半导体装置用接合线的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置用接合线，具有：芯材即cu芯材，其由cu或cu合金构成，以及含有贵金属的被覆即贵金属被覆，其被设置于该cu芯材的表面；该线的表面中的cu浓度为30～80at％。2.如权利要求1所述的接合线，其中，表面中的cu浓度以下述＜条件＞通过俄歇电子能谱法来测定：＜条件＞进行定位，使得线的宽度的中心为测定面的宽度的中心，且测定面的宽度为线直径的10％以上15％以下，测定面的长度为测定面的宽度的5倍。3.如权利要求1或2所述的接合线，其中，贵金属被覆包含pd。4.如权利要求3所述的接合线，其中，贵金属被覆还包含au。5.如权利要求1～4的任意一项所述的接合线，其中，贵金属被覆中的贵金属的最大浓度为50at％以上。6.如权利要求4或5所述的接合线，其中，表示贵金属被覆中的au的最大浓度的位置处于比表示pd的最大浓度的位置靠表面侧处。7.如权利要求5或6所述的接合线，其中，贵金属被覆中的贵金属的最大浓度根据深度方向的浓度分布来求得，该深度方向的浓度分布是一边从线的表面通过ar溅射沿深度方向下挖，一边以下述＜条件＞通过俄歇电子能谱法测定而得到的：＜条件＞进行定位，使得线的宽度的中心为测定面的宽度的中心，且测定面的宽度为线直径的10％以上15％以下，测定面的长度为测定面的宽度的5倍。8.如权利要求1～7的任意一项所述的接合线，其中，cu芯材由cu和不可避免的杂质构成。9.如权利要求1～8的任意一项所述的接合线，其中，贵金属被覆由贵金属和不可避免的杂质构成。10.如权利要求1～7的任意一项所述的接合线，其中，包含从由ni、zn、rh、in、ir及pt构成的组中选择的1种以上的元素即第1添加元素，第1添加元素针对线整体的浓度总计为0.1～1.5质量％。11.如权利要求1～7、10的任意一项所述的接合线，其中，包含从由p、b、be、fe、mg、ti、zn、ag及si构成的组中选择的1种以上的元素即第2添加元素，第2添加元素针对线整体的浓度总计为0.1～200质量ppm。12.如权利要求10或11所述的接合线，其中，cu芯材由cu、从第1添加元素及第2添加元素中选择的1种以上的元素、以及不可避免的杂质构成。13.如权利要求10～12的任意一项所述的接合线，其中，贵金属被覆由贵金属、从第1添加元素及第2添加元素中选择的1种以上的元素、以及不可避免的杂质构成。
14.如权利要求1～13的任意一项所述的接合线，其中，垂直于线轴的方向的cu芯材截面中的平均晶体粒径为1.4～3.2μm。15.如权利要求1～14的任意一项所述的接合线，其中，该接合线为楔－楔接合用。16.一种半导体装置的制造方法，其包含将半导体元件上的第1电极与引线框架或电路基板上的第2电极通过如权利要求1～15的任意一项所述的接合线连接的工序，并通过楔接合来实施第1电极与接合线的第1连接、以及第2电极与接合线的第2连接这两者。17.如权利要求16所述的方法，其中，在常温下实施第1连接和第2连接。18.一种半导体装置，其包含如权利要求1～15的任意一项所述的接合线。

技术总结
本发明提供一种即使适用于常温下的楔接合也会呈现良好的接合性，且接合可靠性也较为优异的半导体装置用接合线。该接合线具有由Cu或Cu合金构成的芯材(以下，称为“Cu芯材”)、以及被设置于该Cu芯材的表面的含有贵金属的被覆，该线的表面中的Cu浓度为30～80at％。该线的表面中的Cu浓度为30～80at％。


技术研发人员：江藤基稀 小田大造 宇野智裕 小山田哲哉
受保护的技术使用者：日铁化学材料株式会社
技术研发日：2021.03.18
技术公布日：2022/11/18