异形显示面板及显示装置的制作方法

1.本公开属于显示领域，具体涉及一种异形显示面板及显示装置。


背景技术：

2.随着lcd(液晶显示屏)的普及与发展，当下lcd除了具有展示信息的作用外，在外形上也发生了很大的改变，具有特殊形状的显示面板(即：异形显示面板)不仅具有更高的屏占比，并且能更好的适应各种环境及安装条件。
3.其中，在异形显示面板中，需要通过调整显示区域的形状来实现异形显示，常见方式有两种：第一种是使用黑色矩阵(即：bm)单元对位于边缘的像素单元进行遮挡，第二种是通过调整像素单元的位置来实现异形显示。
4.第一种方式形成的异形显示面板中，由于在异形边缘显示区域的子像素具有不同的开口尺寸，因此，在显示画面的边缘显示区域容易出现色偏。而第二种方式构成的异形显示面板中，由方形子像素通过锯齿排列而形成的边缘圆弧或多边形等不规则的非矩形形状的异形显示区域，会在显示时呈现处易于被人眼识别的锯齿状边缘，影响产品质量。


技术实现要素：

5.本公开的目的在于提供一种异形显示面板及显示装置，可改善显示效果。
6.本公开第一方面提供了一种异形显示面板，所述异形显示面板具有分割轮廓线，以将其划分为显示区和非显示区，所述显示区包括多个子像素，且所述分割轮廓线的至少部分为异形边界，所述显示区包括正常显示区和位于所述异形边界与所述正常显示区之间的过渡显示区；其中，
7.所述子像素包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的沟道区呈u型；其中，
8.所述过渡显示区中与所述异形边界相邻子像素的沟道区宽长比小于所述正常显示区中子像素的沟道区宽长比。
9.在本公开的一种示例性实施例中，在所述显示区中：各所述子像素的沟道区长度均相等；且
10.所述过渡显示区中与所述异形边界相邻子像素的沟道区宽度小于所述正常显示区中子像素的沟道区宽度。
11.在本公开的一种示例性实施例中，所述沟道区具有半圆环区和位于所述半圆环区两端且呈矩形的延长区；其中，
12.所述沟道区的长度l和所述沟道区的宽度w满足以下关系：
[0013][0014]
其中，a为所述半圆环区的内半径，b为所述半圆环区的外半径，c为所述延长区的宽度，且l＝b-a。
[0015]
在本公开的一种示例性实施例中，各所述子像素的沟道区的半圆环区相同；其中，
[0016]
所述过渡显示区中与所述异形边界相邻子像素的延长区长度小于所述正常显示区中子像素的延长区长度。
[0017]
在本公开的一种示例性实施例中，所述异形显示面板包括遮挡层，所述遮挡层至少覆盖所述非显示区，所述遮挡层具有所述分割轮廓线；
[0018]
所述多个子像素构成多个在第一方向和第二方向上阵列排布的像素单元，所述第一方向与所述第二方向相交；所述像素单元包括多个颜色不同且在所述第一方向上依次排布的子像素；
[0019]
其中，位于所述过渡显示区的像素单元定义为过渡像素单元，位于所述正常显示区的像素单元定义为正常像素单元，在所述过渡像素单元和所述正常像素单元中同种颜色子像素相比：所述过渡像素单元的子像素的沟道区宽长比小于所述正常像素单元的子像素的沟道区宽长比。
[0020]
在本公开的一种示例性实施例中，所述异形边界位于所述分割轮廓线的拐角处，且所述异形边界为圆弧形，所述过渡显示区呈扇形；
[0021]
其中，位于边缘的至少部分子像素的开口区被所述遮挡层遮挡，以形成异形子像素；
[0022]
所述过渡显示区具有多个异形子像素，在所述第一方向上，多个异形子像素的开口区被所述遮挡层遮挡的面积从所述异形边界至所述正常显示区上依次减小，且多个异形子像素的沟道区宽长比从所述异形边界至所述正常显示区上依次增大。
[0023]
在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一方向上，所述过渡显示区中同种颜色子像素的沟道区宽长比从所述异形边界至所述正常显示区上依次增大。
[0024]
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一方向为行方向，所述第二方向为与所述行方向垂直的列方向，且所述过渡显示区与所述正常显示区相接的列边界和行边界，且所述列边界和所述行边界通过所述异形边界连接；其中，
[0025]
所述过渡显示区中具有多行和多列像素单元，所述像素单元呈矩形状；在所述过渡显示区中：每列像素单元中像素单元的个数从所述列边界至所述异形边界的方向上逐渐减少，每行像素单元中像素单元的个数从所述行边界至所述异形边界的方向上逐渐减少，以形成阶梯型像素边界，所述阶梯型像素边界与所述异形边界完全重合；
[0026]
