一种氩弧焊电子高频高压的放电电路的制作方法

1.本发明涉及氩弧焊技术领域，具体地说是一种氩弧焊电子高频高压的放电电路。


背景技术：

2.在现阶段的焊接电源市场中，融化及气体保护焊（氩弧焊）的起弧方式通常都是采用高频高压的起弧方式。目前国内市场中所用到的起弧方式多为火花气隙放电高频，高压变压器产生高压，通过谐振电容释放高频高压。该种高频电路所释放的电压足够大，能够达到10kv以上，能够达到很好的起弧效果。因此绝大部分氩弧焊电源都是采用的该种高频起弧电路。然而，上述火花气隙高频，存在以下问题：(1) 因为输出电压高，并且频率也很高，会导致相应的高频干扰难以控制。这种高频方式使用在带mcu控制的机器上容易造成单片机死机等现象。(2)高频产生的电压没有有效的放电电路，因此使用过后如果人为触碰会出现电击现象，安全性不是很好。(3)高频谐振电容是高压瓷片电容，长时间工作的话会出现爆裂的现象，造成焊机无高频输出。


技术实现要素：

3.本发明为克服现有技术的不足。提供一种氩弧焊电子高频高压的放电电路，高频高压输出且高频干扰小、放电快。
4.为实现上述目的，设计一种氩弧焊电子高频高压的放电电路，包括芯片二，其特征在于：所述的芯片二的comp引脚分别连接电阻九的一端、电阻十的一端、三极管五的集电极、电容七的一端，电阻九的另一端连接电容二十二的一端，电容二十二的另一端接地，电阻十的另一端分别连接电容七的另一端、电阻十一的一端、电阻十二的一端、电阻十三的一端、芯片二的vfb引脚，电阻十一的另一端接地，电阻十二的另一端分别连接电阻十三的一端、电容八的一端、二极管十的阴极，电容八的另一端接地，芯片二的vref引脚分别连接电容十的一端、电阻八的一端，电容十的另一端接地，电阻八的另一端分别连接电容九的一端、芯片二的rt/ct引脚，电容九的另一端接地，芯片二的vcc引脚连接vcc电源端，芯片二的gnd引脚接地，芯片二的isense引脚分别连接电容十一的一端、电阻七的一端，电容十一的另一端接地，电阻七的另一端分别连接电阻一的一端、电阻二的一端、电阻三的一端、电阻四的一端、电阻五的一端、电阻六的一端、场效应管二的源极，电阻一的另一端、电阻二的另一端、电阻三的另一端、电阻四的另一端、电阻五的另一端、电阻六的另一端合并后接地，芯片二的out引脚分别连接二极管四的阴极、电阻十四的一端，二极管四的阳极接地，电阻十四的另一端分别连接电阻三十的一端、场效应管二的栅极，电阻三十的另一端接地，场效应管二的漏极分别连接二极管五的阳极、变压器的10号端口，二极管五的阴极分别连接电阻十五的一端、电容十二的一端，电阻十五的另一端、电容十二的另一端合并后共同连接电容十三的一端、电容十四的一顿及24v电压，电容十三及电容十四的另一端合并后共同接地，变压器的1号端口连接24v电压、变压器的3号端口分别连接电阻十七的一端、电阻十六的一端，电阻十七的另一端分别连接电容十五的一端、二极管十的阳极，电容十五的另
一端接地，电阻十六的另一端接地，变压器的5号端口接地，变压器的6号端口连接二极管八的阳极，二极管八的阴极连接二极管七的阳极，二极管七的阴极分别连接电容十六的一端、电阻一百七十二的一端、接线端子九的1号端口，电容十六的另一端接地，电阻一百七十二的另一端连接电阻一百七十三的一端，电阻一百七十三的另一端接地，接线端子九的2号端口分别连接可控硅的阳极、压敏电阻的一端、二极管三十一的阴极，可控硅的阴极、压敏电阻的另一端、二极管三十一的阳极合并后共同接地，可控硅的控制极分别连接电阻二十八的一端、电阻二十九的一端，电阻二十九的另一端接地，电阻二十八的另一端连接电容十七的一端，电容十七的另一端分别连接三极管六的发射极、三极管七的发射极，三极管六的集电极连接vcc电源端，三极管七的集电极接地，三极管六的基极与三极管七的基极合并后共同连接芯片三的out引脚、二极管十三阳极、电阻二十六的一端，芯片三的thres引脚与trig引脚合并后共同连接电阻二十六的另一端、电容二十三的一端、二极管三的阴极，电容二十三的另一端接地，二极管三的阳极分别连接二极管二的阳极、电阻二十四的一端、电容二十的一端、电阻二十三的一端、接线端子四的一号端口、二极管四十二的阳极、三极管八的集电极，二极管二的阴极分别连接二极管十三的阴极、电阻二十七的一端、电阻二十五的一端，电阻二十七的另一端连接三极管五的基极，三极管五的发射极接地，电阻二十五的另一端接地，电阻二十四的另一端连接发光二极管的阴极，发光二极管的阳极连接24