一种光纤光栅的刻写方法、装置、计算机设备和介质与流程

1.本发明涉及光纤光栅刻写技术领域，尤其是涉及一种光纤光栅的刻写方法、装置、计算机设备和介质。


背景技术：

2.光纤光栅是一种重要的无源光器件。它是通过一定方法使光纤纤芯的折射率发生轴向周期性调制而形成的衍射光栅。光纤光栅具有体积小、熔接损耗小、全兼容于光纤等优点，从而广泛应用于光纤通信、光纤激光器、光纤传感等领域。
3.在一些应用场景中，经常要用到很低的反射率的光纤光栅。如一些光纤光栅传感器系统需要1％左右的低反光纤光栅、用来做半导体激光器泵浦波长锁定的光栅要求反射率在3％-5％之间等。因此能够准确刻写给定反射率的低反光栅是很重要的。但是准确控制低反光栅的反射率却是一个难题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供一种光纤光栅的刻写方法、装置、计算机设备和介质，用于保证对目标光纤光栅的监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅。
5.第一方面，本发明实施例提供的一种光纤光栅的刻写方法，包括：
6.在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅；
7.获取所述参考光纤光栅的第一反射光谱，根据所述第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定所述目标光纤光栅的第二反射光谱；
8.监测所述光纤的反射光谱，在所述光纤上刻写所述目标光纤光栅，直至所述第一反射光谱的峰值和所述第二反射光谱的峰值之差达到预设值；
9.去除所述参考光纤光栅，获取所述目标光纤光栅。
10.第二方面，本发明实施例提供的一种光纤光栅的刻写装置，包括：
11.参考光纤光栅刻写模块，用于在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅；
12.第二反射光谱确定模块，用于根据所述参考光纤光栅的第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定所述目标光纤光栅的第二反射光谱；
13.反射光谱监测模块，用于监测所述光纤的反射光谱，在所述光纤上刻写所述目标光纤光栅，直至所述第一反射光谱的峰值和所述第二反射光谱的峰值之差达到预设值；
14.目标光纤光栅获取模块，用于去除所述参考光纤光栅，获取所述目标光纤光栅。
15.第三方面，本发明实施例提供一种计算机设备，所述计算机设备包括：
16.一个或多个处理器；
17.存储装置，用于存储一个或多个程序，
18.当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如第一方面中任一所述的光纤光栅的刻写方法。
19.第四方面，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，
其特征在于，该程序被处理器执行时实现如第一方面中任一所述的光纤光栅的刻写方法。
20.本发明实施例提供的一种光纤光栅的刻写方法，该刻写方法首先在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅，再基于参考光纤光栅的第一参考光谱确定目标光纤光栅的第二反射光谱，在光纤上进行目标光纤光栅刻写时，基于光谱之间峰值之差达到预设值进行同步监测。解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细时，刻写的目标光纤光栅误差较大、监测效果不准确的情况。采用本发明实施例提供的光纤光栅刻写方法，即在保证对目标光纤光栅监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅，并且解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细而产生监测和刻写误差的情况。
附图说明
21.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
22.图1为本发明实施例一提供的一种光纤光栅的刻写方法的流程图；
23.图2为本发明实施例二提供的一种光纤光栅的刻写方法的流程图；
24.图3为本发明实施例二提供的一种刻写平台的结构示意图；
25.图4为本发明实施例二提供的一种参考光纤光栅的透射光谱图；
26.图5为本发明实施例二提供的另一种刻写平台的结构示意图；
27.图6为本发明实施例二提供的一种参考光纤光栅的反射光谱图；
28.图7为本发明实施例二提供的一种目标参考光纤光栅的反射光谱图；
29.图8为本发明实施例三提供的一种光纤光栅的刻写装置的结构示意图；
30.图9是本发明实施例四提供的一种计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
31.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
32.现有技术中较低反射率或超低反射率的光纤光栅的刻写方法与其他类型的光纤光栅都是相同的，均可以采用相位掩模方法，但技术难点在于如何在光栅刻写过程中实时监测，准确控制曝光时间，以刻写我们需要的反射率的低反光栅。
33.目前测量光纤光栅反射率的方法主要由2种：
34.第一种方法：用光纤光栅的透射谱测量。即用宽带光源接光纤光栅的一端，另一端接光谱仪。扫描一次获得光纤光栅的透射谱。根据透射谱光栅中心位置的深度来计算光栅的反射率。这种方法在测量超低反射率光栅时往往误差很大。如反射率为5％的低反光栅透射谱中心深度仅为0.22db，而宽带光源功率抖动一次就会导致0.1db左右的误差，对低反光栅的反射率判断造成了很大的影响。而且现在光纤激光器所用的光栅基本上是大芯径的双包层光纤，光纤中存在多种模式，高阶模部分不会被光栅反射，也会导致低反光栅反射率测试结果比实际要小。
