显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.残像是一种显示不良，主要表现为显示器长期显示同一画面，再将画面切换到下一个画面时，原先的画面会残留在下一个画面中。主要发生的原因是在画面显示过程中，tft(thin film transistor，薄膜晶体管)器件受热或光照不稳定，以及面板内部不可避免存在耦合电容，导致像素电压出现正负不对称的现象。同时液晶材料中也不可避免会存在一部分杂质离子，在不对称的电压作用出现单向聚集，并且杂质离子聚集于显示区，最终形成残像，影响显示效果。


技术实现要素：

3.本技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示装置，以解决显示面板产生残像的问题。
4.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是提供一种显示面板，所述显示面板包括相对设置的阵列基板与对置基板，所述阵列基板和所述对置基板之间设置有液晶，所述对置基板包括第一衬底以及设置于所述第一衬底朝向所述阵列基板一侧的表面上的第一配向膜，所述阵列基板包括第二衬底、铺设于所述第二衬底朝向所述对置基板一侧的表面上的第二配向膜，所述显示面板还包括黑矩阵，所述黑矩阵设置于所述第一衬底和所述第二衬底之间；所述黑矩阵在所述第二衬底上的正投影的范围内设置有电极线组，所述电极线组包括并排设置的第一电极线和第二电极线，所述第一电极线和所述第二电极线的极性相反。
5.其中，所述第一电极线和所述第二电极线间隔设置于所述第二衬底朝向所述对置基板一侧的表面上，所述第二配向膜覆盖在所述第一电极线和所述第二电极线上。
6.其中，所述第二配向膜覆盖所述第一电极线和所述第二电极线的部分包括离子吸附材料。
7.其中，所述第一电极线和所述第二电极线间隔设置于所述第一衬底朝向所述阵列基板一侧的表面上，所述第一配向膜覆盖在所述第一电极线和所述第二电极线上。
8.其中，所述第一配向膜覆盖所述第一电极线和所述第二电极线的部分包括离子吸附材料。
9.其中，所述第一电极线设置于所述第二衬底朝向所述对置基板一侧的表面上，所述第二配向膜覆盖在所述第一电极线上；所述第二电极线设置于所述第一衬底朝向所述阵列基板一侧的表面上，所述第一配向膜覆盖在所述第二电极线上。
10.其中，所述第二配向膜覆盖所述第一电极线的部分包括离子吸附材料；所述第一配向膜覆盖所述第二电极线的部分包括离子吸附材料。
11.其中，所述离子吸附材料包括氧化铁、铁氰化镍、氧化铟锡、氧化镧锡中的至少一
种。
12.其中，所述第一电极线和所述第二电极线与数据线平行；或，所述第一电极线和所述第二电极线与栅极线平行。
13.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一种显示面板，以及用于为所述显示面板提供照明的背光模组。
14.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术的显示面板包括相对设置的阵列基板与对置基板，阵列基板和对置基板之间设置有液晶，对置基板包括第一衬底以及设置于第一衬底朝向阵列基板一侧的表面上的第一配向膜，阵列基板包括第二衬底、铺设于第二衬底朝向对置基板一侧的表面上的第二配向膜；显示面板还包括黑矩阵，黑矩阵设置于第一衬底和第二衬底之间，黑矩阵在第二衬底上的正投影的范围内设置有电极线组，电极线组包括并排设置的第一电极线和第二电极线，第一电极线位于阵列基板一侧。通过在显示面板中，与黑矩阵在第二衬底上的正投影的范围内设置电极线组，电极线组包括并排设置的第一电极线和第二电极线，第一电极线和第二电极线的极性相反，使得在显示面板点亮之前对第一电极线和第二电极线施加电场，可以提前将液晶中的杂质离子聚集至黑矩阵的正投影所对应的区域，由于黑矩阵的正投影所对应的区域为遮光区，不影响显示效果，从而可以有效解决显示面板产生残像的问题，提高显示面板的显示品质。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
16.图1为本技术显示面板的第一实施例的结构示意图；
17.图2为本技术显示面板的第二实施例的结构示意图；
18.图3为本技术显示面板的第三实施例的结构示意图；
19.图4为本技术显示面板的第四实施例的结构示意图；
20.图5为本技术显示面板的第五实施例的结构示意图；
21.图6为本技术显示面板的第六实施例的结构示意图；
22.图7为本技术显示面板的第七实施例的结构示意图；
23.图8为本技术显示面板的一实施例的电极线组的走线示意图；
24.图9为本技术显示面板的另一实施例的电极线组的走线示意图。
25.其中，10、显示面板；101、对置基板；1011、第一衬底；1012、第一配向膜；1013、黑矩阵；102、阵列基板；1021、第二衬底；1022、第二配向膜；1023、薄膜晶体管；103、液晶；104、电极线组；1041、第一电极线；1042、第二电极线；10120/10220、吸附部分；105、数据线；106、像素；107、栅极线。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本
