半导体结构及其制作方法、存储器、存储器系统与流程

1.本公开实施例涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器、存储器系统。


背景技术：

2.自对准双重图案化(self-aligned double patterning，sadp)技术由于可以实现更小的线宽和更窄的间距而被广泛应用于半导体器件的制造中。
3.然而，在自对准双重图案化技术中，金属线的尺寸由侧壁间隔物决定，导致金属线的尺寸较小且固定、利用率不高。


技术实现要素：

4.根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构的制作方法，包括：
5.形成覆盖基底结构的导电层；
6.在所述导电层上形成间隔的第一心轴线和第二心轴线；其中，所述第二心轴线的宽度大于所述第一心轴线的宽度；
7.形成覆盖所述第一心轴线侧壁和顶部以及所述第二心轴线侧壁和顶部的间隔材料层；
8.在覆盖所述第二心轴线顶部的所述间隔材料层上形成图案化的第一光刻胶层；其中，所述第一光刻胶层的宽度大于所述间隔材料层的厚度；
9.根据所述第一光刻胶层刻蚀覆盖所述第二心轴线顶部的所述间隔材料层、所述第二心轴线和所述导电层，形成接触垫。
10.根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体结构，包括：
11.基底结构，包括：导电插塞和导电柱；其中，所述导电插塞的特征尺寸大于所述导电柱的特征尺寸；
12.导电线，位于所述基底结构上，且与所述导电插塞电连接；
13.接触垫，位于所述基底结构上，且与所述导电线间隔；其中，所述接触垫与所述导电柱电连接；所述接触垫的宽度大于所述导电线的宽度。
14.根据本公开实施例的第三方面，提供一种存储器，包括：如本公开实施例第二方面所述的半导体结构。
15.根据本公开实施例的第四方面，提供一种存储器系统，包括：
16.如本公开实施例第三方面所述的存储器，被配置为存储数据；
17.存储器控制器，耦合至所述存储器，被配置为控制所述存储器。
18.根据本公开实施例的第五方面，提供一种电子设备，包括：如本公开实施例第四方面所述的存储器系统。
19.本公开实施例中，通过在导电层上形成宽度大于第一心轴线的宽度的第二心轴线以及形成覆盖第一心轴线侧壁和顶部以及第二心轴线侧壁和顶部的间隔材料层，并在覆盖
第二心轴线顶部的间隔材料层上形成图案化的第一光刻胶层，由于第一光刻胶层的宽度大于间隔材料层的厚度，根据第一光刻胶层刻蚀导电层，可形成尺寸大于间隔材料层的厚度的接触垫，即有利于形成尺寸更大的接触垫。
20.此外，尺寸更大的接触垫可作为焊盘使用，有利于提高接触垫的利用率。
附图说明
21.图1a至图1e是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图；
22.图2是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作方法的流程图；
23.图3是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图一；
24.图4是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图二；
25.图5是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图三；
26.图6是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图四；
27.图7是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图五；
28.图8是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图六；
29.图9是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图七；
30.图10是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的结构示意图。