35.第二种方法：用光纤光栅的反射谱测量。即用窄带光源一端接环型器的一端口，二
端口接待刻写的光纤光栅，三端口接功率计，根据光栅反射回来的光功率与一端口注入的功率之比来判断光纤光栅的反射率。这种方法首先需要一个合适的窄带光源，另外低反光纤光栅的反射率很低，稍微有些功率损耗都会使光栅的计算反射率与实际刻写的反射率有很大的误差。
36.为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种光纤光栅的刻写方法，首先在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅；其次获取参考光纤光栅的第一反射光谱，根据第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱；再监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值；最后去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅。本发明实施例提供的光纤光栅刻写方法，即在保证对目标光纤光栅的监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅，并且解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细而产生监测和刻写误差的情况。
37.实施例一
38.图1为本发明实施例一提供的一种光纤光栅的刻写方法的流程图，参考图1所示，本实施例可适用于对光纤光栅进行刻写的装置，该方法可以有本发明实施例中光纤光栅刻写装置来执行，其中该装置可以由软件和/或硬件来实现，该刻写方法包括如下步骤：
39.s110、在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅。
40.其中，光纤是光导纤维的简写，是一种由玻璃或塑料制成的纤维，可作为光传导的工具。光纤光栅是一种通过刻写的方法使光纤纤芯的折射率发生轴向周期性调制而形成的衍射光栅，是一种无源滤波器件。在刻写过程中结合光纤光栅的中心波长和反射率等不同的需求，制备不同的光纤光栅。示例性的，通过相位掩膜方法在光纤上进行光纤光栅的刻写，即利用紫外光透过相位掩模板后的衍射光形成的干涉光对光纤曝光，使纤芯折射率产生周期性变化，从而写入光栅。
41.具体的，在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅，用于后续制备目标光纤光栅进行参考对照，可以减小目标光纤光栅刻写并监测时的误差，提升目标光纤光栅的刻写准确性。
42.s120、获取参考光纤光栅的第一反射光谱，根据第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱。
43.其中，通过对光纤上刻写的参考光纤光栅进行监测并获取参考光纤光栅的第一反射光谱。示例性的，获取的第一反射光谱可以通过将光纤上刻写的参考光纤光栅与光谱仪连接，通过光谱仪反映第一反射光谱信息，并且在第一反射光谱中可以获取参考光栅的反射峰的位置及反射峰的峰值。进一步的，基于参考光纤光栅的已知参数和目标光纤光栅的预设参数之间的差异，可以在第一反射光谱上确定目标光纤光栅的第二反射光谱，即在未进行目标光纤光栅刻写时，获取到其刻写监测过程中应反馈的光谱信息，保证刻写目标光纤光栅过程中，在已有的监测标准下，提升刻写的准确性。
44.可选的，参考光纤光栅刻写时的已知参数包括：参考光纤光栅的中心波长为第一波长，参考光纤光栅的反射率为第一反射率；目标光纤光栅进行刻写的预设参数包括：目标光纤光栅的中心波长为第二波长，目标光纤光栅的反射率为第二反射率；其中，第一波长为λ1，第二波长为λ2，|λ1-λ2|≤2nm；第一反射率为p1，第二反射率为p2，p2＜p1。
45.具体的，光纤在进行刻写光纤光栅时，其利用不同的相位掩膜板产生不同的中心波长的光纤光栅，并且采用不同的紫外光线可以产生不同的反射率的光纤光栅。进一步的，已知参数下的第一波长λ1，和预设参数下的第二波长为λ2之间满足|λ1-λ2|≤2nm，即第一波长λ1和第二波长为λ2相近，第一波长λ1可以略大于第二波长为λ2，也可第一波长λ1略小于第二波长为λ2，两个中心波长的差距小于或等于2nm，本发明实施例对第一波长和第二波长之间的差距不进行具体的限定。通过光谱仪获取的第一反射光谱和第二反射光谱的峰位置代表其中心波长，即参考光纤光栅的中心波长与目标光纤光栅下的中心波长相近时，第一反射光谱和第二反射光谱之间差距较小，保证在第一反射光谱上确定目标光纤光栅的第二反射光谱的误差减小，提升目标光纤光栅刻写的准确性。
46.进一步的，已知参数下的第一反射率p1大于预设参数下的第二反射率p2，即在制备反射率较小的目标光纤光栅时，尤其是超低反射率的光纤光栅，在刻写及监测时误差较大，示例性的，第一反射率p1为20％，第二反射率p2为3％，本发明实施例对其具体数值不进行限定。而参考光纤光栅的反射率较大，即在刻写及监测时不会受误差影响其刻写精度。本发明实施例通过刻写误差较小的参考光纤光栅的基础上，进行目标光纤光栅的刻写，解决现有技术中直接进行低反射率下光纤光栅刻写的准确性差的问题，并且可以采用刻写常规反射率光纤光栅的设置进行刻写低反射率或超低反射率的光纤光栅，还降低其仪器和工艺的成本，并且制备的低反射率或超低反射率的光纤光栅可以增加所在光学系统的容量。