其中，所述过渡显示区具有至少一个阶梯型划分线，以将所述过渡显示区划分成至少两个阶梯型子区；所述阶梯型划分线与所述阶梯型边界相同且平行设置，每个阶梯型子区中同种颜色子像素的沟道区宽长比相等；相邻两阶梯型子区的同种颜色子像素的沟道区宽长比相比，从所述异形边界至所述正常显示区上依次增大。
[0027]
在本公开的一种示例性实施例中，所述异形显示面板为液晶显示面板。
[0028]
本公开第二方面提供了一种显示装置，包括驱动芯片，其中，所述显示装置还包括上述任一项所述的异形显示面板，所述驱动芯片与所述异形显示面板的薄膜晶体管连接。
[0029]
本公开公开的异形显示面板及显示装置具有以下有益效果：
[0030]
在本公开中，通过设计异形边界处子像素的薄膜晶体管的沟道区宽长比小于正常显示区中子像素的薄膜晶体管的沟道区宽长比，使得异形边界处子像素的薄膜晶体管的充电率小于正常显示区中子像素的薄膜晶体管的充电率，这样可降低边界处子像素亮度，以
此来达到弱化异形显示边缘色偏和锯齿化的效果。
[0031]
此外，本实施例通过将薄膜晶体管的沟道区设计成u型，这样在保证薄膜晶体管的充电率满足要求的同时，还可适当减小薄膜晶体管的体积，从而可减小非开口区的占比，提高像素开口率。
[0032]
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0033]
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0034]
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]
图1示出了本公开实施例所描述的异形显示面板的截面示意图；
[0036]
图2示出了本公开实施例所描述的异形显示面板的平面轮廓示意图；
[0037]
图3示出了本公开实施例所描述的子像素与栅线和扫描线的连接示意图；
[0038]
图4示出了本公开实施例所描述的薄膜晶体管的结构示意图；
[0039]
图5示出了本公开实施例所描述的薄膜晶体管的沟道区宽度w、沟道区长度l与其充电率的仿真结果示意图；
[0040]
图6示出了本公开实施例所描述的薄膜晶体管的沟道区的等效示意图；
[0041]
图7示出了本公开实施一所描述的异形显示面板的局部示意图；
[0042]
图8示出了本公开实施例二所描述的异形显示面板的过渡显示区20b与遮挡层的关系示意图；
[0043]
图9示出了本公开实施例二所描述的异形显示面板的过渡显示区20b中各阶梯型子区的亮度示意图；
[0044]
图10示出了本公开实施例三所描述的显示装置的示意图。
[0045]
附图标记说明：
[0046]
10、阵列基板；11、对置基板；12、液晶分子；
[0047]
20、显示区；20a、正常显示区；20b、过渡显示区；201、子像素；2011、像素电极；2012、薄膜晶体管；20121、沟道区；20121a、半圆环区；20121b、延长区；20122、栅极；20123、半导体层；20124、源极；20124a、插入电极部；20124b、第二连接电极部；20125、漏极；20125a、u型电极部；20125b、第一连接电极部；202、栅线；203、数据线；21、非显示区；22、分割轮廓线；22a、异形边界；23、像素单元；30、数据驱动芯片；
[0048]
x、第一方向；y、第二方向、z、厚度方向。
具体实施方式
[0049]
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加
全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
[0050]
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。
[0051]
下面结合附图和具体实施例对本公开作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本公开各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本公开，而不能理解为对本公开的限制。
[0052]
实施例一
[0053]
本公开第一方面提供了一种异形显示面板，本实施例的异形显示面板可为液晶显示面板，但不限于此，还可为oled显示面板等，视具体情况而定。
[0054]
下面本实施例主要以异形显示面板为液晶显示面板为例进行详细说明。
[0055]
如图1所示，从厚度方向z上来看，本实施例的异形显示面板可包括对盒设置的阵列基板10和对置基板11、以及填充在阵列基板10和对置基板11之间的液晶分子12。
[0056]
