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羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子、羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的制造方法以及含有羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的组合物与流程

2022-11-30 13:29:17 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其在球状多孔质二氧化硅粒子的表面和细孔内面担载有羟基磷灰石,且圆形度在0.760以上。2.如权利要求1所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其中,所述羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子中的所述羟基磷灰石的担载量为0.1~80质量%。3.如权利要求1或2所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其中,所述羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的xrd图案中对应于所述羟基磷灰石的(211)面的2θ=31.5~32.5
°
范围内的最大计数(c
hap
)与作为外部标准另外测定的氧化铈的xrd图形中对应于所述氧化铈的(111)面的2θ=28.0~29.0
°
范围内的最大计数(c
ceo2
)之比(c
hap
/c
ceo2
)在1.0以下。4.如权利要求1~3中任一项所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其中,在用sem-edx观测到的所述羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的截面图像中,在将所述截面中的定方向上最大径沿径向三等分成第一~第三部分时,对以位于中央的第二部分的径长为直径的圆的范围内任意选择的3点和以第一或第三部分的径长为直径的圆的范围内任意选择的3点进行点分析之际,满足以下(1)~(3)的条件:(1)钙的峰值信号强度相对于硅的峰值信号强度的粒子内变动系数的平均值为0~50%,(2)磷的峰值信号强度相对于硅的峰值信号强度的粒子内变动系数的平均值为0~50%,(3)钙的峰值信号强度相对于磷的峰值信号强度的粒子内变动系数的平均值为0~50%。5.如权利要求1~4中任一项所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其中,所述羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的基于体积基准的累积粒度分布中的平均粒径(d
50
)为1~500μm。6.如权利要求1~5中任一项所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其中,细孔容积为0.05~2.50ml/g。7.如权利要求1~6中任一项所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子,其中,在5g油酸浓度16质量%的模拟皮脂溶液中混合0.5g所述羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子时的油酸吸附量在60mg/g以上。8.一种羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的制造方法,其为权利要求1~7中任一项所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的制造方法,其中,使钙源和磷源与圆形度在0.560以上的球状多孔质二氧化硅粒子接触而生成羟基磷灰石。9.如权利要求8所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子的制造方法,其中,包括:使含有所述钙源的第一溶液与所述球状多孔质二氧化硅粒子接触,将钙固定于所述球状多孔质二氧化硅粒子的表面和细孔内面的工序,以及使含有所述磷源的第二溶液与固定有所述钙的所述球状多孔质二氧化硅粒子接触,使所述钙与磷反应而生成羟基磷灰石的工序。10.一种皮肤用组合物、口腔用组合物、吸附剂组合物或医药组合物,其含有权利要求1~7中任一项所述的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子。

技术总结
本发明提供一种具有聚氨酯粒子那样的光滑性、且也考虑到环境的新型粒子状材料。本发明的羟基磷灰石担载多孔质二氧化硅粒子在球状多孔质二氧化硅粒子的表面和细孔内面担载有羟基磷灰石,且圆形度在0.760以上。且圆形度在0.760以上。且圆形度在0.760以上。


技术研发人员:村上武司
受保护的技术使用者:AGC硅素技术株式会社
技术研发日:2021.04.07
技术公布日:2022/11/29
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