具体实施方式
31.下面将结合附图和实施例对本公开的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
32.在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本公开。根据下面说明和权利要求书，本公开的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本公开实施例的目的。
33.可以理解的是，本公开的“在
……
上”、“在
……
之上”和“在
……
上方”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在
……
上”不仅表示其“在”某物“上”且其间没有居间特征或层(即直接在某物上)的含义，而且还包括在某物“上”且其间有居间特征或层的含义。
34.在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
35.在本公开实施例中，术语“层”是指包括具有厚度的区域的材料部分。层可以在下方或上方结构的整体之上延伸，或者可以具有小于下方或上方结构范围的范围。此外，层可以是厚度小于连续结构厚度的均质或非均质连续结构的区域。例如，层可位于连续结构的顶表面和底表面之间，或者层可在连续结构顶表面和底表面处的任何水平面对之间。层可以水平、垂直和/或沿倾斜表面延伸。层可以包括多个子层。
36.需要说明的是，本公开实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
37.图1a至图1e是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图。半导体结构的制作步骤可包括：在基底结构101上依次形成导电材料层102’、掩膜层103和多
个心轴图案104，如图1a所示；形成覆盖掩膜层103、心轴图案104侧壁和顶部的间隔材料层105’，如图1b所示；刻蚀去除覆盖掩膜层103、心轴图案104顶部的间隔材料层105’和心轴图案104，在刻蚀的过程中，侧壁间隔物105(即覆盖心轴图案104侧壁的间隔材料层)保留，如图1c所示；根据侧壁间隔物105刻蚀掩膜层103和导电材料层102’，并基底结构101上形成多个导电线102，如图1d和1e所示。
38.通过采用图1a至图1c所示的自对准双重图案化技术，可使得侧壁间隔物105的节距(pitch)缩小为心轴图案104的节距的一半，根据侧壁间隔物105刻蚀导电材料层102’，从而实现更小间距的导电线102。这里，节距指的是线宽和间距之和。
39.在上述示例中，通常采用原子层沉积工艺形成厚度均一(记为d)的间隔材料层105’，如图1b所示，导电线102的尺寸由侧壁间隔物105的厚度d决定，导致导电线102的尺寸较小且固定、利用率不高。
40.图2是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作方法的流程图。参照图2所示，该制作方法至少包括以下步骤：
41.s110：形成覆盖基底结构的导电层；
42.s120：在导电层上形成间隔的第一心轴线和第二心轴线；其中，第二心轴线的宽度大于第一心轴线的宽度；
43.s130：形成覆盖第一心轴线侧壁和顶部以及第二心轴线侧壁和顶部的间隔材料层；
44.s140：在覆盖第二心轴线顶部的间隔材料层上形成图案化的第一光刻胶层；其中，第一光刻胶层的宽度大于间隔材料层的厚度；
45.s150：根据第一光刻胶层刻蚀覆盖第二心轴线顶部的间隔材料层、第二心轴线和导电层，形成接触垫。
46.本公开实施例中，通过在导电层上形成宽度大于第一心轴线的宽度的第二心轴线以及形成覆盖第一心轴线侧壁和顶部以及第二心轴线侧壁和顶部的间隔材料层，并在覆盖第二心轴线顶部的间隔材料层上形成图案化的第一光刻胶层，由于第一光刻胶层的宽度大于间隔材料层的厚度，根据第一光刻胶层刻蚀导电层，可形成尺寸大于间隔材料层的厚度的接触垫，即有利于形成尺寸更大的接触垫。
47.此外，尺寸更大的接触垫可作为焊盘使用，有利于提高接触垫的利用率。
