微影系统与其操作的方法与流程

1.本揭示案实施例是有关于微影系统与其操作的方法，尤其是极紫外微影系统与其操作的方法。


背景技术：

2.半导体集成电路(integrated circuit,ic)产业已历经了指数成长。ic材料及设计的技术性进步已产生了数个世代的ics，其中各世代都比前一世代具有更小且更复杂的电路。在ic演进的历程中，功能密度(即单位晶片面积的内连线装置数目)通常会增加，而几何尺寸(即可使用制程生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化(scaling down)的制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供效益。此微缩化亦增加ic制程的复杂性。


技术实现要素：

3.根据本揭示案的一个实施例，一种操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在此遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于此遮罩层下方的层的材料。
4.根据本揭示案的另一实施例，一种操作微影系统的方法包括通过来自第一组合式集光器的第一辐射以图案化第一层在第一晶圆上、用第二集光器片段取代第一组合式集光器的第一集光器片段以形成第二组合式集光器、以及通过来自第二组合式集光器的第二辐射以图案化第二层在第二晶圆上。
5.根据本揭示案的又一实施例，一种微影系统包括晶圆载台、数个投影光学件、遮罩载台、数个照明光学件和光源。晶圆载台设置以支撑一晶圆。数个投影光学件设置以将图案化辐射导向晶圆的区域上。遮罩载台设置以形成图案化辐射并将图案化辐射导向投影光学件。数个照明光学件设置以将未图案化辐射导向遮罩载台。光源包括液滴产生器、激光源以及组合式集光器。液滴产生器设置以产生液滴。激光源设置以发出至少一激光脉冲至液滴。组合式集光器设置以反射辐射至照明光学件，其中辐射由液滴产生，且组合式集光器包括集光器中央区以及第一集光器周边区。集光器中央区设置以反射辐射的第一部分。第一集光器周边区设置以反射辐射的第二部分，第一集光器周边区与集光器中央区重叠在第一重叠区域中。第一重叠区域包括第一垂直缝隙介于第一集光器周边区与集光器中央区之间。
附图说明
6.阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸
可能任意地放大或缩小。
7.图1a至图1b根据本揭示案的各种实施例绘示部分的微影扫描器的示意图；
8.图2a至图2h根据本揭示案的各种观点绘示微影扫描器的组合式集光器的各种实施例的示意图；
9.图3a至图3e根据本揭示案的各种实施例绘示在组合式集光器内的气流的示意图；
10.图4和图5根据本揭示案的各种观点绘示制造装置的方法的流程图。
11.【符号说明】
12.10:微影曝光系统
13.16:遮罩载台
14.18:遮罩
15.22:半导体晶圆
16.24:基材载台
17.30:液滴产生器
18.31:储槽
19.32:喷嘴
20.35:液滴贮存器
21.40:气体源
22.41:气体管线
23.50:激光产生器
24.51:激光脉冲
25.52:触发点
26.55:窗口
27.60:激光生成式电浆集光器/组合式集光器
28.60a:集光器区域
29.60b:集光器区域
30.60b1:集光器片段
31.60b2:集光器片段
32.60c:集光器区域
33.60c1:集光器片段
34.60c2:集光器片段
35.61:光轴
36.62:重叠区域
37.63:重叠区域
38.66:第一泵浦
39.68:第二泵浦
40.70:监测装置
41.71:量测工具
42.73:分析器
43.80:目标材料
44.82:液滴
45.84:极紫外(extreme ultraviolet,euv)辐射
46.87:焦点
47.88:电浆
48.90:控制器
49.95b:驱动系统
50.95c:驱动系统
51.100:反光器
52.120:光源
53.130:投影光学模块
54.140:照明器
55.310:锥形气流
56.320:周边气流
57.330:伞状气流
58.340:缝隙气流
59.370:第一气流
60.380:第二气流
61.390:第三气流
62.400:步骤
63.401:方法
64.410:步骤
65.420:步骤
66.430:步骤
67.500:步骤
68.501:方法
69.510:步骤
70.520:步骤
71.600:上部/第一表面
72.610:支撑部
73.615:第二表面
74.615l:横向第二表面
75.615v:纵向第二表面
76.620:第三表面
77.630:第四表面
78.640:第一孔洞
79.650:缝隙
80.660:第二孔洞
81.900a:区域
82.900b:区域
可指尺寸的20％、10％、5％等的变化范围内，但在接受的情况下可使用其他数值。“实质上(substantially)”较“约(about)”范围限缩，其可指尺寸的10％、5％、或更小的变化范围内，但本揭示案不限于此。特征“实质上平面”可能是直线在10％或更小范围内的变化。特征“实质上固定浓度”可能是某一尺度下的浓度在5％或更小范围内的变化。再次说明，基于产业知识和现今制造技术等，本领域普通技术人员可理解此用语并从中得到适当的意义。
108.本揭示案大致上是有关于制造半导体装置的微影仪器，尤其是光源部件中的组合式集光器。尺寸微缩化(scaling down)增加先进制程节点(node)的困难度。微影技术采用更短的曝光波长，其包括深紫外(deep ultraviolet,duv,波长约193纳米(nm)到248nm)、极紫外(extreme ultraviolet,euv,波长约10nm到100nm，特别是波长13.5nm)、和x光(波长约0.01nm到10nm)，借此确保微缩化过程中图案化的精准度。euv光由光源产生，接着使用数个镜面和一个反射型遮罩将euv光导向晶圆。由于仅一小部分的euv光可到达晶圆，所以如何使光源产生的euv光的强度提升是一门十分受到关注的课题。
109.典型的euv扫描器包括集光器，液滴材料(例如锡)被激光脉冲照射所发出的散射的光可透过集光器来聚焦集中。集光器具有高度抛光的镜面，此镜面为凹面状且通常为圆弧截面。在主要架构中，集光器的中央设置一开口，一或多道激光脉冲从集光器后方的光源(例如激光)发出，穿过开口并在集光器前方击中液滴。在euv微影发展过程中，提升集光器的尺寸以提升euv转换效率，借此强化每日晶圆(wafer per day,wpd)产出量。然而，尺寸的提升导致集光器因重量而变形，进一步阻碍集光器聚焦euv光的能力。锡污染或积聚在集光器的镜面上与集光器表面上的气流有关，当集光器的尺寸增大时，气流将难以维持和控制。此外，制造单个大尺寸具有精准的曲面的集光器的费用十分庞大。
