一种钽靶材及其制备方法与应用与流程

技术特征：
1.一种钽靶材的制备方法，其特征在于，所述钽靶材的制备方法包括如下步骤：将钽锭依次进行第一冷锻、第一热处理、第二冷锻、第二热处理和冷轧，得到钽靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钽锭的纯度≥4n。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一冷锻的温度为10-30℃；优选地，所述第一冷锻的锻造比为1.0-2.5。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为900-1200℃；优选地，所述第一热处理的时间为30-120min。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二冷锻的温度为10-30℃；优选地，所述第二冷锻的锻造比为1.0-2.5。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二热处理的温度为1000-1200℃；优选地，所述第二热处理的时间为30-120min。7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述冷轧的温度为10-30℃；优选地，所述冷轧的变形量为60-90％；优选地，所述冷轧时，每道次下压量0.5-5.0mm。8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述钽靶材的制备方法包括如下步骤：将纯度≥4n的钽锭在10-30℃进行第一冷锻，控制第一冷锻的锻造比为1.0-2.5；在900-1200℃进行第一热处理30-120min；在10-30℃进行第二冷锻，控制第二冷锻的锻造比为1.0-2.5；在1000-1200℃进行第二热处理30-120min；在10-30℃进行冷轧，控制冷轧时每道次下压量0.5-5.0mm、冷轧的变形量为60-90％，得到钽靶材。9.一种采用权利要求1-8任一项所述制备方法得到的钽靶材，其特征在于，所述钽靶材的再结晶度为20-40％。10.一种权利要求9所述钽靶材的应用，其特征在于，所述钽靶材用于溅射镀膜。

技术总结
本发明提供了一种钽靶材及其制备方法与应用，所述钽靶材的制备方法包括：将钽锭依次进行第一冷锻、第一热处理、第二冷锻、第二热处理和冷轧，得到钽靶材。通过两次冷锻、两次热处理和冷轧，实现了靶材再结晶度的调控，操作简便，易工业化；且制得的钽靶材纯度高，内部组织均匀。均匀。


技术研发人员：姚力军 潘杰 王学泽 周友平 余婷
受保护的技术使用者：丽水元能电子材料研究院有限公司
技术研发日：2022.05.25
技术公布日：2022/8/12