一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法与流程

1.本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法。


背景技术：

2.在进行直拉单晶硅长晶时，氧是直拉单晶硅中的主要杂质，主要来源于晶体生长过程中石英坩埚的污染，因而不可避免的会产生。
3.上述污染过程的基本化学反应如下：si sio2=2sio；sio=si o；反应分解的氧，进入到熔体内，最终会进入到硅晶体中。
4.氧在单晶硅中主要以间隙氧的形态出现，不显电活性，在晶体降温的过程中，间隙氧在450℃左右会聚集产生显电活性的sio
42-，提供电阻形成施主，这种施主又被称为氧施主。
5.这种直拉硅单晶在冷却过程中形成氧施主的现象也被称为热施主效应。热施主效应会直接改变晶体硅的载流子浓度，使得n型硅单晶的电子浓度提高导致电阻率下降，使掺硼的p型硅单晶中的空穴被复合从而导致电阻率上升，当氧施主的数量大于受主硼时，硅单晶体甚至会发生电阻类型的反转，使得p型硅变为n型硅。
6.对于p型高电阻硅棒，由于掺杂剂含量较少，比如中阻的电阻率为3欧姆厘米的硅单晶，掺杂b的体积密度为4.562e15 atoms/cm3，高阻的电阻率为85欧姆厘米的硅，掺杂b的体积密度仅为1.566e14 atoms/cm3，在此情况下，高阻硅棒受到氧施主的影响会更大。
7.目前已有一些文献报道了如何恢复热施主导致p型硅电阻率虚高的问题，例如：1、cn107761173a介绍了一种对单晶硅棒进行回火处理来使单晶硅棒的电阻恢复到正常范围的方法，具体包括：（3）将单晶硅棒放置在石墨底板上，然后送入铸锭炉内，关闭铸锭炉将炉内抽真空至0.008mpa以下；(4)先预热，然后快速加热至600～700℃；(5)炉内温度在660℃下稳定1～2小时后停炉，开启冷却系统冷却至温度为500℃；(6)取出单晶棒对其进行快速冷却至常温；(7)检测单晶棒的电阻率。该方法通过对单晶棒进行回火处理，可以使单晶棒的电阻恢复到正常范围值。
8.2、cn109137068b介绍了一种退火方法：a、启动退火炉，并充入保护气体，将温度升至740～760℃，保温25～35分钟，放入单晶硅片，再次在740～760℃下，保温10～40分钟；b、将退火炉的温度降至640～660℃，保温10～40分钟；c、将单晶硅片迅速移出所述退火炉外，放入风淋机构中，一侧送风，一侧出风，送风口设有冷凝机组对进风降温，由风机将冷空气吹向单晶硅片，风速为3～7m/s，空气温度为10～16℃，将单晶硅片放置在中间的风道上，并且让冷风从侧面吹过上下平面，保证两侧均匀，在3～5min内，将单晶硅片冷却至常温。该方法能够消除由于氧施主效应造成的电阻率虚高的现象，退火后的阻值稳定，而浮动小。
9.然而，对于直径大于300mm、电阻大于70欧姆厘米的高电阻硅棒，上述方法并不能
解决大直径高电阻硅棒电阻虚高甚至导电类型反转的问题。因此，迫切需要针对大直径高电阻硅棒开发一种可以使其电阻恢复正常的方法。


技术实现要素：

10.本技术实施例的目的在于提供一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法。
11.第一方面，本技术提供一种解决解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法。
12.一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，异常硅棒是指在拉制后受到氧施主的影响，而发生导电类型反转或电阻率虚高的高电阻硅棒；高电阻硅棒为直拉法制得的目标电阻率大于70欧姆厘米的p型单晶硅棒，目标电阻率是基于拉制前实际加入的掺杂剂浓度换算得到的；电阻率虚高是指电阻率超过目标电阻率20%或以上；该方法包括以下步骤：s1：将异常硅棒加热至600-700℃，保温50-100min；通过将异常硅棒加热至600-700℃并保温50-100min，可以有效减少大尺寸硅棒中在450℃左右温度范围内形成的氧施主数量；s2：继续加热至850-950℃，保温50-70min；发明人发现对于大尺寸硅棒而言，600-700℃下的保温50-100min仍不足全部消除在450℃左右温度范围内形成的氧施主；进一步发明人发现通过继续加热至850-950℃并保温50-70min，可以进一步促进氧原子扩散，从而彻底消除450℃左右温度范围内形成的氧施主；s3：继续加热至1000-1200℃，保温50-70min；发明人发现虽然通过在850-950℃的升温和保温有效消除了450℃左右温度范围内形成的氧施主，但是有可能导致新的其他氧施主的形成，从而电阻率仍然会严重偏离目标值。