一种sic晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及氧化铝抛光液技术领域，具体而言，涉及一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液及其制备方法。
背景技术：
2.sic晶圆是生产制造ic的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料，这种纯硅需要被做成硅晶棒，历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件，生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。
3.而在sic晶圆抛光过程中，容易出现损伤、沉降等问题。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液及其制备方法，以解决sic晶圆抛光过程中，出现的损伤、沉降等技术问题。
5.本发明通过以下技术方案实现：一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，包括：以质量份计，氧化铝粉末 10-20份碳化硅粉末 5-10份消泡剂 1-5份分散剂 1-5份表面活性剂 2-5份ph调节剂 2-3份抗氧化剂 0.1-0.3份去离子水 50-100份所述抛光液为碱性。
6.进一步来说，所述氧化铝粉末选用 α-al2o3；氧化铝粉末粒径为0.1-1um。
7.进一步来说，所述碳化硅粉末选用β-sic；碳化硅粉末0.5-2 um。
8.进一步来说，所述消泡剂选用gp型甘油聚醚。
9.进一步来说，所述分散剂选用甲基戊醇。
10.进一步来说，所述表面活性剂选用十六烷基硫酸钠。
11.进一步来说，所述ph调节剂选用有机碱或无机碱。
12.进一步来说，所述抗氧化剂选用三乙醇胺。
13.一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，包括如下步骤：s1.将去离子水进行加热；s2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均
匀；s4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末，搅拌均匀后，进行微波辐射处理；s5.在微波辐射处理环境下，添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末，进行搅拌，搅拌过程中再添加抗氧化剂，最后得到混合均匀的混合液。
14.s6.最后向混合液中添加ph调节剂，使得混合液ph值为12-13，得到氧化铝抛光液。
15.进一步来说，碳化硅粉末的用量少于氧化铝粉末用量的二分之一；整个制备过程均在加热与搅拌条件下进行。
16.本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：本发明配方中添加有碳化硅粉末，在降低晶圆表面损伤得到同时，提高了抛光效率，还利用碳化硅特性，在微波辐射条件下，减少聚集、沉降。
具体实施方式
17.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
18.实施例1一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，包括：以质量份计，氧化铝粉末 10份碳化硅粉末 5份gp型甘油聚醚 1份甲基戊醇 1份十六烷基硫酸钠 2份有机碱或无机碱 2份抗氧化剂 0.1-0.3份三乙醇胺 50-100份所述抛光液为碱性。
19.一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，包括如下步骤：s1.将去离子水进行加热；s2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均匀；s4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末，搅拌均匀后，进行微波辐射处理；s5.在微波辐射处理环境下，添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末，进行搅拌，搅拌过程中再添加抗氧化剂，最后得到混合均匀的混合液。
20.s6.最后向混合液中添加ph调节剂，使得混合液ph值为12-13，得到氧化铝抛光液。
21.对制得的氧化铝抛光液进行性能测试。sic晶片去除率13um/h,ra值0.2nm，良品率能达96%。一个月后体系几乎没有变化（未沉降）。
22.对比例1对在市面上购买的氧化铝抛光液（上海新安纳生产）进行性能测试。抛光后表面粗糙度ra《0.15μm，抛光速率大于1μm/h，抛光液10天后开始沉降。
23.相比对比例1中的氧化铝抛光液，本发明具有更优异稳定体系。
24.以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，包括：以质量份计，氧化铝粉末 10-20份碳化硅粉末 5-10份消泡剂 1-5份分散剂 1-5份表面活性剂 2-5份ph调节剂 2-3份抗氧化剂 0.1-0.3份去离子水 50-100份所述抛光液为碱性。2.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述氧化铝粉末选用 α-al2o3；氧化铝粉末粒径为0.1-1um。3.根据权利要求2所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述碳化硅粉末选用β-sic；碳化硅粉末0.5-2 um。4.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述消泡剂选用gp型甘油聚醚。5.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述分散剂选用甲基戊醇。6.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述表面活性剂选用十六烷基硫酸钠。7.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述ph调节剂选用有机碱或无机碱。8.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述抗氧化剂选用三乙醇胺。9.根据权利要求1至8中任一项所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s1.将去离子水进行加热；s2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均匀；s4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末，搅拌均匀后，进行微波辐射处理；s5.在微波辐射处理环境下，添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末，进行搅拌，搅拌过程中再添加抗氧化剂，最后得到混合均匀的混合液;s6.最后向混合液中添加ph调节剂，使得混合液ph值为12-13，得到氧化铝抛光液。10.利用根据权利要求9所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，其特征在于，碳化硅粉末的用量少于氧化铝粉末用量的二分之一；整个制备过程均在加热与搅拌条件下进行。
技术总结
本发明提供了一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液，包括：以质量份计，氧化铝粉末10-20份、碳化硅粉末5-10份、消泡剂1-5份、分散剂1-5份、表面活性剂2-5份、PH调节剂2-3份、抗氧化剂0.1-0.3份、去离子水50-100份，所述抛光液为碱性。本发明配方中添加有碳化硅粉末，在降低晶圆表面损伤得到同时，提高了抛光效率，还利用碳化硅特性，在微波辐射条件下，减少聚集、沉降。降。
技术研发人员：向定艾
受保护的技术使用者：德阳展源新材料科技有限公司
技术研发日：2022.09.27
技术公布日：2022/12/1
