并对移动后的所有所述边缘段进行掩膜规则验证，获取光学临近修正后的第一掩膜板图案；第二验证模块，用于对所获取的第一掩膜板图案的所有边缘段进行所述中心间距规则验证，找出违反所述中心间距规则的所有边缘段；修正模块，用于对所找出的每一所述边缘段进行移动修正、并再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证，以获取第二掩膜板图案；以及仿真模块，用于利用光学临近修正模型对所获取的第二掩膜板图案进行仿真以及边缘位置误差检查，以获取光学临近修正后的最终掩膜板图案。
8.为实现上述目的，本发明还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机可执行程序，所述处理器执行所述计算机可执行程序时实现如本发明所述的密集图案的光学临近修正方法的步骤。
9.本发明通过预设掩膜板图案的中心间距规则，在对密集图案进行光学临近修正的流程中，加入水平方向、竖直方向或水平竖直两个方向的图案中心间距的约束；在边缘段的每一次移动之后，都对当前掩膜板图案进行中心间距规则检查，找到违反规则的所有边缘段；对于某一违反规则的边缘段，如果其最近一次移动操作会减少相关的图案中心间距则撤回该边缘段的该次移动，保证最终得到的掩膜板图案的图案中心间距不会小于预设的阈值，有效的避免了因为掩膜板图案的图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高了晶片生产的良率。
附图说明
10.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
11.图1为现有光学临近修正的目标图案与掩膜板图案中心间距示意图；图2为本发明一实施例提供的密集图案的光学临近修正方法的步骤示意图；图3为本发明一实施例提供的对边缘段进行中心间距规则检查的示意图；图4为本发明一实施例提供的密集图案的光学临近修正方法的流程图；图5为本发明一实施例提供的密集图案的光学临近修正装置的结构框图。
具体实施方式
12.下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本
领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
13.光学临近修正具体流程一般为：首先对光学临近修正的目标图案的边缘按照一定规则进行分段，然后对每个边缘段移动；移动后的图案边缘段之间必须满足掩膜规则验证（mask rule check，简称mrc）；再基于移动后的图案使用光学临近模型进行仿真，并计算仿真后的轮廓和光学临近目标图案之间的边缘位置误差（edge placement error，简称epe）；如果该边缘位置误差满足小于或等于预设的阈值，则得到的图案即为最终的掩膜板图案；如果该边缘位置误差大于预设的阈值，则计算各个边缘段还需要的移动量，返回继续移动边缘段，直至收敛为止。
14.在上述现有光学临近修正过程中，只要不违反掩膜规则验证，对边缘段移动后形成的图案没有其他的约束。但随着工艺节点的不断缩小，光学临近修正的目标图案越来越密集，图案间距也越来越小，常常会造成最终掩膜板图案中心间距比目标图案中心间距小很多的情况，导致热点和缺陷的出现，最终影响晶片生产的良率。本发明通过预设掩膜板图案的中心间距规则，在边缘段的每一次移动之后，都对当前掩膜板图案进行中心间距规则检查，找到违反规则的所有边缘段；对于某一违反规则的边缘段，如果其最近一次移动操作会减少相关的图案中心间距则撤回该边缘段的该次移动，保证了最终得到的掩膜板图案的图案中心间距不会小于预设的最小值，有效的避免了因为掩膜板图案的图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高了晶片生产的良率。以下将给出详细解释说明。
15.本发明一实施例提供了一种密集图案的光学临近修正方法。
16.请一并参阅图2~图3，其中，图2为本发明一实施例提供的密集图案的光学临近修正方法的步骤示意图，图3为本发明一实施例提供的对边缘段进行中心间距规则检查的示意图。