进而发明人发现，将硅棒继续加热至1000-1200℃并保温50-70min可有效消除在850-950℃的升温和保温时形成的新氧施主；s4：将硅棒温度在100min内降低至700-900℃，保温50-70min；发明人发现，在1000-1200℃保温后，开始冷却时，冷却速度不宜过大，当冷却速度大于10℃/min时，硅棒中更容易形成空位缺陷，优选控制冷却速度小于5℃/min；进一步，发明人意外发现，可以通过将硅棒先降温至700-900℃并保温50-70min，由此可以有效减少硅棒中空位缺陷的形成；并在后续的冷却过程通过提高冷却速度，以尽可能避免新氧施主的形成。
13.s5：继续将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温。
14.通过上述处理过程，能够解决目标电阻率大于70欧姆厘米的p型单晶硅棒在拉制后由于受到氧施主的影响而变为n型或电阻率虚高的问题。
15.在本技术的其他实施例中，上述s1包括：将异常硅棒，在40min内，加热至600-700℃；在本技术的其他实施例中，上述s2包括：在30min内，加热至850-950℃；在本技术的其他实施例中，上述s3包括：
在30min内，加热至1000-1200℃；在本技术的其他实施例中，上述s4包括：在100min内，降低至700-900℃；在本技术的其他实施例中，上述s5包括：将硅棒移出加热炉，对硅棒喷洒冷却液，以使硅棒降温至常温；在本技术的其他实施例中，上述s5包括：将硅棒移出加热炉，浸入冷却液中，以使硅棒降温至常温。
16.在本技术的其他实施例中，在s1步骤前，先将加热炉中抽真空，然后通入惰性气体，以彻底排出加热炉中的氧气。
17.在本技术的其他实施例中，上述的硅棒的直径大于等于300mm。
18.在本技术的其他实施例中，上述的硅棒的直径400-500mm。
具体实施方式
19.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
20.因此，以下对本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
21.本技术实施方式提供一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，异常硅棒是指在拉制后受到氧施主的影响，而发生导电类型反转或电阻率虚高的高电阻硅棒；高电阻 硅棒为直拉法制得的目标电阻率大于70欧姆厘米的p型单晶硅棒，目标电阻率是根据《gb/t 13389-2014掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》，基于拉制前实际加入的掺杂剂浓度换算得到的；以掺硼硅单晶中的目标电阻率换算为例，使用以下公式（1）根据实际加入的掺杂剂浓度换算得到理论的目标电阻率：
ꢀꢀꢀꢀ
（1）式中：ρ—电阻率，单位为欧姆厘米（ω
·
cm）；na—硼的掺杂剂浓度，单位为每立方厘米（cm-3
)。
22.电阻率虚高是指电阻率超过目标电阻率20%或以上；该方法包括以下步骤：s1：将异常硅棒加热至600-700℃，保温50-100min；通过将异常硅棒加热至600-700℃并保温50-100min，可以有效 减少大尺寸硅棒中在450℃左右温度范围内形成的氧施主数量；s2：继续加热至850-950℃，保温50-70min；发明人发现对于大尺寸硅棒而言，600-700℃下的保温50-100min仍不足全部消除在450℃左右温度范围内形成的氧施主；
