电子装置的制作方法

1.本揭露涉及一种电子装置。


背景技术：

2.电子装置的应用领域越来广及普及。在不同应用下，电子装置的面积与体积不尽相同。因此，可灵活调整尺寸的设计是一个重要的发展方向。


技术实现要素：

3.根据本揭露的实施例，一种电子装置包括电路板、多个半导体组件、第一光反射结构以及第二光反射结构。电路板包括基板，且基板可具有第一表面以及至少一侧面。多个半导体组件设置于第一表面上。第一光反射结构设置于第一表面上。第二光反射结构设置于第一表面以及至少一侧面上。
4.根据本揭露的实施例，一种电子装置包括多个电路板。电路板各自包括基板、设置于基板上的多个半导体组件以及设置于基板上的第一光反射结构。电子装置还包括第二光反射结构。第二光反射结构延伸至相邻两个电路板之间的间隙。
5.为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
6.包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
7.图1为本揭露一些实施例的电子装置的局部示意图；
8.图2为图1的电子装置沿线i-i的剖面示意图；
9.图3为本揭露一些实施例的电子装置的示意图；
10.图4为图3的电子装置沿线ii-ii的剖面示意图；
11.图5为本揭露一些实施例的电子装置的局部示意图；
12.图6为图5的电子装置沿线iii-iii的剖面示意图。
具体实施方式
13.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
14.本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。
15.在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
16.应了解到，当组件或膜层被称为“设置在”另一个组件或膜层“上”或“连接到”另一个组件或膜层时，它可以直接在此另一组件或膜层上或直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层(非直接情况)。相反地，当组件被称为“直接”在另一个组件或膜层“上”或“直接连接到”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。当组件或膜层被称为“电连接”到另一个组件或膜层时，其可解读为直接电连接或非直接电连接。
17.术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值的正负20％范围以内，或解释为在所给定的值的正负10％、正负5％、正负3％、正负2％、正负1％或正负0.5％的范围以内。
18.虽然术语“第一”、“第二”、“第三
”…
可用以描述多种组成组件，但组成组件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成组件与其他组成组件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中组件宣告的顺序以第一、第二、第三
…
取代。因此，在下文说明书中，第一组成组件在权利要求中可能为第二组成组件。
19.本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间可具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件、或上述组件的组合，但不限于此。
20.在本揭露中，长度、宽度、厚度、高度或面积、或组件之间的距离或间距的测量方式可以是采用光学显微镜(optical microscopy，om)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，sem)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量而得，详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包括欲测量的组件的剖面结构图像，并测量各组件的宽度、厚度、高度或面积、或组件之间的距离或间距，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。
21.另外，本揭露中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”、“约”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％之内、5％之内、3％之内、2％之内、1％之内、或0.5％之内的范围。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
22.除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)可具有与本揭露所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成可具有与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本揭露实施例有特别定义。
