显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求2021年1月8日提交的第10-2021-0002584号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
2.一个或多个实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法，并且更具体地，涉及在基板变形时防止损坏显示装置的同时具有提高的光效的显示装置和制造该显示装置的方法。


背景技术：

3.显示装置可以可视化地显示数据。显示装置可以用作诸如移动电话的小尺寸产品的显示单元，或者可以用作诸如电视的大尺寸产品的显示单元。
4.近来，随着显示装置的使用多样化，已经进行了各种尝试来提高显示装置的质量和功能。具体地，对可以被折叠或卷曲成卷形的柔性显示装置和可以被改变成各种形式的可伸展显示装置等已经进行了积极的研究和开发。


技术实现要素：

5.一个或多个实施例包括在基板变形时防止损坏显示装置的同时具有提高的光效的显示装置和制造该显示装置的方法。
6.根据实施例，显示装置包括：基板，包括第一区域以及在彼此不同的方向上从第一区域延伸的多个第二区域；发光器件，设置在第一区域上，其中发光器件包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的中间层；第一有机层，设置在第一区域上并且延伸使得发光器件被设置在第一区域的内部，其中从第一有机层的上表面到基板的上表面的距离大于从第一电极的上表面到基板的上表面的距离；以及断开部分，设置在第一有机层上，其中断开部分包括尖端，尖端的上表面的边缘在远离第一有机层的中心的方向上比第一有机层的上表面的边缘更突出。
7.根据实施例，中间层可以包括功能层，并且功能层可以覆盖第一区域，并且可以包括设置在断开部分上并且由尖端断开的部分。
8.根据实施例，第二电极可以覆盖第一区域，并且可以包括设置在断开部分上并且由尖端断开的部分。
9.根据实施例，显示装置可以进一步包括：像素限定层，设置在第一电极上，其中像素开口可以被限定为穿过像素限定层以暴露第一电极的上表面的一部分，并且第一有机层和像素限定层可以包括彼此相同的材料并且可以具有彼此相同的层结构。
10.根据实施例，显示装置可以进一步包括：像素限定层，设置在第一电极上，其中像素开口可以被限定为穿过像素限定层以暴露第一电极的上表面的一部分；以及附加有机层，设置在像素限定层上，其中开口可以被限定为穿过附加有机层以与像素开口重叠，其中第一有机层和附加有机层可以包括彼此相同的材料并且可以具有彼此相同的层结构。
11.根据实施例，断开部分可以包括：第一部分，覆盖第一有机层的上表面的至少一部分，其中第一部分的下表面的形状可以与第一有机层的上表面的对应部分的形状基本相同；第二部分，从第一部分的端部延伸到第一有机层的边缘，其中第二部分的下表面的形状可以与第一有机层的上表面的对应部分的形状基本相同；以及第三部分，在远离第一有机层的方向上从第二部分的端部延伸。
12.根据实施例，断开部分可以包括：第一部分，覆盖第一有机层的上表面的至少一部分，其中第一部分的下表面的形状可以与第一有机层的上表面的对应部分的形状基本相同；以及第二部分，在远离第一有机层的方向上从第一部分的端部延伸，其中第二部分的下表面可以与第一有机层的上表面间隔开。
13.根据实施例，显示装置可以进一步包括：封装层，覆盖第二电极的上表面、第一有机层的侧表面和断开部分的侧表面，其中封装层可以包括无机封装层和有机封装层。
14.根据实施例，显示装置可以进一步包括：电源线，设置在多个第二区域中的至少一个第二区域上并且朝向第一区域延伸；以及连接电极，设置在第一区域上并且电连接到第二电极和电源线。
15.根据实施例，显示装置可以进一步包括：第二有机层，覆盖连接电极的至少一部分和第一电极的至少一部分，其中断开部分可以与第二有机层不重叠。
16.根据实施例，制造显示装置的方法包括：在基板的第一区域之上提供第一电极；提供覆盖第一区域的有机材料层并图案化有机材料层以形成第一有机层，第一有机层沿第一区域的边缘延伸，使得第一电极位于第一区域的内部，其中从第一有机层的上表面到基板的上表面的距离大于从第一电极的上表面到基板的上表面的距离；提供覆盖第一区域的牺牲材料层并图案化牺牲材料层以形成牺牲层，开口被限定为穿过牺牲层以暴露第一有机层的上表面；提供覆盖第一区域的无机材料层并图案化无机材料层以形成设置在第一有机层上的断开部分，其中断开部分包括尖端，尖端的上表面的边缘在远离第一有机层的中心的方向上比第一有机层的上表面的边缘更突出；移除牺牲层；并且提供覆盖第一区域的中间层和覆盖中间层的第二电极。
17.根据实施例，中间层可以包括功能层，并且功能层可以包括设置在断开部分上并且由尖端断开的部分。
18.根据实施例，第二电极可以包括设置在断开部分上并且由尖端断开的部分。
19.根据实施例，提供第一有机层可以包括：图案化有机材料层以形成第一有机层和设置在第一电极上的像素限定层，其中像素开口可以被限定为穿过像素限定层以暴露第一电极的上表面的一部分。
20.根据实施例，该方法可以进一步包括：提供设置在第一电极上的像素限定层，其中像素开口被限定为穿过像素限定层以暴露第一电极的上表面的一部分，其中提供第一有机层可以包括：图案化有机材料层以形成第一有机层和设置在像素限定层上的附加有机层，其中开口可以被限定为穿过附加有机层以与像素开口重叠。
21.根据实施例，提供牺牲层可以包括：通过对齐掩模使得掩模的开口的边缘与第一有机层的边缘重合来执行图案化工艺。
22.根据实施例，断开部分可以包括：第一部分，覆盖第一有机层的上表面的至少一部分，其中第一部分的下表面的形状可以与第一有机层的上表面的对应部分的形状基本相
同；第二部分，从第一部分的端部延伸到第一有机层的边缘，其中第二部分的下表面的形状可以与第一有机层的上表面的对应部分的形状基本相同；以及第三部分，在远离第一有机层的方向上从第二部分的端部延伸。
23.根据实施例，提供牺牲层可以包括：通过对齐掩模使得掩模的开口的边缘比第一有机层的边缘更靠近第一有机层的中心来执行图案化工艺。
24.根据实施例，断开部分可以包括：第一部分，覆盖第一有机层的上表面的至少一部分，其中第一部分的下表面的形状可以与第一有机层的上表面的对应部分的形状基本相同；以及第二部分，在远离第一有机层的方向上从第一部分的端部延伸，其中第二部分的下表面可以与第一有机层的上表面间隔开。
25.根据实施例，该方法可以进一步包括：提供覆盖第二电极的上表面、第一有机层的侧表面和断开部分的侧表面的封装层，其中封装层可以包括无机封装层和有机封装层。
26.从下面的详细描述、所附权利要求和附图，本发明的实施例的除以上描述那些特征之外的其他特征将变得显而易见。
27.此外，本发明的实施例的这些总体和具体特征可以通过使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的任意组合来实现。
附图说明
28.从下面结合附图的描述，特定实施例的以上和其他特征将更显而易见，在附图中：
29.图1a是示意性地图示根据实施例的显示装置的平面图；
30.图1b是图1a的被圈出部分的放大图；
31.图2是在可替代的配置中的图1a的被圈出部分的放大平面图；
32.图3是示意性地图示在根据实施例的显示装置中包括的基本单元之上的结构的平面图；
33.图4是在根据实施例的显示装置中包括的像素的等效电路图；
34.图5a是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图；
35.图5b是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图；
36.图5c是示意性地图示根据另一可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图；
37.图6是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图；
38.图7至图12是依次图示根据实施例的制造显示装置的方法的一部分的截面图；
39.图13a至图13c是依次图示根据实施例的形成断开部分的工艺的截面图；
40.图14至图16是依次图示根据实施例的制造显示装置的方法的一部分的截面图；
41.图17至图21是依次图示根据可替代的实施例的制造显示装置的方法的一部分的截面图；
42.图22是示意性地图示根据实施例的显示装置的透视图；
43.图23a至图23c是示意性地图示图22的显示装置的一部分的截面图；
44.图24是示意性地图示在图22的显示装置中包括的显示面板的平面图；
45.图25是示意性地图示图24的显示面板的一部分的放大平面图；
46.图26是示意性地图示图24的显示面板的一部分的放大平面图；
47.图27a是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图；
48.图27b是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图；并且
49.图27c是示意性地图示根据另一可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图。
具体实施方式
50.现在将在下文中参考在其中示出各个实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。贯穿全文，相同的附图标记指相同的元件。
