具有荧光材料的集成电路结构以及相关方法与流程

1.本公开的实施例一般地涉及集成电路(ic)。更具体地说，本公开的实施例提供一种结构以及用于验证这种结构的相关方法。


背景技术：

2.在微电子工业中，某些参与者修改芯片的能力越来越受到关注。未经授权的修改的影响范围从无害影响(例如，显示器上的不连贯数据)到严重故障(例如，不稳定的起搏器时钟)。在某些情况下，这些影响可能难以与随机错误和/或老化导致的劣化区分开。随着全球制造商之间的合作对制造效率日益重要，对制造商和客户而言，在供应链中对敏感事件和/或传输的控制也变得越来越重要。


技术实现要素：

3.本公开的方面提供了一种集成电路(ic)结构，包括：位于ic部件上的荧光材料层，其中所述荧光材料层限定用于所述ic结构的识别标记的一部分。
4.本公开的另外的方面提供了一种验证集成电路(ic)结构的方法，所述方法包括：检测ic部件上的荧光材料层，其中所检测到的荧光材料层限定用于所述ic结构的识别标记的一部分；以及将所述识别标记与用于所述ic结构的验证图进行比较，以验证所述ic结构。
5.本公开的其他方面提供了一种集成电路(ic)结构，包括：位于衬底上的ic部件；以及位于所述ic部件上的荧光材料层，其中所述荧光材料层限定用于所述ic结构的识别标记的一部分。
附图说明
6.结合描述本公开的各种实施例的附图根据以下对本公开的各个方面进行的详细描述，将更容易理解本公开的这些和其他特征，其中：
7.图1示出了根据本公开的实施例的具有荧光材料的ic结构和用于验证ic结构的工具的平面图。
8.图2示出了根据本公开的实施例的其中可以形成荧光材料的ic结构的一部分的截面图。
9.图3示出了根据本公开的实施例的在ic结构上形成荧光材料的截面图。
10.图4示出了根据本公开的实施例的ic结构的进一步处理和照射以检测荧光材料的截面图。
11.图5示出了根据本公开的实施例的在过孔开口内形成荧光材料的截面图。
12.图6示出了根据本公开的实施例的用荧光材料和过孔金属填充过孔开口并照射以检测荧光材料的截面图。
13.图7示出了根据本公开的进一步的实施例的用非金属过孔填充过孔开口的截面图。
14.图8示出了根据本公开的实施例的ic结构的截面图，其中具有荧光材料的过孔与电路断开电连接。
15.图9示出了根据本公开的实施例的具有待被荧光材料填充的沟槽的半导体衬底的截面图。
16.图10示出了根据本公开的实施例的用荧光材料填充沟槽并照射荧光材料的截面图。
17.图11示出了根据本公开的实施例的用于形成、检测和验证具有荧光材料的ic结构的方法的示例性流程图。
18.应注意，本公开的附图不一定按比例绘制。附图仅旨在描绘本公开的典型方面，因此不应视为限制本公开的范围。在附图中，相似的标号表示附图之间相似的元素。
具体实施方式
19.在下面的描述中，参考了形成本发明一部分的附图，并且其中以图示的方式示出了可以实践本教导的特定示例性实施例。这些实施例的描述足够详细以使本领域技术人员能够实践本教导，应当理解，在不脱离本教导的范围的情况下，可以使用其他实施例并且可以进行更改。因此，以下描述仅是说明性的。
20.将理解，当诸如层、区域或衬底的元素被称为位于另一元素“上”或“上方”时，它可以直接地位于另一元素上、或者也可以存在中间元素。与此形成对比，当元素被称为“直接位于另一元素上”或“直接位于另一元素上方”时，不存在任何中间元素。还应当理解，当一个元素被称为“被连接”或“被耦接”到另一元素时，它可以被直接地连接或耦接到另一元素、或者可以存在中间元素。与此形成对比，当一个元素被称为“被直接连接”或“被直接耦接”到另一元素时，不存在任何中间元素。