47.s130、监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值。
48.具体的，光纤上已经刻写参考光纤，对光纤进行监测时反馈光谱包括第一反射光谱。进一步的，第二反射光谱是在第一反射光谱的基础上，结合参考光纤光栅的已知参数和目标光纤光栅的预设参数之间的差异进行确定的，即第一反射光谱反映的峰差值与第二反射光谱反映的峰差值的预设值进而也可以确定。
49.进一步的，在检测包括参考光纤光栅的光纤时，还在未刻写参考光纤光栅的光纤位置处进行目标光纤光栅的刻写。并且在刻写目标光纤光栅时，同时对光纤进行监测并获取反射光谱，此时的反射光谱包括第一反射光谱和结合刻写进度反馈的第二反射光谱。基于已知第一反射光谱反映的峰差值与第二反射光谱反映的峰差值的预设值，即保证刻写目标光纤光栅反馈的反射光谱符合第一反射光谱反映的峰差值下的预设值之差，即符合第二反射光谱反映的峰差，保证刻写的目标光纤光栅满足预设参数，通过实时的监测，提升目标光纤光栅刻写的准确率。
50.可选的，监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到第一预设值，其中，第一预设值大于预设值。
51.进一步的，光纤刻写光纤光栅后会进行退火去氢的处理，即去除光纤内部的氢气。但通过去氢的过程会降低光纤光栅的反射率，即在刻写预设参数下的目标光纤光栅时，其预设值可以进行适量的增加，即第一预设值大于预设值，在第一预设值下刻写的目标光纤光栅的反射率略大于预设参数下的第二反射率，但经过退火处理后，可以将得到的反射率降低至第二反射率，即获取预设参数下的目标光纤光栅。示例性的，目标光栅光纤的预设参数中的第二反射率为3％，但在实际工艺过程中可以考虑到退火会降低光纤光栅反射率的情况，在刻写目标光纤光栅时，通过检测其反射光谱，提升预设值，获取反射率为4％的目标
光纤光栅，再通过后续去氢处理，降低反射率达到第二反射率，从而制备满足预设参数下的目标光纤光栅。
52.s140、去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅。
53.进一步的，刻写后的光纤包括参考光纤光栅和目标光纤光栅，为获取目标光纤光栅将参考光纤光栅进行裁剪，保证光纤上保留目标光纤光栅，从而完成目标光纤光栅的刻写。
54.综上，本发明实施例提供的一种光纤光栅的刻写方法，通过在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅，再基于参考光纤光栅的第一参考光谱确定目标光纤光栅的第二反射光谱，在光纤上进行目标光纤光栅刻写时，基于光谱之间峰值之差达到预设值进行同步监测。解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细时，刻写的目标光纤光栅误差较大、监测效果不准确的情况。采用本发明实施例提供的光纤光栅刻写方法，即在保证对目标光纤光栅的监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅，并且解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细情况下。
55.实施例二
56.图2为本发明实施例二提供的一种光纤光栅的刻写方法的流程图，图3为本发明实施例二提供的一种刻写平台的结构示意图，图4为本发明实施例二提供的一种参考光纤光栅的透射光谱图，图5为本发明实施例二提供的另一种刻写平台的结构示意图，图6为本发明实施例二提供的一种参考光纤光栅的反射光谱图，图7为本发明实施例二提供的一种目标参考光纤光栅的反射光谱图，参考图2至图7所示，本实施例二在上述实施例的基础上进行细化，具体细化如何准确刻写目标光纤光栅。本实施例中，该方法具体包括如下步骤：
57.s210、将待刻写的光纤放在光栅刻写平台上。
58.其中，光纤在光栅刻写平台上进行刻写，参考图3所示，通过第一紫外激光器110发出的紫外光经过第一反射镜210传输至第一相位掩膜板310处，实现对参考光纤光栅410的刻写。其中，通过第一紫外激光器110发出的紫外光实现第一反射率下参考光纤光栅410的刻写，并且通过第一相位掩膜板310实现第一波长下的参考光纤光栅410的刻写。
59.s220、将光纤的一端接光谱仪，另一端接宽带光源。
60.进一步的，在进行参考光纤光栅刻写的同时，通过光纤两端分别连接光谱仪和宽带光源实现对参考光纤光栅的实时监测。示例性的，参考图3所示，光纤400一端连接宽带光源510，光纤400另一端连接光谱仪610，并且光纤400中包括正在刻写的参考光纤光栅410。
61.s230、执行光栅刻写，利用光谱仪监测光栅的透射谱，得到参考光纤光栅。
62.具体的，在对光纤进行刻写时，通过光谱仪监测光栅的透射谱，从而刻写准确的参考光栅光纤。示例性的，参考图4所示，参考光纤光栅的透射光谱图反映参考光纤光栅在已知参数下的透射峰值，即图4中a点。示例性的，目标光纤光栅的第二反射率为3％时，参考光纤光栅的第一反射率可以为20％至50％，并且其对应的透射峰强度为0.97db至3db。
63.s240、将环形器的第一端接宽带光源，环形器的第二端接光纤，环形器的第三端接光谱仪。
64.s250、控制光谱仪获取参考光纤光栅的第一反射光谱。
65.进一步的，在刻写完参考光纤光栅后，将包括参考光纤光栅的光纤进行反射光谱的获取。具体的，参考图5所示，环形器700第一端与宽带光源520连接，环形器700的第二端