51.将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件“上”，或者在该元件和另一元件之间可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间元件。
52.将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用来描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分相区分。因此，以下讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分，而不脱离本文中的教导。
53.本文中使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在限制。如本文中使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不指代数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指示。例如，“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。
54.此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如附图中图示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中描绘的方位之外，相对术语旨在涵盖设备的不同方位。例如，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件“下”侧的元件将随之被定向为在其它元件“上”侧。因此，取决于附图的具体方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件“上方”。因此，术语“下方”和“下面”可以涵盖上方和下方两种方位。
55.为了便于描述，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，由于为了便于描述而任意地图示了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
56.当特定实施例可以被不同地实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时地执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
57.除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，
并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中特意地如此限定。
58.将理解，当层、区或部件被称为“连接到”另一层、区或部件时，该层、区或部件可以“直接连接到”另一层、区或部件，或者可以“间接连接到”另一层、区或部件，而一个或多个居间层、区或部件在该层、区或部件和另一层、区或部件之间。例如，将理解，当层、区或部件被称为“电连接到”另一层、区或部件时，该层、区或部件可以“直接电连接到”另一层、区或部件，或者可以“间接电连接到”另一层、区或部件，而一个或多个居间层、区或部件在该层、区或部件和另一层、区或部件之间。
59.x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
60.在本文中，参考是理想化的实施例的示意性图示的截面图示描述实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于本文中图示的区的具体形状，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，被图示或被描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，图示的尖角可以是被倒圆的。因此，附图中图示的区实际上是示意性的，并且附图中图示的区的形状不旨在图示区的精确的形状并且不旨在限制本权利要求的范围。
61.在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。
62.图1a是示意性地图示根据实施例的显示装置1的平面图，图1b是图1a的被圈出部分的放大图，并且图2是在可替代的配置中的图1a的被圈出部分的放大平面图。
63.参考图1a，显示装置1可以包括基板100以及设置在基板100上或位于基板100之上的显示单元200。
64.在实施例中，基板100可以包括诸如玻璃、金属或有机材料的各种材料。在可替代的实施例中，基板100可以包括柔性材料。在一个实施例中，例如，基板100可以包括超薄柔性玻璃(例如，数十至数百μm的厚度)或聚合物树脂。在基板100包括聚合物树脂的实施例中，基板100可以包括聚酰亚胺。可替代地，基板100可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)、聚苯硫醚、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素。
65.在实施例中，如图1b中所示，基板100可以包括彼此间隔开的多个第一区域101、将多个第一区域101彼此连接的多个第二区域102以及被限定为在多个第二区域102之间穿过基板100的多个分隔区域v。
66.多个第一区域101中的每个第一区域101可以具有孤立的形状，并且可以是孤立的区域。第一区域101可以被布置成彼此隔开。尽管图1a和图1b图示了在其中第一区域101具有近似十字形(“ ”)形状的实施例，但是本公开不限于此，并且第一区域101的形状可以被不同地修改。多个第一区域101可以通过在第一方向(例如，x方向)和与第一方向交叉的第二方向(例如，y方向)上重复布置来形成或构成网格图案。在实施例中，第一方向和第二方向可以彼此垂直。在可替代的实施例中，第一方向和第二方向可以在它们之间形成钝角或锐角。
67.在实施例中，显示单元200可以被设置在多个第一区域101中的每个第一区域101上或位于多个第一区域101中的每个第一区域101之上。显示单元200可以包括至少一个像素，并且像素可以包括发射可见光波段内的光的发光器件。在一个实施例中，例如，红色像
素、绿色像素、蓝色像素和/或白色像素可以被布置在第一区域101中的每个第一区域101上。
68.多个第二区域102可以是将邻近的第一区域101彼此连接的部分。第二区域102中的每个第二区域102可以连接到第一区域101和与该第一区域101邻近布置的另一第一区域101。在实施例中，第一区域101中的每个第一区域101可以连接到在不同方向上延伸的四个第二区域102，并且可以通过第二区域102连接到邻近的第一区域101。在一个实施例中，例如，第一区域101可以连接到在围绕第一区域101的方向上布置的四个第一区域101。在可替代的实施例中，多个第一区域101和多个第二区域102可以彼此一体地形成为单个整体单元。
69.在下文中，为了便于描述，一个第一区域101和与该第一区域101连接的第二区域102将被定义为一个基本单元u。基本单元u可以在第一方向和第二方向上重复布置，并且基板100可以被理解为通过将重复布置的基本单元u彼此连接而形成。彼此邻近的两个基本单元u可以彼此对称。在一个实施例中，例如，在水平方向上彼此邻近的两个基本单元u可以相对于位于它们之间并且平行于y方向的对称轴水平对称。在这样的实施例中，在垂直方向上彼此邻近的两个基本单元u可以相对于位于它们之间并且平行于x方向的对称轴垂直对称。
70.在多个基本单元u当中，邻近的基本单元u(例如，图1b中图示的四个基本单元u)可以在它们之间形成闭合曲线cl。闭合曲线cl可以限定是空的空间的分隔区域v。在一个实施例中，例如，分隔区域v可以由闭合曲线cl限定，闭合曲线cl由多个第一区域101的边缘和多个第二区域102的边缘形成。
71.分隔区域v可以穿透基板100的上表面和下表面，或者被限定为穿过基板100的上表面和下表面。基板100以及基板100之上的部件可以不被布置在分隔区域v中。在这样的实施例中，由于显示面板包括分隔区域v，因此可以减小显示面板的重量，并且可以提高显示面板的灵活性。在这样的实施例中，当外力(例如，弯折力、弯曲力或拉力)被施加到显示面板时，分隔区域v的形状可以改变。因此，当显示面板变形时，可以容易地减小由于变形而在显示面板中产生的应力，以防止显示面板的异常变形并提高显示面板的耐久性。
72.在基本单元u中包括的第一区域101和第二区域102的布置可以变化。具体地，当诸如拉力(即，用于拉基板100的力)的外力被施加到基板100时，第一区域101的边缘与第二区域102的边缘之间的角以及分隔区域v的面积或形状可以改变。
73.图1b示出了当外力未被施加到基板100时基板100的形状，并且图2示出了当外力被施加到基板100时基板100在第一方向和第二方向上拉伸的形状。参考图1b和图2，当外力被施加到基板100时，第一区域101的边缘与第二区域102的边缘之间的角可以从θ增加到θ'，并且可以形成具有改变的面积和/或形状的分隔区域v'。因此，第一区域101中的每个第一区域101可以以一定角度旋转，并且第一区域101之间的距离可以改变。在一个实施例中，例如，第一区域101之间的第一距离可以从d1改变到d1'，并且第一区域101之间的第二距离可以从d2改变到d2'。在这样的实施例中，第一区域101之间的距离的改变可以根据位置而变化。
