新型的钨系喷镀覆膜和用于获得其的喷镀用材料的制作方法

技术特征：
1.一种喷镀覆膜，其特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。2.根据权利要求1所述的喷镀覆膜，其中，所述分散相的体积比相对于基质相与分散相的总量为2～6％。3.根据权利要求1或2所述的喷镀覆膜，其中，所述基质相包含硅和/或硼。4.根据权利要求1～3中任一项所述的喷镀覆膜，其中，所述分散相包含钨。5.根据权利要求1～4中任一项所述的喷镀覆膜，其厚度为50～1000μm。6.一种等离子体蚀刻装置用构件，其具有权利要求1～5中任一项所述的喷镀覆膜。7.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻装置用构件，其中，所述等离子体蚀刻装置为基于包含氟的气体等离子体的干式蚀刻装置。8.一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。9.根据权利要求8所述的喷镀用材料，其包含2～5重量％的硅和1.5～3重量％的硼。10.根据权利要求8或9所述的喷镀用材料，其以w5si
x
b
y
所示的钨-硅-硼的三元系化合物作为主体而含有钨、硅和硼，式中，x为0.8～1.7，y为1.3～2.2。11.根据权利要求10所述的喷镀用材料，其中，所述钨-硅-硼的三元系化合物为w5sib2和/或w5si
1.5
b
1.5
所示的化合物。12.根据权利要求8～11中任一项所述的喷镀用材料，其用于制造权利要求1～5中任一项所述的喷镀覆膜。13.一种喷镀权利要求8～12中任一项所述的喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。14.根据权利要求13所述的制造喷镀覆膜的方法，其中，通过大气等离子体喷镀来喷镀所述喷镀用材料。15.根据权利要求13或14所述的制造喷镀覆膜的方法，其制造权利要求1～5中任一项所述的喷镀覆膜。

技术总结
提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。用材料来制造喷镀覆膜的方法。用材料来制造喷镀覆膜的方法。


技术研发人员：浜岛和雄 森笹真司 穴井真亮
受保护的技术使用者：东华隆株式会社
技术研发日：2021.03.04
技术公布日：2022/10/25