110.在本揭示案的实施例中，揭示了具有阶层结构(hierarchical structure)的组合式集光器，这使增大集光器的尺寸可以实行。集光器的各区之间的缝隙可提升气流的覆盖率，从而预防锡积聚在组合式集光器上。具有阶层结构的组合式集光器的模块设计易于维护且制造费用较低。
111.图1a根据一些实施例绘示微影曝光系统10的示意图。在一些实施例中，微影曝光系统10为euv微影系统，设计以使用euv辐射曝光一光阻层，所以微影曝光系统10亦可被称为euv系统。在一些实施例中，微影曝光系统10包括光源120、照明器140、遮罩载台16、投影光学模块(或投影光学盒(projection optics box,pob))130和基材载台24。微影曝光系统10的元件可额外添加或是省略，本揭示案不限于此。
112.在一些实施例中，光源120设置以产生波长介于1nm和100nm之间的光辐射。在一特定例子中，光源120产生波长约13.5nm的euv辐射。因此光源120亦可被称为euv辐射源。然而，应理解的是光源120并不局限于发出euv辐射。光源120可能通过激发目标材料而发出任何高强度光子。
113.在一些实施例中，照明器140包括各种折射光学元件，例如单一透镜或是由多个反光器100组成的透镜系统，例如数个透镜(波带片(zone plate))，或是照明器140包括数个反射光学件(用于euv微影曝光系统)，例如单反射镜或具有多个反射镜的反射镜系统，以将来自光源120的光引导至遮罩载台16上，特别是引导至固定在遮罩载台16上的遮罩18上。在光源120产生euv的实施例中，采用反射光学件。在一些实施例中，照明器140包括至少三个透镜。
114.遮罩载台16设置以固定遮罩18。在一些实施例中，遮罩载台16包括可能包括静电夹盘(electrostatic chuck,e-chuck)以固定遮罩18。这是因为气体分子吸收euv光，且用于euv微影图案的微影系统需维持在真空环境中以避免euv强度损失。本揭示案中，术语遮罩(mask)、光罩(photomask)及倍缩光罩(reticle)可互换使用以代指相同的项目。在一些实施例中，遮罩18是反射式遮罩。遮罩18例示性结构包括基材，此基材由适当的材料制成，例如低热膨胀材料(low thermal expansion material,ltem)或石英(fused quartz)。在不同实施例中，低热膨胀材料包括二氧化钛(tio2)、掺杂的二氧化硅(sio2)、或其他具有低热膨胀的合适材料。遮罩18可包括沉积在基材上的反射多层膜(reflective multiple layer)。
115.投影光学模块(或投影光学盒(pob))130设置以将遮罩18的图案成像在半导体晶圆22上，且半导体晶圆22固定于微影曝光系统10的基材载台24上。在一些实施例中，投影光学模块130包括折射光学件(例如用于紫外(ultraviolet,uv)微影系统)或反射光学件(例如用于euv微影系统)。光经过遮罩18、带着在遮罩18上所定义的图案影像后、集中于投影光学模块130。照明器140和投影光学模块130可被合称为微影曝光系统10的光学模块。在一些实施例中，投影光学模块130具有至少六个反射光学件。
116.在一些实施例中，半导体晶圆22可能由硅或其他半导体材料组成。除此之外，半导体晶圆22可能包含元素半导体材料，如锗。在一些实施例中，半导体晶圆22可能包括化合物半导体，例如砷化镓(gallium arsenide,gaas)、碳化硅(silicon carbide,sic)、砷化铟(indium arsenide,inas)、磷化铟(indium phosphide,inp)、其他合适的材料、或上述的组合。在一些实施例中，半导体晶圆22可能包括合金半导体，如锗化硅(silicon germanium,sige)、碳化硅锗(silicon germanium carbide,sigec)、磷砷化镓(gallium arsenic phosphide,gaasp)、或磷铟化镓(gallium indium phosphide,gainp)。在一些实施例中，半导体晶圆22可能包括绝缘体上硅(silicon-on-insulator,soi)或绝缘体上锗(germanium-on-insulator,goi)的基材。
117.除此之外，半导体晶圆22可具有各种装置元件(device element)。举例来说，形成在半导体晶圆22中的装置元件可能包含晶体管(transistor)(例如金属氧化物半导体场校晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,mosfet)、互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)晶体管、双极性接面型晶体管(bipolar junction transistor,bjt)、高压晶体管(high-voltage transistor)、高频率晶体管(high-frequency transistor)、p通道及/或n通道场效晶体管(pfet及/或nfet)、二极管、或其他合适的元件)。不同的装置元件可能采用不同制程方式，包括沉积、蚀刻、植布、微影、退火、及/或其他合适的制程方式。在一些实施例中，半导体晶圆22上涂布一层对euv敏感的光阻层。上述的各种元件可能整合在一起、或在微影曝光制程中采用。
118.微影曝光系统10可进一步包括其他模块，或是与其他模块整合(或耦合)，其他模块例如清洁模块用以提供氢气至光源120。氢气有助于减少光源120上的污染。光源120的详细说明将参照图1b一并描述。
119.图1b根据一些实施例绘示光源120的示意图。在一些实施例中，光源120采用双脉冲(dual-pulse)激光生成式电浆(laser produced plasma,lpp)机制以产生电浆88和进一步自电浆88产生euv辐射。光源120包括液滴产生器30、液滴贮存器35、激光生成式电浆
(lpp)集光器60(亦可被称为组合式集光器60)、监测装置70和控制器90。光源120的前述的部分或全部元件配置于真空环境中。应理解的是，光源120的元件可额外添加或是省略，本揭示案不限于此。