如图2所示，从与厚度方向z垂直的水平面上来看，液晶显示包括显示区20和非显示区21，此非显示区21和显示区20通过分割轮廓线22划分开来，应当理解的是，非显示区21环绕显示区20设置。
[0057]
此分割轮廓线22的至少部分为异形边界22a，也就是说，显示区20整体可为异形，即：非矩形区域，其中，显示区20可包括正常显示区20a和位于异形边界22a与正常显示区20a之间的过渡显示区20b。
[0058]
如图2所示，本实施例的异形边界22a位于分割轮廓线22的拐角处，且异形边界22a为圆弧形，此时，过渡显示区20b可呈扇形。应当理解的是，显示区20不限于图2所示的拐角为圆弧形状的区域；也可整体为圆形、椭圆形等区域。
[0059]
在本实施例中，如图3所示，显示区20可包括多个子像素201，且本实施例的显示区20还可设置多条栅线202和多条数据线203，此栅线202整体可在第一方向x上延伸，数据线203整体可在第二方向y上延伸，此第一方向x和第二方向y相交且均与厚度方向z垂直。具体地，第一方向x与第二方向y相互垂直。
[0060]
如图3所示，本实施例的子像素201可包括位于其开口区的像素电极2011、公共电极(图中未示出)和色阻(图中未示出)以及位于其非开口区的薄膜晶体管2012。
[0061]
其中，像素电极2011完全位于数据线203和栅线202形成的网格区域内，公共电极和色阻的至少部分位于数据线203和栅线202形成的网格区域内，且色阻与公共电极和像素电极2011在厚度方向z上相对设置，像素电极2011与公共电极相对且相互绝缘，公共电极与像素电极2011之间可形成电场，以驱动液晶分子12偏转。
[0062]
在异形显示面板为液晶显示面板时，结合图1至图3所示，此子像素201的像素电极2011可位于阵列基板10上，公共电极可位于对置基板11上，像素电极2011与公共电极之间形成竖直电场，但应当理解的是，子像素201的像素电极2011和公共电极也可位于同一基板上，并在第一方向x上相对设置，以形成水平电场，视具体情况而定。而子像素201的色阻可
设置在对置基板11上，但不限于此，也可也设置在阵列基板10上。
[0063]
举例而言，像素电极2011和公共电极可为透明电极，例如：ito(氧化铟锡)电极等。
[0064]
本实施例中，各子像素201的公共电极可相连接，以使得各子像素201具有相同的公共电位，其中，为了实现子像素201开口区对应的液晶分子12实现不同偏转，可通过调节像素电极2011处的像素电压即可。
[0065]
其中，如图4所示，本实施例的薄膜晶体管2012的沟道区20121呈u型，通过将薄膜晶体管2012的沟道区20121设计成u型，这样在保证薄膜晶体管2012的充电率满足要求的同时，还可适当减小薄膜晶体管2012的体积，从而可减小非开口区的占比，提高像素开口率。此外，通过薄膜晶体管2012的沟道区20121呈u型设计，还可在不增加任何器件和牺牲像素开口率的前提下，便于调整薄膜晶体管2012的沟道区20121宽长比，以使薄膜晶体管2012具有不同的充放电能力(即：充电率)，这样使得异形显示面板具有可设计性和可实施性强的特点。
[0066]
具体地，薄膜晶体管2012可具有栅极20122、半导体层20123、源极20124和漏极20125。举例而言，为了方便后面设计薄膜晶体管2012的沟道区20121，本实施例的薄膜晶体管2012可为底栅型，即：半导体层20123与栅极20122之间通过栅绝缘层间隔开，且半导体层20123正投影在栅极20122内，而薄膜晶体管2012的漏极20125可包括u型电极部20125a和第一连接电极部20125b，u型电极部20125a正投影在薄膜晶体管2012的半导体层20123内并与半导体层20123的漏掺杂区相接触，第一连接电极部20125b连接u型电极部20125a和数据线203；薄膜晶体管2012的源极20124包括插入电极部20124a和第二连接电极部20124b，插入电极部20124a正投影在半导体层20123内并与半导体层20123的源掺杂区相接触，且插入电极部20124a插入u型电极部20125a内并与u型电极部20125a之间形成呈u型的沟道区20121，第二连接电极部20124b连接插入电极部20124a和像素电极2011。
[0067]
在液晶显示面板中，薄膜晶体管2012(简称：tft)的功能是一个三端开关，一端是栅极20122、以对应连接数据线203，一端是漏极20125、以对应连接数据线203；一端是源极20124、以对应连接像素电极2011。在栅极20122的控制下，与漏极20125连接的数据线203通过tft向与源极20124连接的像素电极2011实施充放电。栅极20122的功能就是控制tft的导电程度，需要对像素电极2011充放电时，tft工作在大电流的开态，不需要对像素电极2011进行充放电时，tft工作在小电流的关态。开态大电流承载着充放电的功能，电流越大，充放电越快越充分。关态小电流影响着漏电快慢的程度，越小越好。