17.如图2所示，本实施例所述方法包括如下步骤：s1、建立掩膜板图案的中心间距规则；s2、基于预设规则对光学临近修正的目标图案的边缘进行分段；s3、对所划分的边缘段进行移动，并对移动后的所有所述边缘段进行掩膜规则验证，获取光学临近修正后的第一掩膜板图案；s4、对所获取的第一掩膜板图案的所有边缘段进行所述中心间距规则验证，找出违反所述中心间距规则的所有边缘段；s5、对所找出的每一所述边缘段进行移动修正、并再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证，以获取第二掩膜板图案；以及s6、利用光学临近修正模型对所获取的第二掩膜板图案进行仿真以及边缘位置误差检查，以获取光学临近修正后的最终掩膜板图案。
18.关于步骤s1、建立掩膜板图案的中心间距规则。具体来说，所建立的中心间距规则为光学临近修正后的掩膜板图案的图案中心间距大于或等于第一预设阈值。
19.在一些实施例中，所述第一预设阈值小于光学临近修正的目标图案的最小中心间距，且大于会造成热点或缺陷的掩模版图案的图案中心间距临界值。也即，所述第一预设阈值满足以下条件：1）小于光学临近修正的目标图案的相应最小中心间距；2）掩模版图案的中心间距等于此第一预设阈值时不会造成热点或缺陷。例如，假定光学临近修正目标图案在竖直方向的最小中心间距为p纳米，会造成热点或缺陷的掩模版图案的图案中心间距临界值为p-5纳米；则所述第一预设阈值的取值范围为：小于p纳米、大于p-5纳米。
20.在一些实施例中，所述的建立掩膜板图案的中心间距规则的步骤进一步包括：建
立水平方向的掩膜板图案的中心间距规则；或建立竖直方向的掩膜板图案的中心间距规则；或同时建立水平方向和竖直方向的掩膜板图案的中心间距规则。例如，假定光学临近修正目标图案在竖直方向的最小中心间距为p纳米，在竖直方向会造成热点或缺陷的掩模版图案的图案中心间距临界值为p-5纳米；则所建立的中心间距规则为光学临近修正后的掩膜板图案在竖直方向的最小图案中心间距大于或等于第一预设阈值，其中所述第一预设阈值的取值范围为小于p纳米、大于p-5纳米。
21.关于步骤s2、基于预设规则对光学临近修正的目标图案的边缘进行分段。具体来说，可以遵循掩膜板制造规则，在目标图案上对边缘进行切分，还可以设置每一个边缘段（即切分单元）的初始移动量。本步骤的具体分段方式可参考现有对目标图案的边缘进行分段的方式，此处不再赘述。
22.关于步骤s3、对所划分的边缘段进行移动，并对移动后的所有所述边缘段进行掩膜规则验证，获取光学临近修正后的第一掩膜板图案。具体来说，对步骤s2所划分的各个边缘段进行移动，并对移动后的图案进行掩膜规则验证。进行掩膜规则验证是为了保证移动后得到的图案不会违反掩膜制造的工艺限制，比如掩膜制造工艺要求掩膜板图案间距不得小于某个值，否则将无法制造。
23.在一些实施例中，所述的对移动后的所有所述边缘段进行掩膜规则验证的步骤进一步包括：对于违反所述掩膜规则的边缘段，撤回其最近一次移动操作并再次进行所述掩膜规则验证，直至所有边缘段均通过所述掩膜规则验证。
24.s4、对所获取的第一掩膜板图案的所有边缘段进行所述中心间距规则验证，找出违反所述中心间距规则的所有边缘段。具体来说，违反所述中心间距规则的所有边缘段存在掩膜板图案中心间距比目标图案中心间距小很多的情况，这会导致热点和缺陷的出现，通过对当前掩膜板图案进行中心间距规则检查，找到违反规则的所有相关边缘段，结合后续的修正处理，可以保证最终得到的掩膜板图案的中心间距不会小于预设的最小值，有效的避免了因为掩膜板图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高了晶片生产的良率。
25.在一些实施例中，所述的找出违反所述中心间距规则的所有边缘段的步骤进一步包括：1）找出待计算图案中心间距的边缘段的所有相关的关联边缘单元；2）根据该边缘段与相应关联边缘单元的距离，计算出该边缘段的相应图案中心间距；3）若所计算出的相应图案中心间距小于所述第一预设阈值，则该边缘段以及相应关联边缘单元所在的边缘段均为违反所述中心间距规则的边缘段。