21.说明书中对本公开的“一个实施例”或“实施例”及其的其他变型的提及意味着结合该实施例描述的特定特征、结构、特性等被包括在本公开的至少一个实施例中。因此，短语“在一个实施例中”或“在实施例中”以及出现在说明书各处的任何其他变型不一定都指同一实施例。应当理解，例如在“a/b”、“a和/或b”以及“a和b中的至少一个”的情况下使用“/”、“和/或”和“至少一个”中的任一个旨在包含仅选择第一个列出的选项(a)、或仅选择第二个列出的选项(b)、或同时选择这两个选项(a和b)。作为其他示例，在“a、b和/或c”和“a、b和c中的至少一个”的情况下，这些短语旨在包含仅选择第一个列出的选项(a)、或仅选择第二个列出的选项(b)、或仅选择第三个列出的选项(c)、或仅选择第一个和第二个列出的选项(a和b)、或仅选择第一个和第三个列出的选项(a和c)、或仅选择第二个和第三个列出的选项(b和c)、或选择所有这三个选项(a和b和c)。如本领域普通技术人员显而易见的，该情况可扩展用于所列出的许多项。
22.本公开的实施例提供了结构和用于验证集成电路(ic)结构的方法，例如以确定产品是否受到未经授权的修改。本公开的实施例可以提供一种ic结构，其中荧光材料层位于ic部件上。荧光材料可以形成为单个区域或形成为这些区域的图案的一部分。荧光材料层限定用于ic结构的识别标记的一部分。通过使用用于照射荧光材料的工具，分析人员可以将荧光材料的位置与用于ic结构的图(map)进行比较，以验证产品的真实性(authenticity)。荧光材料可以形成为与ic结构内的金属层、过孔、衬底和/或任何其他可
构想的部件的各种表面接触的材料膜。此外，涂覆有荧光材料的部件可以被或可以不被包括在ic结构的电有源(active)区域中。
23.验证ic结构可以使用ic结构的验证图来实现，该验证图指示ic结构的荧光材料和/或其他识别特征的位置。验证图可以仅被提供给ic结构的接收者，例如通过安全通信通道。接收者可以检查ic结构以查看荧光材料位置是否与验证图中的对应位置相匹配。在某些情况下，ic结构的每个不同单元都可能具有唯一的验证图。
24.参考图1，本公开的实施例可以包括集成电路(ic)结构100和/或可在集成电路(ic)结构100上实现。此外，本文所述的方法可在ic结构100上实现以验证该结构或其部分是否受到未经授权的修改。图1所示的ic结构100可以表示在平面x-y中跨二维区域延伸的较大结构的一部分。ic结构100可以包括跨区域104(例如，将ic部件102彼此分开的绝缘材料和/或其他材料)分布的若干ic部件102。在各种应用中，区域104可以仅包括ic结构100的一部分，或者包括ic结构100的整体。ic部件102可以包括具有ic结构100的任何可构想的有源或无源(inactive)部件，例如，用于服务于各种操作和/或制造目的。
25.根据一个示例，ic结构100中的ic部件102可以包括电有源导体，例如布线、过孔等，用于通过ic结构100传输电流。在进一步的非限制性示例中，ic部件102可以包括例如有源或无源半导体材料、导体、绝缘体、晶体管、电容器、电感器、衬里、保护环等。在另外的示例中，ic部件102可以包括部件子组件，诸如逻辑门、逆变器、放大器、时钟、电源、光子组件等。在图1的示例中，ic部件102被图示为过孔(延伸进入或离开x-y平面)，其被跨区域104分布的绝缘体材料的部分隔开。虽然ic部件102的某些部分可以互连，但它们可以包括可与本文所述的各种荧光材料一起使用的不同结构和/或材料。
26.ic结构100的实施例可以包括位于ic部件102的一部分上的荧光材料108。在图1的示例中，若干荧光材料108层是区域104内各个ic部件102的相邻侧壁。然而，其他ic部件102上缺少荧光材料108，因此可以与区域104内具有荧光材料108的ic部件102区分开。荧光材料108可以包括任何现在已知的或以后开发的在受到光辐射(例如，在可见光谱内和/或通过辐射敏感设备可检测到的波长中)时呈现荧光的材料。荧光是指物质在暴露于辐射源(例如，光、x射线等)期间发射的辐射。在一个示例中，荧光材料108可以包括金刚石。在更具体的示例中，荧光材料108可以包括通过化学气相沉积(cvd)沉积的合成金刚石。在cvd沉积的合成金刚石的情况下，荧光材料108可以被制造为当被沉积在ic部件102上时呈现特定种类的荧光(例如，具有特定颜色的波长)。因此，荧光材料108可以对用户和/或某些工具不可见，除非应用了特定的辐射波长。荧光材料108可以形成在各种ic部件102上，作为非限制性示例，包括：包括最后的金属层的金属层、tsv和/或过孔上的衬里(无论这些部件是否具有电功能)、层间电介质区域中的层、切割通道中的层、半导体衬底的背侧表面或其他表面上的图案中的层等。