[0068]
需要说明的是，tft器件的开态电流可通过工艺和结构设计沟道区20121宽长比(w/l)来控制。
[0069]
在本实施例中，过渡显示区20b中与异形边界22a相邻子像素201的沟道区20121宽长比小于正常显示区20a中子像素201的沟道区20121宽长比，通过设计异形边界22a处子像素201的薄膜晶体管2012的沟道区20121宽长比小于正常显示区20a中子像素201的薄膜晶体管2012的沟道区20121宽长比，使得异形边界22a处子像素201的薄膜晶体管2012的充电率小于正常显示区20a中子像素201的薄膜晶体管2012的充电率，这样可降低边界处子像素201亮度，以此来达到弱化异形显示边缘色偏和锯齿化的效果。
[0070]
示例地，在显示区20中：各子像素201的沟道区20121长度均相等；且过渡显示区20b中与异形边界22a相邻子像素201的沟道区20121宽度小于正常显示区20a中子像素201
的沟道区20121宽度，也就说，本实施例中各子像素201的tft沟道区20121长度相等，基本上是固定值，选择能够保证源极20124和漏极20125不发生短路基础上的最小间距，因此，在tft结构设计上，采用调整tft的沟道区20121宽度来改变沟道宽长比，这样相比于采用调整tft的沟道长度方案，避免在加工过程中tft的源漏极出现短路的情况，提高产品良率。
[0071]
如图5所示，tft的沟道区20121宽度w、沟道区20121长度l与其充电率的仿真结果，当沟道区20121长度l＝3.7μm，沟道区20121宽度w分别为3μm、6μm、9μm、12μm、15μm、20μm、25μm时，tft的充电率分别对应为78.2％、88.4％、93.6％、96.3％、97.8％、98.5％、99.6％。
[0072]
举例而言，如图6所示，沟道区20121具有半圆环区20121a和位于半圆环区20121a两端且呈矩形的延长区20121b；应当理解的是，在设计时，半圆环区20121a的沟道长度和延长区20121b的沟道长度相等，并定义为整个沟道区20121长度l。
[0073]
其中，沟道区20121的长度l和沟道区20121的宽度w满足以下关系：
[0074][0075]
需要说明的是，a为半圆环区20121a的内半径，b为半圆环区20121a的外半径，c为延长区20121b的宽度，且l＝b-a。
[0076]
基于前述提到的沟道区20121宽长比(w/l)的关系式可知，沟道区20121宽度w与参数a、b、c大小相关，通过调整参数a、b、c中的至少一者即可调整tft的额沟道区20121宽度w，从而可调整tft的沟道区20121宽长比w/l，这样设计更加简便且准确度高。
[0077]
此外，应当理解的是，呈u型设计的沟道区20121n1的沟道宽度w的计算方法也可为：w(x)＝2c π(a x)，此公式中的x为变量，其取值范围大于0，且小于b-a。应当理解的是，a和b均大于0，且b＞a；而c大于或等于0。
[0078]
进一步地，为了避免在加工过程中tft的源极20124和漏极20125出现短路的情况，可先确定沟道区20121的长度l相等并确定沟道长度l值的大小，为了降低设计难度，可先确定显示区20中各子像素201的半圆环区20121a相同，即：各子像素201的沟道区20121中半圆环区20121a的内半径a、外半径b均相等，然后通过调整延长区20121b的宽度c来调整tft的沟道区20121的整个宽度w的大小。
[0079]
也就是说，过渡显示区20b中与异形边界22a相邻子像素201的延长区20121b长度小于正常显示区20a中子像素201的延长区20121b长度。
[0080]
在本实施例中，异形显示面板包括遮挡层(即：bm黑矩阵层)，此遮挡层至少覆盖非显示区21，应当理解的是，此遮挡层还用于遮挡子像素201的非开口区及数据线203和栅线202等。
[0081]
如图7所示，此遮挡层a具有前述提到的分割轮廓线22，也就是说，本实施的显示区20和非显示区21划分主要是通过遮挡层a来实现，这样可以减小异形显示区20的锯齿感，提高边缘平滑性，有效改善lcd异形显示质量。
[0082]
需要说明的是，如图7所示，本实施例的多个子像素201构成多个在第一方向x和第二方向y上阵列排布的像素单元，此像素单元可包括多个颜色不同且在第一方向x上依次排布的子像素201，比如：r(色阻对应为红色)子像素、g(色阻对应为绿色)子像素、b(色阻对应为蓝色)子像素；其中，位于过渡显示区20b的像素单元定义为过渡像素单元，位于正常显示
