显示面板及显示面板的制作方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。


背景技术：

2.目前，有机电致发光二极体(organic light emitting diodes，oled)显示器已经成为下一代显示技术的主流产品。其中，oled属于一种新型电流型半导体发光器件，是通过控制该器件载流子的注入和复合激发有机材料发光显示，属于一种自主发光技术。与被动发光的液晶显示器(liquid crystal display，lcd) 相比，自主发光的oled显示器具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示。
3.其中，oled与lcd两种面板的显示原理基本相同，都是通过控制每个子像素的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)开关状态来实现显示的。两者的区别在于：oled显示是通过tft控制oled上的电流改变其发光亮度； lcd显示是通过tft控制加载在液晶盒两端的电压调整其背光的透射率。两者相比，对tft的驱动电流能力，oled显示器要求更高。oled对其驱动电流非常灵敏，微弱的电流变化会影响其发光强度，因此要求tft驱动管能持续稳定地提供工作电流。
4.其中，常温下，金属导体电阻为非零值，经过导体的电流会产生一定的电压降，这一现象被称为压降(ir drop)。金属导线上的ir drop会导致在距离输入端的不同位置存在电位差异。对于大尺寸的显示面板来说，这种ir drop会使得处于不同位置的oled上的电流产生差异，进而导致面板发光不均匀，影像图像显示质量。
5.因此，如何提供一种显示面板使其能够减少压降，提高显示面板的显示均匀性是现有面板厂家需要努力攻克的难关。


技术实现要素：

6.本技术实施例的目的在于提供一种显示面板及显示面板的制作方法，能够解决现有的显示面板因金属走线压降而导致显示均匀性差的技术问题。
7.本技术实施例提供一种显示面板，包括：
8.衬底，所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；
9.薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置于所述第一面上；
10.绝缘层，所述绝缘层位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底的一面上，且所述绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，所述绝缘层在所述第二通孔内设置有底切结构；
11.阳极层，所述阳极层设置于所述绝缘层远离所述衬底的一面上，且经所述第一通孔与所述薄膜晶体管层连接；
12.阴极层，所述阴极层设置于所述绝缘层远离所述衬底的一面上，且经所述第二通孔与所述薄膜晶体管层连接，且所述阴极层上设置有第三通孔，所述第三通孔位于所述第二通孔内；
13.辅助阴极层，所述辅助阴极层设置在所述薄膜晶体管层远离所述衬底的一面上，
所述辅助阴极层位于所述第三通孔内，且与所述阴极层连接。
14.在本技术所述的显示面板中，所述薄膜晶体管层包括遮光层以及金属层，所述遮光层位于所述第一面上，所述金属层位于所述遮光层远离所述衬底的一面上，且所述阴极层经所述金属层与所述遮光层连接，所述阳极层经所述金属层与所述遮光层连接。
15.在本技术所述的显示面板中，所述薄膜晶体管层还包括缓冲层、层间介质层、有源层、栅极层以及栅极绝缘层；其中，所述缓冲层位于所述遮光层远离所述衬底的一面上，且覆盖所述衬底层，所述有源层位于所述缓冲层远离所述衬底的一面上，所述栅极绝缘层位于所述有源层远离所述衬底的一面上，所述栅极层位于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一面上，所述层间介质层位于所述栅极层远离所述衬底的一面上，且覆盖所述栅极层、栅极绝缘层以及有源层，且所述层间介质层上设有第一过孔以及第二过孔，且所述金属层经所述第一过孔与所述遮光层连接，所述金属层经所述第二过孔与所述有源层连接。