进一步发明人发现通过继续加热至850-950℃并保温50-70min，可以进一步促进氧原子扩散，从而彻底消除450℃左右温度范围内形成的氧施主；s3：继续加热至1000-1200℃，保温50-70min；发明人发现虽然通过在850-950℃的升温和保温有效消除了450℃左右温度范围内形成的氧施主，但是有可能导致新的其他氧施主的形成，从而电阻率仍然会严重偏离目标值。进而发明人发现，将硅棒继续加热至1000-1200℃并保温50-70min可有效消除在850-950℃的升温和保温时形成的新氧施主；s4：将硅棒温度在100min内降低至700-900℃，保温50-70min；发明人发现，在1000-1200℃保温后，开始冷却时，冷却速度不宜过大，当冷却速度大于10℃/min时，硅棒中更容易形成空位缺陷，优选控制冷却速度小于5℃/min；进一步，发明人意外发现，可以通过将硅棒先降温至700-900℃并保温50-70min，由此可以有效减少硅棒中空位缺陷的形成；并在后续的冷却过程通过提高冷却速度，以尽可能避免新氧施主的形成。
23.s5：继续将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温。
24.通过上述处理过程，能够解决目标电阻率大于70欧姆厘米的p型单晶硅棒在拉制后由于受到氧施主的影响而变为n型或电阻率虚高的问题。
25.进一步地，在本技术一些实施方式中，高电阻硅棒的直径大于等于300mm。
26.进一步可选地，在本技术一些实施方式中，高电阻硅棒的直径400-500mm。
27.本技术的方法，尤其适用于满足上述条件的大尺寸高电阻硅棒，通过上述热处理过程，能够消除氧施主的影响，将由于氧施主导致的导电类型反转为n型的硅棒恢复为p型硅，并解决恢复成p型硅后电阻虚高问题。
28.进一步地，在本技术一些实施方式中，提供了解决高电阻硅棒由于氧施主影响导致电阻虚高或导电类型反转问题的方法，包括：（一）、硅棒拉制出来以后，将硅棒进行截断。
29.需要说明的是，截断厚度不做限制，例如可以以适合搬运操作或者工艺设定为宜。
30.（二）、对硅棒表面清洁处理。
31.在本技术一些实施方式中，使用酒精进行清洗。
32.进一步可选地，在本技术一些实施方式中，使用超声波对硅棒进行清洗。
33.通过使用酒精或者超声波进行清洗，能够清除硅棒表面的污渍、印记等杂质，从而能够防止在后续热处理高温的情况下杂质渗透进硅棒内部，对硅棒造成污染的情况。
34.（三）、电阻率测量。
35.在本技术一些实施方式中，通过测量截断面的中心和靠近边缘10mm位置的电阻率，以增加数据的可靠性。
36.尤其是对于400mm以上大直径硅棒，需要测量至少5个位置的电阻率，以增加数据可靠性。
37.示例性地，共测量5个位置的电阻值，分别为截断面的中心位置、沿周向边缘4个位置。其中边缘4个位置为：边缘向内10mm的位置。可间隔90度取一个点测量，共4个点。
38.在本技术一些实施方式中，测量前对待测截断面进行研磨处理，使截断面平整。从而能够进一步保证数据可靠性。
39.（四）、排出加热炉中的氧气。
40.进一步地，在本技术一些实施方式中，对异常硅棒加热之前，先将加热炉中抽真空，然后通入惰性气体，以彻底排出加热炉中的氧气。
41.将硅棒放置在加热炉中，对加热炉进行抽真空，抽真空的极限为2pa。
42.示例性地，将异常硅棒放置在加热炉中，先抽真空30min，然后通入氩气30min，流量设定为30min，充入的氩气体积为加热炉舱室体积的3倍。比如：加热炉舱室的体积为1立方米=1000升，需要设定流量为100l/min，通入氩气30min。
43.通过在加热炉内充入加热炉舱室体积3倍的氩气能够确保热处理的过程中不会有其他气体杂质影响。
44.此外通过采用氩气等惰性气体能够促进排出加热炉的空气，减少空气中氧气的影响，防止产品氧化，保证退火效果。
45.在本技术其他可选的实施方式中，也可以采用其他惰性气体排出空气。
46.进一步地，在本技术一些实施方式中，通入氩气30min后，降低流量。示例性地，加热炉舱室的体积为1000升，设定流量为100l/min，通入氩气30min，30min后，降低流量为5-10l/min。
47.（五）、热处理。
48.步骤s1、将异常硅棒加热至600-700℃，保温50-100min。
49.进一步可选地，将异常硅棒加热至610-690℃，保温55-95min。
50.进一步可选地，将异常硅棒加热至620-680℃，保温60-90min。