48.图3至图9是根据本公开实施例示出的一种半导体结构的制作过程示意图。
49.其中，图3至图6分别示出了半导体结构制作过程中的截面图以及沿虚线a-a’的剖视图，图7和图8分别示出了半导体结构制作过程中的截面图，图9示出了半导体结构制作过程中的截面图以及沿虚线a-a’的剖视图，下面将结合图2、图3至图9对本公开再做进一步详细说明。
50.首先，参照图3所示，执行步骤s110：形成覆盖基底结构201的导电层202。例如，采用薄膜沉积工艺形成覆盖基底结构201的导电层202，薄膜沉积工艺包括但不限于化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)工艺、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)工艺或其组合。
51.基底结构201可包括衬底，衬底的组成材料包括：单质半导体材料(例如硅、锗)、
ⅲ‑ⅴ
族化合物半导体材料、
ⅱ‑ⅵ
族化合物半导体材料、有机半导体材料或者本领域已知的其它半导体材料。
52.基底结构201还可包括衬底、位于衬底之上的叠层结构(包括交替堆叠的栅极层和绝缘层)、贯穿叠层结构的沟道结构(包括阻挡层-存储层-隧穿层-沟道-绝缘柱)以及贯穿叠层结构的栅线隙结构等。
53.导电层202的组成材料包括：导电材料，例如，钨、钽、钛、镍、铂、氮化钨、氮化钽或氮化钛中的一种或其任意组合。
54.然后，参照图3所示，执行步骤s120：在导电层202上形成间隔的第一心轴线204和第二心轴线205；例如，采用薄膜沉积工艺形成覆盖导电层202的心轴材料层，对心轴材料层执行光刻和刻蚀工艺，形成如图3所示的第一心轴线204和第二心轴线205，第一心轴线204和第二心轴线205之间通过贯穿心轴材料层的沟槽间隔。
55.图3分别示出了存储器制作过程中的剖视图和俯视图，参照图3所示，第二心轴线205的宽度w2大于第一心轴线204的宽度w1，第二心轴线205长度和第一心轴线204的长度可以相同或者不同。需要说明的是，这里的“宽度”表示的是在x方向上的尺寸，这里的“长度”表示的是在y方向上的尺寸，本公开中所使用的x方向和y方向平行于基底结构所在的平面，x方向和y方向相交，x方向和y方向之间的夹角包括锐角、直角或钝角，z方向垂直于基底结构所在的平面。
56.第一心轴线204和第二心轴线205的组成材料包括：硅氮化物，硅氧化物，硅氮氧化物或碳等，第一心轴线204和第二心轴线205包括一层或多层。例如，在本示例中，第一心轴线204和第二心轴线205为旋涂碳(spin-on-carbon，soc)-氮氧化硅的复合膜层。
57.在一些实施例中，参照图3所示，在形成第一心轴线204和第二心轴线205之前，上述制作方法还包括：在导电层202上形成掩膜层203。掩膜层203的组成材料包括：硅氮化物，硅氧化物，硅氮氧化物或碳等，掩膜层203包括一层或多层。
58.在一具体示例中，如图3所示，掩膜层203包括第一掩膜层2031、第二掩膜层2032和第三掩膜层2033，第一掩膜层2031可以是氮化硅层，第二掩膜层2032可以是类金刚石(diamond like carbon，dlc)抗反射膜层，第三掩膜层2033可以是氮氧化硅层。
59.接下来，参照图4所示，执行步骤s130：形成覆盖第一心轴线204侧壁和顶部以及第二心轴线205侧壁和顶部的间隔材料层206。例如，采用原子层沉积工艺形成覆盖第一心轴线204侧壁和顶部以及第二心轴线205侧壁和顶部的间隔材料层206，间隔材料层206同时覆盖掩膜层203，可以理解的是，间隔材料层206覆盖沟槽的侧壁和底部，如图4所示。间隔材料层206的组成材料包括：硅氧化物或硅氮化物，本示例中，间隔材料层206为氧化硅层。
60.再接下来，参照图5所示，执行步骤s140：在覆盖第二心轴线205顶部的间隔材料层上形成图案化的第一光刻胶层208；例如，采用涂胶、曝光和显影工艺形成图案化的第一光刻胶层208，涂胶工艺包括但不限于旋涂工艺、喷涂工艺、滚涂工艺、浸涂工艺、印刷工艺或其组合。第一光刻胶层208的组成材料包括：光致抗蚀剂材料。
