一种单结晶体管结构及其制造方法

技术特征：
1.一种单结晶体管结构，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底上依次设置有第一氧化层、配置层和第二氧化层，在所述第二氧化层上设置有第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区；所述沟道区位于所述第一高掺杂区和所述第二高掺杂区之间，所述沟道区分别与所述第一高掺杂区和所述第二高掺杂区欧姆接触，所述配置层用于接入偏置电压。2.根据权利要求1所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述配置层连接有引出部，所述引出部从所述第一高掺杂区和/或所述第二高掺杂区远离所述沟道区的一侧引出。3.根据权利要求2所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述引出部与所述第一高掺杂区和/或所述第二高掺杂区之间设置有隔离区。4.根据权利要求3所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述隔离区的材料为si3n4。5.根据权利要求1所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述第一高掺杂区和所述第二高掺杂区为n型高掺杂。6.根据权利要求1所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述沟道区为n型低掺杂。7.根据权利要求1所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述配置层的材料为si。8.根据权利要求1所述的单结晶体管结构，其特征在于，还包括第三高掺杂区；所述第三高掺杂区位于所述沟道区上方，并与所述沟道区形成发射结。9.根据权利要求8所述的单结晶体管结构，其特征在于，所述第三高掺杂区为p型高掺杂区。10.一种单结晶体管结构制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方依次形成所述第一氧化层、所述配置层、所述第二氧化层以及顶层硅膜；对所述顶层硅膜的第一区域、第二区域和第三区域分别进行掺杂，形成第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区；在所述配置层上方形成与所述配置层连接的引出部；其中，所述引出部从所述第一高掺杂区和/或所述第二高掺杂区远离所述沟道区的位置延伸出；在所述引出部与所述第一高掺杂区和/或所述第二高掺杂区之间形成隔离区。

技术总结
本发明实施例提供的一种单结晶体管结构及其制造方法，其中单结晶体管结构包括：衬底、第一氧化层、配置层、第二氧化层、第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区。第一氧化层形成在衬底上；配置层形成在第一氧化层上；第二氧化层形成在配置层上，第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区均形成在第二氧化层上，沟道区位于第一高掺杂区和第二高掺杂区之间并欧姆接触。本发明能够实现对单结晶体管结构的器件性能进行灵活调整，以应用于不同应用环境。以应用于不同应用环境。以应用于不同应用环境。


技术研发人员：刘凡宇 李博 李彬鸿 黄杨 杨灿 王国庆 罗家俊 韩郑生
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2021.01.27
技术公布日：2022/7/29