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一种金属铟蒸馏提纯装置

2022-10-28 22:54:42 来源:中国专利 TAG:


1.本发明属于金属制备技术领域,具体涉及一种金属铟蒸馏提纯装置。


背景技术:

2.在半导体领域中,金属铟是一种必不可少的原材料,其具有沸点高、低电阻和抗腐蚀等特性,加入铟的半导体化合物被广泛应用于光通信及红外仪器领域。
3.在金属铟的生产过程中,都需要使用蒸馏提纯装置来对金属铟进行提纯加工,由于蒸馏提纯装置内部结构较为复杂,且整体结构均为固定结构,在长时间的使用后,不便于对蒸馏提纯装置内部进行清理,会导致后期蒸馏提纯效率降低。


技术实现要素:

4.为解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种金属铟蒸馏提纯装置,具有便于对蒸馏提纯装置内部进行清理的特点。
5.为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种金属铟蒸馏提纯装置,包括基座,所述基座的顶端设有燃气加热喷头,所述基座的顶端设有四组固定撑柱,四组所述固定撑柱的顶端共同连接有固定平台,所述固定平台的上下两端均设有开口,所述开口内设有炉体,所述固定平台的前后两端左侧均设有活动滑槽,两组所述活动滑槽内均设有调节支撑部,所述调节支撑部包括活动支撑板,所述活动支撑板内侧均设有四组与活动滑槽相匹配的滑块,所述活动支撑板的左侧均设有拉动把手,所述活动支撑板的右槽设有固定块,且所述固定块的内侧固定连接固定平台,所述固定块的上下两端设有通孔,所述通孔内设有按压柱,两组所述活动支撑板的顶端共同连接有冷却部,所述冷却部的顶端设有活动覆盖部。
6.作为本发明的一种优选技术方案,所述冷却部包括两组液压伸缩杆,两组所述液压伸缩杆的顶端前后两侧均设有通孔,所述通孔内设有转动电机,两组所述转动电机相互靠近的一侧共同连接有连接套环,两组所述液压伸缩杆的顶端均设有两组附加连接柱,两组所述附加连接柱的外侧均设有横板,所述横板的上下两端均设有通孔,所述通孔内设有插接柱,所述连接套环的内侧设有冷却炉体。
7.作为本发明的一种优选技术方案,所述活动覆盖部包括固定套环,所述固定套环的上下两端共设有四组通孔,四组所述通孔内均设有升降柱,四组所述升降柱的顶端共同连接有冷凝盖板,所述冷凝盖板的底端设有分流柱,所述冷凝盖板的顶端设有凹槽,所述凹槽内共设有十二组冷凝管,所述冷凝盖板的外侧设有转动盖板,所述转动盖板与冷凝盖板之间通过连接转轴相互连接,所述冷凝盖板的外侧还设有转动限位板,所述转动限位板与冷凝盖板之间通过第二连接转轴相互连接,所述转动限位板的顶端设有连接螺杆。
8.作为本发明的一种优选技术方案,所述冷却炉体的内腔设有传递套筒,所述传递套筒的外侧与冷却炉体的内腔侧壁之间通过冷凝收集盘相互连接。
9.作为本发明的一种优选技术方案,所述转动盖板的外侧设有与连接螺杆相匹配的
螺纹连接槽。
10.作为本发明的一种优选技术方案,所述连接套环的顶端共设有四组与插接柱相匹配的插接槽。
11.作为本发明的一种优选技术方案,所述活动支撑板的顶端设有与按压柱直径相匹配的连接凹槽。
12.与现有技术相比,本发明的有益效果是:1.采用液压升降杆,当需要对冷却炉体进行清理时,可通过转动电机转动,带动冷却炉体翻转,并控制液压伸缩杆升降运动,对冷却炉体的高度进行调节,即可对冷却炉体内部进行清理。
13.2.采用冷凝盖板,向冷凝盖板的顶端凹槽内倒入冷却液,并通过冷凝管对冷凝液进行制冷,带动冷凝盖板温度降低,可便于在冷却炉体内气化的金属铟接触冷凝盖板的底端后,迅速制冷并凝结在冷凝盖板的底端,且转动盖板通过连接转轴转动翻转后,便于对冷凝盖板顶端凹槽内的冷却液进行更换。
14.3.采用活动支撑板,通过控制滑块在活动滑槽的内腔滑动,可便于带动活动支撑板进行平移,便于将冷却部从固定平台上方拆除进行清理,且将按压柱向下按压并连接活动支撑板,可便于将活动支撑板固定在活动滑槽内。
15.4.采用冷凝收集盘,通过传递套筒可将炉体内气化后的金属铟传递至冷凝盖板的底端,且在冷凝后滴落进入冷凝收集盘内,可避免冷凝后的金属铟重新进入炉体内。
附图说明
16.附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:图1为本发明的结构示意图;图2为本发明中的冷却部结构示意图;图3为本发明中的活动覆盖部结构示意图;图4为本发明中的冷却炉体结构示意图;图5为本发明中的调节支撑部结构示意图。