61.图5分别示出了存储器制作过程中的剖视图和俯视图，参照图5所示，第一光刻胶层208的宽度w3大于间隔材料层206的厚度d。需要说明的是，采用原子层沉积工艺可形成厚度均一的间隔材料层206，这里的“厚度”表示的是在垂直于所覆盖的表面的方向上的尺寸，例如，当间隔材料层206覆盖第二心轴线205的侧壁时，厚度指的是第二心轴线205在x方向
上的尺寸，当间隔材料层206覆盖第二心轴线205的顶部时，厚度指的是第二心轴线205在z方向上的尺寸。第一光刻胶层208的数量可以是一个或多个，例如，图5中示例性地示出了4个第一光刻胶层208。
62.在一些实施例中，参照图5所示，上述制作方法还包括：形成覆盖间隔材料层206的填充层207，例如，向形成有间隔材料层206的沟槽中沉积填充材料层，对填充材料层执行平坦化处理，形成如图5所示的填充层207，填充层207相对远离间隔材料层206的表面基本平齐；上述步骤s140包括：在填充层207上形成第一光刻胶层208。填充层207的组成材料包括：硅氮化物，硅氧化物，硅氮氧化物或碳等，填充层207包括一层或多层。
63.需要说明的是，填充层207相对远离间隔材料层206的表面为满足预设平坦条件的表面。满足预设平坦条件的表面可包括：平行于水平面的表面；或者，当形成有填充层207的基底结构水平放置时，填充层207相对远离间隔材料层206的表面相对于水平面的平整度公差范围包括-20纳米至20纳米。
64.本公开实施例中，通过形成覆盖间隔材料层的填充层，并且填充层相对远离间隔材料层的表面基本平齐，可为后续的半导体制程提供相对平坦的表面，有利于保证制作过程中的平整度，进而提高后续制程的工艺稳定性。
65.最后，执行步骤s150：根据第一光刻胶层刻蚀覆盖第二心轴线顶部的间隔材料层、第二心轴线和导电层，形成接触垫。
66.在一些实施例中，结合图5至图9所示，上述步骤s150包括：根据第一光刻胶层208刻蚀覆盖第二心轴线205顶部的间隔材料层206，并显露部分第二心轴线205；去除显露的第二心轴线205；其中，剩余的第二心轴线205作为第一掩膜图案2091；根据第一掩膜图案2091刻蚀导电层202，形成接触垫211。
67.例如，根据第一光刻胶层208向下刻蚀填充层207、覆盖第二心轴线205顶部的间隔材料层206和位于该间隔材料层之下的第二心轴线205，剩余的第二心轴线205作为第一掩膜图案2091，如图6所示；根据第一掩膜图案2091向下刻蚀掩膜层203，形成第一子掩膜层203a，如图7所示；根据第一子掩膜层203a向下刻蚀导电层202，形成如图9所示的接触垫211。刻蚀工艺包括但不限于干法刻蚀、湿法刻蚀或其组合。
68.在一些实施例中，结合图5至图9所示，上述制作方法还包括：根据第一光刻胶层208刻蚀覆盖第一心轴线204顶部的间隔材料层206、第一心轴线204和导电层202，形成与接触垫211间隔的第一导电线212；其中，第一导电线212的宽度小于接触垫211的宽度。这里，第一导电线212的宽度可与间隔材料层206的厚度d相同，接触垫211的宽度可与第一光刻胶层208的宽度相同。
69.在一些实施例中，结合图5至图9所示，上述根据第一光刻胶层208刻蚀覆盖第一心轴线204顶部的间隔材料层206、第一心轴线204和导电层202，形成与接触垫211间隔的第一导电线212，包括：根据第一光刻胶层208刻蚀覆盖第一心轴线204顶部的间隔材料层206，并显露第一心轴线204；去除显露的第一心轴线204；其中，覆盖第一心轴线204侧壁的间隔材料层206保留并作为第二掩膜图案2092；第二掩膜图案2092的宽度小于第一掩膜图案2091的宽度；根据第二掩膜图案2092刻蚀导电层202，形成第一导电线212。
70.例如，在根据第一光刻胶层208向下刻蚀填充层207、覆盖第二心轴线205顶部的间隔材料层206和位于该间隔材料层之下的第二心轴线205时，覆盖第一心轴线204顶部的间
隔材料层206和第一心轴线204被去除，覆盖第一心轴线204侧壁的间隔材料层206保留，形成如图6所示的第二掩膜图案2092；根据第二掩膜图案2092向下刻蚀掩膜层203，形成第二子掩膜层203b，如图7所示；根据第二子掩膜层203b向下刻蚀导电层202，形成如图9所示的第一导电线212。