16.在本技术所述的显示面板中，所述绝缘层包括依次层叠设置的第一绝缘子层以及第二绝缘子层，所述第一绝缘子层位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底的一面上，所述第二绝缘子层位于所述第一绝缘子层远离所述衬底的一面上，且所述第二绝缘子层伸入所述第二通孔内。
17.在本技术所述的显示面板中，所述绝缘层还包括第三绝缘子层，所述第三绝缘子层位于所述第二绝缘子层远离所述衬底的一面上。
18.在本技术所述的显示面板中，所述第一绝缘子层的材料与所述第三绝缘子层的材料相同，且所述第一绝缘子层的材料与所述第二绝缘层子层的材料不同。
19.在本技术所述的显示面板中，所述第一绝缘子层的材料包括氧化硅和氧化铝中的一种或组合，所述第二绝缘子层的材料包括氮化硅和氮化铝中的一种或组合，所述第三绝缘子层的材料包括氧化硅和氧化铝中的一种或组合。
20.在本技术所述的显示面板中，所述显示面板还包括钝化层、像素界定层、色阻层以及发光层；其中，所述钝化层位于所述绝缘层远离所述衬底的一面上，所述阳极层位于所述钝化层远离所述衬底的一面上，且所述阳极层以及所述阴极层依次贯穿所述钝化层以及所述绝缘层与薄膜晶体管层连接，所述像素定义层位于阳极层远离所述衬底的一面上，且所述色阻层与所述像素定义层同层设置，所述发光层位于所述色阻层远离所述衬底的一面上，所述阴极层位于所述发光层远离所述衬底的一面上。
21.本技术实施例还提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括：
22.提供一衬底，所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；
23.在所述第一面上形成所述薄膜晶体管层；
24.在所述薄膜晶体管层远离所述衬底的一面上形成绝缘层，所述绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，且所述绝缘层在所述第二通孔内设置有底切结构；
25.在所述绝缘层远离所述衬底的一面上形成阳极层，且所述阳极层且经所述第一通孔与所述薄膜晶体管层连接；
26.在所述绝缘层远离所述衬底的一面上形成阴极层，所述阴极层经所述第一通孔与所述薄膜晶体管连接，且所述阴极层上设置有第三通孔，所述第三通孔位于所述第二通孔内；
27.在所述薄膜晶体管层远离所述衬底的一面上形成辅助阴极层，所述辅助阴极层位
于所述第三通孔内，且与所述阴极连接。
28.在本技术所述的显示面板的制作方法中，所述在所述薄膜晶体管层形成绝缘层，所述绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，且所述绝缘层在所述第二通孔内设置有底切结构的具体步骤包括：
29.在所述薄膜晶体管层依次形成层叠设置的第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层；
30.采用刻蚀工艺对所述第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层进行第一次刻蚀，以形成第一通孔以及第二通孔；
31.采用刻蚀工艺对所述第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层进行第二次刻蚀，以形成底切结构，且所述底切结构位于所述第二通孔内。
32.在本技术实施例提供的显示面板及显示面板的制作方法中，包括衬底、薄膜晶体管层、绝缘层、阳极层、阴极层以及辅助阴极层。其中，绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，阴极经第二通孔与薄膜晶体管层连接，阳极层经第一通孔与薄膜晶体管层连接，阴极和辅助阴极连接。其中，在导通前会采用正电压驱动辅助阴极层，且采用负电压驱动阴极层时，从而使辅助阴极层和阴极层之间存在电势差。而由于电势差的存在，会导致辅助阴极中的ag粒子迁移至阴极中，从而可以降低压降，增加导通性，提高显示面板显示的均匀性。而且由于绝缘层在第二通孔内设有底切结构，从而使阴极和辅助阴极直接连接，从而降低进一步地降低导通电阻，辅助阴极层可以直接给增加导通性，提高显示面板显示的均匀性。
附图说明
33.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
34.图1为本技术实施例提供的显示面板的第一种实施方式的结构示意图。
