一种液晶显示器及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在上层玻璃上表面贴附上层偏光片；步骤2：将液体状态的pi印到上层玻璃下表面，后经过200-280℃的温度进行固化得到上层pi层；步骤3：重复步骤1-2制备下层偏光片、下层玻璃、下层pi层；步骤4：采用抽真空方法，将液晶注入液晶显示器空盒中；步骤5：将密封胶丝印在上层pi层下表面或下层pi层上表面，通过贴合、热压工序将液晶盒置于上下层结构之间进行组合和密封。2.根据权利要求1所述的液晶显示器的制造方法，其特征在于，所述液晶的模式为扭曲向列液晶tn-lcd、高扭曲向列液晶htn-lcd、 超高扭曲向列液晶stn-lcd、补偿型超高扭曲向列液晶fstn-lcd、垂直取向型液晶va-lcd或ebn液晶模式。3.根据权利要求1所述的液晶显示器的制造方法，其特征在于，所述上层玻璃或下层玻璃厚度为0.2mm-3.0mm。4.根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，其特征在于，所述上层玻璃或下层玻璃制备方法包括以下步骤：步骤一：选用一面为ito，一面为铬面的玻璃，先在铬面通过涂胶机，将光刻胶通过涂胶机均匀涂在铬面上；步骤二：通过图形掩膜版，图形根据客户需求进行设计制作，采用曝光机，对已涂有光刻胶的铬面进行曝光，曝光量100mj/cm2；步骤三：采用浓度0.6
±
0.1%℃的koh，温度23
±
2℃，对曝光后的铬面玻璃进行显影，去除掉光照部分的光刻胶、露出需要酸刻去除掉的部分铬；步骤四：将硝酸铈铵、高氯酸，di水按体积比15：1：80的比例配成酸刻液，温度23
±
2℃，对已显影的铬面进行酸刻，酸刻时间110-120秒，去除不需要的部分铬；步骤五：采用浓度5.0
±
1%koh，温度45
±
2℃的脱膜液，脱膜清洗设备速度2500
±
200mm/min对已酸刻的铬面进行脱膜，去除掉铬面多余的光刻胶，留下铬面所需要的图形；步骤六：采用目前行业现行技术再对ito面进行光刻，得到ito面所需要的图案。5.根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，其特征在于，所述上层玻璃或下层玻璃制备方法包括以下步骤：步骤一：选用一面为铬面的玻璃，先在铬面通过涂胶机，将光刻胶通过涂胶机均匀涂在铬面上；步骤二：通过图形掩膜版，图形根据客户需求进行设计制作，采用曝光机，对已涂有光刻胶的铬面进行曝光，曝光量100mj/cm2；步骤三：采用浓度0.6
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0.1%℃的koh，温度23
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2℃，对曝光后的铬面玻璃进行显影，去除掉光照部分的光刻胶、露出需要酸刻去除掉的部分铬；步骤四：将硝酸铈铵、高氯酸，di水按体积比15：1：80的比例配成酸刻液，温度23
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2℃，对已显影的铬面进行酸刻，酸刻时间110-120秒，去除不需要的部分铬；步骤五：采用浓度5.0
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1%koh，温度45
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2℃的脱膜液，脱膜清洗设备速度2500
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200mm/min对已酸刻的铬面进行脱膜，去除掉铬面多余的光刻胶，留下铬面所需要的图形；步骤六：采用磁控溅射、真空溅射、真空蒸发、化学气相沉积或溶胶-凝胶技术在处理后
的铬面上镀绝缘层，在绝缘层表面再镀ito膜；步骤七：采用目前行业现行技术再对ito面进行光刻，得到ito面所需要的图案。6.根据权利要求4或5所述的液晶显示器的制造方法，其特征在于，玻璃和pi层之间设置top层，将液体状态的top印到玻璃表面，在220-340℃进行固化得到top层。7.根据权利要求4或5所述的液晶显示器的制造方法，其特征在于，pi层表面设置间隔粒子层，将间隔粒子按数量要求喷洒到上层pi层下表面或下层pi层上表面，得到间隔粒子层。8.权利要求1-7任一项所述方法制备得到的液晶显示器，其特征在于，包括上层结构、下层结构、密封胶层、液晶层；液晶层位于上层结构和下层结构之间，密封胶层将上层结构和下层结构组合密封；所述上层结构从上到下依次为上层偏光片、上层玻璃、上层pi层，所述下层结构从下到上依次为下层偏光片、下层玻璃、下层pi层；所述上层玻璃和下层玻璃均设置铬面和ito面。9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述上层结构和下层结构之间设置间隔粒子层。10.根据权利要求8或9所述的液晶显示器，其特征在于，所述上层玻璃和上层pi层之间设置上层top层；所述下层玻璃和下层pi层之间设置下层top层。

技术总结
本发明公开了一种液晶显示器及其制造方法，属于显示器制造领域，本发明这种液晶显示器核心是玻璃内表面或外表面有遮光膜，分别对遮光膜和ITO面进行光刻图像，此遮光膜材料可以为金属或非金属材质，遮光性好，平整度高，厚度可调，采用此方法制作的液晶显示器解决了液晶显示器图形变形，图形缺失、网痕、贴合偏位等不良，尤其提升了投影、以及显示放大类液晶显示器制程的良率和效率问题。示器制程的良率和效率问题。示器制程的良率和效率问题。


技术研发人员：陈和香
受保护的技术使用者：陈和香
技术研发日：2022.09.09
技术公布日：2022/12/5