71.需要说明的是，这里，接触垫211的宽度可经由第一光刻胶层208的宽度定义，第一导电线212的宽度可经由覆盖第一心轴线204侧壁的间隔材料层206的宽度(即间隔材料层206的厚度)定义，由于第一光刻胶层208的宽度大于间隔材料层206的厚度，可使得形成的接触垫211的宽度大于第一导电线212的宽度。
72.在一些实施例中，结合图5至图9所示，在去除显露的第二心轴线205时，覆盖第二心轴线205侧壁的间隔材料层206保留并作为第三掩膜图案2093；其中，第三掩膜图案2093的宽度小于第一掩膜图案2091的宽度；根据第三掩膜图案2093刻蚀导电层202，形成第二导电线213；其中，第二导电线213位于第一导电线212和接触垫211之间。
73.例如，在去除显露的第二心轴线205时，覆盖第二心轴线205侧壁的间隔材料层206保留并作为第三掩膜图案2093，如图6所示；根据第三掩膜图案2093向下刻蚀掩膜层203，形成第三子掩膜层203c，如图7所示；根据第三子掩膜层203c向下刻蚀导电层202，形成如图9所示的第二导电线213。
74.在一些实施例中，第二导电线213的宽度小于接触垫211的宽度。这里，第二导电线213的宽度可与间隔材料层206的厚度d相同。在一具体示例中，第二导电线213的宽度可与第一导电线212的宽度相同。
75.需要说明的是，这里，接触垫211的宽度可经由第一光刻胶层208的宽度定义，第二导电线213的宽度可经由覆盖第二心轴线205侧壁的间隔材料层206的宽度(即间隔材料层206的厚度)定义，由于第一光刻胶层208的宽度大于间隔材料层206的厚度，可使得形成的接触垫211的宽度大于第二导电线213，第二导电线213的宽度与第一导电线212的宽度相同。
76.在一些实施例中，第一掩膜图案2091、第二掩膜图案2092和第三掩膜图案2093同时形成。例如，采用自对准双重图案化技术，同时形成第一掩膜图案2091、第二掩膜图案2092和第三掩膜图案2093，如此，可简化工艺步骤，节约制作成本。
77.在一些实施例中，根据第一掩膜图案2091、第二掩膜图案2092和第三掩膜图案2093向下刻蚀掩膜层203，可同时形成第一子掩膜层203a、第二子掩膜层203b和第三子掩膜层203c；根据第一子掩膜层203a、第二子掩膜层203b和第三子掩膜层203c向下刻蚀导电层202，可同时形成接触垫211、第二导电线213和第一导电线212，有利于简化工艺步骤，节约制作成本。
78.在一些实施例中，在刻蚀导电层202之前，上述制作方法还包括：去除第一掩膜图案2091、第二掩膜图案2092和第三掩膜图案2093，如图8所示。
79.在一些实施例中，在刻蚀导电层202后，可同时形成接触垫211和环状导电结构，如图9所示，通过去除环状导电结构端部(例如，沿y方向相对的端部)的至少一部分，可形成间隔的第一导电线212和第二导电线213，第一导电线212和第二导电线213沿y方向延伸。
80.在一些实施例中，第一导电线212和第二导电线213的形状包括：条形或“l”型等。
81.在一些实施例中，参照图5所示，填充层207的材料、第一心轴线204的材料和第二
心轴线205的材料相同。例如，在本示例中，填充层207的材料为旋涂碳-氮氧化硅的复合膜层。
82.本公开实施例中，通过设置填充层的材料、第一心轴线的材料和第二心轴线的材料相同，有利于调控刻蚀过程中的刻蚀选择比，保证第一导电线和第二导电线更接近设计形状。
83.图10是根据本公开实施例示出的一种半导体结构300的结构示意图。参照图10所示，半导体结构300包括：
84.基底结构301，包括：导电插塞和导电柱；其中，导电插塞的特征尺寸大于导电柱的特征尺寸；
85.导电线302，位于基底结构301上，且与导电插塞电连接；
86.接触垫303，位于基底结构301上，且与导电线302间隔；其中，接触垫与导电柱电连接；接触垫303的宽度大于导电线302的宽度。
87.基底结构301可以包括衬底，还可以包括衬底、位于衬底之上的叠层结构(包括交替堆叠的栅极层和绝缘层)、贯穿叠层结构的沟道结构(包括阻挡层-存储层-隧穿层-沟道-绝缘柱)以及贯穿叠层结构的栅线隙(gate line slit。gl s)结构等。