120.设置的液滴产生器30可使目标材料80产生数个可被拉长的液滴82，产生的液滴82进入至一激发区域中，在此发区域中至少一个激光脉冲51沿x轴撞击液滴82，如图1b所示。在一些实施例中，目标材料80包括锡。在一些实施例中，形成的液滴82可能为椭圆状。在一些实施例中，液滴82的产出频率为约50千赫兹(kilohertz,khz)，并且液滴82以每秒70公尺(70m/s)的速度进入至光源120的激发区域。目标材料80可包括其他合适的材料，举例来说，具有液态材料的锡，如带有锡、锂或氙的共晶合金(eutectic alloy)。液滴产生器30中的目标材料80可为液相。
121.激光产生器50设置以产生至少一个激光脉冲而使液滴82转变成电浆88。在一些实施例中，设置的激光产生器50产生激光脉冲51至触发点52，以在此位置上使液滴82转变成电浆88，而电浆88进一步产生euv辐射84。激光脉冲51穿过窗口(或透镜)55并在触发点52上激发液滴82。窗口55形成在组合式集光器60中并采用对激光脉冲51大致上为透明的适当材料。液滴贮存器35捕捉并收集未使用的液滴82，及/或在激光脉冲51撞击液滴82之后液滴82散开的材料。
122.电浆88发出euv辐射84，接着组合式集光器60收集euv辐射84。组合式集光器60进一步反射并聚焦euv辐射84，使得euv辐射84可在曝光设备中进行微影制程。在一些实施例中，组合式集光器60具有光轴61，光轴61平行于z轴且垂直于x轴。组合式集光器60具有至少两个集光器区域，例如图1b所示的集光器区域60a至集光器区域60c，将于下文图2a至图2g中详细说明。组合式集光器60可进一步具有外壳65，外壳65上设有第一泵浦66和第二泵浦68。在一些实施例中，第一泵浦66和第二泵浦68装有洗涤器(scrubber)以从组合式集光器60中移除粒子及/或气体。第一泵浦66和第二泵浦68在本文中可被合称为泵浦66/68。
123.在一些实施例中，激光产生器50是二氧化碳(co2)激光源。在一些实施例中，激光产生器50用以产生单一波长的激光脉冲51。通过光学件组合使通过的激光脉冲51聚焦并且决定激光脉冲51的入射角。在一些实施例中，激光脉冲51照射尺寸约200微米(μm)至300μm之间，例如225μm。产生的激光脉冲51具有特定的驱动功率(driving power)以达到晶圆生产目标，例如每小时晶圆(wafer per hour,wph)产出量为125片晶圆，尽管如此，组合式集光器60所用的表面面积越大，可达到的wph产出量越高。举例来说，激光脉冲51装备23千瓦(kw)驱动功率。在一些实施例中，激光脉冲51的驱动功率至少20kw，例如27kw。
124.监测装置70设置以监测监测装置70的一或多个状态，以产出用于调控光源120参数的数据资料。在一些实施例中，监测装置70包括量测(metrology)工具71和分析器73。当量测工具71设置来监测液滴产生器30所供应的液滴82的状态时，量测工具71可包括如感光耦合元件(charge coupled device)的影像感测器、cmos感测器、或类似者。量测工具71产生的监测影像包括液滴82的图片或录影，并且量测工具71传送监测影像至分析器73。当量测工具71设置来检测在光源120中液滴82所产生的euv辐射84的能量或强度时，量测工具71可括多个能量感测器。能量感测器可以是任何合适的感测器，只要足以观察和测量到euv范围内的电磁波辐射。
125.分析器73设置以分析量测工具71产生的信号，并且根据分析结果输出侦测信号给
控制器90。例如，分析器73包括图片分析器。分析器73接收从量测工具71传来的图片相关的数据资料，接着对激发区域的液滴82的图片进行分析。随后，分析器73传送分析相关数据资料给控制器90。分析可包括路径错误或位置错误。
126.在一些实施例中，两个或更多个量测工具71用来监测光源120的不同状态。一个量测工具71设置以监测液滴产生器30供应的液滴82的状态，另一个量测工具71设置以侦测在光源120中液滴82所产生的euv辐射84的能量或强度。在一些实施例中，量测工具71是最终焦点模块(final focus module,ffm)位于激光产生器50中以侦测反射自液滴82的光。
127.控制器90设置以控制一或多个光源120中的元件。在一些实施例中，控制器90设置以驱动液滴产生器30产生液滴82。此外，控制器90设置以驱动激光产生器50发出激光脉冲51。控制器90控制激光脉冲51的产生与液滴82的产生具有关联性，使得激光脉冲51可依序击中每一个液滴82。
128.在一些实施例中，液滴产生器30包括储槽31和喷嘴32。储槽31设置以容纳目标材料80。在一些实施例中，气体管线41连接至储槽31并从气体源40导入气体(例如氩)至储槽31中。通过控制气体管线41中的气流，从而调控储槽31内的压力。例如，当气体透过气体管线41连续地供应至储槽31中，储槽31内的压力随之提高。借此迫使储槽31内的目标材料80以液滴82的形式离开储槽31。
129.图2a至图2h根据本揭示案的各种实施例绘示组合式集光器60的各种示意图。图2a是组合式集光器60的俯视图。图2b和图2e是组合式集光器60沿图2a的线b-b的截面图。图2c和图2d根据各种实施绘示集光器区域60c的详细示意图。图2f和图2g是图2b中组合式集光器60的重叠区域62和重叠区域63的详细示意图。图2h根据各种实施绘示具有环形片段的组合式集光器60的俯视图。
130.图2a所示的组合式集光器60包括集光器区域60a、60b和60c。集光器区域60a实质上为镜面抛光、具有上部600和支撑部610、以及位在组合式集光器60的中央区，其中上部600面向液滴82而支撑部610设置以支撑上部。在一些实施例中，上部600和支撑部610是整体地(monolithically)形成。在一些实施例中，支撑部610附加至及/或固定上部600，例如使用夹子或其他固定结构以保持住上部600的外缘。
131.在一些实施例中，集光器区域60a包括如不锈钢等的材料，并且可进一步包括其他材料的一或多个涂层，其他材料如ru、zrn/zro2多层结构或其他适合的材料，借此提供镜面表面。在一些实施例中，材料具有杨氏模数大于约200gpa。在一些实施例中，集光器区域60a整体上可具有一致的直径d
60a
。在一些实施例中，集光器区域60a可具有至少两个直径，而直径d
60a
可为其中一个。例如，针对具有椭圆形截面(垂直于z轴)的集光器区域60a，直径d
60a
可能是长轴或短轴。在一些实施例中，直径d
60a
介于约100mm至约600mm之间，例如约400mm，但其他较大或较小的直径可应用于其他实施例中。集光器区域60a包括窗口55，在一些实施例中，窗口55实质上位在集光器区域60a的最中央位置。如图2b所示，集光器区域60a进一步包括宽度w