27.诸如分析组件120之类的各种系统能够通过分析荧光材料108来验证ic结构100。分析组件120可以包括辐射源122，即，一个或多个灯、二极管和/或任何现在已知的或以后开发的能够产生uv光谱带或其他所需波长内的辐射(例如光)的仪器。辐射源122可以将辐射传输到ic结构100的区域104。ic结构100的各个部分可以吸收和/或反射来自辐射源122的辐射。荧光材料108可以在接收特定频率范围内的辐射时呈现荧光。在这种情况下，诸如人、测试工具(例如，光电检测器)等的观察者可以在ic结构100的区域104内观察到特定颜
色和/或类型的荧光。具体而言，将在具有荧光材料108的ic部件102处检测到荧光，而在没有荧光材料108的ic部件102附近将不会检测到荧光。
28.在某些ic部件102处的荧光材料108的荧光可以指示ic结构100是否受到未经授权的修改。在一些情况下，分析组件120可以包括用于实现根据本公开的方法的计算设备130。计算设备130可以电耦接到辐射源122(例如，通过如图1所示的电和/或数据耦接)，或者其可以独立于辐射源122。在适用的情况下，计算设备130可以包括计算架构，诸如处理器单元、输入/输出(i/o)接口、存储器、总线等，用于耦接到辐射源122和/或实现各种功能。在一些情况下，计算设备130可以是控制电路的形式。计算设备130可以包括硬件和/或软件，用于接收与ic结构100上的荧光材料108的位置相关的数据(例如，从用户或耦接到计算设备130的另一部件传输的)。利用这样的数据，计算设备130可以将观察到的荧光和/或位置与ic结构100的验证图132进行比较。
29.验证图132可以提供区域104的模型或其他表示以使各个位置与荧光材料108的指定位点相互对照(cross-reference)。因此，验证图132基于荧光材料108是否出现在验证图132上它们被指定的所处的区域104上的部分中并且不出现在其他位置，来验证ic结构100。在进一步的实现方式中，验证图132可以指定其中将出现或不出现荧光材料108的某些类型的ic部件102。在进一步的实现方式中，验证图132可以不在计算设备130上提供，而是可以通过任何可构想的媒体形式(例如，非电子存储的文档)被记录以供参考。
30.本公开的实施例允许荧光材料108形成在ic结构100上的多个位置(例如，不同类型的ic部件102)。不管在不同位置处和/或在不同类型的ic部件102上提供荧光材料108所需的任何结构和/或处理变化，荧光材料108可以基本上如本文关于图1所描述的那样起作用。
31.图2示出了在被处理成ic结构100的实施例之前的初始结构200。讨论结构200的处理是为了说明如何将荧光材料108结合到产品中。图2示出了具有其中可以形成一个或多个金属布线204的绝缘体202的结构200的截面图。绝缘体202可以由任何现在已知的或以后开发的用于提供电绝缘的物质形成，并且作为示例可以包括：氮化硅(si3n4)、氧化硅(sio2)、氟化sio2(fsg)、硼磷硅酸盐玻璃(bpsg)、倍半硅氧烷、包括硅(si)、碳(c)、氧(o)和/或氢(h)原子的碳(c)掺杂的氧化物(即，有机硅酸盐)、热固性聚亚芳基醚、旋涂含硅碳聚合物材料、近无摩擦碳(nfc)或它们构成的层。在一些情况下，例如，当结构200位于另一导电层和/或电介质材料层上时，绝缘体202可以是用于使结构的不同导电层隔开的层间电介质(ild)层。
32.结构200可以包括一个或多个金属布线204，用于穿过一个金属层级的绝缘体202和/或从一个金属层级到另一金属层级互连各种元件。金属布线204可以包括通过沉积和/或蚀刻形成的一种或多种导电材料，并且可以包括通过例如双镶嵌形成的竖直延伸和水平延伸部分的组合。金属布线204可以包括一种或多种导电金属、金属合金等，因此可以包括铜(cu)、铝(al)、金(au)等。金属布线204另外可以形成在例如难熔金属衬里206上以防止电迁移劣化和/或将金属布线204的导电材料与绝缘体202或其他相邻材料隔开。难熔金属衬里206可以包括例如但不限于以下材料：氮化钽(tan)和钽；氮化钽、钽和钴，或它们的组合。