区20a的像素单元定义为正常像素单元，在过渡像素单元和正常像素单元中同种颜色子像素201相比：过渡像素单元的子像素201的沟道区20121宽长比小于正常像素单元的子像素201的沟道区20121宽长比，比如：过渡像素单元的r子像素的沟道区宽长比小于正常像素单元的r子像素的沟道区宽长比，过渡像素单元的g子像素的沟道区宽长比小于正常像素单元的g子像素的沟道区宽长比，过渡像素单元的b子像素的沟道区宽长比小于正常像素单元的b子像素的沟道区宽长比，这样在显示纯色画面时可保证过渡像素单元与正常像素显示单元的显示颜色基本相同，而过渡像素单元的亮度低于正常像素单元的亮度，以此来达到弱化异形显示边缘色偏和提高边缘平滑性的效果。
[0083]
在本实施例中，位于边缘的至少部分子像素201的开口区被遮挡层a遮挡，以形成如图7所示的异形子像素，过渡显示区20b具有多个异形子像素，在异形边界22a为前述提到的圆弧边界时，在第一方向x上：多个异形子像素的开口区被遮挡层遮挡的面积从异形边界22a至正常显示区20a上依次减小，即：多个异形子像素的开口区未被遮挡层a遮挡的面积(即：透光区面积)从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大，比如图7中所示的r、g、b子像素201的透光区面积依次增大，为了弱化异形显示边缘色偏和提高边缘平滑性的效果，在多个异形子像素的开口区未被遮挡层a遮挡的面积(即：透光区面积)从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大时，多个异形子像素的沟道区20121宽长比(也可理解为充电能力)从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大，也就是说，越靠近异形边界22a的异形子像素，其充电能力越弱，亮度越小，以弱化异形显示边缘色偏和提高边缘平滑性的效果。
[0084]
具体设计方案可为：第一步、针对异形的显示区20，将被遮挡层a遮挡的子像素201的开口区面积进行计算并统计，并比对完整子像素201(即：开口区未被bm遮挡的子像素201)的开口区面积，进行归一化处理，即：异形子像素的透光区面积(开口区未被bm遮挡的面积)/完整子像素201的开口区面积；第二步、以完整子像素201的tft结构为准，通过在完整子像素201的tft结构基础上进行相应的tft设计，通过改变tft的沟道区20121宽长比w/l的值来设计出具有不同充放电能力的tft器件；第三步、将统计出来的异形子像素类型与对应充电能力的tft器件进行匹配，从异形边界22a到正常显示区20a，异形子像素开口率由小变大，则tft器件的充电率也应随之由小变大，直至与正常显示区20a内tft充电率一致。
[0085]
在本实施例中，在第一方向x上，过渡显示区20b中同种颜色子像素201的沟道区20121宽长比从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大，这样在每个像素单元的各子像素201的沟道区20121宽长比基本相等时，可保证在显示纯色画面时过渡显示区20b中各像素单元的显示颜色基本相同，此外，从正常显示区20a到异形边界22a各像素单元的亮度逐渐减弱，以此来达到弱化异形显示边缘色偏和提高边缘平滑性的效果。
[0086]
此外，在第一方向x上，过渡显示区20b中各子像素201的沟道区20121宽长比从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大，即：通过控制过渡显示区20b各子像素201的充电率，达到降低边缘像素亮度，并使得异形到面内正常显示区20a之间的像素亮度由暗到亮，形成异形边界22a与正常显示区20a之间亮度平滑过渡，以此来达到弱化异形显示边缘色偏和提高边缘平滑性的效果。
[0087]
本实施例中，可通过不同沟道区20121宽长比的tft器件将正常显示区20a至异形边界22a的显示亮度平滑连接，从而达到良好的画面质量，此实施例方案可应用型广泛。
[0088]
实施例二
[0089]
本实施例与实施例一的主要区别在于：实施例一采用的是使用遮挡层对位于边缘的像素单元进行遮挡以形成异形的显示区20的方案，而本实施例采用的是通过调整像素单元的位置来实现异形显示的方案。
[0090]
具体地，在本实施例中，第一方向x可理解为行方向，第二方向y可理解为与行方向垂直的列方向，且过渡显示区20b与正常显示区20a相接的列边界和行边界，且列边界和行边界通过异形边界22a连接。
[0091]
