TSV产品封装方法与流程

tsv产品封装方法
技术领域
1.本发明属于转接基板的tsv封装设计技术领域，更具体的涉及tsv产品封装方法。


背景技术：

2.memory产品成品芯片的厚度和尺寸越来越小，在基本设计过程中，若芯片的容量要大，在有限的空间内要堆叠越来越多的芯片，因此，除了减薄芯片的厚度之外，还可以考虑增加芯片空间利用率。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供tsv产品封装方法，可以提供一种增加芯片容量的方法，实现在有限空间内堆叠更多的芯片。
4.本发明实施例提供tsv产品封装方法，包括：
5.在第一基板上根据设定位置粘贴第一tsv芯片和第二tsv芯片，所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间留有间隙；
6.在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一fc芯片，通过切割得到只包括第一fc芯片的转接基板；
7.将所述转接基板设置在所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的上层，所述第一fc芯片位于所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间，且所述第一fc芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；
8.在所述转接基板上依次设置第二fc芯片，第三fc芯片和第四fc芯片。
9.优选地，所述第一fc芯片位于所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间，且所述第一fc芯片的两侧与所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片均不接触。
10.优选地，所述第三fc芯片位于所述第二fc芯片和所述第四fc芯片之间，且所述第三fc芯片的两侧与所述第二fc芯片和所述第四fc芯片均不接触。
11.优选地，所述第一fc芯片和所述第三fc芯片的长度、宽度和厚度一致。
12.优选地，所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的长度、宽度和厚度一致；和/或者
13.所述第二fc芯片和所述第四fc芯片的长度、宽度和厚度一致。
14.优选地，所述将所述转接基板设置在所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的上层，具体包括：
15.将所述转接基板通过倒装工艺设置在所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的上层。
16.本发明实施例提供tsv产品封装方法，其特征在于，包括：在第一基板上根据设定位置粘贴第一tsv芯片和第二tsv芯片，所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间留有间隙；在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一fc芯片，通过切割得到只包括第一fc芯片的转接基板；将所述转接基板设置在所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的上层，所述第一fc芯片位于所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间，且所述第一fc芯片的上表面与所述
第一基板的上表面相对；在所述转接板上依次设置第二fc芯片，第三fc芯片和第四fc芯片。该方法通过在第一基板上设置tsv芯片，并在tsv芯片上设置粘贴有第一fc芯片的转接基板，然后在转接基板上依次设置三个fc芯片，实现了将不同尺寸的芯片堆叠在一起，增大了一个基板上芯片的空间利用率，解决了在有限空间内堆叠大量芯片以及增加芯片空间利用率的问题。
附图说明
17.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1为本发明实施例提供的tsv产品封装方法流程示意图；
19.图2为本发明实施例提供的tsv产品封装结构示意图；
20.图3a为本发明实施例提供的在第一基板上设置tsv芯片结构示意图；
21.图3b为本发明实施例提供的在转接基板上设置第一fc芯片结构示意图；
22.图3c为本发明实施例提供的切割为只包括单颗第一fc芯片的转接基板结构示意图；
23.图3d为本发明实施例提供的将转接基板设置在tsv芯片上层结构示意图；
24.图3e为本发明实施例提供的转接基板上设置第二fc芯片结构示意图；
25.图3f为本发明实施例提供的转接基板上设置第三fc芯片结构示意图；
26.其中，101—第一基板，102—芯片凸点，103-1—第一tsv芯片，103-2—第二tsv芯片，104—基板凸点，105～转接基板，106～第一fc芯片，107～第二fc芯片，108～第三fc芯片，109～第四fc芯片。
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
28.图1为本发明实施例提供的tsv产品封装方法流程示意图，图2为本发明实施例提供的tsv产品封装结构示意图，图3a为本发明实施例提供的在第一基板上设置tsv芯片结构示意图；图3b为本发明实施例提供的在转接基板上设置第一fc芯片结构示意图；图3c为本发明实施例提供的切割为只包括单颗第一fc芯片的转接基板结构示意图；图3d为本发明实施例提供的将转接基板设置在tsv芯片上层结构示意图；图3e为本发明实施例提供的转接基板上设置第二fc芯片结构示意图；图3f为本发明实施例提供的转接基板上设置第三fc芯片结构示意图。以下结合图2、图3a～图3f为例，详细介绍本发明实施例提供的tsv产品封装方法。
29.具体地，如图1所示，本发明实施例提供的tsv产品封装方法包括有以下步骤：
30.步骤101，在第一基板上根据设定位置粘贴第一tsv芯片和第二tsv芯片，所述第一
tsv芯片和所述第二tsv芯片之间留有间隙；