26.在一些实施例中，所述的找出违反所述中心间距规则的所有边缘段的步骤进一步包括：找出与边缘段a1在同一多边形里并与其相对的所有第一关联边缘单元b1，b2，
…
，bm；找出与边缘段a1相邻的多边形里分别与边缘段a1以及每一第一关联边缘单元bi（i=1、2、
…
、m）相对应的所有第二关联边缘单元ci1，ci2，
…
，cin；找出与第二关联边缘单元cij（i=1、2、
…
、m，j=1、2、
…
、n）在同一多边形里并与其相对的所有第三关联边缘单元dij1，dij2，
…
，dijp；采用以下公式计算出边缘段a1的相应图案中心间距pijk（i=1、2、
…
、m，j=1、2、
…
、n，k=1、2、
…
、p）：pijk= w(a1，bi) /2 w(a1，cij) w(cij，dijk) /2，其中，w(a1，bi)为边缘段a1与第一关联边缘单元bi之间的距离，w(a1，cij) 为边缘段a1与第二关联边缘单元cij之间的距离，w(cij，dijk) 为第二关联边缘单元cij与第三关联边缘单元dijk之间的距离；若所计算出的相应图案中心间距pijk小于所述第一预设阈值，则边缘段a1以及第一
关联边缘单元bi、第二关联边缘单元cij、第三关联边缘单元dijk所在的边缘段均为违反所述中心间距规则的边缘段。
27.如图3所示，以建立竖直方向的掩膜板图案的中心间距规则，对水平边缘段的竖直中心间距进行中心间距规则检查为例；图中两圆点之间的线段为一边缘段。在本实施例中，计算水平边缘段a1的竖直图案中心间距时，首先找到a1的所有相关的关联边缘单元，具体为：首先找出与边缘段a1在同一多边形里并与其相对的所有第一关联边缘单元b1、b2；找出与边缘段a1相邻的多边形里分别与边缘段a1以及每一第一关联边缘单元b1、b2相对应的所有第二关联边缘单元c11、c12、c21（其中，c11、c12与b1对应，c21与b2对应）；找出与第二关联边缘单元c11、c12、c21在同一多边形里并与其相对的所有第三关联边缘单元d111、d121、d211、d212（其中，d111与c11对应，d121与c12对应，d211、d212与c21对应）。综上，图3中与边缘段a1相关的所有关联边缘单元为b1、b2、c11、c12、c21、d111、d121、d211、d212。
28.定义w(x，y)为边缘段x，y之间的距离，那么a1相对应的图案中心间距pijk=w(a1，bi)/2 w(a1，cij) w(cij，dijk)/2。若所计算出的相应图案中心间距pijk小于步骤s1所建立的中心间距规则中对应的第一预设阈值，则边缘段a1以及bi、cij、dijk所在的边缘段均为违反所述中心间距规则的边缘段。例如，假设p211小于所述第一预设阈值，则边缘段a1以及关联边缘单元b2、c21、d211所在的边缘段（两圆点之间线段）均为违反所述中心间距规则的边缘段。
29.请继续参阅图2，关于步骤s5、对所找出的每一所述边缘段进行移动修正、并再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证，以获取第二掩膜板图案。具体来说，通过对于步骤s4找出的所有违反中心间距规则的边缘段进行修正处理，可以保证最终得到的掩膜板图案的图案中心间距不会小于预设的阈值，有效的避免了因为掩膜板图案的图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高了晶片生产的良率。