74.在实施例中，当拉力被施加到基板100时，由于应力可能集中在连接到第一区域101的边缘的第二区域102上，因此限定分隔区域v的闭合曲线cl可以包括用于防止损坏显示面板的曲线。
75.图3是示意性地图示在根据实施例的显示装置中包括的基本单元之上的结构的平面图，并且图4是在根据实施例的显示装置中包括的像素的等效电路图。
76.参考图3，各自包括发光器件的像素可以被布置在基板100的第一区域101之上。从发光器件发射的光可以通过在平面图中具有一定面积的发射区域被提供。图3图示了基本单元之上的像素中的每个像素的发射区域。在一个实施例中，例如，红色发射区域ear、蓝色发射区域eab和绿色发射区域eag可以被设置在第一区域101上或位于第一区域101之上。
77.在实施例中，如图4中图示的，像素中的每个像素可以包括像素电路pc以及电连接到像素电路pc的发光器件。在实施例中，发光器件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。在下文中，为了便于描述，将详细描述在其中像素中的每个像素包括有机发光二极管oled作为发光器件的实施例。
78.像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。每个像素可以从有机发光二极管oled发射例如红光、绿光或蓝光或者红光、绿光、蓝光或白光。作为开关薄膜晶体管，第二晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以被配置为响应于从扫描线sl输入的开关电压而将从数据线dl输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst可以连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以被配置为存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和供给到驱动电压线pl的第一电力电压elvdd之间的差相对应的电压。
79.作为驱动薄膜晶体管，第一薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以被配置为响应于存储在存储电容器cst中的电压值而控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以对应于驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管oled的第二电极(例如，阴极)可以被供给第二电力电压elvss。
80.尽管图4图示了在其中像素电路pc包括两个薄膜晶体管t1和t2和单个存储电容器cst的实施例，但是本公开不限于此。在本发明的实施例中，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计被不同地修改。
81.在实施例中，如图3中所示，在第一区域101之上的像素可以被无机接触区域ica完全围绕。在这样的实施例中，当在与基板100的上表面垂直的方向(或厚度方向)上观看时，无机接触区域ica可以完全围绕发射区域。在实施例中，如图3中所示，在平面图中，红色像素的红色发射区域ear、蓝色像素的蓝色发射区域eab和绿色像素的绿色发射区域eag被无机接触区域ica完全围绕；然而，本公开不限于此。在实施例中，布置在第一区域101之上并且被无机接触区域ica围绕的像素的数量和布置可以根据设计而被不同地修改。
82.无机接触区域ica可以是通过使包括无机材料的至少两个层直接接触而形成的区域，并且可以防止外部水分渗透到在每个像素中包括的发光器件中。无机接触区域ica可以沿第一区域101的边缘延伸，并且像素可以被布置在无机接触区域ica内部。在实施例中，用于将特定电压施加到每个有机发光二极管oled的第二电极的第二电极连接部分(在下文中被称为连接部分)cecnp可以包括在无机接触区域ica内部。
83.图5a是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图，图5b是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图，并且图5c是示意性地图示根据另一可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图。图5a至图5c可以与显示装置的沿图3的
线i-i'截取的截面图相对应。
84.参考图5a至图5c，在实施例中，基板100可以包括基底层和阻挡层。在实施例中，基板100可以包括彼此顺序地堆叠的第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。
85.第一基底层100a和第二基底层100c可以各自包括聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、pet、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素等。
86.第一阻挡层100b和第二阻挡层100d可以是用于防止异物的渗透的阻挡层。第一阻挡层100b和第二阻挡层100d中的每个可以包括包含诸如氮化硅、氧氮化硅和/或氧化硅的无机材料的单层或多层。
87.像素电路pc以及电连接到像素电路pc的有机发光二极管oled可以被设置在基板100的第一区域101(参见图3)上或位于基板100的第一区域101(参见图3)之上。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst，如以上参考图4描述的。
88.缓冲层111可以被设置或布置在基板100与像素电路pc之间，并且可以防止杂质渗透到薄膜晶体管tft中。缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含无机绝缘材料的单层或多层。
89.薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。图5a图示了在其中栅电极ge被布置在半导体层act之上而栅绝缘层112在栅电极ge和半导体层act之间的顶栅类型的实施例；然而，根据可替代的实施例，薄膜晶体管tft可以是底栅类型的。
90.半导体层act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层act可以包括非晶硅，可以包括氧化物半导体，或者可以包括有机半导体等。栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含从以上材料中选择的至少一种的单层或多层。
91.半导体层act与栅电极ge之间的栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。栅绝缘层112可以包括包含从以上材料中选择的至少一种的单层或多层。
92.源电极se和漏电极de可以被设置在彼此相同的层中，例如，直接被设置在第二层间绝缘层114上，并且可以包括彼此相同的材料。源电极se和漏电极de可以包括具有高导电性的材料。源电极se和漏电极de可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含从以上材料中选择的至少一种的单层或多层。在实施例中，源电极se和漏电极de可以包括钛层、铝层和钛层(ti/al/ti)的多层结构。
93.存储电容器cst可以包括彼此重叠的下电极ce1和上电极ce2，而第一层间绝缘层113在下电极ce1和上电极ce2之间。存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft重叠。在实施例中，如图5a中所示，薄膜晶体管tft的栅电极ge是存储电容器cst的下电极ce1。在可替代的实施例中，存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft不重叠。存储电容器cst可以被第二层间绝缘层114覆盖。存储电容器cst的上电极ce2可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含从以上材料中选择的至少一种的单层或多层。
94.第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114可以包括包含从以上材料中
选择的至少一种的单层或多层。
95.薄膜晶体管tft和存储电容器cst可以被第一有机绝缘层115覆盖，并且第一无机绝缘层pvx1可以位于第一有机绝缘层115之下。第一无机绝缘层pvx1可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料。
96.第二有机绝缘层116可以被设置在第一有机绝缘层115上。在可替代的实施例中，第二有机绝缘层116可以被省略，或者附加的有机绝缘层可以被设置在第二有机绝缘层116之上。第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116可以包括有机绝缘材料。在一个实施例中，例如，第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116可以包括从诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)或聚苯乙烯(“ps”)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的任意共混物中选择的至少一种。