60a
，宽度w
60a
为集光器区域60a外缘与窗口55外缘在集光器区域60a面向激光产生器50的表面的距离。在一些实施例中，集光器区域60a整体具有实质上一致的宽度w
60a
。集光器区域60a，相当于组合式集光器60的中央区，设置以反射第一组光子，稍后参照图2e进一步详细描述。集光器区域60a进一步具有厚度t
60a
，如图2f所示。在一些实施例中，集光器区域60a整体具有实质上一致的厚度t
60a
(例如差异少于约10％、约5％或约1％)。
132.在一些实施例中，沿z轴的情况下，集光器区域60a到60c三者之中，集光器区域60a在最接近激光产生器50且最远离液滴82的位置。在一些实施例中，z轴平行于组合式集光器60的中心轴(或光轴61，见图1b)，并且z轴可平行或是垂直于地球重力方向，但应理解的是可依据组合式集光器60于微影曝光系统10中的位置而应用其他方位。当组合式集光器60的光轴61垂直于地球重力方向时，可简化液滴82的移动路径的计算，因为液滴82的移动方向可能平行于地球重力方向。
133.集光器区域60b实质上为镜片抛光，并且位置与集光器区域60a有所偏移，如图2b所示。在图2b的方位中，集光器区域60b沿z轴方向与集光器区域60a错开。集光器区域60b位在组合式集光器60的第一周边区。在一些实施例中，集光器区域60b包括如不锈钢等的材料，且材料的杨氏模数大于约200gpa。集光器区域60b可进一步包括其他材料的一或多个涂层，其他材料如ru、zrn/zro2多层结构或其他适合的材料，借此提供镜面表面。在一些实施例中，集光器区域60b整体上可具有一致的直径d
60b
。在一些实施例中，集光器区域60b可具有至少两个直径，而直径d
60b
可为其中一个。例如，针对具有椭圆形截面(垂直于z轴)的集光器区域60b，直径d
60b
可能是长轴或短轴。在一些实施例中，直径d
60b
介于约200mm至约800mm之间，但其他较大或较小的直径可应用于其他实施例中。集光器区域60b通常为环形，具有内缘跟外缘(外缘在图2a以虚线呈现)，并且，在一些实施例中，集光器区域60b大致上对齐集光器区域60a的中心点。如图2b所示，集光器区域60b进一步包括宽度w
60b
，宽度w
60b
为集光器区域60b的外缘与集光器区域60b的内缘的距离。集光器区域60b的内缘与集光器区域60a的外缘重叠在图2b所示的重叠区域62中，稍后参照图2f进一步详细描述。重叠区域62的架构安排可使空气或气体流进及/或流出集光器区域60b的表面与集光器区域60a的表面之间的缝隙，稍后参照图3a至图3b进一步详细描述。在一些实施例中，集光器区域60b整体具有实质上一致的宽度w
60b
。集光器区域60b，相当于组合式集光器60的第一周边区，设置以反射第二组光子，稍后参照图2e进一步详细描述。集光器区域60b进一步具有厚度t
60b
，如图2f和图2g所示。在一些实施例中，集光器区域60b整体具有实质上一致的厚度t
60b
(例如差异少于约10％、约5％或约1％)。
134.集光器区域60c实质上为镜片抛光，并且位置与集光器区域60b有所偏移，如图2b所示。在图2b的方位中，集光器区域60c沿z轴方向与集光器区域60b错开。集光器区域60c位在组合式集光器60的第二周边区。第一周边区通常介于中央区和第二周边区之间。在一些实施例中，集光器区域60c包括如不锈钢等的材料。在一些实施例中，材料的杨氏模数大于约200gpa。集光器区域60c可进一步包括其他材料的一或多个涂层，其他材料如ru、zrn/zro2多层结构或其他适合的材料，借此提供镜面表面。在一些实施例中，集光器区域60c整体上可具有一致的直径d
60c
。在一些实施例中，集光器区域60c可具有至少两个直径，而直径d
60c
可为其中一个。例如，针对具有椭圆形截面(垂直于z轴)的集光器区域60c，直径d
60c
可能是长轴或短轴。在一些实施例中，直径d
60c
介于约300mm至约1000mm之间，但其他较大或较小的直径可应用于其他实施例中。集光器区域60c通常为环形，具有内缘跟外缘(外缘在图2a以虚线呈现)，并且，在一些实施例中，集光器区域60c大致上对齐集光器区域60a的中心点。如图2b所示，集光器区域60c进一步包括宽度w
60c
，宽度w
60c
为集光器区域60c的外缘与集光器区域60c的内缘的距离。集光器区域60c的内缘与集光器区域60b的外缘重叠在图2b所示的重叠区域63中，稍后参照图2g进一步详细描述。重叠区域63的架构安排可使空气或气体
流进及/或流出集光器区域60c的表面与集光器区域60b的表面之间的缝隙，稍后参照图3a至图3b进一步详细描述。在一些实施例中，集光器区域60c整体具有实质上一致的宽度w
60c
。集光器区域60c，相当于组合式集光器60的第二周边区，设置以反射第三组光子，稍后参照图2e进一步详细描述。集光器区域60c进一步具有厚度t
60c
，如图2g所示。在一些实施例中，集光器区域60c整体具有实质上一致的厚度t
60c
(例如差异少于约10％、约5％或约1％)。
135.在一些实施例中，集光器区域60a的宽度w
60a
实质上相同于集光器区域60b的宽度w
60b
和集光器区域60c的宽度w
60c
，其中集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c分别相当于组合式集光器60的中心区、第一周边区和第二周边区。在一些实施例中，宽度w
60a
介于约50mm至约300mm之间。在一些实施例中，宽度w
60b
和宽度w
60c
中的每一者介于约50mm至约300mm之间。在一些实施例中，宽度w
60a
、宽度w
60b
和宽度w
60c
皆为约100mm。在一些实施例中，宽度w
60a
、宽度w
60b
和宽度w
60c
中的至少一者不同于宽度w
60a
、宽度w
60b
和宽度w
60c
中的其余者。举例而言，为了避免因自身重量而变形，针对位于周边的集光器区域(例如集光器区域60b和集光器区域60c)的宽度通常偏好等同于或小于位于中心的集光器区域(例如集光器区域60a)的宽度。在这样的实施例中，宽度w
60c
可能小于宽度w
60b
，而宽度w
60b
小于宽度w
60a
。在一些实施例中，宽度w
60c
和w
60b
中的任一者比宽度w
60a
小约20mm到300mm之间。在一些实施例中，宽度w
60a
、宽度w
60b
和宽度w
60c
中的变异少于约50％、约30％或约10％。一般而言，如果宽度w