申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.请参阅图1，图1为本技术显示面板的第一实施例的结构示意图。本实施例中，显示面板10包括相对设置的阵列基板102与对置基板101，阵列基板102和对置基板101之间设置有液晶103；对置基板101包括第一衬底1011和第一配向膜1012，第一配向膜1012设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上；阵列基板102包括第二衬底1021和第二配向膜1022，第二配向膜1022铺设于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上。显示面板10还包括黑矩阵1013，黑矩阵1013设置于第一衬底1011和第二衬底1021之间；黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反。
28.本实施例中，通过在显示面板10中，与黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反，使得在显示面板10点亮之前对第一电极线1041和第二电极线1042施加电场，可以提前将液晶103中的杂质离子聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的区域，由于黑矩阵1013的正投影所对应的区域为遮光区，不影响显示效果，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
29.进一步地，第一电极线1041和第二电极线1042间隔设置于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上，第二配向膜1022覆盖在第一电极线1041和第二电极线1042上，即第一电极线1041和第二电极线1042均设置在阵列基板102一侧。可以理解的是，在阵列基板102一侧，与黑矩阵1013位于第二衬底1021上的正投影的范围对应的位置设置电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反，通过对第一电极线1041和第二电极线1042施加电场，可以使液晶103材料中的杂质离子受电场作用移动并聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的靠近第二配向膜1022的区域，由于黑矩阵1013的正投影所对应的区域为遮光区，不影响显示效果，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
30.请参阅图2，图2为本技术显示面板的第二实施例的结构示意图。本实施例中，显示面板10包括相对设置的阵列基板102与对置基板101，阵列基板102和对置基板101之间设置有液晶103；对置基板101包括第一衬底1011和第一配向膜1012，第一配向膜1012设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上；阵列基板102包括第二衬底1021和第二配向膜1022，第二配向膜1022铺设于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上。显示面板10还包括黑矩阵1013，黑矩阵1013设置于第一衬底1011和第二衬底1021之间；黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反，第一电极线1041和第二电极线1042间隔设置于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上，第二配向膜1022覆盖在第一电极线1041和第二电极线1042上。与上述第一实施例的区别在于，本实施例中，第二配向膜1022覆盖第一电极线1041和第二电极线1042的部分，即第二配向膜1022的吸附部分10220，包括离子吸附材料。可以理解的是，由于黑矩阵1013的正投影区域所对应的这部分的第二配向膜1022复合有离子吸附材料，离子吸附材料易于吸附离子，于是可以将液晶103材料中受电场作用移动并聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的靠近第二
配向膜1022的区域的杂质离子进行吸附，将液晶103中杂质离子吸附并限制于第二配向膜1022所处的遮光区，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