33.结构200可以包括附加的绝缘材料层以进一步将不同的金属层彼此隔离。例如，结构200可以包括形式为例如掺杂的碳化硅和/或具有类似特性的其他绝缘材料的绝缘体膜
208。结构200可以附加地或替代地包括至少一个氮化物区域210(例如，中段制程(mol)氮化物)，其横向延伸通过绝缘体202。氮化物区域210可以具有电绝缘特性，类似于绝缘体202的其余部分，但可以包括不同的化学组成。更具体地，氮化物区域210可以由比绝缘体202的其余部分具有更大的湿蚀刻抵抗性的材料构成，如本文别处所讨论的。在绝缘体202包括氮化物材料的情况下，氮化物区域210可以由具有比绝缘体202(例如氮化硅(si3n4)更强的抵抗结构修改(例如，制造期间的各种形式的蚀刻)能力的不同氮化物材料构成。
34.如图2所示的结构200处于仅部分地形成后续金属层级212的阶段。在一些情况下，后续金属层级212可以是除了例如十个或更多个不同的金属层级之外所形成的最终金属层级。本公开的实施例允许荧光材料108(图1)在其仍在形成的同时被嵌入到后续金属层级212中。后续金属层级212可以被认为是其上可以形成有荧光材料108的一种类型的ic部件102(图1)。图2示出了被沉积在绝缘体202的开口内以及在绝缘体202的上表面的部分上的导体层214。在最后的金属层的情况下，导体层214可以包括铝，或者在其他金属层和/或技术应用的情况下，可以包括本文所述的其他导体(例如，铜、金等)。如本文所讨论的，难熔金属衬里206位于导体层214的部分的下方和/或横靠(alongside)导体层214的部分，以防止劣化并与绝缘体202隔开。一个或多个开口216可以横靠导体层214的部分，例如，以在随后的制造中被填充有各种绝缘和/或加衬材料。因此，本公开的实施例可以将荧光材料的形成整合到对导体层214进行加衬中。
35.图3示出了用荧光材料108以及其他电绝缘材料膜对导体层214进行加衬的过程。例如，绝缘体衬里218可以形成在导体层214上和开口216(图2)内，例如通过沉积到期望的厚度。绝缘体衬里218可以具有与绝缘体202和/或本文所述的其他绝缘材料相同的组分和/或相似的介电常数。附加地或替代地，本公开的实施例可以包括在绝缘体衬里218上或以其他方式在导体层214上和/或在开口216内形成氮化物衬里220。氮化物衬里220可以包括任何现在已知的或以后开发的氮化物绝缘材料，其包括先前关于氮化物区域210描述的那些。不管是否使用衬里218、220，进一步的处理都可以包括通过化学气相沉积和/或适合在暴露表面上形成荧光材料108层的其他技术在后续金属层212上(例如，在导体层214上方)形成荧光材料108。在荧光材料108就位的情况下，可以基本上根据已知技术继续进一步的处理以形成产品的金属层。
36.图4示出了根据本公开的实施例产生ic结构100的进一步处理。这里，绝缘体衬里218、氮化物衬里220和/或荧光材料108的一些部分可以从导体层214上方的目标位置去除(例如，通过借助掩模(未示出)进行蚀刻以形成开口222)。开口222可以限定从后续金属层级212耦接到外部耦接元件(例如焊球、中间导体、附加金属层级等)的位点。在开口222之上和/或之内形成这些部件通常是已知的，因此不进一步详细地对其进行讨论。在任何情况下，在后续金属层级212中的荧光材料108的形成允许辐射源122检测荧光材料108在后续金属层级212上的存在。后续金属层级212的其他部件可以是透明的或非荧光的，因此各种其他导电和/或绝缘部件在后续金属层212内的存在不会影响辐射源122向荧光材料108传输辐射的能力。后续金属层级212的其他部分和/或ic结构100的其他金属层级可能不包括荧光材料108。因此，在ic结构100的可识别位置中包括或缺乏荧光材料108允许用户通过辐射源122来验证ic结构100是否受到未经授权的修改。也就是说，就其本身而言，在ic结构100中仅存在荧光材料108并不能验证给定的产品或单元是否是正品(genuine)。相反，可以基
