阵列基板的制备方法和显示面板的制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法和显示面板的制备方法。


背景技术：

2.薄膜晶体管(thin film transistor，tft)通常分为金属氧化物tft和硅基tft两类，而金属氧化物tft因具有较高的迁移率、制作工艺简单、制造成本较低以及具有优异的大面积均匀性等特点，被广泛应用于显示技术领域中。
3.金属氧化物tft中的有源层通常存在氧空位，氧空位较多，会使得载流子浓度较大，造成tft器件较难关断，稳定性较差。
4.目前，为了解决上述问题，通常采用等离子体处理有源层表面的方法来减少氧空位，但是这种方法只能改善有源层表面的氧空位。另一方面，等离子体具有较大的能量，采用其轰击的金属氧化物表面时，又会造成氧空位的增加。因此，用等离子体处理有源层表面的方法对改善氧空位的效果非常有限。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种阵列基板的制备方法和显示面板的制备方法，以改善有源部内部氧空位缺陷的问题。
6.本技术提供一种阵列基板的制备方法，包括：
7.提供一衬底，所述衬底包括相邻且同层设置的第一区域和第二区域；
8.在所述衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在所述衬底上形成电极部，所述第一导电部位于所述第一区域，所述电极部位于所述第二区域，所述绝缘层和所述金属氧化物有源层均位于所述第一区域和第二区域；其中，所述电极部均与所述第一导电部以及所述金属氧化物有源层绝缘设置；
9.将所述电极部与所述金属氧化物有源层电连接，对所述金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部；
10.在所述有源部上形成第二导电部；以及
11.去除所述电极部。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，将所述电极部与所述金属氧化物有源层电连接，对所述金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部中，包括：
13.以所述电极部为阴极，以所述金属氧化物有源层为阳极，对所述金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一导电部为栅极，所述第二导电部为源漏极；
15.在所述衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在所述衬底上形成电极部中，包括：
16.在所述衬底上设置导电材料层，对所述导电材料层进行图案化处理，形成同层且绝缘设置的第一导电部和电极部；
17.在所述第一导电部和所述电极部上形成绝缘层；以及
18.在所述绝缘层上形成金属氧化物有源层。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一导电部为栅极，所述第二导电部为源漏极；
20.在所述衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在所述衬底上形成电极部中，包括：
21.在所述衬底上形成第一导电部；
22.在所述第一导电部和所述第二区域上形成绝缘层；以及
23.在所述绝缘层上形成同层且绝缘设置的金属氧化物有源层和电极部，所述电极部至少位于所述金属氧化物有源层的一侧。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一导电部为遮光部，所述第二导电部为栅极；
25.在所述衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在所述衬底上形成电极部中，包括：
26.在所述衬底上设置导电材料层，对所述导电材料层进行图案化处理形成同层且绝缘设置的第一导电部和电极部；
27.在所述第一导电部以及所述电极部上形成绝缘层；以及
28.在所述绝缘层上形成金属氧化物有源层。
29.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一导电部为源漏极，所述第二导电部为栅极；
30.在所述衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在所述衬底上形成电极部中，包括：
31.在所述衬底上设置导电材料层，对所述导电材料层进行图案化处理形成同层且绝缘的第一导电部和电极部；
32.在所述第一导电部以及所述电极部上形成绝缘层；以及
33.在所述绝缘层上形成金属氧化物有源层，所述金属氧化物有源层延伸入过孔中与所述第一导电部连接。
34.可选的，在本技术的一些实施例中，以所述电极部为阴极，以所述金属氧化物有源层为阳极，对所述金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部中，包括：
35.将所述金属氧化物有源层和所述电极部置于电解质溶液中，通电进行电化学氧化处理。可选的，在本技术的一些实施例中，所述电化学氧化处理施加的电压为10-100伏。
36.可选的，在本技术的一些实施例中，所述电化学氧化处理施加电压的时间为10-60分钟。
37.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括所述的阵列基板的制备方法。
38.本技术公开了一种阵列基板的制备方法和显示面板的制备方法，阵列基板的制备方法包括：提供一衬底，衬底包括相邻且同层设置的第一区域和第二区域；在衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在衬底上形成电极部，第一导电部位于