31.请参阅图3，图3为本技术显示面板的第三实施例的结构示意图。本实施例中，显示面板10包括相对设置的阵列基板102与对置基板101，阵列基板102和对置基板101之间设置有液晶103；对置基板101包括第一衬底1011和第一配向膜1012，第一配向膜1012设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上；阵列基板102包括第二衬底1021和第二配向膜1022，第二配向膜1022铺设于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上。显示面板10还包括黑矩阵1013，黑矩阵1013设置于第一衬底1011和第二衬底1021之间；黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反。与上述第一实施例的区别在于，本实施例中，第一电极线1041和第二电极线1042间隔设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上，第一配向膜1012覆盖在第一电极线1041和第二电极线1042上，即第一电极线1041和第二电极线1042均设置在对置基板101一侧。可以理解的是，在对置基板101一侧，与黑矩阵1013位于第二衬底1021上的正投影的范围对应的位置设置电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反，通过对第一电极线1041和第二电极线1042施加电场，可以使液晶103材料中的杂质离子受电场作用移动并聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的靠近第一配向膜1012的区域，由于黑矩阵1013的正投影所对应的区域为遮光区，不影响显示效果，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
32.请参阅图4，图4为本技术显示面板的第四实施例的结构示意图。本实施例中，显示面板10包括相对设置的阵列基板102与对置基板101，阵列基板102和对置基板101之间设置有液晶103；对置基板101包括第一衬底1011和第一配向膜1012，第一配向膜1012设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上；阵列基板102包括第二衬底1021和第二配向膜1022，第二配向膜1022铺设于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上。显示面板10还包括黑矩阵1013，黑矩阵1013设置于第一衬底1011和第二衬底1021之间；黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反。第一电极线1041和第二电极线1042间隔设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上，第一配向膜1012覆盖在第一电极线1041和第二电极线1042上。与上述第三实施例的区别在于，本实施例中，第一配向膜1012覆盖第一电极线1041和第二电极线1042的部分，即第一配向膜1012的吸附部分10120，包括离子吸附材料。可以理解的是，由于黑矩阵1013的正投影区域所对应的这部分的第一配向膜1012复合有离子吸附材料，离子吸附材料易于吸附离子，于是可以将液晶103材料中受电场作用移动并聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的靠近第一配向膜1012的区域的杂质离子进行吸附，将液晶103中杂质离子吸附并限制于第一配向膜1012所处的遮光区，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
33.请结合图1和图5，其中，图5为本技术显示面板的第五实施例的结构示意图。本实施例中，显示面板10包括相对设置的阵列基板102与对置基板101，阵列基板102和对置基板
101之间设置有液晶103；对置基板101包括第一衬底1011和第一配向膜1012，第一配向膜1012设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上；阵列基板102包括第二衬底1021和第二配向膜1022，第二配向膜1022铺设于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上。显示面板10还包括黑矩阵1013，黑矩阵1013设置于第一衬底1011和第二衬底1021之间；黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反。与上述第一实施例的区别在于，本实施例中，第一电极线1041设置于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上，第二配向膜1022覆盖在第一电极线1041上，第二电极线1042设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上，第一配向膜1012覆盖在第二电极线1042上，即第一电极线1041设置在阵列基板102一侧，第二电极线1042设置在对置基板101一侧。可以理解的是，在与黑矩阵1013位于第二衬底1021上的正投影的范围对应的位置设置电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反，并且第一电极线1041设置在阵列基板102一侧，第二电极线1042设置在对置基板101一侧，通过对第一电极线1041和第二电极线1042施加电场，可以使液晶103材料中的杂质离子受电场作用移动并聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的靠近第一配向膜1012和第二配向膜1022的区域，由于黑矩阵1013的正投影所对应的区域为遮光区，不影响显示效果，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