51.示例性地，将异常硅棒加热至620℃、625℃、630℃、635℃、640℃、645℃、650℃、655℃、660℃、665℃、670℃、675℃、680℃或者685℃。
52.示例性地，保温57min、58min、60min、65min、70min、75min、80min或者85min。
53.进一步地，在本技术一些实施方式中，上述的将异常硅棒加热至600-700℃，包括：将异常硅棒，在40min内，加热至600-700℃。
54.进一步可选地，上述的将异常硅棒加热至600-700℃，包括：将异常硅棒，在10min-40min内，加热至600-700℃。
55.示例性地，上述的将异常硅棒加热至600-700℃，包括：将异常硅棒，在15min、20min、25min、30min或者35min内，加热至600-700℃。
56.步骤s2、在步骤s1的基础上，继续加热至850-950℃，保温50-70min。
57.进一步地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s1的基础上，继续加热至855-950℃，保温55-65min。
58.进一步地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s1的基础上，继续加热至860-945℃，保温56-64min。
59.示例性地，上述在步骤s1的基础上，继续加热至865℃、870℃、875℃、880℃、885℃、890℃、895℃、900℃、905℃、910℃、915℃、920℃、925℃、930℃、935℃或者940℃。
60.示例性地，上述在步骤s1的基础上，继续加热至860-945℃，保温57min、58min、59min、60min、61min、62min或者63min。
61.进一步地，在本技术一些实施方式中，上述在步骤s1的基础上，继续加热至850-950℃，包括：
在30min内，加热至850-950℃。
62.进一步可选的，上述在步骤s1的基础上，继续加热至850-950℃，包括：在5-25min内，加热至850-950℃。
63.示例性地，上述在步骤s1的基础上，继续加热至850-950℃，包括：在6min、8min、10min、12min、15min、18min、20min、22min或者24min，加热至850-950℃。
64.步骤s3、在步骤s2的基础上，加热至1000-1200℃，保温50-70min。
65.进一步地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s2的基础上，继续加热至1050-1150℃，保温51-69min。
66.示例性地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s2的基础上，继续加热至1060℃、1070℃、1080℃、1090℃、1100℃、1110℃、1120℃、1130℃或者1140℃。
67.示例性地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s2的基础上，继续加热至1050-1150℃，保温53min、55min、57min、58min、60min、62min、64min、66min或者68min。
68.进一步地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s2的基础上，继续加热至1000-1200℃，包括：在5-25min内，加热至1000-1200℃。
69.示例性地，上述在步骤s2的基础上，继续加热至1000-1200℃，包括：在6min、8min、10min、12min、15min、18min、20min、22min或者24min，加热至1000-1200℃。
70.步骤s4、在步骤s3的基础上，降低至700-900℃，保温50-70min。
71.进一步地，在本技术一些实施方式中，在步骤s3的基础上，降低至750-850℃，保温51-69min。
72.示例性地，在步骤s3的基础上，降低至760℃、770℃、780℃、790℃、800℃、810℃、820℃、830℃或者840℃。
