锁相环的制作方法

技术特征：
1.一种锁相环，包括压控振荡器，其中，所述压控振荡器包括：并联连接的电感器和电容器；以及负电阻结构，与所述电感器和所述电容器并联连接，其中，所述负电阻结构的第一端子连接到所述电感器和所述电容器的相应第一端子，其中，所述负电阻结构的第二端子连接到所述电感器和所述电容器的相应第二端子，其中，所述负电阻结构呈现出可调谐电容，使得所述压控振荡器的输出频率能够由控制输入信号来调谐，并且其中，所述控制输入信号在所述锁相环中生成；其中，所述负电阻结构包括第一晶体管和第二晶体管，并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个晶体管在其第一端子和第二端子之间具有相应晶体管传导路径，并且每个晶体管具有控制端子；其中，在所述第一晶体管的第一端子与所述第二晶体管的控制端子之间存在第一传导路径，其中，在所述第一晶体管的控制端子与所述第二晶体管的第一端子之间存在第二传导路径，并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个晶体管的控制端子由所述控制输入信号来偏置；使得所述第一晶体管和所述第二晶体管中的所述至少一个晶体管的寄生电容能够由所述控制输入信号来调谐，以便调谐所述压控振荡器的输出频率，从而调谐所述锁相环的振荡频率。2.根据权利要求1所述的锁相环，其中，所述负电阻结构包括多个第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个晶体管中的每一个晶体管的控制端子由所述控制输入信号偏置。3.根据权利要求1或2所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括cmos器件。4.根据权利要求3所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括nmos器件。5.根据权利要求3所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括pmos器件。6.根据权利要求3所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个晶体管包括pmos器件，而所述第一晶体管和所述第二晶体管中的另一个晶体管包括nmos器件。7.根据权利要求3至6中的一项所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述控制端子包括栅极端子。8.根据权利要求3至7中的一项所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第一端子包括漏极端子。9.根据权利要求1至8中任一项所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管两者的控制端子由所述控制输入信号偏置；以及其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管两者的第一端子由电源电压偏置。10.根据权利要求9所述的锁相环，
其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管两者的第一端子由所述电源电压通过阻抗偏置。11.根据权利要求10所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管两者的第一端子由所述电源电压通过所述电感器偏置。12.根据权利要求9、10或11所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端子接地。13.根据权利要求9、10或11所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端子连接到电流源。14.根据权利要求9、10或11所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端子连接到调谐阻抗。15.根据权利要求1至8中任一项所述的锁相环，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中仅一个晶体管的控制端子由所述控制输入信号偏置；以及其中，所述第一晶体管和第二晶体管中所述一个晶体管的第二端子由所述电源电压偏置。16.根据前述权利要求中任一项所述的锁相环，其中，将从所述压控振荡器的输出导出的信号的相位与参考信号进行比较，并且将得到的相位误差信号传递到滤波器以导出振荡器的所述控制输入信号。17.根据权利要求16所述的锁相环，其中，从所述压控振荡器的输出导出的所述信号是所述压控振荡器的输出。18.根据权利要求16所述的锁相环，其中，从所述压控振荡器的输出导出的所述信号是所述压控振荡器的输出的分频或倍频版本。

技术总结
一种锁相环，包括压控振荡器。压控振荡器包括并联连接的电感器和电容器，还有与电感器和电容器并联连接的负电阻结构。负电阻结构的第一端子连接到电感器和电容器的相应第一端子。负电阻结构的第二端子连接到电感器和电容器的相应第二端子。负电阻结构呈现出可调谐电容，使得压控振荡器的输出频率可以由控制输入信号来调谐，并且该控制输入信号在锁相环中生成。负电阻结构包括第一晶体管和第二晶体管。在第一晶体管的第一端子与第二晶体管的控制端子之间存在第一传导路径，并且在第一晶体管的控制端子与第二晶体管的第一端子之间存在第二传导路径。第一晶体管和第二晶体管中的至少一个晶体管的控制端子由该控制输入信号来偏置，使得第一晶体管和第二晶体管中的所述至少一个晶体管的寄生电容可以由该控制输入信号来调谐，以便调谐压控振荡器的输出频率，因此调谐锁相环的振荡频率。此调谐锁相环的振荡频率。此调谐锁相环的振荡频率。


技术研发人员：阿拉文德
受保护的技术使用者：瑞典爱立信有限公司
技术研发日：2020.03.31
技术公布日：2022/11/15