34.请结合图1、图5和图6，图6为本技术显示面板的第六实施例的结构示意图。本实施例中，显示面板10包括相对设置的阵列基板102与对置基板101，阵列基板102和对置基板101之间设置有液晶103；对置基板101包括第一衬底1011和第一配向膜1012，第一配向膜1012设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上；阵列基板102包括第二衬底1021和第二配向膜1022，第二配向膜1022铺设于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上。显示面板10还包括黑矩阵1013，黑矩阵1013设置于第一衬底1011和第二衬底1021之间；黑矩阵1013在第二衬底1021上的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反。第一电极线1041设置于第二衬底1021朝向对置基板101一侧的表面上，第二配向膜1022覆盖在第一电极线1041上，第二电极线1042设置于第一衬底1011朝向阵列基板102一侧的表面上，第一配向膜1012覆盖在第二电极线1042上。与上述第五实施例的区别在于，本实施例中，第二配向膜1022覆盖第一电极线1041的部分，即第二配向膜1022的吸附部分10220，包括离子吸附材料，第一配向膜1012覆盖第二电极线1042的部分，即第一配向膜1012的吸附部分10120，包括离子吸附材料。可以理解的是，由于黑矩阵1013的正投影区域所对应的这部分的第一配向膜1012和第二配向膜1022复合有离子吸附材料，离子吸附材料易于吸附离子，于是可以将液晶103材料中受电场作用移动并聚集至黑矩阵1013的正投影所对应的靠近第一配向膜1012和第二配向膜1022的区域的杂质离子进行吸附，将液晶103中杂质离子吸附并限制于第一配向膜1012和第二配向膜1022所处的遮光区，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
35.在一实施例中，请结合图1至图6，黑矩阵1013可以设置在对置基板101一侧，黑矩阵1013自第一衬底1011朝向阵列基板102一侧延伸，黑矩阵1013位于第一衬底1011和第一
配向膜1012之间，此时在黑矩阵1013朝向阵列基板102一侧的投影的正下方设置电极线组104。
36.在其他实施例中，请结合图7，黑矩阵1013也可以设置在阵列基板102一侧，黑矩阵1013在阵列基板102一侧的位置可以根据需要进行设置。例如，在一应用场景中，黑矩阵1013可以位于薄膜晶体管1023与第二配向膜1022之间，在另一应用场景中，黑矩阵1013也可以位于第二衬底1021与薄膜晶体管1023之间。
37.在一实施例中，本技术的离子吸附材料包括氧化铁、铁氰化镍、氧化铟锡、氧化镧锡中的至少一种。
38.请结合图1至图8，其中，图8为本技术显示面板的一实施例的电极线组的走线示意图。本实施例在前述各实施例的基础上，将电极线组104中的第一电极线1041和第二电极线1042设置成与数据线105平行的形式，此时，第一电极线1041和第二电极线1042对应一列像素106，第一电极线1041和第二电极线1042与其相邻的数据线105之间可以形成电场，并且第一电极线1041和第二电极线1042还可以与其对应的一列像素106相邻的另一列像素106的数据线105也形成电场。
39.请结合图1至图7、图9，其中，图9为本技术显示面板的另一实施例的电极线组的走线示意图。本实施例在前述各实施例的基础上，将电极线组104中的第一电极线1041和第二电极线1042设置成与栅极线107平行的形式，此时，第一电极线1041和第二电极线1042对应一排像素106，第一电极线1041和第二电极线1042与其相邻的栅极线107之间可以形成电场，并且第一电极线1041和第二电极线1042还可以与其对应的一排像素106相邻的另一排像素106的栅极线107也形成电场。
40.本技术还提供了一种显示装置(未图示)，显示装置包括显示面板和背光模组，其中，显示面板为上述任意一种显示面板10，背光模组用于为显示面板10提供照明。
41.本技术的显示装置中的显示面板10，通过在黑矩阵1013朝向阵列基板102一侧的正投影的范围内设置有电极线组104，电极线组104包括并排设置的第一电极线1041和第二电极线1042，第一电极线1041和第二电极线1042的极性相反，使得在显示面板10点亮之前对第一电极线1041和第二电极线1042施加电场，可以提前将液晶103中的杂质离子聚集至黑矩阵1013的正投影下方区域，由于黑矩阵1013的正投影下方区域为遮光区，不影响显示效果，从而可以有效解决显示面板10产生残像的问题，提高显示面板10的显示品质。
42.应当说明的是，在本技术中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
43.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效原理变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。