v电压，电容二十的另一端接地，电阻二十三的另一端连接vcc电源端，芯片三的cont引脚分别连接电容二十一的一端、电容二十四的一端，电容二十一的另一端与电容二十四的另一端合并后共同接地，芯片三的gnd引脚接地，芯片三的vcc引脚分别连接vcc电源端、芯片三的rst引脚、电容十八的一端，电容十八的另一端接地，接线端子四的三号端口分别连接24v电压、二极管四十二的阴极、电阻一百四十四的一端，电阻一百四十四的另一端连接光耦的4号端口，光耦的1号端口连接电阻一百四十三的一端，电阻一百四十三的另一端连接接线端子三十一的一号端口，接线端子三十一的二号端口连接光耦的二号端口，光耦的三号端口分别连接电阻一百七十一的一端、三极管八的基极，电阻一百七十一的另一端与三极管八的发射极合并后共同接地，接线端子四的2号端口接地。
5.所述的芯片二的型号为uc3845。
6.所述的场效应管二的型号为irf640n。
7.所述的变压器的初次级匝比为350:9:6。
8.所述的变压器的型号为t125079。
9.所述的可控硅的型号为vs-40tps16。
10.所述的压敏电阻的型号为112kd14。
11.所述的二极管三十一的型号为mur15120。
12.所述的芯片三的型号为ne555tr。
13.本发明同现有技术相比，高频高压输出且高频干扰小、放电快。
附图说明
14.图1为本发明的电路图。
具体实施方式
15.下面根据附图对本发明做进一步的说明。
16.如图1所示，芯片二u2的comp引脚分别连接电阻九r9的一端、电阻十r10的一端、三极管五q5的集电极、电容七c7的一端，电阻九r9的另一端连接电容二十二c22的一端，电容二十二c22的另一端接地，电阻十r10的另一端分别连接电容七c7的另一端、电阻十一r11的一端、电阻十二r12的一端、电阻十三r13的一端、芯片二u2的vfb引脚，电阻十一r11的另一端接地，电阻十二r12的另一端分别连接电阻十三r13的一端、电容八c8的一端、二极管十d10的阴极，电容八c8的另一端接地，芯片二u2的vref引脚分别连接电容十c10的一端、电阻八r8的一端，电容十c10的另一端接地，电阻八r8的另一端分别连接电容九c9的一端、芯片二u2的rt/ct引脚，电容九c9的另一端接地，芯片二u2的vcc引脚连接vcc电源端，芯片二u2的gnd引脚接地，芯片二u2的isense引脚分别连接电容十一c11的一端、电阻七r7的一端，电容十一c11的另一端接地，电阻七r7的另一端分别连接电阻一r1的一端、电阻二r2的一端、电阻三r3的一端、电阻四r4的一端、电阻五r5的一端、电阻六r6的一端、场效应管二t2的源极，电阻一r1的另一端、电阻二r2的另一端、电阻三r3的另一端、电阻四r4的另一端、电阻五r5的另一端、电阻六r6的另一端合并后接地，芯片二u2的out引脚分别连接二极管四d4的阴极、电阻十四r14的一端，二极管四d4的阳极接地，电阻十四r14的另一端分别连接电阻三十r30的一端、场效应管二t2的栅极，电阻三十r30的另一端接地，场效应管二t2的漏极分别连接二极管五d5的阳极、变压器t3的10号端口，二极管五d5的阴极分别连接电阻十五r15的一端、电容十二c12的一端，电阻十五r15的另一端、电容十二c12的另一端合并后共同连接电容十三c13的一端、电容十四c14的一顿及24v电压，电容十三c13及电容十四c14的另一端合并后共同接地，变压器t3的1号端口连接24v电压、变压器t3的3号端口分别连接电阻十七r17的一端、电阻十六r16的一端，电阻十七r17的另一端分别连接电容十五c15的一端、二极管十d10的阳极，电容十五c15的另一端接地，电阻十六r16的另一端接地，变压器t3的5号端口接地，变压器t3的6号端口连接二极管八d8的阳极，二极管八d8的阴极连接二极管七d7的阳极，二极管七d7的阴极分别连接电容十六c16的一端、电阻一百七十二r172的一端、接线端子九j9的1号端口，电容十六c16的另一端接地，电阻一百七十二r172的另一端连接电阻一百七十三r173的一端，电阻一百七十三r173的另一端接地，接线端子九j9的2号端口分别连接可控硅t9的阳极、压敏电阻r100的一端、二极管三十一d31的阴极，可控硅t9的阴极、压敏电阻r100的另一端、二极管三十一d31的阳极合并后共同接地，可控硅t9的控制极分别连接电阻二十八r28的一端、电阻二十九r29的一端，电阻二十九r29的另一端接地，电阻二十八r28的另一端连