自动化熔接方法及单晶硅与流程

技术特征：
1.一种自动化熔接方法，其特征在于，包括：检测料块全熔后，自动调整主加热器功率至引晶功率；检测所述主加热器的功率达到引晶功率后，控制坩埚的转速升至预设转速；检测所述坩埚的转速达到预设转速后，控制水冷屏的位置分次降至第一预设位置；检测所述水冷屏的位置达到所述第一预设位置后，控制所述坩埚的位置升至第二预设位置；检测所述坩埚的位置达到所述第二预设位置后，控制籽晶的位置降至第三预设位置；检测所述籽晶的位置达到所述第三预设位置后，控制所述籽晶的位置不变保持第一预设时长，同时持续检测所述籽晶的直径，继续控制所述籽晶的位置下降；检测所述籽晶的直径达到预设直径后，控制所述籽晶的位置停止下降，保持第二预设时长，完成熔接。2.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，自动调整所述主加热器功率至引晶功率包括：控制所述主加热器的功率以4-6kw/min的速度升至60-70kw。3.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，所述预设转速为4-6r/min。4.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，控制所述水冷屏的位置分次降至所述第一预设位置包括：控制所述水冷屏的位置以30-70mm/min的速度降至系统定位的180-220mm，保持2-3min，再以30-70mm/min的速度降至所述系统定位的70-110mm，保持30-90s，最后以30-70mm/min的速度降至所述系统定位的0mm。5.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，控制所述坩埚的位置升至所述第二预设位置包括：控制所述坩埚的位置以5-20mm/min的速度升至液口距28.5-31.5mm的位置。6.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，控制所述籽晶的位置降至所述第三预设位置包括：控制所述籽晶的位置以300-700mm/min的速度从系统定位的2700-3200mm降至所述系统定位的600mm，再以200-300mm/min的速度降至所述系统定位的400mm，保持2-5min，再以50-200mm/min速度降至所述系统定位的300mm，保持1-2min，再以30-50mm/min速度降至所述系统定位的250mm。7.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，控制所述籽晶的位置不变保持所述第一预设时长，同时持续检测所述籽晶的直径，继续控制所述籽晶的位置下降包括：控制所述籽晶的位置在系统定位的250mm保持30-90s，同时持续检测所述籽晶的直径，继续控制所述籽晶的位置以15-30mm/min的速度下降。8.根据权利要求1所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，控制所述籽晶的位置停止下降，保持所述第二预设时长包括：检测所述籽晶的直径达到12mm，控制所述籽晶的位置停止下降，保持5-10min。9.根据权利要求1-8任一项所述的一种自动化熔接方法，其特征在于，检测所述料块全熔包括：控制图像采集装置检测所述料块的形态达到全熔状态；检测所述籽晶的直径包括：控制所述图像采集装置检测所述籽晶的直径；检测所述坩埚的位置包括：控制所述图像采集装置检测所述坩埚的位置。10.一种单晶硅，其特征在于，所述单晶硅由权利要求1至9中任一项所述自动化熔接方
法制作得到。

技术总结
本发明公开了自动化熔接方法及单晶硅，该自动化熔接方法包括检测料块全熔后，自动调整主加热器功率至引晶功率；检测主加热器的功率，控制坩埚的转速升至预设转速；检测坩埚的转速，控制水冷屏的位置分次降至第一预设位置；检测水冷屏的位置，控制坩埚的位置升至第二预设位置；检测坩埚的位置，控制籽晶的位置降至第三预设位置；检测籽晶的位置，控制籽晶的位置不变保持第一预设时长，同时持续检测籽晶的直径，继续控制籽晶的位置下降；检测籽晶的直径，控制籽晶的位置停止下降，保持第二预设时长。本发明能够降低人工成本及工作强度，提高单晶炉车间自动化程度，并避免出现熔接温度不合适，高温烘烤籽晶导致晶变、籽晶未熔透、熔接时结晶等状况。熔接时结晶等状况。熔接时结晶等状况。


技术研发人员：李旭帆 李永辉 张旭
受保护的技术使用者：晶科能源股份有限公司
技术研发日：2022.10.17
技术公布日：2022/12/6