17.图中:1、基座;2、燃气加热喷头;3、固定撑柱;4、固定平台;5、炉体;6、活动滑槽;7、调节支撑部;8、冷却部;9、活动覆盖部;10、活动支撑板;11、滑块;12、拉动把手;13、固定块;14、按压柱;15、液压伸缩杆;16、转动电机;17、连接套环;18、附加连接柱;19、横板;20、插接柱;21、冷却炉体;22、固定套环;23、升降柱;24、冷凝盖板;25、冷凝管;26、转动盖板;27、连接转轴;28、转动限位板;29、第二连接转轴;30、连接螺杆;31、传递套筒;32、冷凝收集盘;33、分流柱。
具体实施方式
18.下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例
19.请参阅图1-图5,本发明提供以下技术方案:一种金属铟蒸馏提纯装置,包括基座1,基座1的顶端设有燃气加热喷头2,燃气加热喷头2连接现有技术中的燃气管道,基座1的顶端设有四组固定撑柱3,四组固定撑柱3的顶端共同连接有固定平台4,固定平台4的上下两端均设有开口,开口内设有炉体5,固定平台4的前后两端左侧均设有活动滑槽6,两组活动滑槽6内均设有调节支撑部7,调节支撑部7包括活动支撑板10,活动支撑板10内侧均设有四组与活动滑槽6相匹配的滑块11,活动支撑板10的左侧均设有拉动把手12,活动支撑板10的右槽设有固定块13,且固定块13的内侧固定连接固定平台4,固定块13的上下两端设有通孔,通孔内设有按压柱14,两组活动支撑板10的顶端共同连接有冷却部8,冷却部8的顶端设有活动覆盖部9,通过控制滑块11在活动滑槽6的内腔滑动,可便于带动活动支撑板10进行平移,便于将冷却部8从固定平台4上方拆除进行清理,且将按压柱14向下按压并连接活动支撑板10,可便于将活动支撑板10固定在活动滑槽6内。
20.具体的,请参阅图1-图2,本实施例中,冷却部8包括两组液压伸缩杆15,两组液压伸缩杆15的顶端前后两侧均设有通孔,通孔内设有转动电机16,两组转动电机16相互靠近的一侧共同连接有连接套环17,两组液压伸缩杆15的顶端均设有两组附加连接柱18,两组附加连接柱18的外侧均设有横板19,横板19的上下两端均设有通孔,通孔内设有插接柱20,连接套环17的内侧设有冷却炉体21,当需要对冷却炉体21进行清理时,可通过转动电机16转动,带动冷却炉体21翻转,并控制液压伸缩杆15升降运动,对冷却炉体21的高度进行调节,即可对冷却炉体21内部进行清理。
21.具体的,请参阅图1-图3,本实施例中,活动覆盖部9包括固定套环22,固定套环22的上下两端共设有四组通孔,四组通孔内均设有升降柱23,四组升降柱23的顶端共同连接有冷凝盖板24,冷凝盖板24的底端设有分流柱33,冷凝盖板24的顶端设有凹槽,凹槽内共设有十二组冷凝管25,冷凝盖板24的外侧设有转动盖板26,转动盖板26与冷凝盖板24之间通过连接转轴27相互连接,冷凝盖板24的外侧还设有转动限位板28,转动限位板28与冷凝盖板24之间通过第二连接转轴29相互连接,转动限位板28的顶端设有连接螺杆30,向冷凝盖板24的顶端凹槽内倒入冷却液,并通过冷凝管25对冷凝液进行制冷,带动冷凝盖板24温度降低,可便于在冷却炉体21内气化的金属铟接触冷凝盖板24的底端后,迅速制冷并凝结在冷凝盖板24的底端,且转动盖板26通过连接转轴27转动翻转后,便于对冷凝盖板24顶端凹槽内的冷却液进行更换。
22.具体的,请参阅图1-图4,本实施例中,冷却炉体21的内腔设有传递套筒31,传递套筒31的外侧与冷却炉体21的内腔侧壁之间通过冷凝收集盘32相互连接,通过传递套筒31可将炉体5内气化后的金属铟传递至冷凝盖板24的底端,且在冷凝后滴落进入冷凝收集盘32内,可避免冷凝后的金属铟重新进入炉体5内。
23.具体的,请参阅图1-图3,本实施例中,转动盖板26的外侧设有与连接螺杆30相匹配的螺纹连接槽,当转动盖板26贴合在冷凝盖板24的顶端后,可将连接螺杆30向下转动并插入螺纹连接槽内,对转动盖板26的位置进行固定。
24.具体的,请参阅图1-图2,本实施例中,连接套环17的顶端共设有四组与插接柱20相匹配的插接槽,将插接柱20插入插接槽内,可避免转动电机16在停止转动后无法锁死冷却炉体21的角度。
25.具体的,请参阅图1-图5,本实施例中,活动支撑板10的顶端设有与按压柱14直径相匹配的连接凹槽,通过将按压柱14按压进入连接凹槽内,可便于对活动支撑板10的位置进行锁死。
26.本发明的工作原理及使用流程:本发明中的金属铟蒸馏提纯装置,使用时,先通过外部电源启动蒸馏提纯装置上的电器,将待提纯的金属铟倒入炉体5内,通过燃气加热喷头2对炉体5进行加热,气化后的金属铟通过传递套筒31传递至冷凝盖板24的底端,并在冷凝盖板24的底端冷凝后掉落在冷凝收集盘32内进行收集。
27.最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
再多了解一些

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