接电容十七c17的一端，电容十七c17的另一端分别连接三极管六q6的发射极、三极管七q7的发射极，三极管六q6的集电极连接vcc电源端，三极管七q7的集电极接地，三极管六q6的基极与三极管七q7的基极合并后共同连接芯片三u3的out引脚、二极管十三d13阳极、电阻二十六r26的一端，芯片三u3的thres引脚与trig引脚合并后共同连接电阻二十六r26的另一端、电容二十三c23的一端、二极管三d3的阴极，电容二十三c23的另一端接地，二极管三d3的阳极分别连接二极管二d2的阳极、电阻二十四r24的一端、电容二十c20的一端、电阻二十三r23的一端、接线端子四j4的一号端口、二极管四十二d42的阳极、三极管八q8的集电极，二极管二
d2的阴极分别连接二极管十三d13的阴极、电阻二十七27的一端、电阻二十五r25的一端，电阻二十七r27的另一端连接三极管五q5的基极，三极管五q5的发射极接地，电阻二十五r25的另一端接地，电阻二十四r24的另一端连接发光二极管led1的阴极，发光二极管led1的阳极连接24v电压，电容二十c20的另一端接地，电阻二十三r23的另一端连接vcc电源端，芯片三u3的cont引脚分别连接电容二十一c21的一端、电容二十四c24的一端，电容二十一c21的另一端与电容二十四c24的另一端合并后共同接地，芯片三u3的gnd引脚接地，芯片三u3的vcc引脚分别连接vcc电源端、芯片三u3的rst引脚、电容十八c18的一端，电容十八c18的另一端接地，接线端子四j4的三号端口分别连接24v电压、二极管四十二d42的阴极、电阻一百四十四r144的一端，电阻一百四十四r144的另一端连接光耦u19的4号端口，光耦u19的1号端口连接电阻一百四十三r143的一端，电阻一百四十三r143的另一端连接接线端子三十一j31的一号端口，接线端子三十一j31的二号端口连接光耦u19的二号端口，光耦u19的三号端口分别连接电阻一百七十一r171的一端、三极管八q8的基极，电阻一百七十一r171的另一端与三极管八q8的发射极合并后共同接地，接线端子四j4的2号端口接地。
17.芯片二u2的型号为uc3845。
18.场效应管二t2的型号为irf640n。
19.变压器t3的初次级匝比为350:9:6。
20.变压器t3的型号为t125079。
21.可控硅t9的型号为vs-40tps16。
22.压敏电阻r100的型号为112kd14。
23.二极管三十一d31的型号为mur15120。
24.芯片三u3的型号为ne555tr。
25.本发明的高频电路，包括芯片二u2，场效应管二t2和变压器t3组成的反激升压电路，芯片三u3和可控硅t9组成的脉冲输出电路以及变压器t3和可控硅t9组成的放电电路。芯片二u2采用uc3845，通过调节电阻八r8和电容九c9，产生50khz的脉冲驱动。变压器t3初次级匝比为350:9:6。24v电压通过场效应管二t2的开关升压到900v。该反激升压电路附带电流检测反馈和输出电压反馈：电阻一r1，电阻二r2，电阻三r3，电阻四r4，电阻五r5，电阻六r6作为电流采样电阻，采样信号通过电阻七r7进入到芯片二u2的3号引脚，进行实时电流反馈调节；变压器t3反馈绕组是6圈，通过电阻十七r17、二极管十d10进入到芯片二u2的vfb反馈端进行输出电压反馈。芯片三u3采用ne555tr，通过调节电容二十四c24、电容二十一c21产生40hz的定时开关驱动，通过vcc电源端和三极管六q6、三极管七q7构成驱动功率放大电路，驱动可控硅t9。变压器t3输出电压通过电容c16震荡，同时与可控硅t9的开关，在接线端子九j9处产生2kv的输出电压。接线端子九j9处的输出电压通过外部1:12高频电感产生24kv的高频高压，由于电压衰减，实际输出电压在15kv。
26.本发明电路在工作的时候产生电压在2kv，工作结束电容十六c16所蓄电压通过电阻一百七十二r172、电阻一百七十三r173释放，从而避免人为触碰发生电击现象。可控硅t9采用耐压1600v的可控硅，型号为vs-40tps16，为避免可控硅t9因电压过高而损坏，增加压敏电阻r100，该电阻电压值为1100v，型号为112kd14，同时保护续流的二极管三十一d31不被击穿。
27.本发明的电路配合高频电感输出15kv，该电压能够很好的击穿空气，从而产生电流。尤其是在铝板上形成了致密的氧化膜的时候，高压击穿的效果更加明显，解决了交流氩弧焊焊接铝材起弧困难的问题。