23.在本揭露中，电子装置可包括显示设备、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示设备可为非自发光型显示设备或自发光型显示设备。感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本揭露中，电子组件可包括被动组件与主动组件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管
可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot led)，但不以此为限。在本揭露中，显示面板可包括自发光或非自发光面板。自发光面板例如包括有机发光二极管(oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(qd led)，但不以此为限。非自发光面板例如包括液晶、或其他合适材料。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以拼接装置来说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
24.须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。
25.图1为本揭露一实施例的电子装置的示意图。图2为图1的电子装置沿线i-i的剖面示意图。如图1与图2所示，电子装置100包括电路板110、多个半导体组件120、第一光反射结构130与第二光反射结构140。电路板110包括基板112。基板112可例如包括可挠基板或不可挠基板。基板112的材料可例如包括玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、石英(quartz)、蓝宝石(sapphire)、压克力(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide,pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,pet)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。
26.具体而言，基板112可具有第一表面112t、第二表面112b以及至少一侧面112s，其中第一表面112t与第二表面112b彼此相对而侧面112s连接于第一表面112t与第二表面112b之间。在一些实施例中，第一表面112t与第二表面112b可以平行于x轴与y轴构成的平面，而侧面112s可以沿z轴(基板的法线方向)延伸，但不以此为限。多个半导体组件120设置于基板112上，且具体的设置于基板112的第一表面112t上。第一光反射结构130也设置于基板112的第一表面112t上。第二光反射结构140则设置于基板112的第一表面112t以及侧面112s上。如图1及图2所示，基板112的四周(四个侧边)于第一表面112t上可设置第一光反射结构130及第二光反射结构140，于侧面112s可设置第二光反射结构140。在一些实施例中，第二光反射结构140可以位于基板112的至少一侧边，且可包括第一表面112t的至少一部分与侧面112s。在一些实施例中，基板112的第一表面112t的至少一部分上以及侧面112s可被反射结构覆盖。在一些实施例中，半导体组件120可具有发光功能时，半导体组件120发出的光线可以被第一光反射结构130与第二光反射结构140反射而更有效的被利用。因此，电子装置100可以具备良好的光利用效率。电路板110的基板112在一些实施例中可包括多层导电线路层(未示出)与多层绝缘层(未示出)。举例而言，电路板110可以为多层电路板，但不以此为限。导电线路层用于传递电力和/或对应电信号给半导体组件120以驱动半导体组件120，例如让半导体组件120发光，但不以此为限。绝缘层则用于分隔不同导电线路层以避免不要的短路。另外，电路板110可具有用于与半导体组件120接合的接垫114，且接垫114位于基板112的第一表面112t上。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率例如大于第二光反射结构140的光反射率。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率例如为70％至99％。在一些实施例中，第二光反射结构140的光反射率例如为63％至98％。
27.半导体组件120可通过覆晶接合、打线接合或是其他可替代的接合方式接合至接垫114。如此，半导体组件120可电性连接电路板110中的导电线路层。在一些实施例中，半导体组件120可包括半导体芯片，例如发光二极管芯片，但不以此为限。在一些实施例中，还可