73.示例性地，在步骤s3的基础上，降低至750-850℃，保温53min、55min、57min、58min、60min、62min、64min、66min或者68min。
74.进一步地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s3的基础上，降低至700-900℃，包括：在100min内，降低至700-900℃。
75.进一步可选地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s3的基础上，降低至700-900℃，包括：在10-100min内，降低至700-900℃。
76.进一步可选地，在本技术一些实施方式中，在上述步骤s3的基础上，降低至700-900℃，包括：在10-90min内，降低至700-900℃。
77.示例性地，在上述步骤s3的基础上，降低至700-900℃，包括：在15min、20min、25min、30min、35min、40min、45min、50min、55min、60min、65min、70min、75min、80min、85min降低至700-900℃。
78.步骤s5、在步骤s4的基础上将硅棒降温至常温。
79.在本技术一些实施方式中，在步骤s4的基础上，将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温。
80.在本技术一些实施方式中，在步骤s4的基础上，将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温，包括：将硅棒移出加热炉，对硅棒喷洒冷却液，以使硅棒降温至常温。
81.在本技术一些实施方式中，上述冷却液选择常温水。
82.在阶梯降温后采用喷雾式急速冷却的处理方式，不仅可以有效避过300-500℃这一氧施主容易形成的温度区间，从而避免氧施主的再次形成，而且能够有效提升降温效率，节省生产成本。
83.进一步可选地，在本技术一些实施方式中，在步骤s4的基础上，将硅棒降温至常温，包括：将硅棒移出加热炉，浸入冷却液中，以使硅棒降温至常温。
84.通过将硅棒浸入冷却液中能够加快硅棒表面热量传递，使得硅棒的芯部和表面快速降温至相同的目标温度，可以有效避免硅棒的芯部和表面温度不均匀。
85.在本技术一些实施方式中，上述冷却液选择常温水。
86.在本技术一些实施方式中，在步骤s4的基础上，将硅棒降温至常温，包括：将硅棒移出加热炉，对硅棒喷洒冷却液，然后将硅棒浸入冷却液中，以使硅棒更快的降温至常温。
87.在本技术其他可选的实施方式中，也可以采用油冷的方式进行浸泡处理。
88.（六）对上述经过热处理的硅棒的电阻率再次检测进行验证。
89.在本技术一些实施方式中，使用砂纸打磨截面，然后选取中心1点与边缘间隔90度的4点，使用四探针测试仪对5个点进行电阻率检测。
90.经过检测，采用本技术方法，能够消除氧施主对高电阻硅棒的影响，能够将发生导电类型反转的n型硅棒恢复为p型硅棒，并能够解决氧施主导致的电阻虚高的问题。
91.本技术方法采用阶梯式的温度升高与保温模式；快速升温至保温第一阶段；用惰性气体排出空气，减少空气中氧气的影响，防止产品氧化，800℃后采用急速降温处理，从而有效消除了氧施主的影响。
92.以下结合实施例对本技术进行说明。
93.实施例1提供一种解决高电阻硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法：选取直径为460mm，掺杂硼的浓度为1.577x10
14
/cm3的单晶硅硅棒，根据公式（1）换算得到该硅棒的理论目标电阻率为85欧姆厘米（正常情况下实际检测的电阻率应在68-102欧姆厘米以内），由于氧施主的影响，退火前硅棒的导电类型发生了反转，变为n型。将整根硅棒截断，取3个样品分别采用实施例1、对比例1以及对比例2方法进行热处理。每个样品的厚度相同，均为3mm。
94.按照以下步骤进行处理：准备工作：对每个硅棒样品使用酒精进行清洗。
95.使用1500#砂纸将每个硅棒样品的截断面打磨平整。
96.使用四探针测试仪，测量每个硅棒样品截断面的中心（1个点）和靠近边缘10mm位置（4个点）的电阻率和pn型，其中边缘10mm的位置4个点之间相互间隔90度测量；共5个点。测试结果见表1。