于荧光材料108是否位于与验证图132(图1)或ic结构100的其他表示对应的位置处来验证一个或多个产品，以指示产品是否是正品。
37.现在参考图5，本公开的实施例可以允许荧光材料108形成为其他类型的结构和/或位置之间的中间衬里。图5示出了具有衬底232的初始结构230，在其之上和之内可以形成各种其他部件。衬底232可以包括例如一种或多种半导体材料。更具体地，衬底232可以包括但不限于硅、锗、硅锗、碳化硅或任何其他常见的ic半导体衬底。衬底232的整体或其一部分可能发生应变。衬底232可以包括例如至少部分地延伸到衬底232中的过孔开口234。过孔开口234可以通过对衬底232的掩蔽和蚀刻来形成，从而限定用于形成可以从衬底232的一侧竖直延伸到另一侧的导电材料的位置。
38.图5示出了在其中形成导电材料之前的衬底232。例如，绝缘体衬里218可以形成在衬底232上和过孔开口234内，并且绝缘体衬里218可以包括关于其他实施例描述的相同材料和/或类似的绝缘体材料。荧光材料108可以形成在绝缘体衬里218上(或者，在一些情况下，直接形成在衬底232上和/或过孔开口234内)作为附加层，基本上如在其他实现方式中所述。进一步的处理可以包括在荧光材料108上和过孔开口234的一部分内形成氮化物衬里220(例如，通过沉积)，基本上如在其他实现方式中所述。这里，荧光材料108可以是两种其他材料(例如，绝缘体衬里218和氮化物衬里220)之间的中间衬里，用于在开口234中形成的导电材料。
39.参考图6，本公开的实施例可以包括在过孔开口234(图5)中形成过孔金属236。在荧光材料108就位的情况下，可选地与衬里218、220一起(和/或在两者之间)，过孔金属236可以通过沉积形成在过孔开口234中。过孔金属236可以包括例如以下中的至少一种：铜、钨、钽、钛等。过孔金属236可以具有例如大约10微米(μm)至大约120μm的高度，或更具体地，具有在大约50μm至大约60μm之间的高度。过孔金属236可以具有大约10μm的横截面宽度或直径。然而，应当理解，本公开的实施例可以同样适用于具有大于120μm的高度和/或小于10μm(例如，5μm或更小)的直径的过孔金属236。
40.现在转向图7，本公开的进一步的实施例可以包括在过孔开口234(图5)中形成非金属过孔238。非金属过孔238可以包括例如非导电材料，例如硼磷硅玻璃(bpsg)和/或能够例如通过沉积形成在过孔开口234内的任何其他可构想的材料。在又一示例中，非金属过孔238可以包括可用于形成荧光材料108的相同荧光材料。在形成非金属过孔238并在其中包括荧光材料的实施例中，可以省略衬里218、220和/或过孔开口234内的其他衬里材料的部分。因此，非金属过孔238可以包括任何现在已知的或以后开发的用于提供电无源区域的非导电物质，和/或它本身可以包括能够被辐射源122检测到的荧光材料108。
41.参考图6和7，无论是否形成过孔金属236或非金属过孔238，ic结构100的进一步处理都可包括能够实现的到绝缘体衬里218的上表面(或替代地，平坦化到衬底232和/或其上的其他层)的平坦化(例如，使用化学机械平坦化(cmp))。ic结构100的平坦化可以使任何过孔金属236和/或非金属过孔238在衬底232内具有期望的尺寸。在过孔金属236和/或非金属过孔238就位的情况下，ic结构100可以包括以在衬底232内的硅过孔(tsv)240的形式的ic部件102(图1)。辐射源122可以辐射tsv 240，并且当辐射源122工作时，可检测到在tsv 240上和/或被包括在非金属过孔238内的荧光材料108。此外，可以去除衬底232的其他部分以将tsv 240接合到ic结构100内部和/或外部的其他部件。