与光纤400连接，环形器700的第三端与光谱仪620连接。其中，环形器700是将进入其任一端口的入射波，按照由静偏磁场确定的方向顺序传入下一个端口的多端口器件。其光纤400中包括参考光纤光栅410，通过环形器700第三端连接的光谱仪620，可以反馈光纤400中参考光纤光栅410的反射光谱。参考图5所示，参考光纤光栅的反射光谱图反映参考光纤光栅在已知参数下的反射峰值，即图5中b点。
66.s260、根据第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱。
67.具体的，基于参考光纤光栅的已知参数和目标光纤光栅的预设参数之间的差异，可以在第一反射光谱上确定目标光纤光栅的第二反射光谱。
68.可选的，参考光纤光栅的反射率为第一反射率p1，目标光纤光栅的反射率为第二反射率p2，可以根据计算公式计算并获取第二反射光谱：
69.其中，计算公式：
70.h1-h2＝10lg(p1/p2)
71.其中，h1为所述第一反射光谱的峰值，h2为所述第二反射光谱的峰值，p1为所述第一反射率和p2为所述第二反射率。h1-h2的差值，即
△
h为峰差值，即监测参考光纤光栅的反射率峰值和目标光纤光栅的反射率峰值。
72.根据峰差值确定所述第二反射光谱，示例性的，若第一反射率为20％，第二反射率为3％，通过上述计算公式可以获取h1-h2＝8.23db，本发明实施例对其具体数值不进行具体的限定。基于考虑光纤光栅的退火工艺，将预设峰值为8.23的情况下，将第一预设峰值调整为8.25具体的，参考图7所示，基于获取的峰值差在第一反射光谱中确定第二反射光谱，图7中s1为参考光纤光栅的第二反射光谱，s1通过峰值差
△
h，确定图7中s2为目标光纤光栅的第二反射光谱。并且参考图7所示，参考光纤光栅和目标光纤光栅的中心波长差距较小，减小确定第二反射光谱时存在的误差。
73.s270、将待刻写的光纤放在光栅刻写平台上。
74.其中，光纤在光栅刻写平台上进行刻写，参考图5所示，通过第二紫外激光器120发出的紫外光经过第二反射镜220传输至第二相位掩膜板320处，实现对目标光纤光栅420的刻写。其中，通过第二紫外激光器120发出的紫外光实现第二反射率下目标光纤光栅420的刻写，并且通过第二相位掩膜板320实现第二波长下的目标光纤光栅420的刻写。
75.示例性的，参考图5所示，在光纤400中刻写的参考光纤光栅410在目标光纤光栅420靠近环形器700一侧，参考光纤光栅也可以在目标光纤光栅远离环形器一侧(图中未具体示出该情况)，即本发明实施例对参考光纤光栅和目标光纤光栅之间的位置关系不进行具体的限定。
76.s280、将环形器的第一端接宽带光源，环形器的第二端接光纤，环形器的第三端接光谱仪。
77.s290、执行光栅刻写，利用光谱仪监测光栅的反射谱，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值。
78.进一步的，在进行目标光纤光栅刻写的同时，通过环形器连接的光谱仪对目标光纤光栅的实时监测。示例性的，参考图5所示，环形器700第一端与宽带光源520连接，环形器700的第二端与光纤400连接，环形器700的第三端与光谱仪620连接。具体的，在刻写目标光
纤光栅时，光谱仪反馈其反射光谱，即在刻写时，第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差要达到预设值，参考图7所示，即在保证对目标光纤光栅的监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅，并且解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细情况下。
79.s2100、去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅。
80.综上，本发明实施例提供一种光纤光栅的刻写方法，进一步描述通过参考光纤光栅进行目标光纤光栅的刻写，即在保证对目标光纤光栅的监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅，并且解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细情况下。
81.实施例三
82.图8为本发明实施例三提供的一种光纤光栅的刻写装置的结构示意图，该装置可以适用于对光纤进行光栅刻写的产品，其中该装置可以由软件和/或硬件实现。
83.如图8所示，光纤光栅的刻写装置1包括参考光纤光栅刻写模块10、第二反射光谱确定模块20、反射光谱监测模块30和目标光纤光栅获取模块40。
84.参考光纤光栅刻写模块10，用于在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅。
85.第二反射光谱确定模块20，用于根据参考光纤光栅的第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱。
86.反射光谱监测模块30，用于监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值。
87.目标光纤光栅获取模块40，用于去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅。