31.步骤102，在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一fc芯片，通过切割得到只包括第一fc芯片的转接基板；
32.步骤103，将所述转接基板设置在所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的上层，所述第一fc芯片位于所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间，且所述第一fc芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；
33.步骤104，在所述转接板上依次设置第二fc芯片，第三fc芯片和第四fc芯片。
34.在步骤101中，如图3a所示，在提供的第一基板101上根据设定的位置粘贴第一tsv(through-silicon via，穿过硅基板的垂直电互连)芯片103-1和第二tsv芯片103-2，需要说明的是，第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2在第一基板101上的设置位置是预先设定好的，再次，对第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2在第一基板101上的设置位置不做限定。
35.进一步地，由于第一基板101的上方还需要设置转接基板105，且转接基板105的下方还粘贴有第一fc(flip chip，倒装芯片)芯片106，因此，第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2之间需要留有间隙，且该间隙的宽度需要大于设置在转接基板105上的第一fc芯片106的宽度。需要说明的是，这里的间隙的宽度指代的是第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2之间的距离，相应地，第一fc芯片106地宽度指代地是当第一fc芯片106设置在第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2之间时，第一fc芯片106的宽度。
36.需要说明的时，当第一tsv芯片和第二tsv芯片设置在第一基板上时，第一tsv芯片和第二tsv芯片和第一基板上还包括有芯片凸点，即第一tsv芯片和第一基板之间有芯片凸点，第二tsv芯片和第一基板之间有芯片凸点。
37.在步骤102，如图3b所示，先将第一fc芯片106粘贴在转接基板105上，当在转接基板105的设定位置粘贴多个第一fc芯片106之后，可以对转接基板105进行uv切割，如图3c所示，将转接基板105切割成只包括一颗第一fc芯片106的转接基板105。
38.需要说明的是，在本发明实施例中，为例能够在第一基板上通过芯片堆叠的方式，多设置芯片，因此，通过uv切割后得到的只包括一颗第一fc芯片的转接基板，其尺寸虽然比第一基板的尺寸小，但其一个侧面还可以粘贴三个不同尺寸的芯片，再次，对设置在转接基板上的芯片的尺寸不做具体限定。
39.在步骤103中，如图3d所述，将上述步骤得到的只包括一颗第一fc芯片106的转接基板105通过倒装工艺设置在第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2上方，需要说明的是，在将转接基板105通过倒装工艺设置在第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2上方时，需要确定第一fc芯片位于第一tsv芯片和第二tsv芯片之间，且第一fc芯片与第一tsv芯片和第二tsv芯片之间的距离相等。进一步地，第一fc芯片106的上表面与第一基板101的上表面相对。
40.进一步地，在第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2和转接基板105之间还包括有基板凸点104，相应的第一tc芯片和转接基板105之间也包括有基板凸点104。
41.在步骤104中，如图3e和3f所示，在转接基板105的另一侧，即未设置第一fc芯片106的一侧依次设置第二fc芯片107，第三fc芯片108和第四fc芯片109。
42.需要说明的是，设置在转接基板另一侧的第二fc芯片、第三fc芯片和第四fc芯片，
其之间均留有间隙，即第三fc芯片与第二fc芯片和第四fc芯片均不接触，进一步地，第二fc芯片、第三fc芯片和第四fc芯片和转接基板之间均包括有基板凸点。
43.进一步地，第二fc芯片107和第四fc芯片109具有相同的尺寸，且分别位于第一tsv芯片103-1和第二tsv芯片103-2的正上方，而位于第一fc芯片106上方的第三fc芯片108，其尺寸与第一fc芯片106的尺寸相同，最后得到如图2所示的可堆叠多个芯片的tsv产品封装结构。
44.综上所述，本发明实施例提供tsv产品封装方法，其特征在于，包括：在第一基板上根据设定位置粘贴第一tsv芯片和第二tsv芯片，所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间留有间隙；在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一fc芯片，通过切割得到只包括第一fc芯片的转接基板；将所述转接基板设置在所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片的上层，所述第一fc芯片位于所述第一tsv芯片和所述第二tsv芯片之间，且所述第一fc芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；在所述转接板上依次设置第二fc芯片，第三fc芯片和第四fc芯片。该方法通过在第一基板上设置tsv芯片，并在tsv芯片上设置粘贴有第一fc芯片的转接基板，然后在转接基板上依次设置三个fc芯片，实现了将不同尺寸的芯片堆叠在一起，增大了一个基板上芯片的空间利用率，解决了在有限空间内堆叠大量芯片以及增加芯片空间利用率的问题。
45.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
46.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。