60a
、宽度w
60b
和宽度w
60c
中存在变异，宽度w
60a
则大于宽度w
60b
和宽度w
60c
中的任一者或两者，以避免位于组合式集光器60周边的集光器区域60b和集光器区域60a发生变形。例如，宽度w
60a
比宽度w
60b
或宽度w
60c
的比值可介在约1到约1.5之间。在一些实施例中，宽度w
60b
比宽度w
60c
的比值可介在约0.7到约1.5之间。在一些实施例中，宽度w
60a
比宽度w
60b
比宽度w
60c
可能为约1:0.8:0.8。
136.在图2c和图2d中，根据各种实施例，以集光器区域60c作为例子以说明两种架构中的截面图。虽然图2c和图2d仅呈现出集光器区域60c，但集光器区域60a和集光器区域60b亦可具有相似的架构。在一些实施例中，集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c中的至少一者设置成图c所示的架构，集光器区域60a、a60b和a60c中的至少一者设置成图d所示的架构。
137.在2c图中，集光器区域60c为曲面且整体体积具有实质上均匀的厚度t
60c
。在一些实施例中，厚度t
60c
介于约1mm到约20mm之间。集光器区域60c的第一表面600面向液滴82/电浆88，并且具有曲面的镜面表面以反射euv辐射84至焦点87。集光器区域60c的第二表面615相对于第一表面600，并且具有与第一表面600实质上相同的曲率，以及平行于第一表面600。集光器区域60c的第三表面620可能为集光器区域60c的外缘。在一些实施例中，第三表面620实质上垂直于第一表面600及/或第二表面615。集光器区域60c的第四表面630可能为集光器区域60c的内缘。在一些实施例中，第四表面630实质上垂直于第一表面600及/或第二表面615。在一些实施例中，第三表面620及/或第四表面630可与第一表面600夹一钝角或一锐角。在一些实施例中，第三表面620和第四表面630设置成倾斜于第一表面600，借此避免euv辐射84反射自第三表面620和第四表面630。
138.在图2d中，集光器区域60c的厚度不一致。在所示的架构中，集光器区域60c具有实质上平面的横向第二表面615l和实质上平面的纵向第二表面615v。横向第二表面615l实质上垂直于纵向第二表面615v。在一些实施例中，图2d的集光器区域60c包括第三表面620和
第四表面630。在一些其他的实施例中，第三表面620和第四表面630不存在，因此横向第二表面615l及/或纵向第二表面615v与第一表面600实质上为尖锐连接。如图2d所示，集光器区域60c增加的厚度可有降低集光器区域60c因自身重量而变形的可能性，这与集光器区域60c的厚度成反比关系。在一些实施例中，图2d中厚度t
60c
为集光器区域60c最大厚度，其介于约1mm至约30mm之间。
139.在2b图中，集光器区域60b和集光器区域60c中的每一者可通过对应的驱动系统95b和驱动系统95c进行位置及/或方向的调整，驱动系统95b和驱动系统95c可被合称为驱动系统95。驱动系统95b接触集光器区域60b而驱动系统95c接触集光器区域60c。在一些实施例中，驱动系统95b和驱动系统95c中的每一者可包括至少三个驱动模块(在图2a以虚线呈现)以提供集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c中的每一者的对齐。在一些实施例中，驱动模块为滚珠螺杆(ball screw)或类似者，以精确地控制集光器区域60b和集光器区域60c沿z轴的位置。在一些实施例中，驱动系统95进一步包括旋转驱动器，例如倾斜载台或类似者，以精确地控制集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的角度方向。以集光器区域60b为例，在一些实施例中，可根据集光器区域60b的参数，例如直径d
60b
、宽度w
60b
、厚度t
60b
、和集光器区域60b的材料，决定附加于集光器区域60b的驱动模块的数量，以避免驱动模块之间的集光器区域60b变形。
140.在一些实施例中，集光器区域60a的位置和方向大致上是固定住的，而集光器区域60b和集光器区域60c的位置和方向是可以调整的，因此集光器区域60a上无附加任何驱动系统。在这样的架构下，驱动系统95的数量可能相同于或小于集光器区域的数量。举例来说，组合式集光器60可包括四个集光器区域和三个驱动系统95。若驱动系统的数量95过少，排列每个集光器区域以将电浆88聚焦在焦点87的困难度则可能会提高。驱动系统95b和驱动系统95c的每个驱动模块及/或旋转驱动器可电性连接至控制器90并且被控制器90控制。
141.请参照图2e，形成自液滴82的电浆88以非单一方向的形式发出euv辐射，在一些实施例中，euv辐射可能是全方向的。在一些实施例中，发出的euv辐射通常朝向面对组合式集光器60的半球，而极少的euv辐射朝向远离组合式集光器60的半球。组合式集光器60中集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c中的每一者设置于对应的位置和方向以反射一部分的euv辐射至焦点87。在一些实施例中，如图2e所示，存在一些圆锥区域900a到900c，这些区域对应于集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的数量。在一些实施例中，圆锥区域900a到900c之间彼此不重叠。中央圆锥区域900a对应于集光器区域60a，并且自窗口55的侧壁延伸至集光器区域60b的内缘。中央圆锥区域900a具有一范围角度θa，如图2e所示。第一周边圆锥区域900b对应于集光器区域60b，并且自集光器区域60b的内缘延伸至集光器区域60c的内缘。第一周边圆锥区域900b具有一范围角度θb。第二周边圆锥区域900c对应于集光器区域60c，并且自集光器区域60c的内缘延伸至集光器区域60c的外缘。第二周边圆锥区域900c具有一范围角度θc。在一些实施例中，范围角度θa到θc实质上彼此相等。在一些实施例中，范围角度θa大于范围角度θb，范围角度θc大于范围角度θc。这样的配置具有助于euv辐射在中央圆锥区域900a内聚焦程度高于在第一周边圆锥区域900b和第二周边圆锥区域900c内。
142.基于上述的描述以及图2e，集光器区域60a在中央圆锥区域900a内反射来自电浆88的光子，集光器区域60b在第一周边圆锥区域900b内反射来自电浆88的光子，以及集光器