第一区域，电极部位于第二区域，绝缘层和金属氧化物有源层均位于第一区域和第二区域；其中，电极部均与第一导电部以及金属氧化物有源层绝缘设置；将电极部与金属氧化物有源层电连接，对金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部；在有源部上形成第二导电部；去除电极部。在本技术中，采用电化学氧化处理方法制备有源部，使得在电化学氧化处理过程中，金属氧化物有源层中的氧空位的阳离子会与电解出的氧结合，从而使得金属氧化物有源层中的氧空位减少，从而使得有源部不容易受到水氧以及负偏压影响，提高了器件的稳定性。
附图说明
39.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
40.图1是本技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程步骤示意图。
41.图2是本技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程步骤平面示意图。
42.图3是本技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程步骤截面示意图。
43.图4是本技术实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。
44.图5是本技术实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。
45.附图标记：
46.阵列基板10；衬底100；第一区域11；第二区域12；第一导电部200；绝缘层300；有源部400，电极部500；第二导电部600；绝缘膜700；第三导电部800；层间介质层900。
具体实施方式
47.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本技术中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
48.本技术公开了一种阵列基板的制备方法和显示面板的制备方法，阵列基板的制备方法包括：提供一衬底，衬底包括相邻且同层设置的第一区域和第二区域；在衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在衬底上形成电极部，第一导电部位于第一区域，电极部位于第二区域，绝缘层和金属氧化物有源层均位于第一区域和第二区域；其中，电极部均与第一导电部以及金属氧化物有源层绝缘设置；将电极部与金属氧化物有源层电连接，对金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部；在有源部上形成第二导电部；去除电极部。
49.在本技术中，采用电化学氧化处理方法制备有源部，会使得在电化学氧化处理过
程中，金属氧化物有源层中的氧空位的阳离子会与电解出的氧结合，从而使得金属氧化物有源层中的氧空位减少，从而使得有源部不容易受到水氧以及负偏压影响，提高了器件的稳定性。
50.本技术提供一种阵列基板的制备方法。包括：
51.b11、提供一衬底，衬底包括相邻且同层设置的第一区域和第二区域。
52.b12、在衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在衬底上形成电极部，第一导电部位于第一区域，电极部位于第二区域，绝缘层和金属氧化物有源层均位于第一区域和第二区域；其中，电极部均与第一导电部以及金属氧化物有源层绝缘设置。
53.b13、将电极部与金属氧化物有源层电连接，对金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部。
54.b14、在有源部上形成第二导电部。
55.b15、去除电极部。
56.采用电化学氧化处理方法制备有源部，会使得在电化学氧化处理过程中，金属氧化物有源层中的氧空位的阳离子会与电解出的氧结合，从而使得金属氧化物有源层中的氧空位减少，从而使得有源部不容易受到水氧以及负偏压影响，提高了器件的稳定性。
57.具体描述如下：
58.请参阅图1和图2，实施例1：
59.b11、提供一衬底，衬底包括相邻且同层设置的第一区域和第二区域。
60.具体的，第一区域11和第二区域12具有多个。
61.b12、在衬底上依次层叠形成第一导电部、绝缘层和金属氧化物有源层，并在衬底上形成电极部，第一导电部位于第一区域，电极部位于第二区域，绝缘层和金属氧化物有源层均位于第一区域和第二区域；其中，电极部均与第一导电部以及金属氧化物有源层绝缘设置。
62.请参阅图3，需要说明的是，图3中的(c)图对应图2中的(a)，图3中的(d)图对应图2中的(b)，图2中仅示出部分膜层，但是并不意味这没有。
63.具体的，在衬底100上设置导电材料层，对导电材料层进行图案化处理，形成同层且绝缘设置的第一导电部200和电极部500。第一导电部200位于第一区域11。第一导电部200为栅极。电极部500位于第二区域12。导电材料层包括al、ti和mo中的至少一种。可选的，也可以为其他材料，此处不限制。
64.然后，在第一导电部200和电极部500上形成绝缘膜700。绝缘膜700位于第一区域11和第二区域12，也即绝缘膜700与电极部500重叠。
65.在绝缘膜700上设置金属氧化物形成金属氧化物有源层。金属氧化物有源层位于第一区域11和第二区域12，也即金属氧化物有源层与电极部500重叠。金属氧化物包括氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，igzo)和氧化铟锌(indium zinc oxide，izo)中的至少一种。可选的，也可以为其他材料，此处不限制。