97.第二无机绝缘层pvx2可以被设置在第二有机绝缘层116上或位于第二有机绝缘层116之上，并且第一电极211可以被设置在第二无机绝缘层pvx2上或位于第二无机绝缘层pvx2之上。第二无机绝缘层pvx2可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料。
98.第一电极211可以电连接到像素电路pc的薄膜晶体管tft。在实施例中，如图5a中所示，薄膜晶体管tft和第一电极211通过第一有机绝缘层115上的接触金属cm电连接。在实施例中，接触金属cm可以包括与源电极se和漏电极de相同的材料，并且可以具有与源电极se和漏电极de相同的层结构。
99.第一电极211可以包括诸如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(“zno”)、氧化铟(“in2o
3”)、氧化铟镓(“igo”)或氧化铝锌(“azo”)的透明导电氧化物。在可替代的实施例中，第一电极211可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的任意化合物的反射层。在可替代的实施例中，第一电极211可以进一步包括在反射层之上/之下、由ito、izo、zno或in2o3形成的层。在一个实施例中，例如，第一电极211可以具有在其中ito层、银(ag)层和ito层被堆叠的三层结构。
100.像素限定层118可以覆盖第一电极211的边缘，并且像素开口118op可以被限定为穿过像素限定层118以与第一电极211的中心部分重叠，从而限定发射区域。在一个实施例中，例如，像素开口118op的面积可以与发射区域的面积相对应。在一个实施例中，例如，像素开口118op的面积可以与以上参考图3描述的红色像素的红色发射区域ear(参见图3)的面积相对应。在这样的实施例中，蓝色像素的蓝色发射区域eab(参见图3)和绿色像素的绿色发射区域eag(参见图3)中的每个可以由第一电极211上的像素限定层118的像素开口118op限定。
101.像素限定层118可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，像素限定层118可以包括无机绝缘材料。可替代地，像素限定层118可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
102.中间层212可以被设置在像素限定层118和/或第一电极211之上。中间层212可以包括发射层212b。发射层212b可以包括用于发射预设颜色的光的诸如高分子量有机材料或低分子量有机材料的有机发光材料。可替代地，发射层212b可以包括无机发光材料或者可以包括量子点。第一功能层212a和第二功能层212c可以分别被设置在发射层212b之下和之上。
103.第一功能层212a可以包括单层或多层。在一个实施例中，例如，第一功能层212a可以是具有单层结构的空穴传输层(“htl”)，并且可以包括聚-(3,4-乙烯-二氧噻吩)(“pedot”)或聚苯胺(“pani”)或由聚-(3,4-乙烯-二氧噻吩)(“pedot”)或聚苯胺(“pani”)形成。可替代地，第一功能层212a可以包括空穴注入层(“hil”)和htl。
104.第二功能层212c可以包括单层或多层。第二功能层212c可以包括电子传输层(“etl”)和/或电子注入层(“eil”)。
105.图5a至图5c图示了在其中中间层212包括第一功能层212a和第二功能层212c两者的实施例；然而，在可替代的实施例中，中间层212可以选择性地包括第一功能层212a和第二功能层212c。在一个实施例中，例如，中间层212可以不包括第二功能层212c。
106.中间层212的发射层212b可以针对每个像素被提供，而第一功能层212a和第二功能层212c中的每个可以一体地形成为单个整体单元以覆盖多个像素。在一个实施例中，例如，第一功能层212a和第二功能层212c中的每个可以一体地形成为单个整体单元以覆盖红色像素的红色发射区域ear(参见图3)、蓝色像素的蓝色发射区域eab(参见图3)和绿色像素的绿色发射区域eag(参见图3)。
107.第二电极213可以包括具有低功函数的导电材料。例如，在一个实施例中，第二电极213可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的任意合金的(半)透明层。可替代地，第二电极213可以进一步包括在包括从以上材料中选择的至少一种的(半)透明层之上的诸如ito、izo、zno或in2o3的层。在一个实施例中，例如，第二电极213可以一体地形成为单个整体单元，以覆盖红色像素的红色发射区域ear(参见图3)、蓝色像素的蓝色发射区域eab(参见图3)和绿色像素的绿色发射区域eag(参见图3)。在一个实施例中，例如，第二电极213可以完全覆盖基板100的第一区域101。
108.第二电极213的上部可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层300可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
109.封装层300的至少一个无机封装层可以直接与第二无机绝缘层pvx2的在第一区域101的边缘区域(外围区域)之上的一部分接触，以形成无机接触区域ica。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。丙烯酸类树脂可以包括例如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等。
110.有机封装层320可以仅被设置在基板100的每个第一区域101之上。因此，以上参考图1a、图1b和图2描述的显示装置1可以被理解为包括设置在第一区域101之上并且彼此间隔开的有机封装层320。
111.有机封装层320可以覆盖设置在第一区域101的边缘区域之上的第二无机绝缘层pvx2上的堤坝部分119的侧表面的一部分。堤坝部分119可以包括设置在第二无机绝缘层pvx2上的第一图案层119a以及设置在第一图案层119a上的第二图案层119b。在实施例中，第一图案层119a和第二图案层119b可以是有机层。
112.第一图案层119a可以被布置成与分隔区域v(参见图1b)邻近。在实施例中，第一图
案层119a和像素限定层118可以包括彼此相同的材料，并且具有彼此相同的层结构。在可替代的实施例中，第二图案层119b可以用作间隔件。第二图案层119b可以防止在显示装置制造工艺中损坏布置在第二图案层119b下面的结构和层。
113.在实施例中，断开部分150可以被设置在第一区域101上。断开部分150可以防止诸如由于水分通过分隔区域v的流入而损坏发光器件的缺陷。在这样的实施例中，断开部分150可以通过使在基板100之上形成的各层当中的可以变成水分移动路径的层断开(或分离)，来防止水分渗透到第一区域101中。在基板100上的各层当中，包括有机材料的层可以变成水分传播路径。在一个实施例中，例如，断开部分150可以使第二电极213和/或在中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分断开。
114.断开部分150可以沿第一区域101的边缘延伸或布置，并且可以完全围绕第一区域101之上的像素。即，当在与基板100的上表面垂直的方向(例如，z方向)上观看时，断开部分150可以完全围绕发射区域。
115.断开部分150可以具有能够使功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分和/或第二电极213断开的结构。在实施例中，断开部分150的上表面的边缘可以包括在远离断开部分150的中心的方向上比断开部分150位于其上的层的上表面的对应边缘更突出的尖端pt。
116.在实施例中，包括尖端pt的断开部分150可以在形成中间层212和第二电极213的工艺之前被形成。具有相对差的台阶覆盖的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)可以被断开或分离。第一功能层212a和/或第二功能层212c可以通过热沉积来形成，并且当第一功能层212a和/或第二功能层212c被沉积时，第一功能层212a和/或第二功能层212c可以通过断开部分150的尖端pt的结构不连续地形成。在这样的实施例中，第二电极213也可以通过热沉积来形成，并且可以通过断开部分150不连续地形成。
117.在实施例中，具有相对高的台阶覆盖的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以沿断开部分150的形状连续地形成。
118.在实施例中，如图5a和图5b中图示的，断开部分150可以被设置在被设置在第一电极211上的有机层中的任一个有机层上或位于被设置在第一电极211上的有机层中的任一个有机层之上。在这样的实施例中，断开部分150可以被设置在任意有机层上或形成在任意有机层之上，从该有机层的上表面到基板100的上表面的距离大于从第一电极211的上表面到基板100的上表面的距离。
