包含电容器结构的微电子装置及形成微电子装置的方法与流程

技术特征：
1.一种电子装置，其包括：存储器胞元阵列；以及至少一个充电泵电路，其包括电容器阵列，其中所述阵列的每个电容器包括：作用区域，其包括通过外围部分横向包围的中心部分；第一电介质材料，其上覆于所述作用区域的所述外围部分的至少一部分；第二电介质材料，其邻接所述第一电介质材料的部分且上覆于所述作用区域的所述中心部分，所述第二电介质材料在所有侧面基本上完全被所述第一电介质材料包围，并且所述第二电介质材料具有低于所述第一电介质材料的阈值电压量值的阈值电压量值；以及栅极，其电连接所述电容器阵列的各个电容器的作用区域。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中展现第一电阻的第一电介质材料包括低电压氧化物材料，而展现第二电阻的第二电介质材料包括超低电压氧化物材料，所述第二电介质材料展现的所述第二电阻相对低于所述第一电介质材料展现的所述第一电阻。3.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括隔离区域，隔离区域将所述阵列内的相邻电容器隔开，其中所述隔离区域的横向侧壁在各个电容器上的所述第一电介质材料和所述第二电介质材料之间的界面外部的位置邻接所述第一电介质材料的横向侧壁。4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述阵列的一或多个电容器电连接在电源供应电极和接地电极之间。5.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述栅极中的每一者包括上覆于多晶硅材料的导电材料，使得所述导电材料和所述多晶硅材料中的一或多者的栅极边缘与介于所述第一电介质材料与所述第二电介质材料之间的所述界面自对准。6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述导电材料和所述多晶硅材料中的每一者的所述栅极边缘与所述第一电介质材料和所述第二电介质材料之间的所述界面自对准。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二电介质材料的厚度小于所述第一电介质材料的厚度。8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电介质材料和所述第二电介质材料包含二氧化硅。9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电介质材料的阈值电压量值约为1.45v，所述第二电介质材料的阈值电压量值约为1.2v。10.一种电子装置，其包括：至少一个电容器，其包括作用区域，所述作用区域包括通过外围区域横向包围的中心区域；第一电介质材料，其上覆于所述作用区域的所述外围区域的至少一部分；第二电介质材料，其上覆于所述作用区域的所述中心区域并邻接所述第一电介质材料的部分，所述第一电介质材料横向邻接所述第二电介质材料并至少部分包围所述第二电介质材料，且所述第二电介质材料具有低于所述第一电介质材料的阈值电压量值的阈值电压量值；以及隔离区域，其隔离相邻电容器，所述隔离区域的外部侧壁横向相邻于所述第一电介质材料的侧壁。11.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述第一电介质材料基本上完全包围所述
第二电介质材料。12.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述第一电介质材料包括与相应电容器的所述第二电介质材料直接相邻的电介电材料脊，且其中相邻电容器的所述第一电介质材料的各个区域彼此隔离。13.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述第一电介质材料在相邻电容器的所述第二电介质材料之间延伸，使得所述相邻电容器的相应作用区域之间的所有中间区域基本上被所述第一电介质材料完全覆盖。14.根据权利要求10所述的电子装置，其进一步包括位于所述至少一个电容器下方的基底材料，其中所述隔离区域的部分延伸超出与所述基底材料相对的所述至少一个电容器的一侧上的所述第一电介质材料的上表面平面。15.一种系统，其包括：处理器，其可操作地耦合到输入装置和输出装置；以及电子装置，其可操作地耦合到所述处理器，所述电子装置包括：电容器，所述电容器包括作用区域，所述作用区域包括平行于第一水平方向的相对场边缘；栅极区域，其包括平行于横向于所述第一水平方向的第二水平方向的相对栅极边缘；第一电介质材料，其上覆于所述作用区域且与所述相对场边缘和所述相对栅极边缘中的一或多者相邻；第二电介质材料，其上覆于所述作用区域且与所述相对场边缘和所述相对栅极边缘隔离，所述第一电介质材料在至少三个侧面上直接接触且至少部分包围所述第二电介质材料，且所述第二电介质材料的电阻相对低于所述第一电介质材料的电阻；以及隔离区域，其隔离相邻电容器，所述隔离区域的横向侧壁邻接所述第一电介质材料的横向侧壁。16.根据权利要求15所述的系统，其中所述栅极区域包括半导体材料和上覆于所述半导体材料的导电材料，所述导电材料和所述半导体材料中的一或多者的所述相对栅极边缘与所述第一电介质材料和所述第二电介质材料之间的界面自对准。17.根据权利要求16所述的系统，其中所述隔离区域的所述横向侧壁邻接所述栅极区域的所述半导体材料的侧壁，且隔离区域的上表面邻接所述栅极区域的所述导电材料的下表面。18.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二电介质材料的厚度约为所述第一电介质材料厚度的一半。19.根据权利要求15所述的系统，其进一步包括位于所述作用区域的相对外围边缘上且延伸到所述栅极区域的所述相对栅极边缘外部的触点。20.根据权利要求15所述的系统，其中所述作用区域包括通过外围区域横向包围的中心区域，所述第一电介质材料上覆于所述作用区域的所述外围区域的至少一部分，所述第二电介质材料上覆于所述作用区域的所述中心区域。

技术总结
本申请案涉及包含电容器结构的微电子装置及形成微电子装置的方法。所述微电子装置包含：电容器结构，其包括包含平行于第一水平方向的相对场边缘的作用区域；及栅极区域，其包括平行于横向于所述第一水平方向的第二水平方向的相对栅极边缘。所述微电子结构还包括：第一电介质材料，其邻近所述相对场边缘或所述相对栅极边缘中的至少一者；及第二电介质材料，其邻近所述作用区域且邻接所述第一电介质材料的部分。所述第二电介质材料在垂直方向上的高度可小于所述第一电介质材料的高度。的高度可小于所述第一电介质材料的高度。的高度可小于所述第一电介质材料的高度。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2019.10.30
技术公布日：2022/8/30