一种发光材料以及包含该发光材料的发光装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光材料，其特征在于，包含无机化合物，所述无机化合物包含a元素、e元素、j元素、g元素、x元素和m元素；所述a元素选自ca、sr、ba、la、y、gd中的一种或两种，且必含sr元素；所述e元素是选自al、ga、in元素中的至少一种，且必含al元素；所述j元素是选自mg、zn元素中的一种或两种；所述g元素是选自si、ge元素中的一种或两种，且必含si元素；所述m元素是选自o、n、f元素中的一种或两种元素，且必含o元素；所述x元素是选自mn、eu、ce元素中的一种或两种，且必含mn元素，所述无机化合物具有与sral2si2o8相同的单斜结构。2.根据权利要求1所述发光材料，其特征在于，所述无机化合物化学式为a
a
e
e
j
j
g
g
m
m
x
x
，其中0.8≤a≤1.2，1.3≤e≤2.3，0.01≤j≤0.6，1.8≤g≤2.2，7.8≤m≤8.2，0.001≤x≤0.3。3.根据权利要求1或2所述发光材料，其特征在于，j元素必含mg。4.根据权利要求3所述发光材料，其特征在于，la、y或gd元素在a中元素中的摩尔百分比b满足，0.001％≤b≤40％。5.根据权利要求4所述发光材料，其特征在于，0.1≤j/(j x e)≤0.3。6.根据权利要求5所述发光材料，其特征在于，0.8≤b/(j x)≤1.2。7.根据权利要求6所述发光材料，其特征在于，a元素为sr和la，j元素为mg。8.根据权利要求2-7所述发光材料，其特征在于，j元素为mg。9.一种发光装置，包含激发光源和权利要求1-8中任一项所述发光材料。10.根据权利要求9所述发光装置，其特征在于，所述激发光源为发射峰值波长范围为400-470nm的半导体芯片。

技术总结
本发明涉及一种发光材料以及包含该发光材料的发光装置，发光材料，包含无机化合物，所述无机化合物包含A元素、E元素、J元素、G元素、X元素和M元素；A元素选自Ca、Sr、Ba、La、Y、Gd，且必含Sr元素；E元素是选自Al、Ga、In，且必含Al元素；J元素是选自Mg、Zn；G元素是选自Si、Ge，且必含Si元素；M元素是选自O、N、F，且必含O元素；X元素是选自Mn、Eu、Ce，且必含Mn元素。该发光材料发光强度较高，制备工艺简单，以解决传统绿色荧光粉制备条件严苛、发光效率低、耐温耐水性较差等问题。该发光材料可用于制备发光装置，因其半峰宽较窄，色坐标y值较高的优势，能够广泛应用于高色域液晶显示背光源领域。泛应用于高色域液晶显示背光源领域。泛应用于高色域液晶显示背光源领域。


技术研发人员：刘荣辉 段谟斌 刘元红 陈晓霞 高彤宇 马小乐 薛原
受保护的技术使用者：有研稀土高技术有限公司 河北雄安稀土功能材料创新中心有限公司
技术研发日：2021.04.23
技术公布日：2022/10/24