35.图2为本技术实施例提供的显示面板的第二种实施方式的结构示意图。
36.图3为本技术实施例提供的显示面板的第三种实施方式的结构示意图。
37.图4为本技术实施例提供的显示面板的第四种实施方式的结构示意图。
38.图5为本技术实施例提供的显示面板的第五种实施方式的结构示意图。
39.图6为本技术实施例提供的显示面板的第六种实施方式的结构示意图。
40.图7为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。
41.图8为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的子流程示意图。
42.图9为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤2031的结构示意图。
43.图10为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤2032的结构示意图。
44.图11为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤2033的结构示意图。
45.图12为本技术实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
46.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
47.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的显示面板的第一种实施方式的结构示意图。如图1所示，本技术实施例提供的显示面板10包括衬底101、薄膜晶体管层102、绝缘层103、阳极层104、阴极层105以及辅助阴极层106。衬底101包括相对设置的第一面101a和第二面101b。薄膜晶体管层102设置于第一面101a上。绝缘层103设置于薄膜晶体管层102远离衬底101的一面上。阳极层104设置与绝缘层103远离衬底101的一面上。阴极层105设置于绝缘层103远离衬底101的一面上。辅助阴极层106设置于绝缘层103远离衬底101的一面上。
48.其中，绝缘层103上设置有第一通孔103a以及第二通孔103b。绝缘层103 在第二通孔103b内设置有底切结构103c。阳极层104经第一通孔103a与薄膜晶体管层102连接。阴极层105经第二通孔103b与薄膜晶体管层102连接。阴极层105设置有第三通孔105a，且第三通孔105a位于第二通孔103b内。辅助阴极层106位于第三通孔105a内，且辅助阴极层106与阴极层105连接。
49.其中，需要说明的是，底切结构103c为整体结构中向下突出及弯曲的部分。具体的，在本身实施例中，绝缘层103靠近第二通孔103b的一侧中部部分伸出，从而形成了底切结构103c。
50.其中，需要说明的是，由于设置了底切结构103c，因此，辅助阴极层106 和阴极层105可以直接连接。另外，在本技术实施例中，在采用显示面板10 显示之前，会先给辅助阴极层106提供一正电压，采用正电压驱动辅助阴极层 106，还会给阴极层105提供一负电压，采用负电压驱动阴极层105，从而可以在辅助阴极层106和阴极层105形成电势差。由于电势差的存在，辅助阴极层106中的ag粒子就会向阴极层105迁移。而且由于阴极层105和辅助阴极层106直接连接，不需要采用电流击穿阴极层105和辅助阴极层106之间的膜层，ag粒子可以直接迁移。另外，阴极层105和辅助阴极层106，还可以降低导通电阻。因此，采用本技术实施例提供的显示面板10，可以降低显示面板10内部金属导线的压降，增加显示面板10内部金属导线的导通性，从而提高显示面板10显示的均匀性，提高显示面板10的影像图像显示质量。
51.其中，底切结构103c的深度大于等于0.2微米。具体的，底切结构103c 的深度为0.20微米、0.22微米、0.24微米、0.28微米、0.32微米、0.38微米、 0.44微米或0.50微米。底切结构103c的具体深度由显示面板10的具体需求所确定。其中，底切结构103c的深度为底切结构103c靠近衬底101的一面和薄膜晶体管层102远离衬底101的一面的垂直距离。
