安全膜结构及具有其的薄膜电容器的制作方法

0.3mm。
14.进一步地，任意相邻两个第一间隙中的横段在沿绝缘基膜的长度方向上平齐设置；在绝缘间隙部中，第一间隙中的横段和第二间隙中的横段在绝缘基膜的高度方向上对齐设置。
15.第二方面，本技术还提供一种薄膜电容器，包括安全膜结构。
16.本技术提供的安全膜结构及具有其的薄膜电容器，通过在金属镀层中设置有沿绝缘基膜长度方向间隔设置的多个绝缘间隙部，绝缘间隙部包括上下设置的t型第一间隙和t型第二间隙，第一间隙中的竖直段与第二间隙中的横段相连，第二间隙中的竖直段延伸至留白区域，能够在基于相同尺寸金属化薄膜条件下提高了薄膜电容器的电容总量且还降低了薄膜电容器的自愈电容损量，实现薄膜电容器在电容总量和自愈电容损量之间的兼顾，提高了薄膜电容器的容量性能。
附图说明
17.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
18.图1为现有t型安全膜的结构示意图；
19.图2为现有网格型安全膜的结构示意图；
20.图3为本技术实施例提供的安全膜的结构示意图。
具体实施方式
21.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
22.请参考附图3，本技术实施例提供一种安全膜结构，用于薄膜电容器。安全膜结构包括绝缘基膜100和金属镀层200。绝缘基膜100通常为矩形，但不限于矩形。绝缘基膜100具有第一长边101，第一长边101即为绝缘基膜100在沿长度方向的一侧边。绝缘基膜100具有在沿厚度方向上相对的第一侧面和第二侧面，金属镀层200设置于绝缘基膜100的第一侧面，金属镀层200与第一长边101之间形成有留白区域102，留白区域102是指未设置有金属镀层200的区域，用于构成绝缘区域。金属镀层200可以但不限于通过蒸镀等工艺形成在绝缘基膜100的第一侧面。金属镀层200中设置有绝缘间隙结构300，以将金属镀层200划分为多个电极单元，绝缘间隙结构300为未设有金属镀层的间隙。绝缘间隙结构300多个绝缘间隙部310，多个绝缘间隙部310沿绝缘基膜100的长度方向上间隔设置。绝缘间隙部310包括均为t型的第一间隙311和第二间隙312，第一间隙311和第二间隙312沿绝缘基膜100的高度方向依次设置，且第二间隙312位于第一间隙311靠近第一长边101的一侧。第一间隙311和第二间隙312均包括横段316和竖直段317，竖直段317位于横段316靠近第一长边101的一侧。第一间隙311中的竖直段317与第二间隙312中的横段316相连，第二间隙312中的竖直段317延伸至留白区域102。
23.绝缘间隙结构300的高度大于金属镀层200的一半高度。多个电极单元包括第一电极单元110、多个第二电极单元120和多个第三电极单元130。第一电极单元110位于绝缘间
隙结构300远离留白区域102的一侧，第二电极单元120由金属镀层200位于相邻两个第一间隙311之间的部分构成，第三电极单元130由金属镀层200位于相邻两个第二间隙312之间的部分构成。由于绝缘间隙结构300中的多个绝缘间隙部310沿绝缘基膜100的长度方向上间隔设置，所以任意相邻两个第一间隙311中的横段316之间均具有部分金属镀层200，该部分金属膜为第二熔断部314，同时任意相邻两个第二间隙312中的横段316之间也具有部分金属镀层200，该部分金属膜为第三熔断部315。第二熔断部314的长度均小于第一电极单元110和第二电极单元120，第三熔断部315的长度均小于第二电极单元120和第三电极单元130，第二熔断部314和第三熔断部315均用作为保险丝结构，以在与其邻近的一个电极单元被短路击穿后所产生的大电流的作用下被熔断，实现与其邻近的其他电极单元进行保护。
24.在基于相同尺寸金属镀层200的条件下，相对附图1所示的现有t型安全膜结构，本实施例提供的安全膜结构中的电极单元的面积较小，使得薄膜电容器的自愈电容损量较小，相对附图2所示的现有网格型安全膜结构，本实施例提供的安全膜结构中的绝缘间隙结构300的面积较小，使得薄膜电容器的电容总量较大，实现薄膜电容器在电容总量和自愈电容损量之间的兼顾，提高了薄膜电容器的容量性能。
25.其中，任意相邻两个第一间隙311中的横段316在沿绝缘基膜100的长度方向上平齐设置；在绝缘间隙部310中，第一间隙311中的横段316和第二间隙312中的横段316在绝缘基膜100的长度方向上对齐设置。
26.其中，任意相邻两个第一间隙311中的横段316之间的间距d3在0.1-0.3mm，该间距即为第二熔断部314的长度。任意相邻两个第二间隙312中的横段316之间的间距d4在0.1-0.3mm，该间距即为第三熔断部315的长度。d3与d4的大小可以相同，也可以不同。
27.其中，第一间隙311中的横段316的高度在0.1-0.3mm，第一间隙311中的竖直段317的长度在0.1-0.3mm，第二间隙312中的横段316的高度在0.1-0.3mm，第二间隙312中的竖直段317的长度在0.1-0.3mm。如此设置，能够在使得绝缘间隙结构300在具有较好绝缘效果的同时，还能够使得薄膜电容器的电容总量尽可能大地设置。
28.在本技术的一些实施例中，第一间隙311位于金属镀层200的中部，第一间隙311中的横段316至留白区域102的距离为d1，第二间隙312中的横段316至留白区域102的距离为d2，0.4≤d2/d1≤0.5。在0.4≤d2/d1≤0.5时，第二电极单元120的高度稍大于第三电极单元130的高度，使得第二电极单元120的面积稍大于第三电极单元130的面积。
29.在本实施例中，基于同一尺寸金属镀层200的条件下，能够在实现薄膜电容器的自愈电容损量尽可能较小地设置以及薄膜电容器的电容总量尽可能地较大设置的同时，还能够使得第二电极单元120最大程度地占据金属镀层200的中部区域，降低第三电极单元130被短路击穿的风险。
30.在本技术的一些实施例中，第二间隙312中的竖直段317中设置有导电的第一熔断部313，且第一熔断部313与位于其两侧的第三电极单元130均导电连接。如此设置，能够增加安全膜结构中的电流走向，减少薄膜电容器的电容量衰减。
31.其中，第一熔断部313的高度在0.1-0.3mm。
32.其中，第一熔断部313可以金属镀层200的部分。
33.在本技术的一些实施例中，金属镀层200通过绝缘间隙结构300被划分为多个电极单元，任意相邻两个绝缘间隙部310之间的两个电极单元在沿绝缘基膜100的长度方向错位
设置。如此设置，能够保证电极单元内电流分布相对均匀。
34.其中，在每个绝缘间隙部310中，两个竖直段317在沿绝缘基膜100的长度方向错位设置，以使得相邻两个绝缘间隙部310之间的两个电极单元在沿绝缘基膜100的长度方向错位设置。
35.其中，在错位设置的两个电极单元中，两个电极单元的同侧边之间的距离在0.6～1.2mm。
36.本技术还提供一种薄膜电容器，包括上述的安全膜结构。
37.需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是三个以上。
38.以上描述仅为本技术的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本技术中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本技术中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。