技术领域
1.本发明涉及氧化铝抛光液技术领域，具体而言，涉及一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液及其制备方法。
背景技术：
2.sic晶圆是生产制造ic的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料，这种纯硅需要被做成硅晶棒，历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件，生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。
3.而在sic晶圆抛光过程中，容易出现损伤、沉降等问题。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液及其制备方法，以解决sic晶圆抛光过程中，出现的损伤、沉降等技术问题。
5.本发明通过以下技术方案实现：一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，包括：以质量份计，氧化铝粉末 10-20份碳化硅粉末 5-10份消泡剂 1-5份分散剂 1-5份表面活性剂 2-5份ph调节剂 2-3份抗氧化剂 0.1-0.3份去离子水 50-100份所述抛光液为碱性。
6.进一步来说，所述氧化铝粉末选用 α-al2o3；氧化铝粉末粒径为0.1-1um。
7.进一步来说，所述碳化硅粉末选用β-sic；碳化硅粉末0.5-2 um。
8.进一步来说，所述消泡剂选用gp型甘油聚醚。
9.进一步来说，所述分散剂选用甲基戊醇。
10.进一步来说，所述表面活性剂选用十六烷基硫酸钠。
11.进一步来说，所述ph调节剂选用有机碱或无机碱。
12.进一步来说，所述抗氧化剂选用三乙醇胺。
13.一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，包括如下步骤：s1.将去离子水进行加热；s2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均
匀；s4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末，搅拌均匀后，进行微波辐射处理；s5.在微波辐射处理环境下，添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末，进行搅拌，搅拌过程中再添加抗氧化剂，最后得到混合均匀的混合液。
14.s6.最后向混合液中添加ph调节剂，使得混合液ph值为12-13，得到氧化铝抛光液。
15.进一步来说，碳化硅粉末的用量少于氧化铝粉末用量的二分之一；整个制备过程均在加热与搅拌条件下进行。
16.本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：本发明配方中添加有碳化硅粉末，在降低晶圆表面损伤得到同时，提高了抛光效率，还利用碳化硅特性，在微波辐射条件下，减少聚集、沉降。
具体实施方式
17.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
18.实施例1一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，包括：以质量份计，氧化铝粉末 10份碳化硅粉末 5份gp型甘油聚醚 1份甲基戊醇 1份十六烷基硫酸钠 2份有机碱或无机碱 2份抗氧化剂 0.1-0.3份三乙醇胺 50-100份所述抛光液为碱性。
19.一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，包括如下步骤：s1.将去离子水进行加热；s2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均匀；s4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末，搅拌均匀后，进行微波辐射处理；s5.在微波辐射处理环境下，添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末，进行搅拌，搅拌过程中再添加抗氧化剂，最后得到混合均匀的混合液。
20.s6.最后向混合液中添加ph调节剂，使得混合液ph值为12-13，得到氧化铝抛光液。
21.对制得的氧化铝抛光液进行性能测试。sic晶片去除率13um/h,ra值0.2nm，良品率能达96%。一个月后体系几乎没有变化（未沉降）。
22.对比例1对在市面上购买的氧化铝抛光液（上海新安纳生产）进行性能测试。抛光后表面粗糙度ra《0.15μm，抛光速率大于1μm/h，抛光液10天后开始沉降。
23.相比对比例1中的氧化铝抛光液，本发明具有更优异稳定体系。
24.以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，包括：以质量份计，氧化铝粉末 10-20份碳化硅粉末 5-10份消泡剂 1-5份分散剂 1-5份表面活性剂 2-5份ph调节剂 2-3份抗氧化剂 0.1-0.3份去离子水 50-100份所述抛光液为碱性。2.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述氧化铝粉末选用 α-al2o3；氧化铝粉末粒径为0.1-1um。3.根据权利要求2所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述碳化硅粉末选用β-sic；碳化硅粉末0.5-2 um。4.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述消泡剂选用gp型甘油聚醚。5.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述分散剂选用甲基戊醇。6.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述表面活性剂选用十六烷基硫酸钠。7.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述ph调节剂选用有机碱或无机碱。8.根据权利要求1所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液，其特征在于，所述抗氧化剂选用三乙醇胺。9.根据权利要求1至8中任一项所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s1.将去离子水进行加热；s2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均匀；s4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末，搅拌均匀后，进行微波辐射处理；s5.在微波辐射处理环境下，添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末，进行搅拌，搅拌过程中再添加抗氧化剂，最后得到混合均匀的混合液;s6.最后向混合液中添加ph调节剂，使得混合液ph值为12-13，得到氧化铝抛光液。10.利用根据权利要求9所述的一种sic 晶圆cmp抛光用氧化铝抛光液的制备方法，其特征在于，碳化硅粉末的用量少于氧化铝粉末用量的二分之一；整个制备过程均在加热与搅拌条件下进行。
技术总结
本发明提供了一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液，包括：以质量份计，氧化铝粉末10-20份、碳化硅粉末5-10份、消泡剂1-5份、分散剂1-5份、表面活性剂2-5份、PH调节剂2-3份、抗氧化剂0.1-0.3份、去离子水50-100份，所述抛光液为碱性。本发明配方中添加有碳化硅粉末，在降低晶圆表面损伤得到同时，提高了抛光效率，还利用碳化硅特性，在微波辐射条件下，减少聚集、沉降。降。
技术研发人员：向定艾
受保护的技术使用者：德阳展源新材料科技有限公司
技术研发日：2022.09.27
技术公布日：2022/12/1
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