88.示例性地，导电插塞可与沟道结构电连接，导电柱可与栅线隙结构电连接，通过在基底结构301上设置导电线302和接触垫303，导电线302可将基底结构中的沟道结构引出，接触垫303可将基底结构中的栅线隙结构引出，从而实现与外围电路的互连。并且由于接触垫的宽度大于导电线的宽度，接触垫可作为焊盘使用，有利于增加接触垫与导电柱之间的对准窗口，减小接触电阻。
89.这里，导电插塞与沟道结构电连接，导电柱与栅线隙结构电连接仅为示例，用于向本领域技术人员传达本公开，导电插塞或导电柱还可与其它的功能结构电连接，用于将其它的功能结构引出，本公开在此不做限制。
90.需要说明的是，特征尺寸可用半径、直径、长度或者宽度等表示。例如，导电插塞和导电柱的图形为圆形时，导电插塞的特征尺寸大于导电柱的特征尺寸包括：导电插塞的半径大于导电柱的半径；或者，导电插塞的直径大于导电柱的直径。
91.本公开实施例中，通过在基底结构上设置导电线和接触垫，导电线和接触垫可分别将导电插塞和导电柱引出，由于接触垫的宽度大于导电线的宽度，尺寸更大的接触垫可作为焊盘使用，有利于提高接触垫的利用率。
92.并且导电柱通过接触垫引出，可使得存储器的金属布线更为灵活，例如，可根据实际的需求设计接触垫的尺寸。
93.本公开实施例还提供一种存储器，包括：上述任一实施例中的半导体结构300。存储器可以是闪存存储器(例如，3d nand)、相变存储器或动态随机存取存储器等。
94.本公开实施例还提供一种存储器系统，包括：
95.上述实施例中的存储器，被配置为存储数据；
96.存储器控制器，耦合至存储器，被配置为控制存储器。
97.存储器系统可以是移动电话、台式计算机、膝上型计算机、平板计算机、车辆计算机、游戏控制台、打印机、定位设备、可穿戴电子设备、智能传感器、虚拟现实(vr)设备、增强现实(ar)设备或者其中具有储存器的任何其他合适的电子设备。
98.在一些实施例中，存储器控制器被设计为用于在低占空比环境中操作，如安全数字(sd)卡、紧凑型闪存(cf)卡、通用串行总线(usb)闪存驱动器、或用于在诸如个人计算器、数字相机、移动电话等的电子设备中使用的其他介质。
99.在一些实施例中，存储器控制器被设计为用于在高占空比环境固态硬盘(s sd)或嵌入式多媒体卡(emmc)中操作，ssd或emmc用作诸如智能电话、平板计算机、膝上型计算机等的移动设备的数据储存器以及企业存储阵列。
100.存储器控制器可以被配置为控制存储器的操作，例如读取、擦除和编程操作。存储器控制器还可以被配置为管理关于存储在或要存储在存储器中的数据的各种功能，包括但不限于坏块管理、垃圾收集、逻辑到物理地址转换、损耗均衡等。在一些实施方式中，存储器控制器还被配置为处理关于从存储器读取的或者被写入到存储器的数据的纠错码(ecc)。
101.存储器控制器还可以执行任何其他合适的功能，例如，格式化存储器。存储器控制器可以根据特定通信协议与外部设备(例如，主机)通信。例如，存储器控制器可以通过各种接口协议中的至少一种与外部设备通信，接口协议例如usb协议、mmc协议、外围部件互连(pci)协议、pci高速(pci-e)协议、高级技术附件(ata)协议、串行ata协议、并行ata协议、小型计算机小型接口(scsi)协议、增强型小型磁盘接口(esdi)协议、集成驱动电子设备(ide)协议、firewire协议等。
102.存储器控制器和一个或多个存储器可以集成到各种类型的存储设备中，例如，包括在相同封装(例如，通用闪存存储(ufs)封装或emmc封装)中。
103.在一些实施例中，存储器系统还包括：
104.主机，耦合到存储器控制器，被配置为发送或接收数据。
105.主机可以是电子设备的处理器(例如，中央处理单元(cpu))或者片上系统(soc)(例如，应用处理器(ap))。主机可以被配置为将数据发送到存储器。或者，主机可以被配置为从存储器接收数据。
106.本公开实施例还提供一种电子设备，包括：上述任一实施例中的存储器系统。电子设备包括手机、台式计算机、平板电脑、笔记本电脑、服务器、车载设备、可穿戴设备或移动电源等。
107.以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。