52.其中，需要说明的是，由于底切结构103c的存在，辅助阴极层106才能和阴极层105直接连接。而且，辅助阴极层106和阴极层105也仅在底切结构 103c处连接，通过增加底切结构103c的深度，可以提高辅助阴极层106和阴极层105之间的接触面积，从而更便于辅助阴极层106的ag粒子迁移至阴极层105中，从而可以更好地达到降低显示面板10内部金属导线的压降，增加显示面板10内部金属导线的导通性的效果，进而更好地提高显示面板10显示的均匀性，提高显示面板10的影像图像显示质量。
53.请参阅图2，图2为本技术实施例提供的显示面板的第二种实施方式的结构示意图，如图2所示，图2所示的显示面板10与图1所示的显示面板10 的区别在于：薄膜晶体管层
102包括遮光层1021以及金属层1022。遮光层1021 位于第一面101a上。金属层1022位于遮光层1021远离衬底101的一面上。且辅助阴极层106经金属层1022与遮光层1021连接。阳极层104经金属层 1022与遮光层1021连接。
54.其中，需要说明的是，遮光层1021采用导电金属制成，不仅可以起到遮蔽光线，避免光线影响其他膜层的效果，还可以起到传递电流信号的作用。
55.其中，阳极层104与辅助阴极层106不容易与外界走线连接，从而无法直接向阳极层104与辅助阴极层106传输电流信号，即无法采用正电压或负电压驱动阳极层104与辅助阴极层106。而在本技术实施例中，辅助阴极层106经金属层1022与遮光层1021连接，且使阳极层104经金属层1022与遮光层1021 连接，辅助阴极层106与阳极层104经过换线，可以与外界走线连接，从而便于采用正电压或负电压驱动阳极层104与辅助阴极层106。
56.请参阅图3，图3为本技术实施例提供的显示面板的第三种实施方式的结构示意图，如图3所示，图3所示的显示面板10与图2所示的显示面板10 的区别在于：薄膜晶体管层102还包括缓冲层1023、有源层1024、栅极绝缘层1025、栅极层1026以及层间介质层1027。其中，缓冲层1023位于遮光层 1021远离衬底101的一面上，且覆盖衬底层101。有源层1024位于缓冲层1023 远离衬底101的一面上。栅极绝缘层1025位于有源层1024远离衬底101的一面上。栅极层1026位于栅极绝缘层1025远离衬底101的一面上。层间介质层 1027位于栅极层1026远离衬底101的一面上，且覆盖栅极层1026，栅极绝缘层1025以及有源层1024。且层间介质层1027上设有第一过孔1027a以及第二过孔1027b。且金属层1022经第一过孔1027a与遮光层1021连接。金属层 1022经第二过孔1027b与有源层1024连接。
57.其中，需要说明的是，金属层1022为薄膜晶体管层102的源极或漏极。通过对金属层1022进行图案化处理，就可以形成所需的源极或漏极。金属层 1022可以通过遮光层1021连接外部走线，从而薄膜晶体管层102的源极或漏极可以经遮光层1021接收外部信号。
58.请参阅图4，图4为本技术实施例提供的显示面板的第四种实施方式的结构示意图。如图4所示，图4所示的显示面板10与图3所示的显示面板10 的区别在于：绝缘层103包括依次层叠设置的第一绝缘子层1031以及第二绝缘子层1032。第一绝缘子层1031位于薄膜晶体管层102远离衬底101的一面上。第二绝缘子层1032位于第一绝缘子层1031远离衬底101的一面上，且第二绝缘子层1032伸入第二通孔103b内。
59.其中，需要说明的是，绝缘层103包括依次层叠设置的第一绝缘子层1031 以及第二绝缘子层1032，且第二绝缘子层1032伸入第二通孔103b内，从而在第二通孔103b内形成底切结构103c。
60.其中，第一绝缘子层1031以及第二绝缘子层1032的材料不同。因此在进行刻蚀时，第一绝缘子层1031以及第二绝缘子层1032的刻蚀速率不同，第二绝缘子层1032的刻蚀速率较慢，导致第二绝缘子层1032有部分结构伸入第二通孔103b内，从而在第二通孔103b内形成底切结构103c。
61.其中，第一绝缘子层1031的材料包括氧化硅中氧化铝的一种或组合。第二绝缘子层1032的材料包括氮化硅和氮化铝中的一种或组合。当然，第一绝缘子层1031和第二绝缘子层1032还可以采用其他材料制取，只要满足，在某些条件下，第二绝缘子层1032的刻蚀速率小于第一绝缘子层1031的刻蚀速率即可。
62.具体地，先采用ph刻蚀，也就是碱性刻蚀对绝缘层103进行处理，由于在碱性环境