119.图5a图示了在其中断开部分150位于其上的有机层是像素限定层118或者是与像素限定层118包括相同的材料并且具有相同的层结构的有机材料层的实施例。图5b图示了在其中断开部分150位于其上的有机层是设置在像素限定层118上或位于像素限定层118之上的附加有机层120或者是与附加有机层120包括相同的材料并且具有相同的层结构的有机材料层的可替代的实施例。在这样的实施例中，附加有机层120可以用作间隔件，并且可以与堤坝部分119的第二图案层119b包括相同的材料并且具有相同的层结构。
120.在这样的实施例中，断开部分150可以包括尖端pt。在这样的实施例中，断开部分150的上表面的边缘可以包括在远离断开部分150的中心或有机层的中心的方向上比断开部分150所在的有机层的上表面的对应边缘更突出的尖端pt。断开部分150的尖端pt可以使第二电极213和/或在中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层
212c)的至少一部分断开(或分离)。因此，在这样的实施例中，在覆盖第一区域101的中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分可以包括被设置在断开部分150上或位于断开部分150之上并且被尖端pt断开的部分。在这样的实施例中，覆盖第一区域101的第二电极213可以包括设置在断开部分150上或位于断开部分150之上并且被尖端pt断开的部分。
121.在实施例中，封装层300可以不被断开部分150断开，并且可以连续且完全覆盖第一区域101。在这样的实施例中，在封装层300中包括的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有相对良好的台阶覆盖，并且因此可以不被断开部分150断开，并且可以在覆盖断开部分150的同时沿尖端pt的形状延伸。在这样的实施例中，封装层300可以连续覆盖第二电极213的上表面、断开部分150位于其上的有机层的侧表面以及断开部分150的侧表面。
122.断开部分150可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料。在实施例中，断开部分150、第一无机绝缘层pvx1和/或第二无机绝缘层pvx2可以包括彼此相同的材料。
123.在可替代的实施例中，如图5c中图示的，断开部分150可以具有由位于第一电极211之下的第二无机绝缘层pvx2和有机绝缘层115和116形成的底切结构。具体地，断开部分150可以具有由第二无机绝缘层pvx2以及布置在第一无机绝缘层pvx1与第二无机绝缘层pvx2之间的有机绝缘层115和116中的至少一个形成的底切结构。
124.参考图5c，第一开口h1可以被限定为穿过第二无机绝缘层pvx2，第二开口h2可以被限定为穿过第二有机绝缘层116，并且第三开口h3可以被限定为穿过第一有机绝缘层115。在这样的实施例中，第一至第三开口h1、h2和h3可以彼此重叠。限定第一开口h1的第二无机绝缘层pvx2的上表面的边缘可以通过在朝向第一开口h1的中心的方向上比限定第二开口h2的第二有机绝缘层116的上表面的对应边缘和限定第三开口h3的第一有机绝缘层115的上表面的对应边缘更突出，来形成断开部分150的尖端pt。在这样的实施例中，当在与基板100的上表面垂直的方向上观看时，第一开口h1的面积可以小于第二开口h2的面积和第三开口h3的面积，并且第一开口h1的内边缘可以形成断开部分150的尖端pt。
125.与图5a和图5b中图示的断开部分150一样，具有图5c中图示的底切结构的断开部分150可以使第二电极213和/或在中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分断开(或分离)。因此，在覆盖第一区域101的中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分可以包括被尖端pt断开并且被设置在第一无机绝缘层pvx1的由第三开口h3暴露的上表面上或位于第一无机绝缘层pvx1的由第三开口h3暴露的上表面之上的部分。在这样的实施例中，覆盖第一区域101的第二电极213可以包括被尖端pt断开并且被设置在第一无机绝缘层pvx1的由第三开口h3暴露的上表面上或位于第一无机绝缘层pvx1的由第三开口h3暴露的上表面之上的部分。
126.当在与基板100的上表面垂直的方向上观看时，具有底切结构的断开部分150可以沿第一区域101的边缘形成，并且可以完全围绕布置在第一区域101之上的发射区域。
127.图6是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图。图6可以与显示装置的沿图3的线ii-ii'截取的截面图相对应。
128.参考图6，在实施例中，电源线wl和连接电极211p可以被设置在第一区域101(参见图3)上或位于第一区域101之上。
129.电源线wl可以是用于提供以上参考图4描述的第一电力电压elvdd(参见图4)或第二电力电压elvss(参见图4)的线。电源线wl可以被设置在第二区域102中的至少一个第二区域102上或位于第二区域102中的至少一个第二区域102之上，并且可以在朝向第一区域101的方向上延伸。
130.电源线wl可以电连接到第二电极213。参考图3和图6，在实施例中，电源线wl和第二电极213可以在由无机接触区域ica围绕的内部区域中电连接，从而形成连接部分cecnp。在实施例中，电源线wl可以包括与源电极se、漏电极de和/或接触金属cm相同的材料，并且可以具有与源电极se、漏电极de和/或接触金属cm相同的层结构。
131.在实施例中，如图6中图示的，孔可以被限定为穿过布置在电源线wl与第二电极213之间的层，以形成连接部分cecnp。在一个实施例中，例如，第一孔116h可以被限定为穿过第二有机绝缘层116以与电源线wl重叠，第二孔pvx2h可以被限定为穿过第二无机绝缘层pvx2，并且第三孔118h可以被限定为穿过像素限定层118。第一孔116h、第二孔pvx2h和第三孔118h可以彼此重叠。
132.连接电极211p可以被设置在第二无机绝缘层pvx2上。电源线wl和第二电极213可以通过连接电极211p电连接。在实施例中，连接电极211p可以通过第二有机绝缘层116的第一孔116h和第二无机绝缘层pvx2的第二孔pvx2h与电源线wl接触，并且第二电极213可以通过像素限定层118的第三孔118h与连接电极211p接触。在实施例中，连接电极211p和第一电极211可以包括彼此相同的材料，并且具有彼此相同的层结构。
133.在实施例中，像素限定层118可以覆盖连接电极211p的至少一部分和第一电极211的至少一部分。覆盖第一电极211的第二电极213可以通过在覆盖像素限定层118的同时延伸来覆盖连接部分cecnp。第二电极213可以在连接部分cecnp处与连接电极211p接触。在第二电极213连续地形成而不被断开以与连接电极211p接触的实施例中，以上描述的断开部分150可以不存在于覆盖连接电极211p的至少一部分的像素限定层118之上。在这样的实施例中，断开部分150可以被布置成在平面图中围绕像素的发射区域中的每个发射区域，并且可以不被布置在发射区域的边缘的至少一部分之上。第二电极213可以在发射区域的边缘的在其中不布置断开部分150的一部分中不被断开，并且可以朝向发射区域的外部延伸以与连接部分cecnp接触，或者可以延伸到另一发射区域的内部。因此，发射区域中的每个发射区域可以通过边缘的在其中不布置断开部分150的一部分电连接到连接部分cecnp，或者可以电连接到另一发射区域。
134.在实施例中，在位于第一区域101(参见图3)之上的发射区域当中的发射区域的边缘的在其中不布置断开部分150的一部分中延伸的第二电极213可以通过与连接部分cecnp接触而电连接，并且还可以通过位于第一区域101之上的另一发射区域的边缘的在其中不布置断开部分150的一部分延伸到该另一发射区域的内部。在可替代的实施例中，多个连接部分cecnp被布置在第一区域101中，并且在发射区域中的每个发射区域的边缘的在其中不布置断开部分150的一部分中延伸的第二电极213可以通过与邻近的连接部分cecnp接触而电连接。在这样的实施例中，布置在第二电极213之下的第一功能层212a和第二功能层212c可以不覆盖连接部分cecnp。在一个实施例中，例如，第一功能层212a的边缘212ae和第二功
能层212c的边缘212ce可以与无机接触区域ica间隔开一定距离，而连接部分cecnp在第一功能层212a的边缘212ae和第二功能层212c的边缘212ce与无机接触区域ica之间。图6图示了在其中第一功能层212a的边缘212ae和第二功能层212c的边缘212ce形成在像素限定层118之上的实施例；然而，本公开不限于此。在一个实施例中，例如，第一功能层212a和第二功能层212c可以在覆盖像素限定层118的侧表面的同时延伸，并且可以在连接电极211p的上表面之上被断开。在这样的实施例中，第一功能层212a的边缘212ae和第二功能层212c的边缘212ce可以被设置在连接电极211p的上表面之上。
135.图7至图12是依次图示制造图5a的显示装置的区a的工艺的截面图。在下文中，将参考图7至图12来主要描述制造图5a的显示装置的方法的实施例的工艺，并且为了简洁，与以上描述的元件相同或类似的元件的任何重复的详细描述将被省略。