区域60c在第二周边圆锥区域900c内反射来自电浆88的光子，上述每一者都将反射光子至焦点87(见图1b)。
143.图2f和图2g是图2b中组合式集光器60的重叠区域62和重叠区域63的详细示意图。如前图2b的描述，组合式集光器60具有阶层结构，在此阶层结构中集光器区域60a在集光器区域60b下，集光器区域60b在集光器区域60c下。在组合式集光器60收集和反射euv辐射84的过程中，重叠区域62和重叠区域63可提供全面的光学覆盖率，以避免光子的损失及/或无作用区(例如无光子反射的环形区域)。
144.在2f图中，集光器区域60b和集光器区域60a重叠在重叠区域62中。重叠区域62具有宽度o
62
，宽度o
62
等于集光器区域60b的内缘和集光器区域60a的外缘之间的距离。距离可被量测为正切于集光器区域60a和集光器区域60b中任一者/两者的镜面表面，并接近集光器区域60b的内缘和集光器区域60a的外缘。重叠区域62可进一步包括介于集光器区域60a和集光器区域60b之间的缝隙且其具有尺寸s
62
。在一些实施例中，尺寸s
62
可在约1mm和约3mm之间。尺寸s
62
可被量测为垂直于集光器区域60a和集光器区域60b中任一者/两者的镜面表面且在重叠区域62内。当尺寸s
62
小于约1mm时，集光器区域60a和集光器区域60b之间无法提供足够空间以调整集光器区域60b的方向。当尺寸s
62
大于约3mm时，euv辐射84从集光器区域60a至焦点87与euv辐射84从集光器区域60b至焦点87之间的一致性可能会降低。在一些实施例中，宽度o
62
在约1mm和约20mm之间。在一些实施例中，宽度o
62
和尺寸s
62
之间的比值在约0.1到约20之间。
145.在图2g中，集光器区域60c和集光器区域60b重叠在重叠区域63中。重叠区域63具有宽度o
63
，宽度o
63
等于集光器区域60c的内缘和集光器区域60b的外缘之间的距离。重叠区域63可进一步包括介于集光器区域60b和集光器区域60c之间的缝隙且其具有尺寸s
63
。在一些实施例中，宽度o
63
和尺寸s
63
可相似于前述的宽度o
62
和尺寸s
62
(图2f)。在一些实施例中，宽度o
63
小于宽度o
62
，因为例如集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c之间的曲率差异的原因。在一些其他的实施例中，宽度o
63
实质上等于或可大于宽度o
62
。
146.图2h根据各种实施绘示具有环形片段的组合式集光器60的俯视图。在如图2h的结构中，组合式集光器60包括两个截面维度，例如如图2a和图2b所述的垂直截面，组合式集光器60还包含放射状维度，如第2h所示。在一些实施例中，每个集光器区域60b及/或集光器区域60c包括至少两个集光器片段，例如分别为集光器片段60b1/60b2和集光器片段60c1/60c2。以集光器区域60b作为描述的例子，而对于集光器区域60b的描述可同样地适用于集光器区域60c。每个集光器区域60b及/或集光器区域60c进一步区分成集光器片段60b1/60b2和集光器片段60c1/60c2，提升模块化(modularity)从而改善制造和维护的能力。相对于集光器区域60b及/或集光器区域60c，集光器片段60b1/60b2和集光器片段60c1/60c2的减小尺寸亦可降低形变的发生，这是因为集光器片段60b1/60b2和集光器片段60c1/60c2中的每一者所受到的应力随着尺寸减少而降低。
147.在图2h所示的集光器区域60b中，集光器区域60b具有两个半圆形、两个半椭圆形、或其他形状的集光器片段60b1/60b2。在一些实施例中，集光器区域60b具有三个、四个或更多个的集光器片段。在一些实施例中，每个集光器片段具有相同尺寸(例如，相同的直径、宽度、厚度、曲率)和质量，但在其他结构中集光器片段可具有不同的尺寸和质量。每个集光器片段60b1/60b2的位置和方向由附接在每个集光器片段60b1/60b2上的驱动系统95b决定。
一般而言，集光器片段60b1/60b2以最小化集光器片段60b1/60b2端点间的缝隙的方式排列。例如，介于集光器片段60b1的边缘和集光器片段60b2的边缘之间的缝隙650可能少于约1mm。若缝隙650大于约1mm则可能对离开组合式集光器60的euv辐射84的一致性造成负面影响。
148.在图2a到图2h中，具有集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的组合式集光器60采用阶层结构以减少表面因自身重量而变形，借此可产生大面积的集光器表面和高强度euv辐射，而提升euv辐射的强度和减少维护的停机时间皆可改善wpd产出量。除了这些益处，介于集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c之间的缝隙(在重叠区域62和63中)可改善在组合式集光器60表面上的气流，借此避免集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c受到污染，并且进一步减少维护的停机时间从而改善wpd产出量。针对组合式集光器60中的气流的描述将于图3a至图3d中说明。
149.图3a至图3b根据本揭示案的各种实施例绘示在组合式集光器60内的气流的示意图。图3a绘示在正压差情况下气流穿过重叠区域62/63的缝隙而吹入，图3b绘示在负压差情况下气流穿过重叠区域62/63的缝隙而排出。
150.在3a图中，至少由第一泵浦66和第二泵浦68(见图1b)产生的正压差造成的各种气流方向如图中箭头所示。锥形气流310以大概z轴方向从窗口55流向焦点87(见图1b)。周边气流320为辐射状气流，从集光器区域60c的外缘向内流至集光器区域60a的中心，例如流至窗口55。伞状气流330为辐射状气流，从窗口55向外流至集光器区域60c的外缘。由于集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c之间的缝隙(在重叠区域62/63中)以及正压差，出现向内的缝隙气流340，缝隙气流340为辐射状气流，从集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的后方向内和向上流至锥形气流310。内向的缝隙气流340可增加集光器区域60a和集光器区域60b表面上的气流，从而避免污染物(例如锡残留物)聚积在集光器区域60a和集光器区域60b的镜面表面上。在一些实施例中，集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的表面上的气流在约50slm(standard liter per minute)和约200slm之间，例如约90slm。在污染物积聚到影响产率之前的操作时间可拉长，从而缩短停机时间。