30.在一些实施例中，所述的对所找出的每一所述边缘段进行移动修正的步骤进一步包括：对所找出的每一所述边缘段，判断最近一次移动操作是否会减少相关的图案中心间距；如果是，则撤回相应边缘段的该次移动操作；如果否，则保留相应边缘段的该次移动操作。对于步骤s4找出的所有违反中心间距规则的边缘段，其最近一次移动减少了图案中心间距；通过将相应边缘段的此次移动撤回，可以增大该边缘段的中心间距，以使其符合中心间距规则。请再次参阅图3，假设边缘段a1以及关联边缘单元b2、c21和d212所在的边缘段为违反了所述中心间距规则的边缘段，而边缘段a1的最近一次移动是向上1纳米，关联边缘单元b2所在的边缘段的最近一次移动是向下2纳米，关联边缘单元c21和d212所在的边缘段最近一次的移动是0（即没有移动）。则在该次移动中，边缘段a1的移动增大了相关的图案中心间距，关联边缘单元b2所在边缘段的移动减少了相关的图案中心间距，关联边缘单元c21和d212所在的边缘段则没有改变相关的图案中心间距。因此，将关联边缘单元b2所在边缘段的该次移动撤回，即将关联边缘单元b2所在的边缘段在当前的位置向上移动2纳米，而保留边缘段a1的该次移动，即保留边缘段a1的位置，从而增大相关的图案中心间距。在其它实施例中也可以采用其它移动修正操作以增大相关的图案中心间距。
31.在一些实施例中，所述的对所找出的每一所述边缘段进行移动修正、并再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证的步骤进一步包括：在对所有所述边缘段的移动修正处理结束后，再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证。通过在对
所有违反中心间距规则的边缘段的修正处理结束后，再进行掩膜规则验证以及中心间距规则检查，方便统一处理、提高效率。
32.关于步骤s6、利用光学临近修正模型对所获取的第二掩膜板图案进行仿真以及边缘位置误差检查，以获取光学临近修正后的最终掩膜板图案。具体来说，利用光学临近修正模型对步骤s5得到的掩膜板图案进行仿真，将仿真得到的轮廓对应光学临近修正目标图案进行边缘位置误差检查；在所得掩膜板图案的仿真轮廓的边缘位置误差小于第二预设阈值时，将当前的掩膜板图案作为光学临近修正后的最终掩膜板图案。
33.在一些实施例中，所述的利用光学临近修正模型对所获取的第二掩膜板图案进行仿真以及边缘位置误差检查，以获取光学临近修正后的最终掩膜板图案的步骤进一步包括：将对所获取的第二掩膜板图案进行仿真得到的仿真轮廓对应光学临近修正的目标图案进行边缘位置误差检查；若边缘位置误差小于第二预设阈值，则将当前的第二掩膜板图案作为光学临近修正后的最终掩膜板图案，否则根据边缘位置误差计算各个边缘段所需的移动量，进行下一轮的边缘段移动、掩膜规则验证、中心间距规则验证、仿真以及边缘位置误差检查操作；即，重复步骤s3至s6，直到所得掩膜板图案的仿真轮廓的边缘位置误差小于预设阈值为止。
34.以下结合图4对本发明密集图案的光学临近修正方法的流程做进一步解释说明。本实施例密集图案的光学临近修正的流程具体为：1）对光学临近修正的目标图案的边缘按照一定规则进行分段；2）对每个边缘段进行移动；3）判断移动后的图案边缘段是否通过掩膜规则验证，若是则执行下一步，否则撤回其最近一次移动操作并再次进行所述掩膜规则验证；4）判断通过掩膜规则验证后的图案边缘段是否通过中心间距规则验证，若是则执行下一步，否则找出违反所述中心间距规则的所有边缘段，并对最近一次移动操作会减少相关的图案中心间距的边缘段撤回其最近一次移动操作，并再次进行掩膜规则验证以及中心间距规则验证；5）进行仿真以及边缘位置误差检查；6）判断边缘位置误差是否小于设定阈值，若是则获取最终掩膜板图案，否则根据边缘位置误差计算各个边缘段所需的移动量，并返回上述步骤2）进行下一轮的边缘段移动、掩膜规则验证、中心间距规则验证、仿真以及边缘位置误差检查操作。
35.基于同一发明构思，本发明还提供了一种密集图案的光学临近修正装置。所提供的密集图案的光学临近修正装置可以采用如图2所示的密集图案的光学临近修正方法加入图案中心间距的约束，避免因为掩膜板图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高了晶片生产的良率。
36.请参阅图5，其为本发明一实施例提供的密集图案的光学临近修正装置的结构框图。如图5所示，所述密集图案的光学临近修正装置包括：建立模块51、分段模块52、第一验证模块53、第二验证模块54、修正模块55以及仿真模块56。