136.在实施例中，如图7中图示的，像素电路pc以及电连接到像素电路pc的第一电极211可以被提供或形成在基板100的第一区域101之上。随后，有机材料层可以形成在像素电路pc和第一电极211上以覆盖第一区域101，并且有机材料层可以被图案化以形成有机层。在这样的实施例中，有机层可以沿第一区域101的边缘延伸或被布置，使得第一电极211可以位于有机层的内部，并且从有机层的上表面到基板100的上表面的距离可以大于从第一电极211的上表面到基板100的上表面的距离。在实施例中，在图7中形成的有机层可以包括像素限定层118和第一图案层119a。在这样的实施例中，像素限定层118和断开部分150位于其上的有机层可以彼此同时被形成。
137.随后，如图8和图9中图示的，牺牲材料层130m可以形成在有机层上以覆盖第一区域101，并且牺牲材料层130m可以被图案化以形成牺牲层130。
138.牺牲材料层130m可以是用于形成牺牲层130的层，并且可以完全覆盖图7中形成的有机层。在实施例中，牺牲材料层130m可以完全覆盖像素限定层118和第一图案层119a。牺牲材料层130m可以通过掩模工艺被图案化。这里，掩模可以指包括具有一个或多个开口(开口区域)的框架以及具有沿图案形成的一个或多个开口的掩模的掩模组件。
139.牺牲层130可以是在制造工艺中为形成断开部分150(参见图5a)的尖端pt(参见图5a)的结构而提供的层。牺牲层130可以被提供为暴露图7中形成的有机层的上表面的至少一部分，并且填充有机层的开口。在实施例中，牺牲层130可以被布置在像素限定层118之间以及像素限定层118与第一图案层119a之间。
140.随后，如图10中图示的，无机材料层可以形成在牺牲层130上以覆盖第一区域101，并且无机材料层可以被图案化以形成断开部分150。断开部分150可以被设置于在图7中形成的有机层中包括的像素限定层118上或位于在图7中形成的有机层中包括的像素限定层118之上，并且可以包括尖端pt，尖端pt的上表面的边缘在远离像素限定层118的中心或断开部分150的中心的方向上比像素限定层118的上表面的对应边缘更突出。
141.断开部分150可以包括覆盖像素限定层118的上表面的部分以及在远离像素限定层118的中心的方向上延伸以覆盖邻近的牺牲层130的部分。在这样的实施例中，尖端pt可以形成在断开部分150的覆盖牺牲层130的部分处。断开部分150的形状可以取决于被断开部分150覆盖的牺牲层130和像素限定层118的形状，这将在稍后参考图13a至图13c更详细地描述。
142.随后，如图11中图示的，牺牲层130可以被移除。因为牺牲层130在断开部分150形
成之后被移除，所以牺牲层130可以不存在于最终产品中。即使当牺牲层130被移除时，已经形成的断开部分150的形状也可以被保持而不变形。
143.在实施例中，牺牲层130可以通过剥离工艺或灰化工艺被移除，然而，本公开不限于此。在实施例中，牺牲层130可以包括当用光照射时引起化学变化的光刻胶材料。在一个实施例中，例如，牺牲层130可以包括诸如芳族双叠氮化物、甲基丙烯酸酯或肉桂酸酯的负性光刻胶，或者可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯、萘醌双叠氮化物或聚丁烯-1-砜的正性光刻胶；然而，本公开不限于此。
144.随后，如图12中图示的，中间层212、第二电极213和封装层300可以顺序地被提供或形成在图11的所得的结构之上。在这样的实施例中，如以上描述的，第二电极213和/或在中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分可以被断开部分150断开。在这样的实施例中，封装层300可以不被断开部分150断开，并且可以连续覆盖第一区域101并将部件封装在第一区域101内部。
145.尽管图7至图12图示了在其中断开部分150被设置在像素限定层118上(如在图5a中)的实施例，但是不限于此。可替代地，图5b的实施例可以使用在图7中形成的有机层使用以上描述的工艺来制造。在这样的实施例中，图5b中图示的显示装置的实施例可以通过以下步骤来制造：在图7的工艺操作中形成像素限定层118，形成设置在像素限定层118上或位于像素限定层118之上的附加有机层120(参见图5b)，并且然后以相同的方式执行图8至图12的工艺。在这样的实施例中，断开部分150可以被设置在附加有机层120上或位于附加有机层120之上。在这样的实施例中，第二图案层119b和断开部分150位于其上的附加有机层120可以彼此同时被形成。
146.图13a至图13c是依次图示根据实施例的形成断开部分150的工艺的截面图。为了参考，在图13a至图13c中，为了便于图示，除像素限定层118和牺牲层130之外的部件被省略。
147.在实施例中，断开部分150的形状可以取决于被断开部分150覆盖的牺牲层130和像素限定层118的形状，并且牺牲层130的形状可以取决于掩模的对齐位置。
148.如图13a中图示的，在通过图案化牺牲材料层130m(参见图8)来形成牺牲层130的掩模工艺中，掩模可以被布置在基板100之上。在掩模中，开口被限定为与牺牲层130的图案相对应。在实施例中，当牺牲材料层130m包括正性光刻胶时，掩模的开口可以被设置成与牺牲材料层130m要被移除的区域重叠。
149.在实施例中，如图13a的左侧中图示的，当掩模被布置在基板100之上时，掩模的开口的边缘可以被对齐，以与像素限定层118的边缘匹配。当通过这样对齐掩模来执行图案化工艺时，牺牲层130可以仅形成在与像素限定层118不重叠的区域中。
150.随后，当无机材料层被形成以覆盖像素限定层118和牺牲层130并且然后被图案化以形成断开部分150时，断开部分150可以具有图13b的左侧中图示的形状。具体地，断开部分150可以包括第一部分150-1、第二部分150-2和第三部分150-3。第一部分150-1可以覆盖像素限定层118的上表面的至少一部分，第一部分150-1的下表面的形状可以与像素限定层118的上表面的对应部分(例如，重叠部分)的形状基本相同。第二部分150-2可以从第一部分150-1的端部延伸到像素限定层118的边缘，第二部分150-2的下表面的形状可以与像素限定层118的上表面的对应部分的形状基本相同。第三部分150-3可以是从第二部分150-2
的端部在远离像素限定层118的方向上延伸的部分。在可替代的实施例中，第三部分150-3的下表面的形状可以与像素限定层118的上表面的形状不同。在另一可替代的实施例中，第二部分150-2的至少一部分和/或第三部分150-3的至少一部分可以具有弯曲的形状。在另一可替代的实施例中，断开部分150可以在第二部分150-2和第三部分150-3彼此相交的点处具有尖头。
151.在可替代的实施例中，如图13a的右侧中图示的，当掩模被布置在基板100之上时，掩模的开口的边缘可以被对齐为比像素限定层118的对应边缘更靠近像素限定层118的中心达预设距离l。当通过这样对齐掩模来执行图案化工艺时，牺牲层130的至少一部分可以与像素限定层118重叠。
152.随后，当无机材料层被形成以覆盖像素限定层118和牺牲层130并且然后被图案化以形成断开部分150时，断开部分150可以具有图13b的右侧中图示的形状。具体地，断开部分150可以包括第一部分150-1和第四部分150-4。第一部分150-1可以覆盖像素限定层118的上表面的至少一部分，第一部分150-1的下表面的形状可以与像素限定层118的上表面的对应部分的形状基本相同。第四部分150-4可以从第一部分150-1的端部在远离像素限定层118的方向上延伸，第四部分150-4的下表面可以与像素限定层118的上表面间隔开。在可替代的实施例中，第四部分150-4的下表面的形状可以与像素限定层118的上表面的对应部分的形状不同。在另一可替代的实施例中，第四部分150-4的至少一部分可以具有曲线。在另一可替代的实施例中，断开部分150可以在第一部分150-1和第四部分150-4彼此相交的点处不具有尖头。在这样的实施例中，与断开部分150具有尖头的情况相比，断开部分150的结构稳定性可以被提高。
153.在其中断开部分150被布置在附加有机层120之上的可替代的实施例中，附加有机层120被设置在像素限定层118上或位于像素限定层118之上，如在图5b中，断开部分150的形状可以与以上参考图13a至图13c描述的断开部分150的形状基本相同。
154.在一个实施例中，例如，断开部分150可以包括第一部分150-1、第二部分150-2和第三部分150-3，第一部分150-1覆盖附加有机层120的上表面的至少一部分，并且第一部分150-1的下表面的形状与附加有机层120的上表面的对应部分的形状基本相同，第二部分150-2从第一部分150-1的端部延伸到附加有机层120的边缘，并且第二部分150-2的下表面的形状与附加有机层120的上表面的对应部分的形状基本相同，第三部分150-3从第二部分150-2的端部在远离附加有机层120的方向上延伸。
155.在一个可替代的实施例中，例如，断开部分150可以包括第一部分150-1和第四部分150-4，第一部分150-1覆盖附加有机层120的上表面的至少一部分，并且第一部分150-1的下表面的形状与附加有机层120的上表面的对应部分的形状基本相同，第四部分150-4从第一部分150-1的端部在远离附加有机层120的方向上延伸，并且第四部分150-4的下表面与附加有机层120的上表面间隔开。