151.在3b图中，至少由第一泵浦66和第二泵浦68(见图1b)产生的负压差造成的向外气流可带走粒子(例如锡残留物)穿过重叠区域62/63的缝隙而离开组合式集光器60。其他的气流相似于图3a中的气流描述。在一些实施例中，正压差和负压差可交替地且按次序地重复应用，以有效地从组合式集光器60上移除粒子，并最小化污染物积聚在集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的镜面表面上。
152.图3c和图3d根据本揭示案的各种实施例绘示集光器区域(例如集光器区域60c)或集光器片段(例如集光器片段60c1)的示意图。图3c和图3d以集光器片段60c1作为描述的例子。图3c是组合式集光器601c的视图而图3d是图3c集光器片段60c1沿线d-d’的截面图。图3e根据本揭示案的各种实施例绘示在集光器区域60c内的气流示意图。
153.在一些实施例中，集光器区域60b和集光器区域60c中的至少一者的一或多个集光器片段，例如集光器片段60c1，具有中空结构(内部为空心)并且具有第一孔洞640和第二孔洞660，如图3c和图3d所示。第一孔洞640可能位于第二表面615中(描述见图2c)而第二孔洞660可能位于，甚至取代，第四表面630(见图2c)。第一孔洞640与第二孔洞660之间进行流体输送。流经集光器片段60c1的气流分别为第一气流370、第二气流380和第三气流390。图3d
的第一气流370进入第一孔洞640。第二气流380离开第一泵浦66并朝向组合式集光器60的中心。第三气流390来自第一孔洞640、经过集光器片段60c1并朝向第一泵浦66。第二气流380增加组合式集光器60的表面上的气流，如图3e所示，这样可避免污染物积聚(例如锡残留物)在组合式集光器60的表面上。
154.图4根据本揭示案的各种实施例绘示制造装置的方法401的流程图。在一些实施例中，制造装置的方法401包括一些步骤(步骤400、410、420和430)。制造装置的方法401的描述为根据一或多个实施例。应理解的是，方法401可在本揭示案的观点范畴内进行调整或修改。再者，额外的操作可在方法401前、中、后进行，并且在本文中可能对一些其他步骤稍作说明。在一些实施例中，方法401可采用图1a至图3e所述的微影曝光系统10。
155.在步骤400中，沉积遮罩层在基材上。在一些实施例中，遮罩层包括对euv辐射84敏感的光阻层。在一些实施例中，基材为半导体基材，例如半导体晶圆22(见图1a)。在一些实施例中，基材是在半导体基材上方的层，例如介电层、金属层、硬遮罩层或其他合适的层。在一些实施例中，通过旋转涂布或其他合适的方式以沉积遮罩层。
156.在步骤410中，第一辐射是反射自集光器中央区(例如集光器区域60a)而第二辐射是反射自第一集光器周边区(例如集光器区域60b)。第一辐射和第二辐射反射后沿着组合式集光器60和遮罩层之间光的路径行进，其中遮罩层可能在半导体晶圆22上。在一些实施例中，第一辐射和第二辐射根据图案而反射，图案可存在于遮罩18上，遮罩18可能为反射式遮罩。在一些实施例中，进一步第三辐射反射自第二集光器周边区(例如集光器区域60c)、沿着光的路径行进、并且根据图案而反射。第一、第二和第三辐射可为euv辐射，并且相当于图2e的区域900a至900c。在一些实施例中，第一集光器周边区与集光器中央区重叠，并且第一缝隙(如图2f所示)隔开此两者。在一些实施例中，第二集光器周边区与第一集光器周边区重叠，并且第二缝隙(如图2g所示)隔开此两者。
157.在步骤420中，移除遮罩层的第一区域和第二区域以形成开口在遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。在一些其他的实施例中，移除未暴露在第一辐射或第二辐射的区域以形成开口在遮罩中。在一些实施例中，步骤420进一步包括移除遮罩层中暴露在第三辐射中的第三区域，或是移除遮罩层中未暴露在第一辐射、第二辐射或第三辐射中的区域。
158.在步骤430中，移除显露在开口中的层的材料，此层位于遮罩层下方。所移除的材料在遮罩层的开口范围内。在一些实施例中，此层为介电层、半导体层或其他者。
159.图5根据本揭示案的各种实施例绘示制造装置的方法501的流程图。在一些实施例中，制造装置的方法501包括一些步骤(步骤500、510和520)。制造装置的方法501的描述为根据一或多个实施例。应理解的是，方法501可在本揭示案的观点范畴内进行调整或修改。再者，额外的操作可在方法501前、中、后进行，并且在本文中可能对一些其他步骤稍作说明。在一些实施例中，方法501可采用图1a至图3e所述的微影曝光系统10。
160.在步骤500中，通过来自第一组合式集光器的辐射以图案化第一层在第一晶圆上。在一些实施例中，第一组合式集光器可为图1a至3e所述的组合式集光器60。在一些实施例中，第一晶圆可为半导体晶圆22如图1a所示，并且第一层可为第一晶圆上的光阻层。在一些实施例中，辐射为自组合式集光器60反射的euv辐射84。在一些实施例中，图案化包括通过遮罩，例如遮罩18(见图1a)，反射euv辐射84，以及通过液滴产生器30投影反射的euv辐射至
第一层上。
161.在步骤510中，用相应数量的第二集光器片段取代第一组合式集光器的至少一个第一集光器片段，以形成第二组合式集光器。在一些实施例中，第一集光器片段为集光器区域，例如图2a的集光器区域60b或集光器区域60c。在一些实施例中，第一集光器片段为集光器片段，例如图2h的集光器片段60b1、60b2、60c1、60c2中的任何者。
162.在一些实施例中，执行取代的步骤包括根据临界条件来移除集光器区域或集光器片段。举例来说，临界条件可包括形变临界，此形变临界是基于集光器区域或片段因自身重量而变形到一无法接受的程度，因此在超过形变临界之后进行第一集光器片段的置换。在一些实施例中，形变临界可能是数值呈现的形变临界值，例如大于约0.5mm、大于约1mm或类似者。在一些实施例中，形变临界可能是百分比呈现的形变临界百分比，例如大于约1％、大于约5％、或类似者。
