GaN衬底的刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种gan衬底的刻蚀方法，其特征在于，包括：在gan衬底的顶面上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层；刻蚀步骤，利用刻蚀气体连续刻蚀所述第一掩膜层和所述gan衬底，以在所述gan衬底形成由刻蚀沟槽相互隔离的多个微结构，所述微结构具有设定的侧壁倾角；其中，所述刻蚀气体包括氯基气体、含溴气体以及含硼气体。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氯基气体包括cl2，所述含硼气体包括bcl3。3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括碳氟类气体。4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氯基气体包括cl2、bcl3的至少其中之一，所述含硼气体包括硼烷类气体。5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括含氮类气体，所述刻蚀气体中的硼元素和氮元素的摩尔量相等。6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含氮类气体包括nh3、n2的至少其中之一。7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，含溴元素的气体为含氢元素和溴元素的气体。8.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硼烷类气体流量范围为5～20sccm；所述碳氟类气体流量范围为20～50sccm；所述含溴气体流量范围为40～100sccm；所述含氮气体流量范围为20～80sccm；所述氯基气体流量范围10～40sccm。9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硼烷类气体、所述含氮类气体、所述碳氟类气体以及所述含溴元素的气体的流量之和为所述刻蚀气体总流量的60％～80％。10.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硼烷类气体为b2h6，所述碳氟类气体为chf3，所述含溴类气体为hbr，所述含氮类气体为nh3，所述氯基类气体为cl2和bcl3。11.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氧化硅、氮化硅的至少其中之一。

技术总结
本发明公开了一种GaN衬底的刻蚀方法，包括：在GaN衬底的顶面上形成第一掩膜层；在第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层；刻蚀步骤，利用刻蚀气体连续刻蚀第一掩膜层和GaN衬底，以在GaN衬底形成由刻蚀沟槽相互隔离的多个微结构，微结构具有设定的侧壁倾角；其中，刻蚀气体包括氯基气体、含溴元素的气体以及含硼气体。本发明能够实现避免干法刻蚀高角度GaN微结构产生的微沟槽效应。微结构产生的微沟槽效应。微结构产生的微沟槽效应。


技术研发人员：李萍萍 林源为
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2022.08.26
技术公布日：2022/11/22