156.图14至图16是依次图示制造图6的显示装置的区c的工艺的截面图。在下文中，将参考图14至图16来主要描述制造图6的显示装置的方法的工艺，并且为了简洁，与以上描述的元件相同或类似的元件的任何重复的详细描述将被省略。
157.如图14中图示的，以上参考图7至图11描述的工艺可以在其中连接部分cecnp被提供在第一区域101上的区域中被执行。在这样的实施例中，电源线wl和连接电极211p可以进
一步形成在形成有连接部分cecnp的区域中。在实施例中，电源线wl可以与源电极se、漏电极de和/或接触金属cm在同一工艺中同时被形成，并且连接电极211p可以与第一电极211在同一工艺中同时被形成。
158.随后，如图15中图示的，中间层212可以被提供或形成在第一区域101上。在实施例中，可以通过使用掩模工艺来图案化中间层212。在这样的实施例中，在中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和第二功能层212c)可以被形成为不覆盖连接部分cecnp。在一个实施例中，例如，第一功能层212a的边缘212ae和第二功能层212c的边缘212ce可以与无机接触区域ica间隔开一定距离，而连接部分cecnp在第一功能层212a的边缘212ae和第二功能层212c的边缘212ce与无机接触区域ica(参见图6)之间。
159.随后，如图16中图示的，第二电极213和封装层300可以顺序地被提供或形成在图15的结构上。在这样的实施例中，如以上描述的，第二电极213可以被断开部分150断开。在这样的实施例中，封装层300可以不被断开部分150断开，并且可以连续地覆盖第一区域101并将部件封装在第一区域101内部。
160.图17至图21是依次图示根据可替代的实施例的制造显示装置的方法的一部分的截面图。
161.图17至图21是依次图示制造图5c的显示装置的区b的工艺的截面图。在下文中，将参考图17至图21来主要描述制造图5c的显示装置的工艺的特征，并且为了简洁，与以上描述的元件相同或类似的元件的任何重复的详细描述将被省略。
162.如图17中图示的，缓冲层111和绝缘层112、113、114、pvx1、115和116可以被提供或形成在基板100的第一区域101之上，并且图案化工艺可以被执行以形成第一有机绝缘层115的第三开口h3和第二有机绝缘层116的第二开口h2。尽管在图17中没有图示，但是像素电路pc可以在这样的工艺期间形成。
163.随后，如图18中图示的，牺牲层130和第二无机绝缘层pvx2可以被形成。牺牲层130可以通过以上参考图8和图9描述的工艺来形成。牺牲层130可以填充第一有机绝缘层115的第三开口h3和第二有机绝缘层116的第二开口h2。第二无机绝缘层pvx2可以覆盖牺牲层130的上表面和第二有机绝缘层116的上表面。
164.随后，如图19和图20中图示的，有机材料层可以形成在第二无机绝缘层pvx2之上，并且有机材料层可以被图案化以形成像素限定层118和第一图案层119a。在实施例中，在每个部分中，像素限定层118和第一图案层119a中的每个可以具有不同的厚度。在这样的实施例中，像素限定层118和第一图案层119a中的每个可以包括具有第一厚度t1的第一厚度区域和具有第二厚度t2的第二厚度区域。在实施例中，可以使用半色调掩模工艺。这里，半色调掩模可以指包括透明区域、半透明区域和不透明区域的掩模。
165.第二无机绝缘层pvx2可以被图案化以形成第一开口h1。在实施例中，在图案化第二无机绝缘层pvx2的工艺中，像素限定层118和第一图案层119a可以用作掩模。第二无机绝缘层pvx2可以仅在与像素限定层118或第一图案层119a不重叠的区域中被移除，并且可以在与像素限定层118或第一图案层119a重叠的区域中不被移除。在实施例中，第二厚度区域的第二厚度t2可以是在图案化第二无机绝缘层pvx2的工艺中像素限定层118和第一图案层119a被移除的部分的厚度。因此，当图案化第二无机绝缘层pvx2的工艺被执行时，像素限定层118和第一图案层119a中的每个的第二厚度区域可以被移除，并且第一厚度区域的厚度
可以被减小第二厚度t2以具有第三厚度t3。
166.在其中像素限定层118和第一图案层119a在图案化第二无机绝缘层pvx2的工艺中用作掩模的实施例中，可以通过不执行用于图案化第二无机绝缘层pvx2的单独的掩模工艺来提高工艺效率。在这样的实施例中，由于第二无机绝缘层pvx2可以在牺牲层130被完全固化之前被图案化以形成断开部分150的尖端pt，因此牺牲层130可以在后续工艺中容易地被移除。
167.随后，如图21中图示的，牺牲层130可以从图20的结构中被移除，以形成断开部分150。在牺牲层130被移除之后，中间层212、第二电极213和封装层300可以顺序地形成。在实施例中，如以上描述的，第二电极213和/或在中间层212中包括的功能层(例如，第一功能层212a和/或第二功能层212c)的至少一部分可以被断开部分150的尖端pt断开。在这样的实施例中，封装层300可以不被断开部分150断开，并且可以连续覆盖第一区域101并将部件封装在第一区域101内部。
168.图22是示意性地图示根据实施例的显示装置2的透视图，图23a至图23c是示意性地图示图22的显示装置2的一部分的截面图，并且图24是示意性地图示在图22的显示装置2中包括的显示面板10-1的平面图。
169.具体地，图22和图24分别图示了在显示面板10-1的侧显示区域sda和拐角显示区域cda被弯折之后和之前的显示面板10-1的侧显示区域sda和拐角显示区域cda的形状。此外，图23a和图23b分别对应于显示装置2的在图22的x方向和y方向上截取的截面图，并且图23c图示了在其中拐角显示区域cda被布置在图22的显示装置2中的前显示区域fda的两侧的截面图。
170.参考图22以及图23a至图23c，显示装置2的实施例可以具有在第一方向(例如，x方向)上的边和在第二方向(例如，y方向)上的边。在这样的实施例中，显示装置2的拐角cn可以被倒圆以具有一定曲率。这里，“拐角cn”可以指在其中在第一方向上的边和在第二方向上的边彼此相交的拐角部分。
171.尽管图22图示了在其中在第二方向上的边比在第一方向上的边长的实施例，但是本公开不限于此。在一个可替代的实施例中，例如，在第一方向上的边的长度和在第二方向上的边的长度可以彼此相等，或者在第一方向上的边的长度可以大于在第二方向上的边的长度。
172.显示装置2可以包括显示面板10-1和覆盖窗20-1。
173.显示面板10-1可以包括用于显示图像的显示区域da以及围绕显示区域da的外围区域pa。
174.在实施例中，显示面板10-1可以在显示面板10-1的前区域、侧区域和/或拐角区域中显示图像。显示区域da可以包括前显示区域fda、侧显示区域sda、拐角显示区域cda和中间显示区域mda。包括发光器件的多个像素px可以被布置在前显示区域fda、侧显示区域sda、拐角显示区域cda和中间显示区域mda中的每个中，并且图像可以通过其中的多个像素px被显示。
175.前显示区域fda可以是位于显示面板10-1的前表面的显示区域da。包括发光器件的第一像素px1可以被布置在前显示区域fda中。前显示区域fda可以具有平坦的形状。
176.侧显示区域sda可以是位于显示面板10-1的侧表面的显示区域da。侧显示区域sda
可以连接到前显示区域fda的一侧。侧显示区域sda可以包括分别连接到前显示区域fda的各侧的第一侧显示区域sda1、第二侧显示区域sda2、第三侧显示区域sda3和/或第四侧显示区域sda4。
177.侧显示区域sda可以以一曲率半径弯曲，并且可以具有弯曲的形状。在实施例中，第一至第四侧显示区域sda1、sda2、sda3和sda4可以具有相同的曲率半径。在可替代的实施例中，第一至第四侧显示区域sda1、sda2、sda3和sda4中的两个或更多个可以具有不同的曲率半径。在下文中，为了便于描述，将详细描述在其中第一侧显示区域sda1和第三侧显示区域sda3具有相同的第一曲率半径r1并且第二侧显示区域sda2和第四侧显示区域sda4具有相同的第二曲率半径r2的实施例。在这样的实施例中，第一曲率半径r1和第二曲率半径r2可以彼此相等或不同。
178.拐角显示区域cda可以是位于显示面板10-1的拐角cn处的显示区域da。包括发光器件的第二像素px2可以被布置在拐角显示区域cda中。拐角显示区域cda可以被布置在邻近的侧显示区域sda之间。在一个实施例中，例如，如图22中图示的，拐角显示区域cda可以被布置在第一侧显示区域sda1与第二侧显示区域sda2之间、第二侧显示区域sda2与第三侧显示区域sda3之间、第三侧显示区域sda3与第四侧显示区域sda4之间和/或第四侧显示区域sda4与第一侧显示区域sda1之间。
179.拐角显示区域cda可以具有第三曲率半径r3，并且可以具有弯曲的形状。在实施例中，第三曲率半径r3可以随着其中的点变化。在实施例中，第三曲率半径r3的变化可以取决于邻近的侧显示区域sda的曲率半径。在一个实施例中，例如，第一侧显示区域sda1与第二侧显示区域sda2之间的拐角显示区域cda的第三曲率半径r3可以取决于第一侧显示区域sda1的第一曲率半径r1和第二侧显示区域sda2的第二曲率半径r2。在一个实施例中，例如，在第一曲率半径r1小于第二曲率半径r2的情况下，拐角显示区域cda的曲率半径可以从第一侧显示区域sda1到第二侧显示区域sda2逐渐增大。在这样的实施例中，拐角显示区域cda的第三曲率半径r3可以在第一曲率半径r1以上到第二曲率半径r2以下的范围内变化。