中，第一绝缘子层1031以及第二绝缘子层1032的刻蚀速率相同，从而形成了第一通孔103a以及第二通孔103b，以便于阳极层104和阴极层105 与薄膜晶体管层102连接。接着采用hf刻蚀，也就是碱性刻蚀对绝缘层103 的第二通孔103b处进行处理，而在酸性环境下，第一绝缘子层1031的刻蚀速率大于第二绝缘子层1032的刻蚀速率，从而导致第二绝缘子层1032有部分结构伸入第二通孔103b内，从而在第二通孔103b内形成底切结构103c。
63.其中，需要说明的是，当第一绝缘子层1031的材料为氧化硅，第二绝缘子层1032的材料包括氮化硅时。可以采用sih4、n2o等气体通过化学气相沉积法形成第一绝缘子层1031，且在形成第一绝缘子层1031的过程中，需要通过成膜工艺调试氧化硅膜质密度，从而尽可能地提高第一绝缘子层1031的刻蚀速率。同时，可以采用sih4、nh3、n2等气体通过化学气相沉积法形成第二绝缘子层1032，且在形成第二绝缘子层1032的过程中，需要通过成膜工艺调试氮化硅膜质密度，从而尽可能地降低第二绝缘子层1032的刻蚀速率，使得第一绝缘子层1031以及第二绝缘子层1032的刻蚀速率大于10以上，以便于形成底切结构103c。
64.请参阅图5，图5为本技术实施例提供的显示面板的第五种实施方式的结构示意图。如图5所示，图5所示的显示面板10与图4所示的显示面板10 的区别在于：绝缘层103还包括第三绝缘子层1033。第三绝缘子层1033位于第二绝缘子层1032远离衬底101的一面上。
65.其中，第三绝缘子层1033的材料与第一绝缘子层1031的材料相同。具体地，第三绝缘子层1033的材料包括氧化硅中氧化铝的一种或组合。
66.其中，由于第二绝缘子层1032一般是采用含氢元素的气体采用化学沉积法形成，比如sih4、nh3、n2等气体。因此，第二绝缘子层1032的膜层中会含有部分氢元素逸散到附近的其他膜层而影响其他膜层。而第一绝缘子层 1031和第三绝缘子层1033一般是采用不含氢元素的气体采用化学沉积法形成，比如n2o等气体。因此，第一绝缘子层1031和第三绝缘子层1033的膜层中不会有氢元素逸散到附近的其他膜层而影响其他膜层。
67.因此，需要说明的是，在本技术实施例中，通过在第二绝缘子层1032两侧设置第三绝缘子层1033以及第一绝缘子层1031。可以避免第二绝缘子层 1032中的氢元素逸散到附近的其他膜层而影响其他膜层，从而有助于提高显示面板10的显示效果。
68.请参阅图6，图6为本技术实施例提供的显示面板的第六种实施方式的结构示意图。图6所示的显示面板10与图5所示的显示面板10的区别在于：显示面板10还包括钝化层107、像素定义层108、色阻层109以及发光层110。其中，钝化层107位于绝缘层103远离衬底101的一面上。阳极层104位于钝化层107远离衬底101的一面上，且阳极层104以及阴极层105依次贯穿钝化层107以及绝缘层103与薄膜晶体管层102连接。像素定义层108位于阳极层 104远离衬底101的一面上。且色阻层109与像素定义层108同层设置。发光层110位于色阻层109远离衬底101的一面上。阴极层105位于发光层110远离衬底101的一面上。
69.在本技术实施例所提供的显示面板中，包括衬底、薄膜晶体管层、绝缘层、阳极层、阴极层以及辅助阴极层。其中，绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，阴极经第二通孔与薄膜晶体管层连接，阳极层经第一通孔与薄膜晶体管层连接，阴极和辅助阴极连接。其中，在导通前会采用正电压驱动辅助阴极层，且采用负电压驱动阴极层时，从而使辅助阴极层和阴极层之间存在电势差。而由于电势差的存在，会导致辅助阴极中的ag粒子迁移至阴极中，从而可以降低压降，增加导通性，提高显示面板显示的均匀性。而且由于绝缘层在第二通孔内设有底切结构，从而使阴极和辅助阴极直接连接，从而降低进一步地降低导通电阻，
辅助阴极层可以直接给增加导通性，提高显示面板显示的均匀性。
70.本技术实施例还提供一种显示面板的制作方法。请参阅图7，图7为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。如图7所示，本技术实施例提供的显示面板的制作方法包括以下步骤：