42.图8示出了ic结构100的其他实现方式，其中tsv 240(可能包括过孔金属236和/或非金属过孔238)不用于电气用途，而是提供荧光材料108所处的位点。在这种情况下，绝缘体202(例如，本文讨论的ild)可以形成在绝缘体衬里218上，其中各种金属布线204形成在绝缘体202内。金属布线204可以包括如本文别处所述的难熔金属衬里206(图2-4)，并且为了简化说明，这样的衬里在图7中被省略。在替代的实现方式中，一个或多个金属布线204可以被形成为到达tsv 240和/或与tsv 240接触。然而，图8示出了其中具有金属布线204的一组有源电路242与tsv240物理并且电去耦接的示例。在这种情况下，tsv 240在ic结构100内不提供电操作功能。尽管如此，荧光材料108仍可以被形成在tsv 240的侧壁上。这里，辐射源122能够将辐射传输到tsv 240以识别其上的荧光材料108。因此，例如在tsv 240与电路242断开连接的情况下，具有荧光材料108的ic部件102可以不包括ic结构100中的操作部件。
43.现在转向图9和10，可以实现本公开的实施例，以使得衬底232本身是其上具有荧光材料108的ic部件102(图1)。例如，初始结构250(仅图8)可以包括直接形成在衬底232中的一个或多个沟槽252(仅图8)。沟槽252可以部分地延伸到衬底232中，并且可以不暴露除了衬底232本身的组成之外的任何材料。特别地，沟槽252可以形成在不具有电操作部件的衬底232的特定表面或区域内。
44.在一个示例中，沟槽252可以位于衬底232的背侧表面254内。背侧表面254可以与可形成器件和/或其他上覆部件的衬底232的表面竖直地相对。背侧表面254通常不包括有源结构或器件，因此荧光材料108可以形成在衬底232的背侧表面254内而不干扰操作元件。在其他处理结束之后，例如在背侧表面254被抛光到减小的厚度之后，可以在背侧表面254内形成沟槽252。在另一示例中，可以在ic结构100的切割区域中形成沟槽252。
45.然而如所体现的，沟槽252可选地不具有附加材料，例如本文讨论的各种绝缘和/或导电材料。然后可以用荧光材料108填充一个或多个沟槽252，例如使用cvd和适合于形成荧光材料108的其他工艺。在一些情况下，只有一些沟槽252可以填充有荧光材料108，而其他沟槽252可以填充有非荧光材料256(仅图9)(例如，如本文所限定的缺乏荧光的任何可构想的材料，例如，常规的绝缘体和/或导体)。辐射源122可以与衬底232一起使用以识别荧光材料108的位置，如本文别处所述。荧光材料108和非荧光材料256的位置由此可以限定用于识别ic结构100的标记。这样的位置例如可以被记录在验证图132(图1)中，如本文所讨论的。
46.图11示出了使用荧光材料108验证ic结构100的各种操作的说明性流程图。本文描述的一些操作可以是初步的和/或由其他方来实现，因此在图10中被用虚线示出。同时参考图1和10，过程p0.1包括例如形成具有荧光材料108的至少一个区域的ic结构100。ic结构100的形成可以使用本文讨论的各种示例中的任何示例和/或其他可构想的用于在ic结构100内形成荧光材料108的方法来实现。根据本公开的方法还可以包括例如过程p0.2以创建用于指定荧光材料108预期出现在ic结构100中的位置的验证图132。验证图132可以作为数据被提供给计算设备130，和/或可以被记录在各种其他形式的存储介质中(可能包括在没有计算设备130的情况下能够被检查的格式)。
47.根据本公开的进一步的处理可以例如由ic结构100的最终接收者在进一步制造ic结构100和/或将ic结构100运输到目的地之后来实现。根据本公开的过程p1.1可以包括例
如使用诸如本文讨论的辐射源122之类的工具来检测ic部件102上的荧光材料108。所检测到的ic结构100中的荧光材料108可以限定识别标记。本公开的实施例中的过程p1.2然后可以包括例如将其中具有荧光材料108的识别标记与验证图132进行比较。过程p1.2中的比较可以例如经由辐射源122的操作员来手动实现，和/或经由耦接到辐射源122的计算设备130和/或以其他方式接收指定荧光材料108的识别位置的输入的计算机设备130来自动实现。之后，过程p1.3包括验证ic结构100中的荧光材料108是否与验证图132中列出的位置相匹配。在荧光材料108的位置与验证图132相匹配的情况下，ic结构100被验证。否则，ic结构100可能已经受到去除了荧光材料108的未经授权的修改操作。然后该方法可以结束(“完成”)，并且可以基于过程p1.3的结果来使用或放弃ic结构100。