180.中间显示区域mda可以是位于拐角显示区域cda与前显示区域fda之间的显示区域da。包括发光器件的第三像素px3可以被布置在中间显示区域mda中。中间显示区域mda可以在邻近的侧显示区域sda与拐角显示区域cda之间延伸。在一个实施例中，例如，如图22中图示的，中间显示区域mda可以在第一侧显示区域sda1与拐角显示区域cda之间和在第二侧显示区域sda2与拐角显示区域cda之间延伸。
181.在实施例中，用于提供电信号的驱动电路dc和/或用于提供电压的电压线可以被布置在中间显示区域mda中，并且第三像素px3可以与驱动电路dc和/或电压线重叠。在这样的实施例中，第三像素px3的发光器件可以被布置在驱动电路dc和/或电压线上。在可替代的实施例中，驱动电路dc和/或电压线可以被布置在外围区域pa中，并且第三像素px3可以与驱动电路dc或电压线不重叠。
182.外围区域pa可以是不显示图像的非显示区域。用于将电信号提供到显示区域da的像素px的驱动电路dc或用于提供电压的电压线等可以被布置在外围区域pa中。在一个实施例中，例如，驱动电路dc可以是通过扫描线sl将扫描信号提供到像素px中的每个像素px的扫描驱动电路。可替代地，驱动电路dc可以是通过数据线dl将数据信号提供到像素px中的每个像素px的数据驱动电路(未图示)。
183.外围区域pa可以包括是电子器件或印刷电路板等可以电连接至其的区域的焊盘部分(未图示)。焊盘部分可以通过不被绝缘层覆盖而被暴露，以电连接到柔性印刷电路板(“fpcb”)。fpcb可以将控制器电连接到焊盘部分，并且可以供给从控制器传输的信号或电压。
184.图25是示意性地图示图24的显示面板10-1的一部分(区f)的放大平面图。在下文中，附图中相同的附图标记可以指相同的元件，并且为了简洁，与以上描述的元件相同或类似的元件的任何重复的详细描述将被省略。
185.当拐角显示区域cda被弯折时，在拐角显示区域cda中可能发生比拉伸应变更大的压缩应变，并且显示面板10-1的一部分可能由于对应的压缩应力而被损坏。因此，拐角显示区域cda可以具有与前显示区域fda的基板100(参见图24)以及基板100之上的多层结构不同的基板100(参见图24)以及在基板100之上的多层结构。
186.参考图25，基板100可以包括多个延伸区域la。延伸区域la可以在远离前显示区域fda的方向上延伸，并且可以与拐角显示区域cda和/或外围区域pa至少部分地重叠。第二像素px2可以被布置在与拐角显示区域cda重叠的延伸区域la之上。在实施例中，第二像素px2可以在延伸区域la延伸的方向上被布置。
187.被限定为穿过显示面板10-1的贯穿部分pnp可以被限定在多个邻近的延伸区域la之间。贯穿部分pnp可以用于减小在拐角显示区域cda被弯折时产生的压缩应变引起的压缩应力。具体地，当拐角显示区域cda被弯折时，压缩应力可以不被施加，但是贯穿部分pnp的面积可以减小，使得延伸区域la可以变得彼此接近。因此，可以防止在拐角显示区域cda被弯折时损坏显示面板10-1。
188.图26是示意性地图示作为图24的显示面板10-1的一部分的延伸区域la的一部分的放大平面图。
189.参考图26，在实施例中，延伸区域la可以与拐角显示区域cda的至少一部分和外围区域pa的至少一部分重叠。在这样的实施例中，延伸区域la可以跨拐角显示区域cda和外围区域pa被布置，并且可以在远离前显示区域fda(参见图24)或中间显示区域mda的方向上延伸。在实施例中，延伸区域la可以在延伸方向edr上延伸。这里，“延伸方向edr”可以是与第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)交叉的方向。
190.延伸区域la可以在与延伸方向edr交叉的方向上被布置。在实施例中，如图26中图示的，延伸区域la可以在与延伸方向edr垂直的垂直方向vdr上被布置。
191.延伸区域la可以彼此间隔开。贯穿部分pnp可以由延伸区域la以其被间隔开的空间限定或形成在延伸区域la之间。在这样的实施例中，延伸区域la的边缘的至少一部分可以限定贯穿部分pnp的至少一部分。基板100(参见图24)以及基板100之上的部件可以不被布置在贯穿部分pnp中。
192.布置在拐角显示区域cda中的第二像素px2可以被布置在延伸区域la之上。第三像素px3可以被布置在中间显示区域mda中。在这样的实施例中，在像素px(参见图24)中的每个像素px中包括的发射区域的数量、在其中布置有发射区域的图案、发射区域中的每个发射区域的面积以及在其中布置有像素px的图案不限于图26中所示的那些，并且可以根据设计被不同地修改。
193.图26图示了在其中第二像素px2和第三像素px3中的每个包括以条带图案在延伸
方向edr上被布置的三个发射区域ear、eab和eag的实施例。可替代地，第二像素px2和第三像素px3中的每个可以包括一个、两个、或四个或更多个发射区域。发射区域可以被布置成在与延伸方向edr交叉的方向(例如，垂直方向vdr)上布置的条带图案或五格型(pentile)图案。在这样的实施例中，发射区域的面积可以彼此相等或不同。
194.第一堤坝部分dam1可以被布置在延伸区域la中的每个延伸区域la之上。第一堤坝部分dam1可以完全围绕布置在延伸区域la之上的第二像素px2。第二堤坝部分dam2可以被布置在与在延伸区域la和中间显示区域mda之间的边界或在拐角显示区域cda和中间显示区域mda之间的边界邻近的区域中。第一堤坝部分dam1和第二堤坝部分dam2中的每个可以控制有机封装层320(参见图27a)的流动。在实施例中，第一堤坝部分dam1和第二堤坝部分dam2可以使有机封装层320分离，以形成用于每个延伸区域la的封装结构。第一堤坝部分dam1和第二堤坝部分dam2可以具有与以上描述的堤坝部分119(参见图5a)相同的结构。
195.在实施例中，用于供给电压的连接部分cecnp和连接线(未图示)可以位于延伸区域la之上。在一个实施例中，例如，连接部分cecnp可以位于延伸区域la的端部。连接线可以被配置为通过连接部分cecnp将电压供给到第二像素px2。
196.图27a至图27c是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图。图27a至图27c可以与显示装置的沿图26的线iii-iii'截取的截面图相对应。图27a至图27c分别图示了在其中以上描述的图5a至图5c的结构类似地应用于显示面板10-1(参见图24)的延伸区域la(参见图26)的实施例。因此，为了简洁，与以上参考图5a至图5c描述的元件相同或相似的元件的任何重复的详细描述将被省略。
197.参考图27a至图27c，在实施例中，延伸区域la中的每个延伸区域la可以包括单独的封装结构。在这样的实施例中，以上描述的基板100、设置在基板100上或位于基板100之上的像素电路pc以及电连接到像素电路pc的发光器件(例如，有机发光二极管oled)可以被布置在延伸区域la中的每个延伸区域la之上。
198.在实施例中，基板100可以包括顺序地堆叠的第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。在这样的实施例中，缓冲层111、栅绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层114、第一无机绝缘层pvx1、第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116和第二无机绝缘层pvx2可以顺序地堆叠在基板100与有机发光二极管oled之间。
199.在其中限定有用于限定有机发光二极管oled的发射区域的像素开口118op的像素限定层118、第一堤坝部分dam1(参见图26)和封装层300可以被设置在第二无机绝缘层pvx2上或位于第二无机绝缘层pvx2之上。
200.布置在延伸区域la之上的第二像素px2(参见图26)可以被无机接触区域ica至少部分地围绕。在一个实施例中，例如，当在与基板100的上表面垂直的方向(例如，z方向)上观看时，无机接触区域ica可以沿延伸区域la的边缘被设置或形成。
201.布置在延伸区域la之上的有机发光二极管oled中的每个有机发光二极管oled也可以包括第一电极211、第二电极213以及布置在第一电极211和第二电极213之间的中间层212。在实施例中，如图27a至图27c中图示的，图5a至图5c中的每个中图示的断开部分150可以位于延伸区域la之上。由于断开部分150的结构特征和效果与以上描述的断开部分150的结构特征和效果相同，因此为了简洁，断开部分150的任何重复的详细描述将被省略。
202.如以上描述的，根据实施例，显示装置可以在基板变形时防止损坏显示装置的同
时，具有提高的光效，并且可以在不使用单独的掩模工艺的情况下有效地执行制造显示装置的方法。
203.本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
204.虽然已参考本发明的实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域的普通技术人员应理解，可以在本发明中进行形式和细节上的各种改变，而不背离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围。