88.综上，本发明实施例提供一种光纤光栅的刻写装置，首先通过参考光纤光栅刻写模块，用于在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅；再通过第二反射光谱确定模块，用于获取参考光纤光栅的第一反射光谱，根据第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱；其次通过反射光谱监测模块，用于监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值；最后通过目标光纤光栅获取模块，用于去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅，即在保证对目标光纤光栅的监测的同时，确保刻写准确预设参数下的目标光纤光栅，并且解决现有技术中因目标光纤光栅的预设参数更为精细情况下。
89.实施例四
90.图9是本发明实施例四提供的一种计算机设备的结构示意图，如图9所示，本发明实施例提供的计算机设备包括：一个或多个处理器41和存储装置42；该设备中的处理器41可以是一个或多个，图7中以一个处理器41为例；存储装置42用于存储一个或多个程序；一个或多个程序被一个或多个处理器41执行，使得一个或多个处理器41实现如本发明实施例中任一项光纤光栅的刻写方法。
91.设备中的处理器41、存储装置42、输入装置43和输出装置44可以通过总线或其他方式连接，图9中以通过总线连接为例。
92.该设备中的存储装置42作为一种计算机可读存储介质，可用于存储一个或多个程序，程序可以是软件程序、计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例所提供黑启动模式的控制方法对应的程序指令/模块(例如，附图8所示的光纤光栅的刻写装置1包括：参考光
纤光栅刻写模块10、第二反射光谱确定模块20、反射光谱监测模块30和目标光纤光栅获取模块40)。处理器41通过运行存储在存储装置42中的软件程序、指令以及模块，从而执行终端设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中光纤光栅的刻写方法。
93.存储装置42可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据设备的使用所创建的数据等。此外，存储装置42可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实例中，存储装置42可进一步包括相对于处理器41远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
94.输入装置43可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。输出装置44可包括显示屏等显示设备。
95.并且，当上述设备所包括一个或者多个程序被一个或者多个处理器41执行时，程序进行如下操作：在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅；获取参考光纤光栅的第一反射光谱，根据第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱；监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值；去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅。
96.实施例五
97.本发明实施例五提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时用于执行光纤光栅的刻写方法，该方法包括：在光纤上刻写已知参数的参考光纤光栅；获取参考光纤光栅的第一反射光谱，根据第一反射光谱和目标光纤光栅的预设参数确定目标光纤光栅的第二反射光谱；监测光纤的反射光谱，在光纤上刻写目标光纤光栅，直至第一反射光谱的峰值和第二反射光谱的峰值之差达到预设值；去除参考光纤光栅，获取目标光纤光栅。
98.可选的，该程序被处理器执行时还可以用于执行本发明任意实施例所提供的光纤光栅的刻写方法。
99.本发明实施例的计算机存储介质，可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(random access memory，ram)、只读存储器(read only memory，rom)、可擦式可编程只读存储器(erasable programmable read only memory，eprom)、闪存、光纤、便携式cd-rom、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
100.计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于：电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
101.计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、电线、光缆、无线电频率(radiofrequency，rf)等等，或者上述的任意合适的组合。
102.可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码，程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、smalltalk、c ，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(lan)或广域网(wan)——连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
103.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。