包含反射墙(未图示)，其中反射墙设置于半导体组件120的两侧边可反射半导体组件120两侧边的光，但不以此为限。在另一些实施例中，半导体组件120可以包括封装组件，其包括半导体芯片以及包封半导体芯片的封装材料。半导体组件120在本实施例中例如为发光组件。半导体组件120的发光色彩可以由半导体芯片的发光特性决定或是半导体芯片与光转换材料(或是彩色滤光材料)的光特性决定。半导体组件120的发光色彩例如包括红色、蓝色、绿色、黄色、青色、白色等。另外，电路板110上的多个半导体组件120可以具有不同发光色彩或是相同发光色彩。如此，电子装置100可以为发光装置、显示设备或是其他具备发光作用的装置。在一些实施例中，半导体组件120除了半导体芯片外，还可包括二极管、薄膜晶体管等，但不以此为限。在一些实施例中，还可包含驱动芯片(未图标)以及半导体组件120，其中驱动芯片电连接至半导体组件120。
28.如图1及图2所示，第一光反射结构130设置于第一表面112t上且可沿着第一表面112t分布于半导体组件120之间。第一光反射结构130可以至少部分的不重叠半导体组件120。在一些实施例中，第一光反射结构130可以覆盖第一表面112t的大部分面积，且可具有多个开口130p。开口130p可以露出基板112上的接垫114，且半导体组件120则对应的设置于开口130p中并与接垫114连接。第一光反射结构130的材质包括压克力类的树脂材料，例如无溶剂白色树脂，但不以此为限。在一些实施例中，第一光反射结构130可覆盖半导体组件120的至少两侧(例如:左右和/或前后两侧等侧边)，但不以此为限。第一光反射结构130例如为白色，且可具有良好的光反射性质，可将半导体组件120发出的光线反射出去，可有助于提高电子装置100的光利用率。在一些实施例中，第一光反射结构130可理解为白漆、白胶或类似材料。第一光反射结构130的光反射率例如约为70％至99％。在一些实施例中，第一光反射结构130可具有高遮蔽性(例如可具有高的光学密度)。在一些实施例中，第一光反射结构130可采用涂布、印刷等方式形成于基板112的第一表面112t上。在一些实施例中，第一光反射结构130可进一步以光或热等方式干燥及固化。
29.在一些实施例中，电路板110可以由大尺寸的母电路板(未示出)切割而成。举例而言，电路板110的制作方式可包括先以涂布或是印刷等方式将第一光反射结构130形成于母电路板上，再切割母电路板以获得需要尺寸的电路板110。如此，第一光反射结构130的侧面130s可以大致与基板112的侧面112s对齐。在一些实施例中，电路板110与第一光反射结构130可以采用其他可替代的方式制作。在一些实施例中，第一光反射结构130的侧面130s可以相对基板112的侧面112s内缩，而局部的露出基板112的第一表面112t的周边部分。在一些实施例中，第一光反射结构130可以由基板112的第一表面112t延伸至侧面112s而局部的覆盖侧面112s。另外，在一些实施例中，将第一光反射结构130形成于母电路板上之后可以先将半导体组件120接合至电路板110上再由母电路板切割出独立的电路板110。在一些实施例中，半导体组件120的接合可在母电路板的切割之后进行。
30.第二光反射结构140设置于第一表面112t以及侧面112s上。第二光反射结构140大致沿着电路板110的周边设置，而围绕电路板110，如图1所示，但不以此为限。在电路板110可具有多边形形状时，第二光反射结构140可选择性的沿着电路板110的其中一边缘、其中数个边缘、或所有的边缘而设置。在一些实施例中，第二光反射结构140可选择性的沿着其中一边缘的部份区段设置。举例而言，电路板110的其中一边缘可包括被第二光反射结构140覆盖的区段以及不被第二光反射结构140覆盖的区段。由图2可知，第二光反射结构140
可以重叠第一光反射结构130并且由第一光反射结构130上向外延伸至电路板110的未被第一光反射结构130覆盖的部分。举例而言，第一光反射结构130未覆盖电路板110的侧面112s，而第二光反射结构140覆盖电路板110的侧面112s。在一些实施例中，第二光反射结构140可甚至延伸至基板112的第二表面112b，而将侧面112s完全包覆，但不以此为限。
31.在本实施例中，第二光反射结构140的制作方式可以是沿着电路板110的周边涂布或是印刷光反射材料。第二光反射结构140的材质包括压克力类的树脂材料，例如无溶剂白色树脂，但不以此为限。第二光反射结构140例如为白色，且可具有良好的光反射性质。在一些实施例中，第二光反射结构140可理解为白漆、白胶或类似材料。在一些实施例中，第一光反射结构130与第二光反射结构140可包括相同材料。在一些实施例中，第一光反射结构130与第二光反射结构140可包括不同材料。第二光反射结构140的光反射率例如约为63％至98％，但不以此为限。
32.在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率可大于第二光反射结构140的光反射率，但不以此为限。在一些实施例中，第一光反射结构130与第二光反射结构140的光反射率的差值小于等于20％(例如:20％、18％、15％、10％、8％、5％、3％等)。举例而言，以r表示光反射率时，第一光反射结构130与第二光反射结构140的光反射率可符合以下关系:(r
第一光反射结构-r
第二光反射结构