71.步骤201、提供一衬底，衬底包括相对设置的第一面和第二面。
72.步骤202、在第一面上形成薄膜晶体管层。
73.步骤203、在薄膜晶体管层远离衬底的一面上形成绝缘层，绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，且绝缘层在第二通孔内设置有底切结构。
74.其中，请参阅图8，图8为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的子流程示意图。如图8所示，本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤 203包括以下步骤：
75.步骤2031、在薄膜晶体管层依次形成层叠设置的第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层。
76.其中，请参阅图9，图9为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤2031的结构示意图。
77.步骤2032、采用刻蚀工艺对第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层进行第一次刻蚀，以形成第一通孔以及第二通孔。
78.其中，请参阅图10，图10为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤2032的结构示意图。
79.步骤2033、采用刻蚀工艺对第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层进行第二次刻蚀，以形成底切结构，且底切结构位于第二通孔内。
80.其中，请参阅图11，图11为本技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤2033的结构示意图。
81.其中，在现有技术中，隔绝薄膜晶体管层与其他膜层的绝缘层一般采用一层氧化硅层。而在本技术中，隔绝薄膜晶体管层与其他膜层的绝缘层采用依次层叠设置的第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层形成。且第二绝缘子层的材料为氮化硅，第一绝缘子层以及第三绝缘子层的氧化硅。优于氧化硅和氮化硅的刻蚀速率不同，从而可以在第二通孔内形成底切结构，便于辅助阴极层与阴极层连接。
82.另外，氮化硅一般采用含氢元素的气体形成。氧化硅一般采用不含氢元素的气体形成。从而虽然第二绝缘子层中会有部分氢元素逸散至周边膜层，但由于第一绝缘子层以及第三绝缘子层的存在，可以隔绝第二绝缘子层的氢元素向周边其他膜层逸散。
83.步骤204、在绝缘层远离衬底的一面上形成阳极层，且阳极层且经第一通孔与薄膜晶体管层连接。
84.步骤205、在绝缘层远离衬底的一面上形成阴极层，阴极层经第一通孔与薄膜晶体管连接，且阴极层上设置有第三通孔，第三通孔位于第二通孔内。
85.在本技术实施例提供的显示面板的制作方法中，包括衬底、薄膜晶体管层、绝缘层、阳极层、阴极层以及辅助阴极层。其中，绝缘层上设置有第一通孔以及第二通孔，阴极经第二通孔与薄膜晶体管层连接，阳极层经第一通孔与薄膜晶体管层连接，阴极和辅助阴极连接。其中，在导通前会采用正电压驱动辅助阴极层，且采用负电压驱动阴极层时，从而使辅助阴极层和阴极层之间存在电势差。而由于电势差的存在，会导致辅助阴极中的ag粒子
迁移至阴极中，从而可以降低压降，增加导通性，提高显示面板显示的均匀性。而且由于绝缘层在第二通孔内设有底切结构，从而使阴极和辅助阴极直接连接，从而降低进一步地降低导通电阻，辅助阴极层可以直接给增加导通性，提高显示面板显示的均匀性。
86.本技术实施例还提供一种显示装置。请参阅图12，图12为本技术实施例提供的显示装置的结构示意图。如图12所示，本技术实施例提供的显示装置 100包括显示面板10以及框架20。显示面板10设置在框架20上。框架20 用于给显示面板10提供支撑。其中，显示面板具体可参照以上对该显示面板的描述，在此不做赘述。
87.其中，显示装置100还包括背光模组，背光模组位于框架20与显示面板 10之间。背光模组用于向显示面板10提供背光。
88.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。