如图8所示，过渡显示区20b中具有多行和多列像素单元23，此像素单元23包括多个在第一方向x上排列的子像素，例如图8中所示，r/g/b子像素，此子像素的具体结构可参考前述实施例一的描述，在此不作重复赘述。其中，像素单元23呈矩形状；在过渡显示区20b中：每列像素单元23中像素单元23的个数从列边界m至异形边界22a的方向上逐渐减少，每行像素单元23中像素单元23的个数从行边界n至异形边界22a的方向上逐渐减少，以形成阶梯型像素边界(即：图8中黑色与像素单元23相接的轮廓线)，阶梯型像素边界与异形边界22a完全重合。
[0092]
其中，过渡显示区20b具有至少一个阶梯型划分线p，以将过渡显示区20b划分成至少两个阶梯型子区；阶梯型划分线p与阶梯型边界相同且平行设置，每个阶梯型子区中同种颜色子像素201的沟道区20121宽长比相等；相邻两阶梯型子区的同种颜色子像素201的沟道区20121宽长比相比，从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大，这样使得异形到面内正常显示区20a之间的像素亮度由暗到亮，如图所9示，形成异形边界22a与正常显示区20a之间的亮度平滑过渡，以此来达到弱化异形显示边缘色偏和锯齿化的效果。
[0093]
应当理解的是，图9中黑色部分为遮挡层，且图9中的单个矩形格表示一个像素单元23，图9中最右边阶梯型划分线p右边的区域像素单元位于正常显示区20a。
[0094]
示例地，本实施例中像素单元23中各子像素201的沟道区20121宽长比可相等，以保证在显示纯色画面时过渡显示区20b中各像素单元23的显示颜色基本相同，减小色偏；但不限于此，也可像素单元23中各子像素201的沟道区20121宽长比从异形边界22a至正常显示区20a上依次增大，实现平滑减小色偏和亮度，以降低异形边界22a锯齿化效果。
[0095]
针对通过调整像素单元23的位置来实现异形显示的边缘锯齿化不良，进行的改善步骤如下：
[0096]
第一步、针对异形的显示区20，将组成异形区域的像素单元23进行分区，沿着异形边界22a将由各行列单个像素单元23组成的锯齿化边缘为准，依次向面内进行排列分区，分成多个阶梯型子区；
[0097]
第二步、以面内的正常显示区20a的子像素201的tft器件的充电率为准，通过改变沟道区20121宽长比w/l的值来设计具有不同充放电能力的tft器件。
[0098]
第三步、将设计好的具有不同充电率的tft器件，与过渡显示区20b的阶梯型子区内的子像素201进行匹配，由边界至面内，tft器件的充电率由小变大，直至与正常显示区20a内tft充电率一致。
[0099]
应当理解的是，本实施例除了上述区别，其余可参考实施一的描述，在此不作重复说明。
[0100]
基于前述实施例一和实施例二描述的方案，本公开通过在异形边界22a到正常显示区20a依次摆放具有不同充放电能力的tft器件，来达到改善异形显示画面质量的目的。
tft器件的充放电能力从边缘到正常显示区20a逐渐变大，直到与正常显示区20a的tft器件一致。该方法不仅可以有效改善通过bm遮挡形成异形画面的色偏不良，还可以减小异形显示区20的锯齿感和边缘平滑，可有效改善lcd异形显示质量。
[0101]
实施例三
[0102]
本实施例还提供一种显示装置，其除了包括前述实施一至实施例二中一者所描述的异形显示面板，其还可包括驱动芯片，此驱动芯片可与异形显示面板的子像素连接。
[0103]
例如：结合图3、图4及图10所示，此驱动芯片可为数据驱动芯片30，此数据驱动芯片30可通过面内数据线203与子像素201的薄膜晶体管2012的漏极20125连接。
[0104]
本公开实施例的显示装置可应用于电视、手机、平板、智能穿戴设备、笔记本电脑等电子设备，在此不再赘述。
[0105]
术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0106]
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
[0107]
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0108]
尽管上面已经示出和描述了本公开的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本公开的限制，本领域的普通技术人员在本公开的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本公开的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本公开专利涵盖的范围之内。