)≤20％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为70％至80％，且第二光反射结构140的光反射率约为63％至78％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率为81％至90％，且第二光反射结构140的光反射率约为75％至88％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为91％至99％，且第二光反射结构140的光反射率约为85％至98％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为70％至99％，且第二光反射结构140的光反射率约为63％至98％。
33.光反射率可使用高性能分光色差仪(colorquest xe)来测量，但不以此为限。高性能分光色差仪(colorquest xe)的测量可符合：cie 15:2004、iso7724/1、astm e1164、din 5033teil 7和jis z 8722条件c等标准。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率可以使用高性能分光色差仪测量第一表面112t上的三至五个点并求取这些测量点的平均值而获得，但不以此为限。第二光反射结构140的光反射率的测量方式可以先将多个电子装置100叠置，使多个电子装置100的第二光反射结构140并排而构成足够的测量面积，再使用高性能分光色差仪测量测量面积上的三至五个点再求取这些测量点的平均值而获得，但不以此为限。不过，光反射率的测量方式及测量仪器不以上述方式为限。
34.第二光反射结构140在图2的剖面结构中可以具有轮廓面r140，且轮廓面r140为弧状，但不以此为限。轮廓面r140与基板112之间的最大距离可视为第二光反射结构140的厚度t140。在一些实施例中，第二光反射结构140的厚度t140大于第一光反射结构130的厚度t130。另外，第二光反射结构140在基板112的侧面112s的部分(例如t140)可比在基板112的第一表面112t的部分(例如h140)更厚，但不以此为限。在一些实施例中，第二光反射结构140可以不重叠半导体组件120，其中第二光反射结构140在第一表面112t上自基板112的侧面112s朝半导体组件120延伸的最大延伸宽度s，可不超过半导体组件120与基板112的侧面112s之间在第一表面112t上的最小距离d。在一些实施例中，最大延伸宽度s与最小距离d可符合以下关系:0.01mm≤s≤d-0.1mm。另外，第二光反射结构140在第一表面112t上沿z轴远离基板112凸出的最大高度h140可不大于半导体组件120在第一表面112t上沿z轴远离基板
112凸出的最大高度h120(也就是说，h140≤h120)。如图2所示，第二光反射结构140可以在第一表面112t上覆盖第一光反射结构130且可以覆盖第一光反射结构130的侧面130s。由于第一光反射结构130覆盖第一表面112t的大部分面积，而第二光反射结构120覆盖第一表面112t的周边以及侧面112s，第一光反射结构130与第二光反射结构140可反射半导体组件120发出的光线，可达到良好的光线利用率。在一些实施例中，第二光反射结构140可进一步以光或热等方式干燥及固化。
35.图3为本揭露一实施例的电子装置的示意图，而图4为图3的电子装置沿线ii-ii的剖面示意图。在图3与图4中，电子装置200包括多个电路板110，且各电路板110与另一电路板110在侧向方向，例如x轴或y轴的方向上彼此拼接。如图4所示，各个电路板110上设置了多个半导体组件120、第一光反射结构130与第二光反射结构140。具体而言，电子装置200可以是由多个上述的电子装置100拼接而成。在此，电路板110、半导体组件120、第一光反射结构130与第二光反射结构140的配置关系、结构、材质及制作方式可参照上述图1与图2的相关说明，而不另重述。在本实施例中，相邻两个电路板110之间有间隙g，且设置于各电路板110的第二光反射结构140位于间隙g中。相邻两个电路板110上的第二光反射结构140彼此接触，但不以此为限。在各电路板110边缘，第二光反射结构140的轮廓面r140为弧状。因此，相邻两个第二光反射结构140可以构成图4中呈现的双弧型轮廓面，但不以此为限。在一些实施例中，相邻两个第二光反射结构140可完全填满间隙g，但不以此为限。在一些实施例中，相邻两个第二光反射结构140在间隙g中的沿着x轴测量的宽度(也就是从各电路板110向相邻电路板110凸出的宽度)可以相同或是不同。在一些实施例中，有多个间隙g其中间隙g的沿着x轴方向测量的宽度或沿着y轴方向测量的宽度可以相同或是不同。
36.半导体组件120例如是发光组件，当其发出光线时，第二光反射结构140可在相邻两个电路板110之间的间隙g处反射光线。因此，电子装置200在间隙g处不容易有暗纹，可提供均匀的发光效果。当各电路板110为多边形时，第二光反射结构140可选择性的仅沿着电路板110的部份边缘设置或是沿着电路板110的所有边缘设置。在一些实施例中，第二光反射结构140可选择性的仅沿着各电路板110与其他电路板110相邻的边缘设置，而各电路板110不与其他电路板110相邻的边缘可省略第二光反射结构140，但不以此为限。另外，电子装置200可具有的电路板110的数量可依据使用需求而调整。