97.热处理：按照以下步骤进行热处理：1)将每个硅棒样品放置在热处理炉中，抽真空，真空度2pa；先抽真空30min，然后通入氩气30min，流量设定为30min充入的氩气体积为舱室体积的3倍。在系统抽真空并排出系统中的空气后，设定加热条件，在40min内将温度加热至650℃，保温80min。
98.2)将温度从650℃加热至900℃，时间为30min。
99.3)在900℃条件下保温60min。
100.4)将温度从900℃加热至1100℃，时间30min。
101.5)在1100℃条件下保温60min。
102.6)100min内将温度降低至800℃，这个流程可以通过加大氩气流量来降温，使同时排风开启。
103.7)在800℃的时候保温60min。
104.8)将硅棒移出热处理炉，采用快速降温的处理方式，对着硅棒喷洒水雾来进行降温。采用逐步加大水雾的流量的方法，让硅棒恢复至常温。
105.9)最后将硅棒在水冷的环境下处理30min，目的是让内部完全降温至常温。
106.电阻率测试：将热处理完的各个硅棒试样使用1500#砂纸打磨横截面，然后使用四探针测试仪对中心（1个点）与边缘10mm的位置（4个点），4个点之间相互间隔90
°
进行电阻率和pn型测试。测试结果见表1。
107.表1从表1可以看出，采用本技术方法，能够有效地将发生导电类型反转的硅棒恢复正常，并能解决高电阻硅棒的电阻虚高的问题，使得硅棒的检测电阻率与目标电阻一致。
108.对比例1提供一种硅棒退火方法：准备工作与实施例1相同，所不同在于退火步骤，具体而言，按照以下步骤进行：将炉内抽真空至0.008mpa以下；先预热，然后快速加热至650℃；炉内温度在660℃下稳定1.5小时后停炉，开启冷却系统冷却至温度为500℃；取出样品对其进行快速冷却至常温；检测样品的电阻率。结果见表2：
表2从表2可以看出，对比例1的退火方法既不能将硅棒导电类型反转恢复正常，也不能有效解决高电阻硅棒的电阻虚高的问题，不能满足目标电阻要求。
109.对比例2提供一种硅棒退火方法：准备工作与实施例1相同，所不同在于退火步骤，具体而言，按照以下步骤进行：a、启动退火炉，并充入保护气体，将温度升至750℃，保温30分钟，放入样品，再次在750℃下，保温30分钟；b、将退火炉的温度降至650℃，保温30分钟；c、将单晶硅片迅速移出所述退火炉外，放入风淋机构中，一侧送风，一侧出风，送风口设有冷凝机组对进风降温，由风机将冷空气吹向单晶硅片，风速为5m/s，空气温度为15℃，将单晶硅片放置在中间的风道上，并且让冷风从侧面吹过上下平面，保证两侧均匀，在4min内，将单晶硅片冷却至常温。
110.检测样品的电阻率。结果见表3：表3从表3可以看出，对比例2的退火方法虽然能够将硅棒导电类型反转恢复为p型，但是不能有效地解决高电阻硅棒的电阻虚高的问题，不能满足目标电阻要求。
111.实施例2提供一种硅棒退火方法：准备工作、退火步骤均与实施例1相同，所不同在于硅棒直径不同，本实施例中为300mm。
112.退火后测试结果见表4。
113.表4
从表4可以看出，采用本技术方法，能够有效地将高电阻硅棒的电阻虚高问题解决，使得满足目标电阻要求，并且能够将硅棒导电类型反转恢复正常。
114.对比例3与实施例1的不同之处仅在于在1100℃条件下保温时间为10min。
115.退火后测试结果见表5。
116.表5从表5可以看出，缩短在1100℃下保温时间至10min后，虽然能够解决硅棒导电类型反转的问题，但是电阻率无法恢复到目标电阻率。
117.对比例4与实施例1的不同之处仅在于在退火步骤中，在900℃条件下保温60min后不继续升温，而是将硅棒移出热处理炉，进行与实施例1相同的降温处理至常温。
118.退火后测试结果见表6。
119.表6从表6可以看出，取消1000-1200℃的升温和保温步骤后，虽然能够解决硅棒导电类型反转的问题，但是电阻率无法恢复到目标电阻率。
120.综上，采用本技术方法处理后，可以有效的消除高阻硅棒由于氧施主的影响导致电阻率虚高甚至导电类型反转的问题。
121.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。