163.临界条件可包括干净状态，基于集光器区域或片段上无法接受的污染状态，例如残留物积聚。在一些实施例中，可采用干净状态或采用污染状态。在一些实施例中，污染状态可能是百分比呈现的污染状态百分比，例如第一集光器片段的镜面表面上具有污染物的表面大于约1％、大于约5％、或其他适当的百分比状态。在一些实施例中，污染状态可能包括反射率状态，例如第一集光片段的反射率低于原本反射率的约95％、低于原本反射率的约90％、或其他适当的反射率条件。在一些实施例中，原本的反射率是指第一集光器片段在准备安装至组合式集光器60之前或是刚安装至组合式集光器60之后的反射率。
164.临界条件可包括排程临界。在一些实施例中，排程临界可包括安装集光器区域或片段之后的一段时间，例如大于约14天、大于约1个月或其他适当的时间长度。排程临界可包括安装集光器区域或片段之后的总执行时间，例如大于约12天、大于约3周或其他适当的执行时间。排程临界可包括安装集光器区域或片段之后所操作的晶圆数量，例如大于约10,000片、大于约100,000片或其他适当的晶圆数量。
165.第二集光器片段的物理特性(形状、质量、材料、表面粗糙度)可与第一集光器片段的原始状态(在发生形辨或污染之前)大致上相等。第二集光器片段的安装可包括先移除第一集光器片段，然后附载第二集光器片段至原先第二集光器片段的位置。在一些实施例中，在安装之后，对第二集光器片段进行校正。校正操作包括通过驱动系统95以调整第二集光器片段的位置及/或方向。
166.在步骤520中，通过来自第二组合式集光器的辐射以图案化第二层在第二晶圆上。在一些实施例中，第二晶圆可为相似半导体晶圆22如图1a所示，并且第二层可为第二晶圆上的光阻层。在一些实施例中，辐射为自组合式集光器60(置换集光区域或片段之后)反射的euv辐射84。在一些实施例中，图案化包括通过遮罩，例如遮罩18(见图1a)或异于遮罩18的图案的第二遮罩，反射euv辐射84，以及通过液滴产生器30投影反射的euv辐射至第二层上。
167.实施例提供许多益处。集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的每一者可具有不同的椭圆表面以聚焦euv光至相同的焦点87(亦可被称为中间焦点(intermediate focal point,if point)，见图1b)。相较于制造单个相似尺寸(例如直径d
60c
)的集光器，集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的每一者可具有大幅降低的重量和较小的尺寸，因此阶层结构的使用可降低因自身重量造成的形变。阶层结构进一步提供模块化的
益处。如果集光器区域60a、集光器区域60b和集光器区域60c的其中一者发生缺陷、形变或过度污染，只要更换发生缺陷、形变或过度污染的那一者，而不用更换整个集光器，比单个相似尺寸的集光器具有优势。集光器的各区之间的缝隙(在重叠区域62/63)可提升气流的覆盖率，从而保护组合式集光器60免于污染物(来自目标材料，例如锡)积聚在组合式集光器60上，借此减少维护集光器的停机时间，如图3a至图3b所述。
168.在至少一实施例中，一种操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于遮罩层下方的层的材料。
169.在一些实施例中，第一缝隙位在第一重叠区域中，第一集光器周边区和集光器中央区重叠在第一重叠区域中。在一些实施例中，操作微影系统的方法进一步包括根据图案将第三辐射导向遮罩层，第三辐射反射自组合式集光器的第二集光器周边区，其中第二集光器周边区通过第二缝隙与第一集光器周边区垂直隔开。在一些实施例中，第二缝隙位在第二重叠区域中，第二集光器周边区和第一集光器周边区重叠在第二重叠区域中。在一些实施例中，操作微影系统的方法进一步包括通过形成气流通过第一缝隙而使气体流动于集光器中央区上。在一些实施例中，形成气流通过第一缝隙包括使气体通过第一缝隙流向集光器中央区。在一些实施例中，操作微影系统的方法进一步包括使气体流入第一集光器周边区的第一孔洞中、经过第一集光器周边区、并且从第一集光器周边区的第二孔洞流出。
170.在至少一实施例中，一种操作微影系统的方法包括通过来自第一组合式集光器的第一辐射以图案化第一层在第一晶圆上、用第二集光器片段取代第一组合式集光器的第一集光器片段以形成第二组合式集光器、以及通过来自第二组合式集光器的第二辐射以图案化第二层在第二晶圆上。
171.在一些实施例中，取代第一集光器片段是基于临界条件而执行。在一些实施例中，临界条件包括第一集光器片段的形变超过形变临界。在一些实施例中，临界条件包括第一集光器片段的污染达到污染条件。在一些实施例中，临界条件包括超过排程临界。在一些实施例中，操作微影系统的方法进一步包括在图案化第二层之前，校正第二组合式集光器。在一些实施例中，校正第二组合式集光器包括通过驱动系统以调整第二集光器片段的位置或方向中的至少一者，驱动系统连接至第二组合式集光器上。
172.在至少一实施例中，一种微影系统包括晶圆载台、数个投影光学件、遮罩载台、数个照明光学件和光源。晶圆载台设置以支撑一晶圆。数个投影光学件设置以将图案化辐射导向晶圆的区域上。遮罩载台设置以形成图案化辐射并将图案化辐射导向投影光学件。数个照明光学件设置以将未图案化辐射导向遮罩载台。光源包括液滴产生器、激光源以及组合式集光器。液滴产生器设置以产生液滴。激光源设置以发出至少一激光脉冲至液滴。组合式集光器设置以反射辐射至照明光学件，其中辐射由液滴产生，且组合式集光器包括集光器中央区以及第一集光器周边区。集光器中央区设置以反射辐射的第一部分。第一集光器周边区设置以反射辐射的第二部分，第一集光器周边区与集光器中央区重叠在第一重叠区
域中。第一重叠区域包括第一垂直缝隙介于第一集光器周边区与集光器中央区之间。
173.在一些实施例中，组合式集光器进一步包括第二集光器周边区，第二集光器周边区与第一集光器周边区重叠在第二重叠区域中，第二重叠区域包括第二垂直缝隙介于第二集光器周边区与第一集光器周边区之间。在一些实施例中，第一垂直缝隙在约1毫米至约3毫米的范围内。在一些实施例中，第一集光器周边区实质上为环形并具有宽度在约50毫米至约1300毫米的范围内。在一些实施例中，第一集光器周边区包括第一集光器片段和第二集光器片段，第一集光器片段和第二集光器片段彼此隔开至少横向缝隙。在一些实施例中，第一集光器片段包括第一孔洞和第二孔洞在流体输送中。
174.以上概略说明了本揭示案数个实施例的特征，使所属技术领域内具有通常知识者对于本揭示案可更为容易理解。任何所属技术领域内具有通常知识者应了解到本揭示案可轻易作为其他结构或制程的变更或设计基础，以进行相同于本揭示案实施例的目的及/或获得相同的优点。任何所属技术领域内具有通常知识者亦可理解与上述等同的结构并未脱离本揭示案的精神及保护范围内，且可在不脱离本揭示案的精神及范围内，可作更动、替代与修改。