37.具体来说，所述建立模块51用于建立掩膜板图案的中心间距规则，其中，所述中心间距规则为光学临近修正后的掩膜板图案的图案中心间距大于或等于第一预设阈值。所述分段模块52用于基于预设规则对光学临近修正的目标图案的边缘进行分段。所述第一验证模块53用于对所划分的边缘段进行移动，并对移动后的所有所述边缘段进行掩膜规则验证，获取光学临近修正后的第一掩膜板图案。所述第二验证模块54用于对所获取的第一掩膜板图案的所有边缘段进行所述中心间距规则验证，找出违反所述中心间距规则的所有边
缘段。所述修正模块55用于对所找出的每一所述边缘段进行移动修正、并再次进行所述掩膜规则验证以及所述中心间距规则验证，以获取第二掩膜板图案。所述仿真模块56用于利用光学临近修正模型对所获取的第二掩膜板图案进行仿真以及边缘位置误差检查，以获取光学临近修正后的最终掩膜板图案。各模块的工作方式可参考图2所示的密集图案的光学临近修正方法中相应步骤的描述，此处不再赘述。
38.本发明提供的光学临近修正方法及装置，通过预设掩膜板图案的中心间距规则，在对密集图案进行光学临近修正的流程中，加入水平方向、竖直方向或水平竖直两个方向的图案中心间距的约束；在边缘段的每一次移动之后，都对当前掩膜板图案进行中心间距规则检查，找到违反规则的所有边缘段；对于某一违反规则的边缘段，如果其最近一次移动操作会减少相关的图案中心间距则撤回该边缘段的该次移动，保证了最终得到的掩膜板图案的图案中心间距不会小于预设的阈值，有效的避免了因为掩膜板图案的图案中心间距过小造成的热点和缺陷，提高了晶片生产的良率。
39.基于同一发明构思，本发明还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机可执行程序；所述处理器执行所述计算机可执行程序时实现如图2所示的密集图案的光学临近修正方法的步骤。
40.在本发明构思的领域中是可以根据执行所描述的一个或多个功能的模块来描述和说明实施例。这些模块（本文也可以称为单元等）可以由模拟和/或数字电路物理地实现，例如逻辑门、集成电路、微处理器、微控制器、存储器电路、无源电子元件、有源电子元件、光学组件、硬连线电路等，并且可以可选地由固件和/或软件来驱动。电路例如可以在一个或更多个半导体芯片中实施。构成模块的电路可以由专用硬件实现，或者由处理器（例如，一个或更多个编程的微处理器和相关电路）实现，或者由执行模块的一些功能的专用硬件和执行模块的其它功能的处理器的组合来实现。在不脱离本发明构思的范围的情况下，可以将实施例的每个模块物理地分成两个或更多个交互且分立的模块。同样地，在不脱离本发明构思的范围的情况下，可以将实施例的模块物理地组合成更复杂的模块。
41.通常，可以至少部分地从上下文中的用法理解术语。例如，在本文中所使用的术语“一个或多个”至少部分取决于上下文，可以用于以单数意义描述特征、结构或特性，或可以用于以复数意义描述特征、结构或特征的组合。另外，术语“基于”可以被理解为不一定旨在表达一组排他性的因素，而是可以替代地，同样至少部分地取决于上下文，允许存在不一定明确描述的其它因素。
42.需要说明的是，本发明的文件中涉及的术语“包括”和“具有”以及它们的变形，意图在于覆盖不排他的包含。术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，除非上下文有明确指示，应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换。另外，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。此外，在以上说明中，省略了对公知组件和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。上述各个实施例中，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同/相似的部分互相参见即可。
43.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。