66.在本技术中，第一导电部200与电极部500采用同步形成，使得第一导电部200与第二电极部500不需分开形成，无需要增加光罩，简化了阵列基板10的制备工艺，降低成本。电极部500是利用制备阵列基板10的过程中不属于晶体管中的结构形成，使得阵列基板10中
的结构可以充分利用，而又不影响晶体管中的膜层，从而保证了器件的性能。
67.b13、将电极部与金属氧化物有源层电连接，对金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部。
68.以电极部500为阴极，以金属氧化物有源层为阳极，对金属氧化物有源层进行电化学氧化处理形成有源部400。具体的，将金属氧化物有源层和电极部500置于电解质溶液中，金属氧化物有源层与电源的正极连接，电极部500与电源的负极连接，然后，通电进行电化学氧化处理，金属氧化物有源层形成有源部400。此时，有源部400仅位于第一区域11。
69.在本技术中，电化学氧化处理过程中，金属氧化物有源层中的氧空位的阳离子会与电解出的氧结合，从而使得金属氧化物有源层中的氧空位减少，从而使得有源部400不容易受到水氧以及负偏压光照影响，提高了器件的稳定性。
70.在一实施例中，电解质溶液为低浓度的草酸溶液、偏中性的氯化钠溶液或乙二醇溶液等。电解质溶液为低浓度的草酸溶液，会对金属氧化物有源层的损伤较低，保证了器件的性能。
71.在一实施例中，电化学氧化处理施加电压为10-100伏。具体的，电化学氧化处理施加电压为10伏、50伏、80伏、90伏或100伏等。
72.在本技术中，将电化学氧化处理施加电压设置为10-100伏，使得可以控制有源部400内部的氧空位的存在比例，从而保证了器件的性能。
73.在一实施例中，电化学氧化处理施加电压的时间为10-60分钟。具体的，电化学氧化处理施加电压的时间为10分钟、20分钟、40分钟或60分钟等。
74.在本技术中，电化学氧化处理施加电压的时间设置为10-60分钟，使得可以控制有源部400内部的氧空位的存在比例，从而保证了器件的性能。
75.在另一实施例中，也可以将电解质溶液喷淋在金属氧化物有源层和电极上。
76.b14、在有源部上形成第二导电部600。
77.具体的，在有源部400上设置导电材料形成，并进行图案化处理形成第二导电部600。此时，第二导电部600仅位于第一区域11。第二导电部600为源漏极。第一导电部200、绝缘层300、有源部400和第二导电部600构成晶体管。晶体管为底栅晶体管。晶体管、电极部500和衬底100构成母板。
78.b15、去除电极部500。
79.将母板放在切割设备上，沿着第一区域11和第二区域12之间分界线切割，将第一区域11和第二区域12切割开得到阵列基板10，设置在第一区域11上结构为阵列基板10的结构。
80.实施例2：
81.需要说明的是，实施例2与实施例1的不同之处在于：
82.电极部500不是与第一导电部200同步形成。电极部500是设置在绝缘层300上。
83.具体的，在步骤12中：
84.在衬底100上形成第一导电部200。然后，在第一导电部200和第二区域12上形成绝缘层300。然后，在绝缘层300上形成同层且绝缘设置的金属氧化物有源层和电极部500，电极部500至少位于金属氧化物有源层的一侧，也即，金属氧化物有源层部覆盖在电极部500上。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
85.在另一实施例中，电极部500围绕金属氧化物有源层设置。
86.实施例3：
87.请参阅图4，需要说明的是，实施例3与实施例1的不同之处在于：第一导电部200为遮光部，第二导电部600为栅极，晶体管为顶栅晶体管。
88.具体的，在步骤12中：
89.在衬底100上设置导电材料层，对导电材料层进行图案化处理形成同层且绝缘的第一导电部200和电极部500。然后，在第一导电部200以及电极部500上形成绝缘层300。然后，在绝缘层300上形成金属氧化物有源层。然后，在金属氧化物有源层上形成绝缘膜700。然后进行步骤13和步骤14。然后，在第二导电部600上形成层间介质层900，层间介质层900具有通孔。然后在层间介质层900设置于导电材料形成第三导电部800。第三导电部800为源漏极。然后进行步骤15。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
90.实施例4：
91.请参阅图5，需要说明的是，实施例4与实施例3的不同之处在于：第一导电部200为源漏极，第二导电部600为栅极。
92.具体的，在步骤12中：
93.在衬底100上设置导电材料层，对导电材料层进行图案化处理形成同层且绝缘的第一导电部200和电极部500。然后，在第一导电部200以及电极部500上形成绝缘层300。然后，在绝缘层300上形成金属氧化物有源层，金属氧化物有源层延伸入过孔中与第一导电部200连接。然后，在金属氧化物有源层上形成绝缘层300。然后，进行步骤13-15。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
94.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括本技术中所提供的阵列基板10的制备方法。
95.本技术公开了一种阵列基板10的制备方法和显示面板的制备方法，采用电化学氧化处理方法制备有源部400，会使得在电化学氧化处理过程中，金属氧化物有源层中的氧空位的阳离子会与电解出的氧结合，从而使得金属氧化物有源层中的氧空位减少，从而使得有源部400不容易受到水氧以及负偏压影响，提高了器件的稳定性。
96.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板和显示面板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。