37.图5为本揭露一实施例的电子装置的局部示意图，而图6为图5的电子装置沿线iii-iii的剖面示意图。在图5与图6中电子装置300包括多个电路板110，且相邻两个电路板110在侧向方向，例如x轴或y轴的方向，彼此拼接。如图6所示，各个电路板110上设置了多个半导体组件120与第一光反射结构130。在此，电路板110、半导体组件120与第一光反射结构130的配置关系、结构、材质及制作方式可参照上述图1与图2的相关说明，而不另重述。在本实施例中，相邻两个电路板110之间存在间隙g，且电子装置300包括延伸至间隙g的第二光反射结构340。
38.在本实施例中，电子装置300的制作方法可包括将电路板110彼此并排且固定住，使相邻两个电路板110之间可具有间隙g，再于间隙g设置第二光反射结构340。第二光反射结构340的材质可类似于前述实施例的第二光反射结构140，例如压克力系的树脂材料。在一些实施例中，第二光反射结构340的光反射率例如约为63％至98％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为70％至99％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光
反射率可以大于第二光反射结构340的光反射率。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为70％至80％，且第二光反射结构340的光反射率约为63％至78％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为81％至90％，且第二光反射结构340的光反射率约为75％至88％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为91％至99％，且第二光反射结构340的光反射率约为85％至98％。在一些实施例中，第一光反射结构130的光反射率约为70％至99％，且第二光反射结构340的光反射率约为63％至98％。
39.如图6所示，第二光反射结构340可以局部覆盖对应的电路板110的基板112的第一表面112t上的第一光反射结构130。第二光反射结构340可以延伸至相邻两个电路板110的间隙g中且接触对应基板112的侧面112s。第二光反射结构340可以可具有轮廓面r340，且轮廓面r340为弧状，但不以此为限。轮廓面r340可以是与相邻两个电路板110接触的弧面，但不以此为限。第二光反射结构340在第一表面112t上沿z轴远离电路板110的基板112凸出的最大高度h340可不大于半导体组件120在第一表面112t上沿z轴远离基板112凸出的最大高度h120(也就是说，h340≤h120)。在一些实施例中，第二光反射结构340可以更延伸到基板112的第二表面112b。半导体组件120例如是发光组件，当其发出光线时，第二光反射结构340可在相邻两个电路板110之间的间隙g处反射光线，可避免间隙g处相对较暗而产生暗纹的情形。因此，本揭露的电子装置300可具有均匀的发光效果。另外，电子装置300可具有的电路板110的数量可依据使用需求而调整。
40.在一些实施例中，数个电路板110可以由大尺寸的母电路板(未示出)切割而成，且举例而言，母电路板上可先涂有第一光反射结构130再切割出对应的电路板110。在一些实施例中，电路板110的基板112的侧面112s以及第一光反射结构130的侧面130s可以彼此切齐。在一些实施例中，由母电路板切割出个别电路板110之前或之后可以将半导体组件120接合至对应的电路板110上。接着，将切割完成的电路板110拼接在一起。在一些实施例中，可以将数个电路板110分别固定于背板或是框架上，使得电路板110彼此并排可相隔有间隙g。之后，沿着间隙g设置第二光反射结构340。第二光反射结构340的形成方式可包括涂布、印刷等。第二光反射结构340可以重叠相邻两个电路板110且延伸到间隙g中。第二光反射结构340可进一步以光或热等方式干燥及固化。当电路板110为多边形时，第二光反射结构340可选择性的仅沿着电路板110的部份边缘设置或是沿着电路板110的所有边缘设置。在一些实施例中，第二光反射结构340可选择性的仅沿着各电路板110与其他电路板110相邻的边缘设置，而各电路板110不与其他电路板110相邻的边缘可省略第二光反射结构340，但不以此为限。
41.综上所述，本揭露实施例的电子装置将第一光反射结构设置于电路板的第一表面且将第二光反射结构设置于电路板的第一表面及侧面。如此一来，设置于电路板第一表面的半导体组件所发出的光线可以在第一表面以及侧面被反射。当电子装置以多个电路板拼接而成时，相邻电路板之间的间隙中设置有第二光反射结构，而不容易在间隙处产生局部暗区(或是暗纹)。本揭露的电子装置可利用拼接多个电路板的方式来实现不同尺寸的设计需求，而可具有均匀的发光效果。举例而言，拼接多个电路板时，电路板之间的拼接间隙处可因为第二光反射结构的设置而不易有暗纹产生。
42.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。