48.本公开的实施例提供若干技术和商业优势，其中一些在本文中作为示例被讨论。从这里的讨论可以明显看出，本公开的实施例允许制造具有内置验证特征的ic结构100，从而允许在没有专门装置的情况下对ic结构100进行光学验证。在一些情况下，仅需要辐射源122来验证ic结构100是否受到未经授权的修改。本公开的实施例还允许荧光材料108形成在ic结构100内的各个预选位置，从而阻碍第三方复制和/或修改某些敏感ic部件102的能力。荧光材料108可能出现在或不出现在数千或数百万个位置，因此使得第三方不可能在不更改荧光材料108的情况下，在相同位置或以后的ic产品100中形成荧光材料108。例如，如果第三方和/或中间接收者在ic结构100被提供给最终客户之前接收到ic结构100，则更改ic结构100将影响包括荧光材料108的结构的部分。这些部分如果被去除，则还将导致荧光材料108被从ic结构100去除。在这种情况下，ic结构100的剩余的荧光材料108将不与验证图132(图1)相匹配。
49.以上参考根据本公开的实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各方面。应当理解，流程图和/或框图的每个框以及流程图和/或框图中的框的组合，可以通过计算机程序指令来实现。可以将这些计算机程序指令提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器以生产机器，以使得经由计算机或其他可编程数据处理装置的处理器执行的指令创建用于实现流程图和/或框图中的一个或多个框中指定的功能/动作的装置。
50.上述方法用于集成电路芯片。所得到的集成电路芯片可以由制造商以原始晶片形式(即，作为具有多个未封装芯片的单个晶片)，作为裸芯或以封装形式分发。在后一种情况下，芯片以单芯片封装(例如塑料载体，其引线固定到主板或其它更高级别的载体)或多芯片封装(例如陶瓷载体，其具有表面互连和/或掩埋互连)的形式被安装。在任何情况下，芯片然后与其它芯片、分立电路元件和/或其它信号处理器件集成，作为(a)中间产品(例如主板)或(b)最终产品的一部分。最终产品可以是包括集成电路芯片的任何产品，从玩具和其它低端应用到具有显示器、键盘或其它输入设备以及中央处理器的高级计算机产品。
51.本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”规定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们构成的组的存在或者添加。“可选的”或“可选地”表示随后描述的事件或情况可能发生或可能不发生，并且该描述包括事件发生的情况和事件不发生的情况。
52.在整个说明书和权利要求书中使用的近似语言可以被用于修饰任何定量表示，该定量表示可以允许在不导致其相关的基本功能变化的情况下改变。因此，由诸如“约”、“近似”和“基本上”之类的一个或多个术语修饰的值不限于指定的精确值。在至少一些情况下，近似语言可以对应于用于测量值的仪器的精度。在本文以及整个说明书和权利要求书中，范围限制可以被组合和/或互换，这样的范围被识别并且包括含在其中的所有子范围，除非上下文或语言另有说明。应用于范围的特定值的“近似”适用于两个值，并且除非另外取决于测量值的仪器的精度，否则可指示所述值的 /-10％。
53.以下权利要求中的所有装置或步骤加功能元件的对应结构、材料、动作和等同物旨在包括结合具体要求保护的其它要求保护的要素执行功能的任何结构、材料或动作。已经出于说明和描述的目的给出了对本公开的描述，但是该描述并不旨在是穷举的或将本公开限制于所公开的形式。在不脱离本公开的范围和精神的情况下，许多修改和变化对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了最好地解释本公开的原理和实际应用，并且使本领域的其他技术人员能够理解本公开的具有适合于预期的特定用途的各种修改的各种实施例。